本發(fā)明涉及電子元器件傳送裝置及編帶電子元器件串列的制造方法。

背景技術(shù)：

已知有層疊陶瓷電容器作為一種電子元器件。在層疊陶瓷電容器中，層疊有多個(gè)內(nèi)部電極和陶瓷電介質(zhì)層。

一般而言，將層疊陶瓷電容器安裝于基板來使用。在將層疊陶瓷電容器安裝于基板時(shí)，內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面平行的情況和內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面垂直的情況下，存在機(jī)械強(qiáng)度差，有時(shí)寄生電容值不同。

此外，內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面平行的情況、和內(nèi)部電極的層疊方向與基板的表面垂直的情況下，有時(shí)噪聲(acoustic noise)的大小不同。這里，“噪聲”是指因所施加的電壓變動(dòng)而產(chǎn)生的層疊陶瓷電容器的失真?zhèn)鬟_(dá)至基板，基板發(fā)生振動(dòng)，從而發(fā)出的聲音。

因此，要求在將內(nèi)部電極的層疊方向排列在規(guī)定的方向的狀態(tài)下，將層疊陶瓷電容器安裝于基板。

專利文獻(xiàn)1中記載有將層疊陶瓷電容器排列在規(guī)定的方向上的電子元器件傳送裝置的一個(gè)示例。專利文獻(xiàn)1所記載的傳送裝置具有第1傳送路徑、旋轉(zhuǎn)路徑及第2傳送路徑。旋轉(zhuǎn)路徑中設(shè)有第1磁體，以向電子元器件施加磁力，使得電子元器件的內(nèi)部電極朝向規(guī)定的方向。旋轉(zhuǎn)路徑具有引導(dǎo)壁的間隔隨著朝向與第2傳送路徑相連接的端部而逐漸變窄的過渡引導(dǎo)壁。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2011-018698號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

專利文獻(xiàn)1所記載的電子元器件傳送裝置中，若高速進(jìn)行電子元器件的傳送，則有時(shí)電子元器件中的內(nèi)部電極的層疊方向無法可靠地統(tǒng)一。

本發(fā)明的主要目的在于提供一種以較高可靠性來統(tǒng)一電子元器件中的內(nèi)部電極的層疊方向的電子元器件傳送裝置。

解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案

本發(fā)明所涉及的第1電子元器件傳送裝置包括傳送路徑、及第1磁力發(fā)生部。傳送路徑包含中游部、與中游部相連接的下游部。傳送路徑包含通過中游部及下游部的底面、第1側(cè)壁、及第2側(cè)壁。第1側(cè)壁和第2側(cè)壁隔著間隔相對(duì)。中游部中的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁之間的間隔P2比下游部中的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁之間的間隔P3要大。第1磁力發(fā)生部設(shè)置于中游部的第1側(cè)壁的側(cè)方。以底面作為基準(zhǔn)的第1磁力發(fā)生部的中心的高度比P3/2要大。本發(fā)明所涉及的第1電子元器件傳送裝置中，中游部中的第1側(cè)部和第2側(cè)壁之間的間隔P2比下游部中的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁的間隔P3要大。因此，中游部中，電子元器件易于旋轉(zhuǎn)。因此，電子元器件的內(nèi)部電極的層疊方向以較高的可靠性進(jìn)行統(tǒng)一。

本發(fā)明所涉及的第2電子元器件傳送裝置包括傳送路徑、及第1磁力發(fā)生部。傳送路徑包含中游部、與中游部相連接的下游部。傳送路徑包含通過中游部及下游部的底面、第1側(cè)壁、及第2側(cè)壁。第1側(cè)壁和第2側(cè)壁隔著間隔相對(duì)。中游部中的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁之間的間隔P2比下游部中的第1側(cè)壁和第2側(cè)壁之間的間隔P3要大。第1磁力發(fā)生部設(shè)置于中游部的第1側(cè)壁的側(cè)方。第1磁力發(fā)生部的中心與底面之間的距離比所傳送的電子元器件的中心與底面之間的距離要大。因此，中游部中，電子元器件浮起，從而易于旋轉(zhuǎn)。因此，電子元器件的內(nèi)部電極的層疊方向以較高的可靠性進(jìn)行統(tǒng)一。

