專利名稱：一種介質(zhì)導(dǎo)電膜、制備方法及電致變色后視鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于防眩后視鏡領(lǐng)域，尤其涉及一種防眩后視鏡用的介質(zhì)導(dǎo)電膜、制備方法及電致變色后視鏡。
背景技術(shù)：
目前應(yīng)用最為有效的電致變色防眩后視鏡，是在后視鏡中裝設(shè)一種電致變色組件，通過通電使電致變色溶液變色，導(dǎo)致后視鏡的反射率降低，進(jìn)而達(dá)到防眩光的目的?，F(xiàn)有電致變色后視鏡的一般結(jié)構(gòu)包括相對配置的第一基片和第二基片，所述第一基片相對于第二基片的表面設(shè)有導(dǎo)電反射膜，所述第二基片相對于第一基片的表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電反射膜和透明導(dǎo)電膜的周邊緣設(shè)有邊框膠，所述導(dǎo)電反射膜、透明導(dǎo)電膜和邊框膠形成的空腔中容納有電致變色溶液。其中，所述導(dǎo)電反射膜大多采用鋁、銀、鉻和鎳等其它金屬膜，但是鉻和鎳反射膜的反射率比較低，很難達(dá)到后視鏡反射率的要求；金屬鋁和銀 的反射率比較高，但與電致變色溶液接觸時會發(fā)生腐蝕反應(yīng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種介質(zhì)導(dǎo)電膜，該介質(zhì)導(dǎo)電膜對光的吸收較少，能夠達(dá)到較高的反射率；同時能夠防止與電致變色溶液接觸時發(fā)生腐蝕反應(yīng)，具有很好的穩(wěn)定性。本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種介質(zhì)導(dǎo)電膜，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層、若干個第一介質(zhì)層和若干個第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。本發(fā)明還提供一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，所述方法包括以下步驟
511、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板，在所述基板上形成第一介質(zhì)層；
512、在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，然后再在第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層；
513、在所述介質(zhì)膜層上形成透明導(dǎo)電層；
其中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。本發(fā)明又提供一種電致變色后視鏡，包括相對配置的第一基片和第二基片，所述第一基片相對于第二基片的表面設(shè)有介質(zhì)導(dǎo)電膜，所述第二基片相對于第一基片的表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜和透明導(dǎo)電膜的周邊緣設(shè)有邊框膠，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電膜和邊框膠形成的空腔中容納有電致變色溶液，其中，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層、若干個第一介質(zhì)層和若干個第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. 1，第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。
本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜、制備方法及電致變色后視鏡中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，所述介質(zhì)膜層即為多層結(jié)構(gòu)組成，對光的吸收較少；所述第一介質(zhì)層的折射率大于2. I,第二介質(zhì)層的折射率小于1.6時,該介質(zhì)導(dǎo)電膜能形成較高的反射率，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層和第二介質(zhì)層的折射率差距越大時，更能夠形成較高反射率的膜系結(jié)構(gòu)；同時，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，因而制作成電致變色裝置時能夠防止與電致變色溶液接觸時發(fā)生腐蝕反應(yīng)，具有很好的穩(wěn)定性。
圖I是本發(fā)明實(shí)施例提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合 實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。請參考圖I所示，一種介質(zhì)導(dǎo)電膜，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層3、若干個第一介質(zhì)層I和若干個第二介質(zhì)層2,所述第一介質(zhì)層I和第二介質(zhì)層2交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。其中，所述第一介質(zhì)層I和第二介質(zhì)層2交替層疊排列的形式包括以第一介質(zhì)層為基底，在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，然后在第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，以形成第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的介質(zhì)膜層(如圖I所示的結(jié)構(gòu))；或者，以第二介質(zhì)層為基底，在所述第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，然后在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，以形成第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的介質(zhì)膜層。本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，所述介質(zhì)膜層即為多層結(jié)構(gòu)組成，對光的吸收較少；所述第一介質(zhì)層的折射率大于2. 1，第二介質(zhì)層的折射率小于1.6時，該介質(zhì)導(dǎo)電膜能形成較高的反射率，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層和第二介質(zhì)層的折射率差距越大時，更能夠形成較高反射率的膜系結(jié)構(gòu)；同時，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，因而制作成電致變色裝置時能夠防止與電致變色溶液接觸時發(fā)生腐蝕反應(yīng)，具有很好的穩(wěn)定性。所述第一介質(zhì)層I的材料選自硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(Ti02)、氧化鋯(Zr02)、五氧化二鉭(Ta205)和五氧化二鈮(Nb205)中的一種或多種；當(dāng)然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，所述第一介質(zhì)層的材料并不局限于此，還可以選用其它折射率大于2. I的無機(jī)物。優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)層的材料為折射率大于2. 3的無機(jī)物。所述第二介質(zhì)層2的材料選自氟化鎂(MgF2)、三氧化二鋁(Al203)、氧化鎂(MgO)、二氧化硅(Si02 )、三氟鋁酸鈉(Na3AlF3 )、氟化鋇(BaF2 )、氟化鈣(CaF2 )和氟化鋁(A1F3中)的一種或多種；當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，所述第二介質(zhì)層的材料并不局限于此，還可以選用其它折射率小于1.6的無機(jī)物。優(yōu)選地，所述第二介質(zhì)層的材料為折射率小于
