一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的是為了公開一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，通過分立元器件實現(xiàn)輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的功能，無需再采用專門驅(qū)動后除霜負(fù)載的智能低邊驅(qū)動芯片，大大降低了電路成本；同時采用電壓采樣模塊用于診斷故障狀態(tài)，還采用反饋電路在短路到地時將場效應(yīng)管截止使其不導(dǎo)通用于實現(xiàn)短路到地的保護(hù)。
【專利說明】
一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子電路領(lǐng)域，具體涉及一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路。
【背景技術(shù)】
[0002]汽車空調(diào)是一種汽車空氣調(diào)節(jié)裝置，用于把汽車車廂內(nèi)的溫度、濕度、空氣清潔度及空氣流動調(diào)整和控制在最佳狀態(tài)，為乘員提供舒適的乘坐環(huán)境，減少旅途疲勞;為駕駛員提供了良好的工作調(diào)節(jié)，對確保安全行車起到重要裝置的通風(fēng)裝置;一般包括制冷裝置、取暖裝置和通風(fēng)換氣裝置，這種聯(lián)合裝置充分利用了汽車內(nèi)部有效的空間，結(jié)構(gòu)簡單，便于才做，是國際上流行的現(xiàn)代化汽車空調(diào)系統(tǒng)。
[0003]而汽車空調(diào)內(nèi)也會配置除霜系統(tǒng)，除霜系統(tǒng)分為前除霜負(fù)載和后除霜負(fù)載，而后除霜負(fù)載一般采用電熱絲加熱來達(dá)到除霜的目的;但是如今驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路都需要采用專門的智能高邊驅(qū)動芯片，成本過高，而且無法做到在電路短路到地時對電路進(jìn)行保護(hù)，以防止電路損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種只需使用分離元件，無需采用專門智能芯片，降低成本的用于輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路。
[0005]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:包括控制電路、反饋電路、電壓采樣模塊、端口保護(hù)模塊、場效應(yīng)管、限流電阻，所述控制電路連接場效應(yīng)管的柵極，所述場效應(yīng)管的源極連接限流電阻的一端，所述場效應(yīng)管的漏極與反饋電路、電壓采樣模塊和端口保護(hù)模塊連接，所述反饋電路還連接到控制電路和電壓采樣模塊，所述電壓采樣模塊還與端口保護(hù)模塊連接;所述場效應(yīng)管為P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管;還包括負(fù)載、MCU電壓采樣端口、VCC電源和MCU輸出端口，所述端口保護(hù)模塊連接到負(fù)載，所述電壓采樣模塊連接到MCU電壓采樣端口，所述限流電阻的另一端連接到VCC電源，所述控制電路和反饋電路連接到MCU輸出端口；還包括VDD電源和第二十電阻，所述第二十電阻的一端連接到端口保護(hù)模塊，所述第二十電阻的另一端連接VDD電源;所述電壓采樣模塊包括第二十一電阻和第四電容，所述第二十一電阻的一端連接所述第四電容的一端，所述第四電容的一端還連接到MCU電壓采樣端口，所述第四電容的另一端接地，所述第二十一電阻的另一端連接到場效應(yīng)管的漏極和負(fù)載;所述控制電路包括第十七電阻、第十電阻、第十八電阻和第一三極管，所述第一三極管的基極連接到第十電阻的一端，所述第十電阻的另一端與反饋電路連接，所述第一三極管的發(fā)射極接地，所述第一三極管的集電極連接到第十八電阻的一端，所述第十八電阻的另一端連接到場效應(yīng)管的柵極，所述第十七電阻的一端也連接到場效應(yīng)管的柵極，所述第十七電阻的另一端還連接到限流電阻的另一端；所述端口保護(hù)模塊包括第二二極管、第三電容、第十九電阻，所述第三電容的一端連接到負(fù)載，所述第三電容的一端還連接到第二二極管的負(fù)極，所述第二二極管的負(fù)極還與第十九電阻的一端連接，所述第十九電阻的另一端、第二二極管的正極和第三電容的另一端接地；所述反饋電路包括第二三極管、第三三極管、第十一電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十四電阻、第十五電阻、第二電