本發(fā)明所涉及的第1及第2電子元器件傳送裝置分別優(yōu)選為還包括設(shè)置于中游部的第2側(cè)壁的側(cè)方的第2磁力發(fā)生部，第2磁力發(fā)生部配置于第1磁力發(fā)生部的下游側(cè)。該情況下，能抑制電子元器件堵塞于中游部。

本發(fā)明所涉及的第1及第2電子元器件傳送裝置分別優(yōu)選為第2磁力發(fā)生部的中心與底面之間的距離比第1磁力發(fā)生部的中心與底面之間的距離要小。該情況下，能更有效地抑制電子元器件堵塞于中游部。

本發(fā)明所涉及的第3電子元器件傳送裝置包括傳送路徑、及第1磁力發(fā)生部。傳送路徑包含底面、第1側(cè)壁、及第2側(cè)壁。第1側(cè)壁和第2側(cè)壁隔著間隔相對(duì)。第1磁力發(fā)生部設(shè)置于第1側(cè)壁的側(cè)方。底面具有使所傳送的電子元器件的下表面的一部分與底面相隔離的隔離構(gòu)造。因此，中游部中，電子元器件易于旋轉(zhuǎn)。因此，電子元器件的內(nèi)部電極的層疊方向以較高的可靠性進(jìn)行統(tǒng)一。

本發(fā)明所涉及的第3電子元器件傳送裝置中，隔離構(gòu)造可以是底面的一部分突起的突起部或底面的一部分凹陷的凹部。

本發(fā)明所涉及的第3電子元器件傳送裝置中，隔離構(gòu)造可以是使下游側(cè)的底面變低的底面的階差。

本發(fā)明所涉及的第3電子元器件傳送裝置中，隔離構(gòu)造可以是底面的曲面形狀。

本發(fā)明所涉及的第4電子元器件傳送裝置包括傳送路徑、及第1磁力發(fā)生部。傳送路徑包含底面、第1側(cè)壁、及第2側(cè)壁。第1側(cè)壁和第2側(cè)壁隔著間隔相對(duì)。第1磁力發(fā)生部設(shè)置于第1側(cè)壁的側(cè)方。本發(fā)明所涉及的第4電子元器件傳送裝置還包括利用空氣壓力使所傳送的電子元器件的下表面的一部分與底面相隔離的浮起機(jī)構(gòu)。因此，中游部中，電子元器件浮起，從而易于旋轉(zhuǎn)。因此，電子元器件的內(nèi)部電極的層疊方向以較高的可靠性進(jìn)行統(tǒng)一。

本發(fā)明所涉及的第4電子元器件傳送裝置中，浮起機(jī)構(gòu)可以包含從底面朝著上方吹出氣體的吹氣機(jī)構(gòu)。

本發(fā)明所涉及的第3及第4電子元器件傳送裝置的各個(gè)中，浮起機(jī)構(gòu)可以包含從上方吸引電子元器件的吸引機(jī)構(gòu)。

本發(fā)明所涉及的第4電子元器件傳送裝置中，傳送路徑包含中游部、與中游部相連接的下游部，底面、第1側(cè)壁及第2側(cè)壁通過中游部及下游部，中游部中的第1側(cè)壁與第2側(cè)壁之間的間隔P2比下游部中的第1側(cè)壁與第2側(cè)壁之間的間隔P3要大，第1磁力發(fā)生部設(shè)置于中游部的第1側(cè)壁的側(cè)方，隔離構(gòu)造可以被中游部的底面所包含。