I.4的無機(jī)物。
為了滿足電致變色后視鏡中不同膜系對反射率的要求，可以調(diào)整介質(zhì)導(dǎo)電膜中膜層的厚度或/和層數(shù)來達(dá)到相應(yīng)的需求。優(yōu)選地，每一個所述第一介質(zhì)層的厚度為50-70納米。優(yōu)選地，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米。優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)大于等于5層。進(jìn)一步，當(dāng)所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)為5-10層，每一個所述第一介質(zhì)層I的厚度為50-70納米，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米時，本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率為60-70%，透過率大于20%，達(dá)到半透半反射膜的光學(xué)性能要求。進(jìn)一步，當(dāng)所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)大于10層，每一個 所述第一介質(zhì)層I的厚度為50-70納米，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米時， 本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率大于90%，達(dá)到高反射膜的光學(xué)性能要求。所述透明導(dǎo)電層3為各種具有導(dǎo)電性的材料制成，例如可以為金屬、金屬合金或金屬氧化物，優(yōu)選為金屬氧化物制成。作為一種具體的實(shí)施方式，所述金屬氧化物可以為氧化銦錫(ITO)、氧化錫(Sn02)、氧化錫摻銻、氧化鋅(ZnO)和氧化鋅摻鋁(AZO)中的一種或幾種；優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電層為ITO材料制成。所述透明導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的形成方式可以為真空蒸鍍、磁控濺射、離子鍍或化學(xué)氣相沉積中的一種，具體的制作工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知。請參考圖2所示，本發(fā)明還提供一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，所述方法包括以下步驟
511、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板，在所述基板上形成第一介質(zhì)層；
512、在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，然后再在第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層；
513、在所述介質(zhì)膜層上形成透明導(dǎo)電層；
其中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，所述介質(zhì)膜層即為多層結(jié)構(gòu)組成，對光的吸收較少；所述第一介質(zhì)層的折射率大于2. 1，第二介質(zhì)層的折射率小于1.6時，該介質(zhì)導(dǎo)電膜能形成較高的反射率，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層和第二介質(zhì)層的折射率差距越大時，更能夠形成較高反射率的膜系結(jié)構(gòu)；同時，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，因而制作成電致變色裝置時能夠防止與電致變色溶液接觸時發(fā)生腐蝕反應(yīng)，具有很好的穩(wěn)定性。所述第一介質(zhì)層的材料選自硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(Ti02)、氧化鋯(Zr02)、五氧化二鉭(Ta205)和五氧化二鈮(Nb205)中的一種或多種；當(dāng)然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，所述第一介質(zhì)層的材料并不局限于此，還可以選用其它折射率大于2. I的無機(jī)物。優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)層的材料為折射率大于2. 3的無機(jī)物。所述第二介質(zhì)層的材料選自氟化鎂(MgF2)、三氧化二鋁(A1203)、氧化鎂(MgO)、二氧化硅(Si02 )、三氟鋁酸鈉(Na3AlF3 )、氟化鋇(BaF2 )、氟化鈣(CaF2 )和氟化鋁(A1F3中)的一種或多種；當(dāng)然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，所述第二介質(zhì)層的材料并不局限于此，還可以選用其它折射率小于I. 6的無機(jī)物。優(yōu)選地，所述第二介質(zhì)層的材料為折射率小于
1.4的無機(jī)物。為了滿足電致變色后視鏡中不同膜系對反射率的要求，可以調(diào)整介質(zhì)導(dǎo)電膜中膜層的厚度或/和層數(shù)來達(dá)到相應(yīng)的需求。優(yōu)選地，每一個所述第一介質(zhì)層的厚度為50-70納米。優(yōu)選地，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米。優(yōu)選地，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)大于等于5層。進(jìn)一步，當(dāng)所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)為5-10層，每一個所述第一介質(zhì)層的厚度為50-70納米，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米時，本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率為60-70%，透過率大于20%，達(dá)到半透半反射膜的光學(xué)性 能要求。進(jìn)一步，當(dāng)所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)大于10層，每一個所述第一介質(zhì)層的厚度為50-70納米，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米時，本發(fā)明提供的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率大于90%，達(dá)到高反射膜的光學(xué)性能要求。所述透明導(dǎo)電層為各種具有導(dǎo)電性的材料制成，例如可以為金屬、金屬合金或金屬氧化物，優(yōu)選為金屬氧化物制成。