專利名稱：晶片加工用膠帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體晶片的切割以及通過切割得到的半導(dǎo)體芯片的貼片等所使用的晶片加工用膠帶。
背景技術(shù)：
近年，移動(dòng)信息終端相關(guān)聯(lián)設(shè)備的多功能化以及輕量、小型化的要求急速地提高。相對于半導(dǎo)體芯片的高密度貼裝的需求也隨之增強(qiáng)，特別是，將半導(dǎo)體芯片層疊的堆疊式多芯片封裝正成為開發(fā)的中心。在堆疊式多芯片封裝中，有時(shí)會(huì)在貼片工序?qū)Π雽?dǎo)體芯片相互進(jìn)行層疊、粘合。采用這樣的半導(dǎo)體芯片的制造工序，推進(jìn)了在切割工序中的半導(dǎo)體晶片的固定、貼片工序中的半導(dǎo)體芯片和引線框等的粘結(jié)中都可以并用的晶片加工用膠帶的導(dǎo)入(例如參照專利文獻(xiàn)I)。 制作這樣的晶片加工用膠帶時(shí)，首先，準(zhǔn)備在剝離基材上形成粘結(jié)劑層而構(gòu)成的粘結(jié)膜、和在基材膜上形成粘著劑層而構(gòu)成的切割膜，使粘結(jié)劑層和粘著劑層相對地貼合。接著，按照晶片形狀對基材膜、粘結(jié)劑層、粘著劑層進(jìn)行預(yù)切加工，得到所希望的形狀的晶片加工用膠帶。
背景技術(shù)：
文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本專利特開2009-88480號公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型要解決的問題用上述那樣的晶片加工用膠帶進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的加工的情況下，一般是在半導(dǎo)體晶片的周圍配置有晶片環(huán)，將晶片加工用膠帶貼在晶片環(huán)上。這時(shí)，晶片加工用膠帶和晶片環(huán)之間的剝離強(qiáng)度不足的話，在切割工序、芯片焊接工序等各工序中，晶片加工用膠帶可能無法從晶片環(huán)剝離，從而給工序的實(shí)施帶來了障礙。本實(shí)用新型正是為解決上述課題而作出的，本實(shí)用新型的目的在于提供一種可以提高與晶片環(huán)間的剝離強(qiáng)度的晶片加工用膠帶、晶片加工用膠帶的制造方法以及使用了該膠帶的半導(dǎo)體裝置的制造方法。解決問題的手段為了解決上述課題，本實(shí)用新型所涉及的晶片加工用膠帶，其是在半導(dǎo)體晶片加工時(shí)粘貼在晶片環(huán)上使用的被卷成卷狀的晶片加工用膠帶，其特征在于，具有成為膠帶的基部的剝離基材；與半導(dǎo)體晶片的平面形狀相對應(yīng)地設(shè)置在剝離基材的一面?zhèn)鹊恼辰Y(jié)劑層；設(shè)置為覆蓋粘結(jié)劑層的粘著劑層；和設(shè)置為覆蓋粘著劑層的基材膜，粘著劑層和基材膜向粘結(jié)劑層的外側(cè)延伸的區(qū)域?yàn)閷⒕庸び媚z帶粘貼到所述晶片環(huán)上用的粘貼區(qū)域，在所述粘貼區(qū)域，以從基材膜側(cè)到達(dá)剝離基材的深度形成有俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層的中心側(cè)的凸?fàn)畹那锌诓?。[0012]在該晶片加工用膠帶中，與向晶片環(huán)粘貼的粘貼區(qū)域相對應(yīng)地，以從基材膜側(cè)到達(dá)至剝離基材的深度形成俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層的中心側(cè)的凸?fàn)畹那锌诓俊Ｍㄟ^切口部的形成，剝離力作用于粘貼于晶片環(huán)的晶片加工用膠帶時(shí)，粘著劑層以及基材膜的位于切口部外側(cè)的部分先剝離，切口部內(nèi)側(cè)的部分以呈凸?fàn)畹臓顟B(tài)殘留在晶片環(huán)上。剝離力進(jìn)一步地作用的話，外側(cè)部分被拉伸，內(nèi)側(cè)部分即將要被剝離，但是由于剝離的面積增加的同時(shí)拉伸的作用點(diǎn)位于內(nèi)側(cè)部分的更內(nèi)部，所以內(nèi)側(cè)部分的剝離需要更大的剝離力。因此，該晶片加工用膠帶可以提高晶片加工用膠帶和晶片環(huán)之間的剝離強(qiáng)度。又，切口部優(yōu)選為沿粘貼區(qū)域排列有多個(gè)。這時(shí)，可以進(jìn)一步提高晶片加工用膠帶和晶片環(huán)之間的剝離強(qiáng)度。