本發(fā)明所涉及的第4電子元器件傳送裝置中，傳送路徑包含中游部、與中游部相連接的下游部，底面、第1側(cè)壁及第2側(cè)壁通過中游部及下游部，中游部中的第1側(cè)壁與第2側(cè)壁之間的間隔P2比下游部中的第1側(cè)壁與第2側(cè)壁之間的間隔P3要大，第1磁力發(fā)生部設(shè)置于中游部的第1側(cè)壁的側(cè)方，浮起機(jī)構(gòu)可以設(shè)置于中游部。

本發(fā)明所涉及的第4電子元器件傳送裝置優(yōu)選為還包括設(shè)置于中游部的第2側(cè)壁的側(cè)方的第2磁力發(fā)生部，第2磁力發(fā)生部配置于第1磁力發(fā)生部的下游側(cè)。

本發(fā)明所涉及的編帶電子元器件串列的制造方法包括如下工序：利用本發(fā)明所涉及的第1或第2電子元器件傳送裝置，使電子元器件的多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)體的層疊方向統(tǒng)一的工序；以及將層疊方向統(tǒng)一后的電子元器件收容于編帶的凹部中，來獲得包括編帶和收容于凹部的電子元器件的編帶電子元器件串列的工序。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能提供一種使電子元器件的內(nèi)部電極的層疊方向以較高的可靠性進(jìn)行統(tǒng)一的電子元器件傳送裝置。

附圖說明

圖1是表示實(shí)施方式1所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性立體圖。

圖2是表示實(shí)施方式1所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性俯視圖。

圖3是圖2的線III-III處的示意性剖視圖。

圖4是圖2的線III-III處的示意性剖視圖。

圖5是圖2的線III-III處的示意性剖視圖。

圖6是實(shí)施方式1中傳送的電子元器件的示意性立體圖。

圖7是圖6的線VII-VII處的示意性剖視圖。

圖8是實(shí)施方式1中制造的編帶電子元器件串列的示意性剖視圖。

圖9是表示實(shí)施方式2所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

圖10是表示實(shí)施方式3所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

圖11是表示實(shí)施方式4所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

圖12是表示實(shí)施方式5所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

圖13是表示實(shí)施方式6所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

圖14是表示實(shí)施方式7所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

圖15是表示實(shí)施方式8所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面，對(duì)實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一個(gè)示例進(jìn)行說明。但是，下述實(shí)施方式僅僅是示例。本發(fā)明并不限于下述任一實(shí)施方式。

此外，在實(shí)施方式等所參照的各附圖中，以相同的標(biāo)號(hào)來參照實(shí)質(zhì)上具有相同功能的構(gòu)件。另外，實(shí)施方式等所參照的附圖是示意性的記載。附圖中繪制的物體的尺寸比例等有時(shí)與現(xiàn)實(shí)物體的尺寸比例等不同。附圖相互間的物體的尺寸比例等也可能不同。具體的物體的尺寸比例等應(yīng)當(dāng)參考以下的說明來判斷。

(實(shí)施方式1)

圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性立體圖。圖2是表示本實(shí)施方式所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性俯視圖。圖1及圖2所示的電子元器件傳送裝置2對(duì)電子元器件1進(jìn)行傳送。所傳送的電子元器件1是長(zhǎng)方體狀的，但并不特別限定。

具體而言，本實(shí)施方式中，對(duì)利用電子元器件傳送裝置2來傳送圖6及圖7所示的電子元器件1的示例進(jìn)行說明。

圖6是本實(shí)施方式中傳送的電子元器件1的示意性立體圖。圖7是圖6的線VII-VII處的示意性剖視圖。

圖6及圖7所示的電子元器件1是長(zhǎng)方體狀的電容器。具體而言，電子元器件1是長(zhǎng)方體裝的層疊陶瓷電容器。本發(fā)明適用于易于發(fā)生噪聲且具有較大的靜電電容的電子元器件1，尤其適用于靜電電容為1μF以上或10μF以上的電子元器件1。