容、第一二極管，所述第三三極管的集電極連接到控制電路，所述第三三極管的基極連接第二電容的一端，所述第二電容的一端還連接到第十二電阻的一端，所述第十二電阻的一端還連接到第十一電阻的一端，所述第十二電阻的另一端、第二電容的另一端和第三三極管的發(fā)射極都接地，所述第十一電阻的另一端連接到第二三極管的集電極，所述第二三極管的基極連接到第十三電阻的一端，所述第十三電阻的另一端連接到第二三極管的發(fā)射極，所述第二三極管的發(fā)射極還連接到MCU輸出端口，所述第十三電阻的一端還與第十四電阻的一端連接，所述第十四電阻的另一端與第十五電阻的一端連接，所述第十五電阻的另一端還與第二三極管的發(fā)射極連接，所述第十五電阻的一端還與第一二極管的正極連接，所述第一二極管的負(fù)極連接到場效應(yīng)管的漏極;所述第二二極管用于防止反向電動勢擊穿場效應(yīng)管;所述第二三極管的型號為BC807-40，所述第三三極管的型號為BC847CW;所述第一三極管的型號為BC847CW。
[0006]本發(fā)明通過分立元器件實現(xiàn)輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的功能，無需再采用專門驅(qū)動后除霜負(fù)載的智能低邊驅(qū)動芯片，大大降低了電路成本；同時采用電壓采樣模塊用于診斷故障狀態(tài)，還采用反饋電路在短路到地時將場效應(yīng)管截止使其不導(dǎo)通用于實現(xiàn)短路到地的保護(hù)。
[0007]本發(fā)明的有益之處在于:I)采用分立元器件實現(xiàn)輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載功能，無需再采用專門的智能芯片，降低了電路成本;2)采用反饋電路實現(xiàn)短路到地的保護(hù);3)設(shè)置端口保護(hù)模塊用于防止反向電動勢擊穿場效應(yīng)管和ESD靜電。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明的模塊電路圖。
[0009]圖2為本發(fā)明的電路圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖與【具體實施方式】，對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
[0011]見圖1至圖2，一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:包括控制電路、反饋電路、電壓采樣模塊、端口保護(hù)模塊、場效應(yīng)管M1、限流電阻R7，所述控制電路連接場效應(yīng)管Ml的柵極，所述場效應(yīng)管Ml的源極連接限流電阻R7的一端，所述場效應(yīng)管Ml的漏極與反饋電路、電壓采樣模塊和端口保護(hù)模塊連接，所述反饋電路還連接到控制電路和電壓采樣模塊，所述電壓采樣模塊還與端口保護(hù)模塊連接;所述場效應(yīng)管Ml為P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管;還包括負(fù)載、M⑶電壓采樣端口、VCC電源和MCU輸出端口，所述端口保護(hù)模塊連接到負(fù)載，所述電壓采樣模塊連接到MCU電壓采樣端口，所述限流電阻R7的另一端連接到VCC電源，所述控制電路和反饋電路連接到MCU輸出端口；還包括VDD電源和第二十電阻R20，所述第二十電阻R20的一端連接到端口保護(hù)模塊，所述第二十電阻R20的另一端連接VDD電源;所述電壓采樣模塊包括第二十一電阻R21和第四電容C4，所述第二十一電阻R21的一端連接所述第四電容C4的一端，所述第四電容C4的一端還連接到MCU電壓采樣端口，所述第四電容C4的另一端接地，所述第二十一電阻R21的另一端連接到場效應(yīng)管Ml的漏極和負(fù)載;所述控制電路包括第十七電阻R17、第十電阻R10、第十八電阻R18和第一三極管Ql，所述第一三極管Ql的基極連接到第十電阻RlO的一端，所述第十電阻RlO的另一端與反饋電路連接，所述第一三極管Ql的發(fā)射極接地，所述第一三極管Ql的集電極連接到第十八電阻R18的一端，所述第十八電阻R18的另一端連接到場效應(yīng)管Ml的柵極，所述第十七電阻R17的一端也連接到場效應(yīng)管Ml的柵極，所述第十七電阻R17的另一端還連接到限流電阻R7的另一端;所述端口保護(hù)模塊包括第二二極管D2、第三電容C3、第十九電阻R19，所述第三電容C3的一端連接到負(fù)載，所述第三電容C3的一端還連接到第二二極管D2的負(fù)極，所述第二二極管D2的負(fù)極還與第十九電阻R19的一端連接，所述第十九電阻R19的另一端、第二二極管D2的正極和第三電容C3的另一端接地;所述反饋電路包括第二三極管Q2、第三三極管Q3、第^^一電阻Rl 