本實(shí)用新型涉及太陽能設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種多晶硅片用吸盤夾具。
背景技術(shù):
現(xiàn)在隨著科技的發(fā)展,使得在一些裝置上常常會用到太陽能多晶硅片,由于多晶硅片能夠在極小的面積上,集成數(shù)千萬的晶體管,工程精細(xì)極高,特別是在現(xiàn)在的微電子技術(shù)領(lǐng)域,航空航天、工業(yè)、農(nóng)業(yè)以及商業(yè)上也被廣泛應(yīng)用。
對于現(xiàn)在生產(chǎn)太陽能多晶硅片的方法中,常常需要對多晶硅片在生產(chǎn)時進(jìn)行轉(zhuǎn)移進(jìn)行進(jìn)一步加工,但是現(xiàn)在轉(zhuǎn)移多晶硅片的夾具過于粗糙,僅僅是通過機(jī)械的夾持件進(jìn)行夾持轉(zhuǎn)移,這樣會對多晶硅片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成進(jìn)一步的損害,損壞率高,不僅會增加成本,還會使得制備的工期受到影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種多晶硅片用吸盤夾具。
為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的一個技術(shù)方案是:一種多晶硅片用吸盤夾具,包括:支架、抽氣管和吸盤,所述抽氣管安裝在所述支架上;
所述支架內(nèi)安裝有控制芯片,所述支架頂端設(shè)有圓孔,所述抽氣管貫穿所述圓孔,所述抽氣管外壁設(shè)有齒條,所述圓孔上端安裝有電機(jī),所述電機(jī)上安裝有齒輪;
所述吸盤與所述抽氣管相連接,所述吸盤安裝在所述抽氣管底端;
所述支架上兩對稱的垂直面上安裝有夾頭,所述夾頭上安裝有機(jī)械爪;
所述機(jī)械爪由若干連接件組成,所述機(jī)械爪上安裝有若干感應(yīng)器。
在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中,所述齒條與所述齒輪相配合。
在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中,所述控制芯片分別與所述機(jī)械爪和所述感應(yīng)器相連接。
本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型一種多晶硅片用吸盤夾具,該夾具能夠與多晶硅片側(cè)面貼合,使得多晶硅片在加工的過程中更加的穩(wěn)定。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型一種多晶硅片用吸盤夾具的主視圖。
圖2是本實(shí)用新型一種多晶硅片用吸盤夾具的仰視圖。
附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、支架;2、抽氣管;3、吸盤;4、圓孔;5、齒條;6、電機(jī);7、齒輪;8、夾頭;9、機(jī)械爪;10、連接件;11、感應(yīng)器;12、控制芯片。
具體實(shí)施方式
請參閱圖1和圖2,本實(shí)用新型實(shí)施例包括:一種多晶硅片用吸盤夾具,包括:支架1、抽氣管2和吸盤3,所述抽氣管2安裝在所述支架1上;
所述支架1頂端設(shè)有圓孔4,所述抽氣管2貫穿所述圓孔4,所述圓孔4用于所述抽氣管2的通過。
所述抽氣管2外壁設(shè)有齒條5,所述圓孔4上端安裝有電機(jī)6,所述電機(jī)6上安裝有齒輪7,所述齒條5與所述齒輪7相配合,使得所述抽氣管2可以上下的移動,從而將被所述吸盤3吸住的多晶硅片提起。
所述吸盤3與所述抽氣管2相連接,所述吸盤3安裝在所述抽氣管2底端,所述抽氣管2通過對所述吸盤3和多晶硅片上表面形成的空間內(nèi)抽氣,從而將多晶硅片吸起。
所述支架1上兩對稱的垂直面上安裝有夾頭8,所述夾頭8用于對多晶硅片的側(cè)面進(jìn)行夾緊。
所述夾頭8上安裝有機(jī)械爪9,所述機(jī)械爪9由若干連接件10組成,所述連接件10使得所述機(jī)械爪9可以完全貼合多晶硅片的側(cè)面。
所述機(jī)械爪9上安裝有若干感應(yīng)器11,所述支架1內(nèi)安裝有控制芯片12,所述控制芯片12分別與所述機(jī)械爪9和所述感應(yīng)器11相連接,所述感應(yīng)器11用于感應(yīng)所述連接件10與多晶硅片側(cè)面的壓強(qiáng),避免由于壓力過大對多晶硅片造成損壞。
所述控制芯片12根據(jù)所述感應(yīng)器11傳來的壓強(qiáng)數(shù)據(jù)來控制所述機(jī)械爪9進(jìn)行夾緊度的控制。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型一種多晶硅片用吸盤夾具,該夾具能夠與多晶硅片側(cè)面貼合,使得多晶硅片在加工的過程中更加的穩(wěn)定。
以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。