但是，本發(fā)明的電子元器件并不限于電容器。本發(fā)明的電子元器件也可以是熱敏電阻、電感器等。

電子元器件1包括電子元器件主體10。電子元器件主體10呈近似長(zhǎng)方體狀。另外，近似長(zhǎng)方體除了長(zhǎng)方體以外還包含長(zhǎng)方體的角部、棱線部為圓形的情況。

電子元器件主體10具有第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d、第1及第2端面10e、10f(參照?qǐng)D7)。第1及第2主面10a、10b分別沿著長(zhǎng)度方向L及寬度方向W延伸。長(zhǎng)度方向L和寬度方向W正交。第1及第2側(cè)面10c、10d分別沿著長(zhǎng)度方向L及厚度方向T延伸。厚度方向T分別與長(zhǎng)度方向L及寬度方向W正交。第1及第2端面10e、10f分別沿著寬度方向W及厚度方向T延伸。

沿著電子元器件主體10的長(zhǎng)度方向L的尺寸比沿著寬度方向W及厚度方向T的尺寸要大。沿著電子元器件主體10的寬度方向W的尺寸與沿著電子元器件主體10的厚度方向T的尺寸實(shí)質(zhì)相等。具體而言，沿著電子元器件主體10的寬度方向W的尺寸是沿著電子元器件主體10的厚度方向T的尺寸的0.8倍以上1.2倍以下。

具體而言，本實(shí)施方式中，電子元器件主體10的沿著長(zhǎng)度方向L的尺寸優(yōu)選為0.6mm以上2.0mm以下。電子元器件主體10的沿著寬度方向W的尺寸優(yōu)選為0.3mm以上1.0mm以下。電子元器件主體10的沿著厚度方向T的尺寸優(yōu)選為0.3mm以上1.0mm以下。

為了獲得較大的靜電電容，電子元器件主體10由強(qiáng)電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成。作為電介質(zhì)陶瓷的具體例，例舉出例如BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃等?？梢愿鶕?jù)電子元器件1所要求的特性，在電子元器件主體10中適當(dāng)添加例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等副成分。強(qiáng)電介質(zhì)陶瓷的相對(duì)介電常數(shù)優(yōu)選為2000以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3000以上。該情況下，能在上述電子元器件主體10的尺寸范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)1μF以上或10μF以上的靜電電容。上述電子元器件1易于產(chǎn)生噪聲，能適用于本發(fā)明。

如圖7所示，在電子元器件主體10的內(nèi)部作為內(nèi)部導(dǎo)體設(shè)有多個(gè)第1內(nèi)部電極11和多個(gè)第2內(nèi)部電極12。

第1內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極12沿著厚度方向T交替層疊，在厚度方向T上隔著陶瓷部10g相對(duì)。從使內(nèi)部電極11、12的片數(shù)變多的觀點(diǎn)出發(fā)，陶瓷部10g的厚度優(yōu)選為1μm以下。然而，若陶瓷部10g過薄，則有時(shí)耐電壓性會(huì)變低。因此，陶瓷部10g的厚度優(yōu)選為0.3μm以上。內(nèi)部電極11、12的合計(jì)片數(shù)優(yōu)選為350片以上。通過使內(nèi)部電極11、12的片數(shù)變多、增加其整體體積，電子元器件1的內(nèi)部電極的層疊方向易于統(tǒng)一。

第1內(nèi)部電極11沿著長(zhǎng)度方向L及寬度方向W而設(shè)置。第1內(nèi)部電極11被引出至第1端面10e。第1內(nèi)部電極11未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d、以及第2端面10f。

第2內(nèi)部電極12沿著長(zhǎng)度方向L及寬度方向W而設(shè)置。第2內(nèi)部電極12被引出至第2端面10f。第2內(nèi)部電極12未被引出至第1及第2主面10a、10b、第1及第2側(cè)面10c、10d、以及第1端面10e。