作為一種具體的實(shí)施方式，所述金屬氧化物可以為氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化錫(Sn02)、氧化錫摻銻、氧化鋅(ZnO)和氧化鋅摻鋁(AZO)中的一種或幾種；優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電層為ITO材料制成。所述透明導(dǎo)電層、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的形成方式可以為真空蒸鍍、磁控濺射、離子鍍或化學(xué)氣相沉積中的一種，具體的制作工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知。當(dāng)然，在前述制備方法的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也容易理解，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的形式還包括以第二介質(zhì)層為基底，在所述第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，然后在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，以形成第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的介質(zhì)膜層。因此，本發(fā)明又提供了一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，所述方法包括以下步驟
521、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板，在所述基板上形成第二介質(zhì)層；
522、在第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，然后再在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層；
523、在所述介質(zhì)膜層上形成透明導(dǎo)電層；
其中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于
2.I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。本方法中除了以第二介質(zhì)層作為基底外，其具體的制備工藝與前述方法類似，在此不再贅述。以下，將結(jié)合具體的實(shí)施例對本發(fā)明所述硬質(zhì)薄膜的制備方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。實(shí)施例I :
SI I、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板為玻璃基板，在所述玻璃基板上真空蒸鍍一層ZnS (折射率為2. 35)，所述ZnS膜層的厚度為60納米。S12、在ZnS膜層上真空蒸鍍一層MgF2 (折射率為I. 38)，所述MgF2膜層的厚度為100納米，然后再在MgF2上真空蒸鍍一層ZnS，如此交替往復(fù)，所述ZnS層和MgF2層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層。當(dāng)介質(zhì)膜層的層數(shù)達(dá)到7層，即介質(zhì)膜層的結(jié)構(gòu)為ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS時,停止第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的制備,然后制備透明導(dǎo)電層。S13、在所述介質(zhì)膜層上真空蒸鍍一層ΙΤ0，由此形成的介質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)為ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/IT0。經(jīng)過檢測，實(shí)施例I制備的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率為70%，透過率為20%，即形成半透半反性質(zhì)的介質(zhì)導(dǎo)電膜。實(shí)施例2
SI I、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板為玻璃基板，在所述玻璃基板上真空蒸鍍一層ZnS (折射率為2. 35)，所述ZnS膜層的厚度為70納米。 S12、在ZnS膜層上真空蒸鍍一層MgF2 (折射率為I. 38)，所述MgF2膜層的厚度為110納米，然后再在MgF2上真空蒸鍍一層ZnS，如此交替往復(fù)，所述ZnS層和MgF2層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層。當(dāng)介質(zhì)膜層的層數(shù)達(dá)到13層，即介質(zhì)膜層的結(jié)構(gòu)為ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS時，停止第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的制備，然后制備透明導(dǎo)電層。S13、在所述介質(zhì)膜層上真空蒸鍍一層ΑΖ0，由此形成的介質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)為ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/MgF2/ZnS/AZ0。經(jīng)過檢測，實(shí)施例2制備的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率為90%，即形成全反射性質(zhì)的介質(zhì)導(dǎo)電膜，可用作全反式汽車防眩后視鏡的內(nèi)置反射層。實(shí)施例3
S11、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板為亞克力基板，在所述亞克力基板上磁控濺射一層A1203 (折射率為I. 6)，所述A1203膜層的厚度為90納米。S12、在A1203膜層上磁控濺射一層ZnO (折射率為2. 1)，所述ZnO膜層的厚度為50納米，然后再在ZnO上磁控濺射一層Al203，如此交替往復(fù)，所述Al203層和ZnO層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層。當(dāng)介質(zhì)膜層的層數(shù)達(dá)到5層，即介質(zhì)膜層的結(jié)構(gòu)為A1203/Zn0/ A1203/Zn0/ A1203時，停止第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的制備，然后制備透明導(dǎo)電層。S13、在所述介質(zhì)膜層上磁控濺射一層ΙΤ0，由此形成的介質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)為A1203/ZnO/ A1203/Zn0/ A1203/IT0。經(jīng)過檢測，實(shí)施例3制備的介質(zhì)導(dǎo)電膜的反射率為60%，透過率為30%，即形成半透半反性質(zhì)的介質(zhì)導(dǎo)電膜。本發(fā)明又提供一種電致變色后視鏡，包括相對配置的第一基片和第二基片，所述第一基片相對于第二基片的表面設(shè)有介質(zhì)導(dǎo)電膜，所述第二基片相對于第一基片的表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜和透明導(dǎo)電膜的周邊緣設(shè)有邊框膠，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電膜和邊框膠形成的空腔中容納有電致變色溶液，其中，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層、若干個第一介質(zhì)層和若干個第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. 1，第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。