又，切口部優(yōu)選為還具有俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?。這時(shí)，例如切割時(shí)的冷卻水等產(chǎn)生剝離力的液體可以從上述凸?fàn)畹牟糠轴尫诺骄庸び媚z帶的外部。因此，可以更加確保晶片加工用膠帶和晶片環(huán)之間的剝離強(qiáng)度。又，切口部優(yōu)選為不貫通剝離基材。這時(shí)，當(dāng)使用晶片加工用膠帶的時(shí)候，由于在將剝離基體材料剝離時(shí)，切口部不起作用，因此剝離基材的剝離變得容易。又，剝離基體材料的厚度為a，切口部的深度為d時(shí)，優(yōu)選為滿足0 < d/a彡0. 7。通過滿足該條件，切口部的作用可以充分地發(fā)揮。實(shí)用新型效果根據(jù)本實(shí)用新型，可以提高與晶片環(huán)之間的剝離強(qiáng)度。又，也可以確保半導(dǎo)體裝置的制造成品率。

圖I是示出本實(shí)用新型所涉及的晶片加工用膠帶的一實(shí)施形態(tài)的平面圖。圖2是圖I中的II-II線截面圖。圖3是向晶片環(huán)安裝晶片加工用膠帶的安裝方法的示意圖。圖4是向晶片環(huán)安裝晶片加工用膠帶的安裝狀態(tài)的示意圖。圖5是半導(dǎo)體晶片的切割工序的示意圖。圖6是示出切口部的作用的立體圖。圖7是變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖8是其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖9是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖10是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖11是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖12是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖13是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。 圖14是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖15是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。圖16是另一其他變形例所涉及的晶片加工用膠帶的俯視圖。符號說明1，21，31，41，51，61，71，81，91，101，111"晶片加工用膠帶、2剝離基材、3吣粘結(jié)劑層、4 …粘著劑層、5 …基材膜、11，32，42，52，62，72，92，102，112 …切口部、92a，102a, 112a …凸?fàn)畹牟糠?朝內(nèi))、92b，102b, 112b…凸的部分(朝外)、13…半導(dǎo)體晶片、14…晶片環(huán)、15…切割刀片、16…冷卻水、17…粘著膜、18…粘結(jié)膜、P…粘貼區(qū)域。
具體實(shí)施方式
以下，同時(shí)參照附圖，對本實(shí)用新型涉及的晶片加工用膠帶、晶片加工用膠帶的制造方法以及使用該膠帶的半導(dǎo)體裝置的制造方法的較佳實(shí)施形態(tài)進(jìn)行詳細(xì)地說明。[晶片加工用膠帶的構(gòu)成]圖I是示出本實(shí)用新型所涉及的晶片加工用膠帶的一實(shí)施形態(tài)的平面圖。又，圖 2是圖I中的II-II線截面圖。圖I以及圖2中所示的晶片加工用膠帶I例如是在半導(dǎo)體晶片的切割以及通過切割得到的半導(dǎo)體芯片的貼片中所使用的長條狀的膠帶，通常是被卷成卷狀的狀態(tài)。如同圖所示，晶片加工用膠帶I被預(yù)切加工，晶片加工用膠帶I具有形成膠帶的基部的剝離基材2、與半導(dǎo)體晶片的形狀對應(yīng)地在剝離基材2的一表面?zhèn)纫砸?guī)定的間隔設(shè)置為圓形的粘結(jié)劑層3、為覆蓋粘結(jié)劑層3而設(shè)置為圓形的粘著劑層4和為覆蓋粘著劑層4而設(shè)置為與粘著劑層4相同的形狀的基材膜5。在剝離基材2的寬度方向的兩邊緣部設(shè)置有堤壩部6、6，該堤壩部6、6與圓形的粘著劑層4以及基材膜5相距規(guī)定的間隔地配置。該堤壩部6、6在粘著劑層4以及基材膜5的預(yù)切時(shí)形成。