第1及第2內(nèi)部電極11、12分別含有金屬，特別是強(qiáng)磁性體金屬。作為優(yōu)選使用的強(qiáng)磁性金屬的具體例，例舉出例如包含Ni、Fe、Ni及Fe中的至少一種的合金等。

第1端面10e設(shè)有第1外部電極13。第1外部電極13從第1端面10e起到達(dá)第1及第2主面10a、10b和第1及第2側(cè)面10c、10d的一部分。第1外部電極13在第1端面10e上與第1內(nèi)部電極11相連接。

第2端面10f設(shè)有第2外部電極14。第2外部電極14從第2端面10f起到達(dá)第1及第2主面10a、10b和第1及第2側(cè)面10c、10d的一部分。第2外部電極14在第2端面10f上與第2內(nèi)部電極12相連接。

第1及第2外部電極13、14分別含有例如Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Cr等至少一種。

接著，參照?qǐng)D1～圖5對(duì)電子元器件傳送裝置2進(jìn)行詳細(xì)說明。

電子元器件傳送裝置2包括傳送路徑20。傳送路徑20與收容有多個(gè)電子元器件1的收容部(未圖示)相連接，從該收容部向傳送路徑20提供電子元器件1。在傳送路徑20內(nèi)傳送的電子元器件1通過未圖示的插入部分別被插入到互相隔著間隔設(shè)置于圖8所示的細(xì)長(zhǎng)狀的載帶31的多個(gè)凹部31a中。之后，在載帶31上配置有蓋帶32。由此來制造具有載帶31和蓋帶32的編帶、和具備收容于凹部31a的電子元器件1的編帶電子元器件串列3。

如圖1及圖2所示，電子元器件1在傳送路徑20內(nèi)沿著長(zhǎng)度方向L傳送。

傳送路徑20具有底面21、第1側(cè)壁22a、第2側(cè)壁22b。底面21水平設(shè)置。第1側(cè)壁22a在底面21的寬度方向上從一個(gè)側(cè)端朝著上方延伸。第1側(cè)壁22a垂直于底面21。第2側(cè)壁22b在底面21的寬度方向上從另一個(gè)側(cè)端朝著上方延伸。第2側(cè)壁22b垂直于底面21。

傳送路徑20具有上游部23a、與上游部23a相連接的中游部23b、與中游部23b相連接的下游部23c。上游部23a、中游部23b、下游部23c從收容部側(cè)(上游)起朝著插入部側(cè)(下游)按該此順序依次設(shè)置。底面21、第1側(cè)壁22a、第2側(cè)壁22b通過上游部23a、中游部23b及下游部23c。

在上游部23a及下游部23c，以各個(gè)電子元器件1無法以長(zhǎng)度方向L為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的間隔來設(shè)置第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b。換言之，在上游部23a及下游部23c中，若將電子元器件1的沿著寬度方向W的尺寸設(shè)為W1、沿著厚度方向的尺寸設(shè)為T1，則第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P1、P3比W1及T1要大，比{(W1)²+(T1)²}^1/2要小。

另一方面，中游部23b的第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P2比上游部23a及下游部23c的第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P1、P3要大。詳細(xì)而言，在中游部23b，以電子元器件1能以長(zhǎng)度方向L為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的間隔來設(shè)置第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b。換言之，在中游部23b中，第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔P2比{(W1)²+(T1)²}^1/2要大。

中游部23b包含與上游部23a相連接的第1過渡部23b1。第1過渡部23b1中，第2側(cè)壁22b相對(duì)于傳送方向D傾斜。另一方面，第1側(cè)壁22a平行于傳送方向D，從上游部23a到中游部23b是平坦的(平面狀)。因此，第1過渡部23b1中，第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔隨著遠(yuǎn)離上游部23a而逐漸變寬。