本發(fā)明提供的電致變色后視鏡中，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，所述介質(zhì)膜層即為多層結(jié)構(gòu)組成，對光的吸收較少；所述第一介質(zhì)層的折射率大于
2.1，第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6時，該介質(zhì)導(dǎo)電膜能形成較高的反射率，當(dāng)?shù)谝唤橘|(zhì)層和第二介質(zhì)層的折射率差距越大時，更能夠形成較高反射率的膜系結(jié)構(gòu)；同時，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，因而制作成電致變色后視鏡時能夠防止與電致變色溶液接觸時發(fā)生腐蝕反應(yīng)，具有很好的穩(wěn)定性。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種介質(zhì)導(dǎo)電膜，其特征在于，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層、若干個第一介質(zhì)層和若干個第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. 1，第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料選自ZnS、ZnO、Ti02、Zr02、Ta205 和 Nb205 中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜，其特征在于，每一個所述第一介質(zhì)層的厚度為50-70納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料選自MgF2、A1203、Mg0、Si02、Na3AlF3、BaF2、CaF2 和 A1F3 中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜，其特征在于，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110 納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)大于等于5層。
7.一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟 511、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板，在所述基板上形成第一介質(zhì)層； 512、在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，然后再在第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層； 513、在所述介質(zhì)膜層上形成透明導(dǎo)電層； 其中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2.I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料選自ZnS、Zn0、Ti02、Zr02、Ta205和Nb205中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法,其特征在于,每一個所述第一介質(zhì)層的厚度為50-70納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料選自 MgF2、A1203、Mg0、Si02、Na3AlF3、BaF2、CaF2 和 A1F3 中的一種或多種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，每一個所述第二介質(zhì)層的厚度為90-110納米。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列的層數(shù)大于等于5層。
13.一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟 521、提供承載介質(zhì)導(dǎo)電膜的基板，在所述基板上形成第二介質(zhì)層； 522、在第二介質(zhì)層上形成第一介質(zhì)層，然后再在第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，如此交替往復(fù)，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層； 523、在所述介質(zhì)膜層上形成透明導(dǎo)電層； 其中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2.I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。
14.一種電致變色后視鏡，包括相對配置的第一基片和第二基片，所述第一基片相對于第二基片的表面設(shè)有介質(zhì)導(dǎo)電膜，所述第二基片相對于第一基片的表面設(shè)有透明導(dǎo)電膜，所述介質(zhì)導(dǎo)電 膜和透明導(dǎo)電膜的周邊緣設(shè)有邊框膠，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電膜和邊框膠形成的空腔中容納有電致變色溶液，其特征在于，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層、若干個第一介質(zhì)層和若干個第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2. I,第二介質(zhì)層的折射率小于I. 6。
全文摘要
本發(fā)明提供一種介質(zhì)導(dǎo)電膜，所述介質(zhì)導(dǎo)電膜包括透明導(dǎo)電層、若干個第一介質(zhì)層和若干個第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，該介質(zhì)膜層上形成有透明導(dǎo)電層，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，且第一介質(zhì)層的折射率大于2.1，第二介質(zhì)層的折射率小于1.6。本發(fā)明還提供一種介質(zhì)導(dǎo)電膜的制備方法和電致變色后視鏡。本發(fā)明中，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層交替層疊排列形成介質(zhì)膜層，所述介質(zhì)膜層即為多層結(jié)構(gòu)組成，對光的吸收較少，形成較高的反射率；同時，所述第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材料為無機(jī)物，因而制作成電致變色裝置時能夠防止與電致變色溶液接觸時發(fā)生腐蝕反應(yīng)，具有很好的穩(wěn)定性。
文檔編號B60R1/08GK102831962SQ20111016393
公開日2012年12月19日 申請日期2011年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月17日
發(fā)明者康振華 申請人:比亞迪股份有限公司