又，剝離基材2以及粘結(jié)劑層3由后述的粘結(jié)膜18所形成，基材膜5以及粘著劑層4由后述的粘著膜17所形成。粘著劑層4以及基材膜5的邊緣部的超出于粘結(jié)劑層3的外側(cè)的區(qū)域?yàn)橄蚓h(huán)粘貼的粘貼區(qū)域P。在該粘貼區(qū)域P中，環(huán)狀排列有多個(gè)切口部11，該切口部11以從基材膜5側(cè)到達(dá)剝離基材2的深度形成。如圖I所示，切口部11在俯視時(shí)呈半圓狀或者舌片狀，且以粘結(jié)劑層3的中心側(cè)為凸的這樣朝向形成。設(shè)剝離基材2的厚度為a、切口部的深度為d時(shí)，切口部11的深度滿足0 < d/a < 0. 7，且切口部11的深度為不貫通剝離基材2的深度。又，切口部11的排列數(shù)量沒有被特別地限定，例如優(yōu)選為以2° 3°的間隔排列。[半導(dǎo)體裝置的制作]使用以上那樣的晶片加工用膠帶I制造半導(dǎo)體裝置的情況下，首先，如圖3(a)所示，從晶片加工用膠帶I將剝離基材2剝離，得到膜層疊體12。接著，如圖3(b)所示，通過由于剝離基材2的剝離而露出的粘結(jié)劑層3，將膜層疊體12固定在半導(dǎo)體晶片13的一表面?zhèn)蒛。又，如圖3(b)以及圖4所示，在膜層疊體12的粘貼區(qū)域P，通過粘著劑層4固定晶片環(huán)14。接著，如圖5所示，一邊向切割刀片15提供冷卻水16 —邊進(jìn)行半導(dǎo)體晶片13以及粘結(jié)劑層3的切割。切割后，對粘著劑層4進(jìn)行高能量線的照射，使得粘著劑層4的粘著力降低，從基材膜5將帶有粘結(jié)劑層3的半導(dǎo)體芯片拔起。此后，通過粘結(jié)劑層3將半導(dǎo)體芯片粘結(jié)在規(guī)定的支撐部件上，從而得到半導(dǎo)體裝置。進(jìn)行上述的切割的時(shí)候，在晶片加工用膠帶I (膜層疊體12)上施加有來自冷卻水16的壓力。因此，晶片加工用膠帶I和晶片環(huán)14之間的剝離強(qiáng)度不足的話，晶片加工用膠帶I可能無法從晶片環(huán)14剝離，從而給切割造成障礙。相對于此，在晶片加工用膠帶I中，如圖I所示，與向晶片環(huán)14粘貼的粘貼區(qū)域P相對應(yīng)的、在俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的半圓狀或者舌片狀的切口部11以從基材膜5側(cè)到達(dá)至剝離基材2的深度形成。通過該切口部11的形成，剝離力作用于被粘貼至晶片環(huán)14的晶片加工用膠帶I時(shí)，如圖6所示，在粘著劑層4以及基材膜5的位于切口部11外側(cè)的部分(外側(cè)部分17a、17a)先剝離，其位于切口部11內(nèi)側(cè)的部分(內(nèi)側(cè)部分17b)以成為凸?fàn)畹臓顟B(tài)殘留在晶片環(huán)14上。剝離力進(jìn)一步地作用的話，內(nèi)側(cè)部分17b被外側(cè)部分17a、17a拉伸而即將要?jiǎng)冸x，但是由于剝離的面積增加的同時(shí)拉伸的作用點(diǎn)位于內(nèi)側(cè)部分17 b的更內(nèi)部，所以內(nèi)側(cè)部分17b的剝離需要更大的剝離力。因此，該晶片加工用膠帶I能夠提高晶片加工用膠帶I和晶片環(huán)14之間的剝離強(qiáng)度，能夠抑制在工序中晶片加工用膠帶I從晶片環(huán)14剝離的情況。這樣對工序的操作性的提高做出了貢獻(xiàn)，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體裝置的制造成品率的提高。另外，粘著膜17不限制于紫外線硬化型的膜，也可以是感壓型的膜。由于感壓型的膜易從晶片環(huán)14剝離，因此上述切口部11的形成特別有用。又，關(guān)于晶片加工用膠帶1，設(shè)剝離基材2的厚度為a、切口部的深度為d時(shí)，切口 部11的深度滿足0 < d/a彡0. 7，且切口部11的深度為不貫通剝離基材2的深度。由此，可以使切口部11的作用充分地發(fā)揮。又，在使用晶片加工用膠帶I的時(shí)候，由于將剝離基材2剝離時(shí)切口部11不起作用，所以剝離基材2的剝離變得容易。[晶片加工用膠帶的制作]在制作晶片加工用膠帶I之時(shí)，作為由粘著劑層4以及基材膜5構(gòu)成的粘著膜17，例如準(zhǔn)備的是日立化成工業(yè)株式會(huì)社制SD-3004。又，作為由粘結(jié)劑層3以及剝離基材2構(gòu)成的粘結(jié)膜18，例如準(zhǔn)備的是日立化成工業(yè)株式會(huì)社制HS-270系列。