中游部23b包含與下游部23a相連接的第2過渡部23b2。第2過渡部23b2中，第2側(cè)壁22b相對(duì)于傳送方向D傾斜。另一方面，第1側(cè)壁22a平行于傳送方向D，從中游部23b到下游部23c是平坦的(平面狀)。因此，第2過渡部23b2中，第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔隨著接近下游部23c而逐漸變窄。

電子元器件傳送裝置2具有第1磁力發(fā)生部24a、第2磁力發(fā)生部24b。但本發(fā)明中，電子元器件傳送裝置也可以僅有第1磁力發(fā)生部。

第1磁力發(fā)生部24a和第2磁力發(fā)生部24b分別發(fā)生磁力。第1磁力發(fā)生部24a和第2磁力發(fā)生部24b可分別由例如永磁體、電磁體構(gòu)成。

第1磁力發(fā)生部24a設(shè)置于第1側(cè)壁22a的側(cè)方。第1磁力發(fā)生部24a對(duì)電子元器件1施加磁力，使得在中游部23b中電子元器件1的多個(gè)內(nèi)部電極(內(nèi)部導(dǎo)體)11、12的層疊方向(下面有時(shí)簡(jiǎn)稱為“電子元器件1中的層疊方向”。)朝向規(guī)定方向(預(yù)先設(shè)定的固定的所期望的方向、水平方向或鉛直方向)。具體而言，在電子元器件1的層疊方向朝向規(guī)定方向的電子元器件1從上游部23a傳送而來的情況下，即使施加有第1磁力發(fā)生部24a的磁力，電子元器件1的層疊方向也不發(fā)生變化(不旋轉(zhuǎn))。另一方面，在電子元器件1的層疊方向與規(guī)定方向正交的電子元器件1從上游部23a傳送而來的情況下，第1磁力發(fā)生部24a的磁力施加于電子元器件1，電子元器件1以沿著長(zhǎng)度方向L延伸的軸為中心進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。其結(jié)果是，電子元器件1的層疊方向朝著規(guī)定的方向。因此，在下游部23c，以層疊方向朝著規(guī)定方向的狀態(tài)來傳送電子元器件1。即，在中游部23b進(jìn)行使電子元器件1的層疊方向統(tǒng)一的工序。層疊方向經(jīng)統(tǒng)一后的電子元器件1被傳送至下游部23c。

第2磁力發(fā)生部24b配置在中游部23b的第2側(cè)壁22b的側(cè)方，且配置在比第1磁力發(fā)生部24a更靠近下游側(cè)。由第2磁力發(fā)生部24b發(fā)生的磁力比由第1磁力發(fā)生部24a發(fā)生的磁力要弱。通過設(shè)置該第2磁力發(fā)生部24b，通過第1磁力發(fā)生部24a的橫向的電子元器件1因第2磁力發(fā)生部24b的引力而易于遠(yuǎn)離第1側(cè)壁22a，從而電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)。為了如上所述那樣使電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)，優(yōu)選為第1磁力發(fā)生部24a和第2磁力發(fā)生部24b彼此不相對(duì)，即、在與傳送方向D正交的寬度方向上不重疊。具體而言，優(yōu)選為第1磁力發(fā)生部24a不與包含第2磁力發(fā)生部24b在內(nèi)的其他磁力發(fā)生部重疊，優(yōu)選為第2磁力發(fā)生部24b不與包含第1磁力發(fā)生部24a在內(nèi)的其他磁力發(fā)生部重疊。

然而，例如在電子元器件與底面和側(cè)壁雙方相接觸的狀態(tài)下，即使來自第1磁力發(fā)生部的磁力施加于電子元器件，也難以旋轉(zhuǎn)。因此，電子元器件中的內(nèi)部電極的層疊方向可能無法可靠地統(tǒng)一。