1、第十二電阻R12、第十三電阻R13、第十四電阻R14、第十五電阻R15、第二電容C2、第一二極管D1，所述第三三極管Q3的集電極連接到控制電路，所述第三三極管Q3的基極連接第二電容C2的一端，所述第二電容C2的一端還連接到第十二電阻R12的一端，所述第十二電阻R12的一端還連接到第十一電阻Rll的一端，所述第十二電阻R12的另一端、第二電容C2的另一端和第三三極管Q3的發(fā)射極都接地，所述第十一電阻Rll的另一端連接到第二三極管Q2的集電極，所述第二三極管Q2的基極連接到第十三電阻R13的一端，所述第十三電阻R13的另一端連接到第二三極管Q2的發(fā)射極，所述第二三極管Q2的發(fā)射極還連接到MCU輸出端口，所述第十三電阻R13的一端還與第十四電阻R14的一端連接，所述第十四電阻R14的另一端與第十五電阻R15的一端連接，所述第十五電阻R15的另一端還與第二三極管Q2的發(fā)射極連接，所述第十五電阻R15的一端還與第一二極管Dl的正極連接，所述第一二極管Dl的負(fù)極連接到場效應(yīng)管Ml的漏極;所述第二二極管D2用于防止反向電動勢擊穿場效應(yīng)管Ml;所述第二三極管Q2的型號為BC807-40，所述第三三極管Q3的型號為BC847CW;所述第一三極管Ql的型號為BC847CW。
[0012]本實施方式中，本發(fā)明輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載，負(fù)載電流達(dá)到700mA，采用分立元器件實現(xiàn)功能，無需采用成本高的用于后除霜負(fù)載的智能高邊驅(qū)動芯片，而且可以在輸出關(guān)閉時做開路和短路到電源的診斷，而在輸出打開時做短路到地的診斷并能對其進(jìn)行保護(hù)。
[0013]本實施方式中，場效應(yīng)管Ml處于截止?fàn)顟B(tài)的情況下，負(fù)載開路或者短路到電源，MCU可以檢測到場效應(yīng)管Ml的漏極端為高電平;場效應(yīng)管Ml處于導(dǎo)通狀態(tài)的情況下，負(fù)載短路到地，MCU可以檢測到場效應(yīng)管Ml的漏極端為低電平;因此MCU可以識別故障狀態(tài)。
[0014]本實施方式中，所述VDD電源為12V電源，與VDD電源連接的第二十電阻R20為上拉電阻，用于將不確定信號鉗位在高電平同時能起到限流作用;所述VCC為12V電源經(jīng)過一個反向二極管降壓的電源為11.3V電源。
[0015]本實施方式中，MCT輸出端口輸出高電平，使得第一三極管Ql導(dǎo)通讓Vgs小于等于-2V，導(dǎo)致場效應(yīng)管Ml導(dǎo)通，使得負(fù)載能被驅(qū)動;MCU輸出端口輸出低電平，使得第一三極管Ql截止讓Vgs大于-2V，導(dǎo)致場效應(yīng)管Ml截止，使得負(fù)載不被驅(qū)動。
[0016]本實施方式中，負(fù)載短路到地，場效應(yīng)管Ml處于導(dǎo)通狀態(tài)，則電壓采樣模塊采樣到場效應(yīng)管Ml的漏極端電壓為0V，反饋電路檢測到經(jīng)過第一二極管Dl降壓后電壓為0.7V，
0.7V的電壓驅(qū)動了第二二極管Q2使得第二二極管Q2導(dǎo)通，導(dǎo)致第二二極管Q2的集電極輸出高電平，這樣就能使得第三三極管Q3導(dǎo)通導(dǎo)致了第一三極管Ql截止，第一三極管Ql截止的截止使得場效應(yīng)管Ml也截止不導(dǎo)通，實現(xiàn)了短路到地的保護(hù);然后M⑶輸出端口就會輸出500mS的低電平再輸出500mS的高電平一直到短路到地的故障被移除為止，保證了本發(fā)明在短路到地的狀況下不會使得場效應(yīng)管Ml被擊穿損壞，保護(hù)了電路。
[0017]本實施方式中，所述限流電阻R7用于限制支路電流大小，防止電流過大而損壞元器件。
[0018]本發(fā)明的保護(hù)范圍包括但不限于以上實施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書為準(zhǔn)，任何對本技術(shù)做出的本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易想到的替換、變形、改進(jìn)均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:包括控制電路、反饋電路、電壓采樣模塊、端口保護(hù)模塊、場效應(yīng)管(M1)、限流電阻(R7)，所述控制電路連接場效應(yīng)管(Ml)的柵極，所述場效應(yīng)管(Ml)的源極連接限流電阻(R7)的一端，所述場效應(yīng)管(Ml)的漏極與反饋電路、電壓采樣模塊和端口保護(hù)模塊連接，所述反饋電路還連接到控制電路和電壓采樣模塊，所述電壓采樣模塊還與端口保護(hù)模塊連接;所述場效應(yīng)管(Ml)為P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:還包括負(fù)載、MCU電壓采樣端口、VCC電源和MCU輸出端口，所述端口保護(hù)模塊連接到負(fù)載，所述電壓采樣模塊連接到MCU電壓采樣端口，所述限流電阻(R7)的另一端連接到VCC電源，所述控制電路和反饋電路連接到MCU輸出端口。