接著，對于粘結(jié)膜18，調(diào)節(jié)使得向剝離基材2的切入深度在20 ii m以下，并對粘結(jié)膜18進(jìn)行0 320mm的圓形預(yù)切加工，去除粘結(jié)劑層3的不需要部分。之后，使粘著劑層4與粘結(jié)劑層3彼此相對，在室溫、線壓lkg/cm、速度0. 5m/分的條件下對粘結(jié)膜18和粘著膜17進(jìn)行粘貼。接著，對于粘著膜17，調(diào)節(jié)使得向剝離基材2的切入深度在20 y m以下，并且與粘結(jié)劑層3同心圓狀地對粘著膜17進(jìn)行0 390_的圓形預(yù)切加工，去除粘著劑層4以及基材膜5的不需要部分，以形成堤壩部6。進(jìn)行粘著膜17的預(yù)切后，在從粘著膜17的邊緣部向內(nèi)側(cè)大約5mm的位置，使用規(guī)定的金屬模具，環(huán)狀地排列并形成半圓狀或者舌片狀的切口部11，從而得到晶片加工用膠帶I。[剝離強(qiáng)度的評價(jià)]相對于用上述的制造方法得到的晶片加工膠帶I (實(shí)施例)，另外制作不形成切口部11的晶片加工用膠帶(比較例)。然后，從實(shí)施例的膠帶切下包含I處的切口部11的寬度為10mm、長度為50mm的矩形的區(qū)域，將剝離基材2剝離后，在室溫下將用乙醇洗凈了的粘著劑層4以及基材膜5層壓在被粘附體(被著體)(SUS304)的表面，以制作第I試驗(yàn)片。然后，從比較例的膠帶切下和上述的矩形的區(qū)域同等的區(qū)域，將剝離基材2剝離后，在被粘附體(SUS304)的表面在室溫下對用乙醇洗凈了的粘著劑層4以及基材膜5層壓，以制作第2試驗(yàn)片。然后，對第I試驗(yàn)片以及第2試驗(yàn)片進(jìn)行90°剝離強(qiáng)度測定后，第I試驗(yàn)片的粘著劑層4以及基材膜5相對于被粘附體的剝離強(qiáng)度的最大值為40N/m，與此相對，第2試驗(yàn)片的粘著劑層4以及基材膜5相對于被粘附體的剝離強(qiáng)度的最大值為10N/m。從該結(jié)果可以確認(rèn)，向粘貼區(qū)域的切口部11的形成對提高晶片加工用膠帶I的剝離強(qiáng)度的提高是有貢獻(xiàn)的。[變形例]本實(shí)用新型并不限定于上述的實(shí)施形態(tài)。例如，在上述的實(shí)施形態(tài)中，通過粘著膜17的圓形預(yù)切加工形成堤壩部6、6，如圖7所示，也可以是不形成堤壩部6、6的晶片加工用膠帶21。又，切口部的形狀可以不是俯視時(shí)向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的凸?fàn)睿锌诓康男螤钅軌蜻m用各種變形。例如，也可以如圖8所示的晶片加工用膠帶31那樣形成矩形的切口部32，也可以如圖9所示的晶片加工用膠帶41那樣形成大致V字狀的切口部42。進(jìn)一步，例如，也可以如圖10所示的晶片加工用膠帶51那樣將半圓狀或者舌片狀的切口部52形成為兩重，也可以如圖11所示的晶片加工用膠帶61那樣將半圓狀或者舌片狀的切口部62沿2列的環(huán)狀線形成為交錯(cuò)狀；也可以如圖12所示的晶片加工用膠帶71那樣就每個(gè)切口部72隨機(jī)地設(shè)置其相對于粘著劑層4以及基材膜5的位置。又，也可以如圖13所示的晶片加工用膠帶81那樣僅在粘著劑層4以及基材膜5的邊緣部的一方側(cè)形成有切口部11。如果這樣的話，使用晶片加工用膠帶81的時(shí)候，可以從形成有切口部11的區(qū)域側(cè)簡單地將剝離基材2剝離。又，使用該晶片加工用膠帶81的情況下，切割時(shí)的冷卻水16的方向優(yōu)選為朝向形成有切口部11的區(qū)域。一方面，除了俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的凸?fàn)畹牟糠种猓部梢赃M(jìn)一步在切口部形成俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層3的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?。