電子元器件傳送裝置2中，設(shè)置為利用來自第1磁力發(fā)生部24a的磁力在中游部23b使電子元器件1的下表面(與底面21相對(duì)的面)的一部分與傳送路徑20的底面21相分離。具體而言，如圖3～圖5所示，對(duì)第1磁力發(fā)生部24a進(jìn)行配置，使得第1磁力發(fā)生部24a的中心位于與傳送路徑20的底面21相接觸的電子元器件1的中心的上方。因此，第1磁力發(fā)生部24a的中心線L1位于電子元器件1的沿著寬度方向W延伸的中心線L2的上方?；蛘?，將上游部23a中的第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔設(shè)為P1，將下游部23c中的第1側(cè)壁22a和第2側(cè)壁22b之間的間隔設(shè)為P3，以底面21作為基準(zhǔn)的第1磁力發(fā)生部24a的中心的高度比P1/2或P3/2要大。在以底面21作為基準(zhǔn)的第1磁力發(fā)生部24a的中心的高度比P1/2或P3/2要大的情況下，第1磁力發(fā)生部24a的中心與底面21之間的距離比電子元器件1的中心與底面21之間的距離要大。因此，如圖4所示，設(shè)有第1磁力發(fā)生部24a的中游部23b的電子元器件1的下表面的一部分成為與底面21相離的狀態(tài)，電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)。其結(jié)果是，電子元器件1的內(nèi)部電極11、12的層疊方向易于統(tǒng)一。

另一方面，如圖5所示，第2磁力發(fā)生部24b中，第2磁力發(fā)生部24b的中心比第1磁力發(fā)生部24a的中心要靠近底面21。換言之，第2磁力發(fā)生部24b的中心與底面21之間的距離比第1磁力發(fā)生部24a的中心與底面21之間的距離要小。第2磁力發(fā)生部24b的中心設(shè)置為與電子元器件1的中心實(shí)質(zhì)上位于相同高度、或位于電子元器件1的中心的下方，該電子元器件1與底面21相接。因此，傳送路徑20中，設(shè)置有第2磁力發(fā)生部24b的區(qū)域中，電子元器件1與第2側(cè)壁22b和底面21雙方相接觸，因此電子元器件1的姿勢(shì)易于穩(wěn)定。因此，電子元器件1難以堵塞在中游部23b。

另外，第2磁力發(fā)生部24b與第1磁力發(fā)生部24b同樣，設(shè)置為利用來自第2磁力發(fā)生部24b的磁力在中游部23b使電子元器件1的下表面的一部分與傳送路徑20的底面21相分離。

下面，對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的其他示例進(jìn)行說明。在以下的說明中，利用共通的標(biāo)號(hào)來參照與上述實(shí)施方式1實(shí)質(zhì)上具有共通的功能的構(gòu)件，并省略其說明。

(實(shí)施方式2～8)

圖9～圖15是分別表示實(shí)施方式2～8所涉及的電子元器件傳送裝置的主要部分的示意性剖視圖。

實(shí)施方式1中對(duì)如下示例進(jìn)行了說明：第1磁力發(fā)生部24a配置為利用第1磁力發(fā)生部24a的磁力在中游部23b使電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而使電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)。然而，本發(fā)明并不限于該結(jié)構(gòu)。也可以利用其他的方法使電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離。例如，底面21也可以具有在中游部使電子元器件1的下表面的一部分與傳送路徑20的底面21相分離的隔離構(gòu)造40。即使該情況下，與實(shí)施方式1相同，在中游部23b中電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)。因此，電子元器件1的內(nèi)部電極11、12的層疊方向以較高的可靠性進(jìn)行統(tǒng)一。

例如，在圖9所示的實(shí)施方式2所涉及的電子元器件傳送裝置2a中，作為隔離構(gòu)造40設(shè)有從底面21朝著上方延伸的突起部41。在該突起部41位于電子元器件1的下方時(shí)，電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而變得易于旋轉(zhuǎn)。