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:還包括VDD電源和第二十電阻(R20)，所述第二十電阻(R20)的一端連接到端口保護(hù)模塊，所述第二十電阻(R20 )的另一端連接VDD電源。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述電壓采樣模塊包括第二十一電阻(R21)和第四電容(C4)，所述第二十一電阻(R21)的一端連接所述第四電容(C4)的一端，所述第四電容(C4)的一端還連接到MCU電壓采樣端口，所述第四電容(C4)的另一端接地，所述第二十一電阻(R21)的另一端連接到場效應(yīng)管(Ml)的漏極和負(fù)載。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述控制電路包括第十七電阻(R17)、第十電阻(RlO)、第十八電阻(R18)和第一三極管(Ql)，所述第一三極管(Ql)的基極連接到第十電阻(RlO)的一端，所述第十電阻(RlO)的另一端與反饋電路連接，所述第一三極管(Ql)的發(fā)射極接地，所述第一三極管(Ql)的集電極連接到第十八電阻(R18)的一端，所述第十八電阻(R18)的另一端連接到場效應(yīng)管(Ml)的柵極，所述第十七電阻(R17)的一端也連接到場效應(yīng)管(Ml)的柵極，所述第十七電阻(R17)的另一端還連接到限流電阻(R7)的另一端。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述端口保護(hù)模塊包括第二二極管(D2)、第三電容(C3)、第十九電阻(R19)，所述第三電容(C3)的一端連接到負(fù)載，所述第三電容(C3)的一端還連接到第二二極管(D2)的負(fù)極，所述第二二極管(D2)的負(fù)極還與第十九電阻(R19)的一端連接，所述第十九電阻(R19)的另一端、第二二極管(D2 )的正極和第三電容(C3 )的另一端接地。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述反饋電路包括第二三極管(Q2)、第三三極管(Q3)、第^^一電阻(Rll)、第十二電阻(R12)、第十三電阻(R13)、第十四電阻(R14)、第十五電阻(R15)、第二電容(C2)、第一二極管(D1)，所述第三三極管(Q3 )的集電極連接到控制電路，所述第三三極管(Q3)的基極連接第二電容(C2 )的一端，所述第二電容(C2)的一端還連接到第十二電阻(R12)的一端，所述第十二電阻(R12)的一端還連接到第十一電阻(Rll)的一端，所述第十二電阻(R12)的另一端、第二電容(C2)的另一端和第三三極管(Q3)的發(fā)射極都接地，所述第十一電阻(Rll)的另一端連接到第二三極管(Q2)的集電極，所述第二三極管(Q2)的基極連接到第十三電阻(R13)的一端，所述第十三電阻(R13)的另一端連接到第二三極管(Q2)的發(fā)射極，所述第二三極管(Q2)的發(fā)射極還連接到M⑶輸出端口，所述第十三電阻(R13)的一端還與第十四電阻(R14)的一端連接，所述第十四電阻(R14)的另一端與第十五電阻(R15)的一端連接，所述第十五電阻(R15)的另一端還與第二三極管(Q2)的發(fā)射極連接，所述第十五電阻(R15)的一端還與第一二極管(Dl)的正極連接，所述第一二極管(Dl)的負(fù)極連接到場效應(yīng)管(Ml)的漏極。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述第二二極管(D2)用于防止反向電動勢擊穿場效應(yīng)管(Ml)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述第二三極管(Q2 )的型號為BC807-40，所述第三三極管(Q3 )的型號為BC847CW。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種輸出驅(qū)動后除霜負(fù)載的電路，其特征在于:所述第一三極管(Ql)的型號為BC847CW。
【文檔編號】B60H1/00GK105857015SQ201610287719
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年5月4日
【發(fā)明人】陳建勇
【申請人】寧波普瑞均勝汽車電子有限公司