例如可以如圖14所示的晶片加工用膠帶91那樣形成大致N字形狀的切口部92，使得朝向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?2a和朝向粘結(jié)劑層3的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?2b在粘結(jié)劑層3的周方向相鄰，以同樣的概念，也可以如圖15所示的晶片加工用膠帶101那樣，通過朝向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?02a和朝向粘結(jié)劑層3的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?02b形成大致S字形狀的切口部102。又，也可以如圖16所示的晶片加工用膠帶111那樣形成為大致X字形狀的切口部112，使得朝向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?12a和朝向粘結(jié)劑層3的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?12b在粘結(jié)劑層3的直徑方向相鄰。這樣的晶片加工用膠帶91、101、111中，關(guān)于朝向粘結(jié)劑層3的中心側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?2a、102a、112a，切口部92、102、112的內(nèi)側(cè)部分以呈凸?fàn)畹臓顟B(tài)殘留在晶片環(huán)14上，而關(guān)于朝向粘結(jié)劑層3的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠?213、10213、11213，切口部92，102，112的內(nèi)側(cè)部分卷起，可以從這里將切割時(shí)的冷卻水16釋放到晶片加工用膠帶91，101，111的外部。因此，可以更加確保晶片加工用膠帶91，101，111和晶片環(huán)14之間的剝離強(qiáng)度。權(quán)利要求1.一種晶片加工用膠帶，其是在半導(dǎo)體晶片加工時(shí)粘貼在晶片環(huán)上使用的被卷成卷狀的晶片加工用膠帶，其特征在于，具有 成為膠帶的基部的剝離基材； 與所述半導(dǎo)體晶片的平面形狀相對應(yīng)地設(shè)置在所述剝離基材的一面?zhèn)鹊恼辰Y(jié)劑層； 設(shè)置為覆蓋所述粘結(jié)劑層的粘著劑層；和 設(shè)置為覆蓋所述粘著劑層的基材膜， 所述粘著劑層和所述基材膜向所述粘結(jié)劑層的外側(cè)延伸的區(qū)域?yàn)閷⑺鼍庸び媚z帶粘貼到所述晶片環(huán)上用的粘貼區(qū)域， 在所述粘貼區(qū)域，以從所述基材膜側(cè)到達(dá)所述剝離基材的深度形成有俯視時(shí)朝向所述 粘結(jié)劑層的中心側(cè)的凸?fàn)畹那锌诓俊?br> 2.如權(quán)利要求I所述的晶片加工用膠帶，其特征在于，所述切口部沿所述粘貼區(qū)域排列有多個(gè)。
3.如權(quán)利要求I所述的晶片加工用膠帶，所述切口部還具有俯視時(shí)朝向所述粘結(jié)劑層的外側(cè)的凸?fàn)畹牟糠帧?br> 4.如權(quán)利要求I所述的晶片加工用膠帶，其特征在于，所述切口部不貫通所述剝離基材。
5.如權(quán)利要求I中所述的晶片加工用膠帶，其特征在于，所述剝離基材的厚度為a，所述切口部的深度為d時(shí)，滿足O < d/a彡O. 7。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種晶片加工用膠帶。在晶片加工用膠帶(1)中，與向晶片環(huán)(14)粘貼的粘貼區(qū)域P對應(yīng)地以從基材膜(5)側(cè)到達(dá)至剝離基材(2)的深度形成俯視時(shí)朝向粘結(jié)劑層(3)的中心側(cè)的半圓狀或者舌片狀的切口部(11)。通過切口部(11)的形成，剝離力作用于晶片加工用膠帶(1)時(shí)，粘著劑層(4)以及基材膜(5)的位于切口部(11)的外側(cè)的部分先剝離，切口部(11)內(nèi)側(cè)的部分以呈凸?fàn)畹臓顟B(tài)殘留在晶片環(huán)(14)上。因此，能夠提高晶片加工用膠帶(1)和晶片環(huán)(14)之間的剝離強(qiáng)度，能夠抑制在工序中晶片加工用膠帶(1)從晶片環(huán)(14)剝離的情況。
文檔編號C09J7/02GK202415430SQ201120386160
公開日2012年9月5日 申請日期2011年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月15日
發(fā)明者作田竜彌, 加藤慎也, 加藤理繪, 增野道夫, 小森田康二, 松崎隆行, 谷口纮平 申請人:日立化成工業(yè)株式會(huì)社