例如，在圖10所示的實(shí)施方式3所涉及的電子元器件傳送裝置2b中，作為隔離構(gòu)造40設(shè)有使下游側(cè)的所述底面21變低的底面21的階差42。剛通過該階差42的電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而變得易于旋轉(zhuǎn)。

例如，在圖11所示的實(shí)施方式4所涉及的電子元器件傳送裝置2c中，作為隔離構(gòu)造40，在底面21設(shè)有凹部43。凹部43設(shè)在第1側(cè)壁22a的延長(zhǎng)線上。在該凹部43位于電子元器件1的下方時(shí)，電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而變得易于旋轉(zhuǎn)。

例如，在圖12所示的實(shí)施方式5所涉及的電子元器件傳送裝置2d中，作為隔離構(gòu)造40，在底面21設(shè)有曲面部44。具體而言，本實(shí)施方式中，中游部的底面21的整體由曲面部44構(gòu)成。在該曲面部44位于電子元器件1的下方時(shí)，電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而變得易于旋轉(zhuǎn)。

例如，在圖13所示的實(shí)施方式6所涉及的電子元器件傳送裝置2e中，作為隔離構(gòu)造40，底面21具有相對(duì)于水平面傾斜的傾斜面46。第1側(cè)壁22a與底面21所成角度的大小小于90°，第2側(cè)壁22b與底面21所成角度的大小大于90°。本實(shí)施方式中，電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，因此電子元器件1易于旋轉(zhuǎn)。另外，第1側(cè)壁22a與底面21所成角度的大小大于90°，第2側(cè)壁22b與底面21所成角度的大小小于90°。

例如，在圖14所示的實(shí)施方式7所涉及的電子元器件傳送裝置2f中，還可以包括在中游部利用空氣壓力使電子元器件1的下表面的一部分與傳送路徑20的底面21相分離的浮起機(jī)構(gòu)50。浮起機(jī)構(gòu)50設(shè)有從底面21朝向位于上方的電子元器件1吹出氣體的吹氣機(jī)構(gòu)51。利用由該吹氣機(jī)構(gòu)51吹出的氣體(空氣)使電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而變得易于旋轉(zhuǎn)。

例如，在圖15所示的實(shí)施方式8所涉及的電子元器件傳送裝置2g中，作為浮起機(jī)構(gòu)50設(shè)有從上方吸引在中游部傳送的電子元器件1的吸引機(jī)構(gòu)52。利用該吸引機(jī)構(gòu)52來吸引電子元器件1，從而電子元器件1的下表面的一部分與底面21相分離，從而變得易于旋轉(zhuǎn)。吸引機(jī)構(gòu)52優(yōu)選設(shè)有具備吸引用開口的蓋板60，以使得所吸引的電子元器件1不會(huì)與吸引機(jī)構(gòu)52相接觸。

標(biāo)號(hào)說明

1 電子元器件

2 電子元器件傳送裝置

3 編帶電子元器件串列

10 電子元器件主體

10a 第1主面

10b 第2主面

10c 第1側(cè)面

10d 第2側(cè)面

10e 第1端面

10f 第2端面

10g 陶瓷部

11 第1內(nèi)部電極

12 第2內(nèi)部電極

13 第1外部電極

14 第2外部電極

20 傳送路徑

21 底面

22a 第1側(cè)壁

22b 第2側(cè)壁

23a 上游部

23b 中游部

23c 下游部

23b1 第1過渡部

23b2 第2過渡部

24a 第1磁力發(fā)生部

24b 第2磁力發(fā)生部

30 編帶

31 載帶

31a 凹部

32 蓋帶

40 隔離構(gòu)造

41 突起部

42 階差部

43 凹部

44 曲面部

46 傾斜面

50 浮起機(jī)構(gòu)

51 吹氣機(jī)構(gòu)

52 吸引機(jī)構(gòu)

D 傳送方向