專利名稱：壓敏粘合劑膜和使用該壓敏粘合劑膜的背磨方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓敏粘合劑膜和一種背磨方法。
背景技術(shù)：
隨著近來電子產(chǎn)品的小型化和輕型化的趨勢(shì)，對(duì)于無引線、薄膜和高集成度的 半導(dǎo)體封裝芯片的需求不斷增加。為了滿足此需求，對(duì)在半導(dǎo)體封裝芯片中包括的大直 徑薄膜晶片的需求也增加了。為了有效應(yīng)對(duì)大直徑薄膜半導(dǎo)體晶片的趨勢(shì)，重要的是精確控制背磨工藝(其 為一種晶片研磨工藝)和切割工藝(其為一種重組工藝)。為此，需要能夠控制這些工 藝的高性能技術(shù)。背磨工藝是一種機(jī)械地或者化學(xué)地拋光具有高集成度互連電路的晶片 表面以使晶片減薄的工藝。在此工藝中，例如，在8英寸晶片的情況下，通常將晶片研 磨至約200μιη至400μιη，這大約是預(yù)處理厚度的一半。然而，隨著對(duì)于薄膜晶片的需 求，現(xiàn)在需要將晶片研磨至200 μ m以下，且因此常常使用保護(hù)膜，不僅用于在研磨過程 中保護(hù)薄膜晶片，而且也作為處理薄膜晶片的增強(qiáng)物。此外，隨著晶片直徑的增加，在 背磨工藝中經(jīng)常發(fā)生晶片損壞，例如晶片污染和裂縫。在這方面，晶片加工保護(hù)膜的作 用被認(rèn)為是很重要的。韓國注冊(cè)專利第624293號(hào)公開了一種壓敏粘合劑膜，其可以通過在特別的溫度 范圍內(nèi)限制基底膜的動(dòng)態(tài)粘彈性(tan δ)而被用于加工具有不平坦的大表面形狀的粘附體 的背面。韓國專利公開第2006-47526號(hào)公開了一種半導(dǎo)體晶片壓敏粘合劑保護(hù)膜，其中 限定了其在具體溫度下的儲(chǔ)能模量以防止薄膜半導(dǎo)體晶片的損壞。然而，雖然在上述常規(guī)技術(shù)中建議的壓敏粘合劑膜可以防止在背部表面研磨的 過程中損壞晶片，但在此工藝中，它們的性能在晶片的切割方面非常差。當(dāng)保護(hù)膜的切 割性能較差時(shí)，由于在聯(lián)機(jī)進(jìn)行的半導(dǎo)體加工工藝中膜切割失敗，使得半導(dǎo)體加工工藝 不連續(xù)進(jìn)行，導(dǎo)致加工效率劣化。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明致力于解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，且本發(fā)明的目的是提供一種在半導(dǎo) 體制備工藝中具有優(yōu)異的可切割性、粘合性能、減震性能、剝離性能、耐水性和對(duì)于晶 片的潤(rùn)濕性的壓敏粘合劑膜，以及使用該壓敏粘合劑膜的方法。技術(shù)方案為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種壓敏粘合劑膜，其包括基底膜，其在23°C的溫度下具有小于240Kg · mm的韌性(toughness)；以及壓敏粘合劑層，其形成于所述基底膜上。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種背磨方法，其包括將根據(jù)本發(fā)明的壓敏粘合劑膜粘合到半導(dǎo)體晶片上的第一步驟；以及
研磨其上粘附了壓敏粘合劑膜的半導(dǎo)體晶片的背面的第二步驟。有益效果本發(fā)明提供了一種壓敏粘合劑膜，由于該壓敏粘合劑膜在半導(dǎo)體制備工藝中具 有優(yōu)越的可切割性和粘合性能且具有優(yōu)異的減震性能，所以其可以顯著地提高半導(dǎo)體制 備工藝的生產(chǎn)效率。此外，本發(fā)明還提供了具有優(yōu)越剝離性能和再剝離性能的壓敏粘合 劑膜，其在提供優(yōu)異的耐水性的同時(shí)提供對(duì)晶片的潤(rùn)濕性。本發(fā)明還提供了使用該壓敏 粘合劑膜的背磨方法。根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)將保護(hù)膜粘附到晶片上，并根據(jù)晶片的形狀切割 該保護(hù)膜時(shí)，沒有外來物質(zhì)被引入到膜上，且由于干凈的切削平面，毛刺的形成可以最 小化。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以解決可能在半導(dǎo)體加工中發(fā)生的操作延誤，且可以最小 化在膜切削平面中的毛刺形成，從而最小化由于在背磨工藝中水或者其他物質(zhì)的引入導(dǎo) 致的晶片的污染和損壞。此外，根據(jù)本發(fā)明，該膜因其優(yōu)異的減震性能可以防止晶片被 彎曲，從而解決在常規(guī)半導(dǎo)體加工中的一些問題并改進(jìn)連續(xù)加工操作的效率。


圖1是一個(gè)拉伸曲線圖；以及圖2和圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的壓敏粘合劑膜的橫截面圖。<附圖標(biāo)記說明>10 基底膜20:壓敏粘合劑層30 可剝離膜
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及一種壓敏粘合劑膜，其包括基底膜，其在23°C的溫度下具有小于240Kg · mm的韌性；以及壓敏粘合劑層，其形成于所述基底膜上。以下將詳述根據(jù)本發(fā)明的壓敏粘合劑膜。所述壓敏粘合劑膜包括具有優(yōu)化韌性的基底膜，所述韌性是在特定條件下的拉 伸試驗(yàn)中測(cè)量的。在此使用的術(shù)語“拉伸試驗(yàn)”是指，當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)化樣品被施加的力以預(yù)定的速度拉 伸時(shí)，通過施加于該樣品上的力(力，應(yīng)力)和該樣品的伸長(zhǎng)率之間的關(guān)系而測(cè)量該標(biāo)準(zhǔn) 化樣品的物理性能的試驗(yàn)。拉伸試驗(yàn)的結(jié)果可以通過拉伸曲線表達(dá)，拉伸曲線顯示出相 對(duì)于施加的力的樣品的應(yīng)變。拉伸曲線可以典型地分為“負(fù)載對(duì)伸長(zhǎng)率曲線”(圖1 中的左圖)，其通過伸長(zhǎng)率(mm)與施加的力(IO3N)的關(guān)系表示；以及“應(yīng)力對(duì)應(yīng)變曲 線”(圖1中的右圖)，其通過工程應(yīng)變與工程應(yīng)力的關(guān)系表示。以上使用的術(shù)語“工程應(yīng)力”和“工程應(yīng)變”是指所施加的力和相應(yīng)應(yīng)變的標(biāo) 準(zhǔn)化值，可由下式表示[等式1]
權(quán)利要求
1.一種壓敏粘合劑膜，其包括基底膜，其在23°c的溫度下具有小于240Kg · mm 的韌性；以及壓敏粘合劑層，其形成于所述基底膜上。
2.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述基底膜在20°C至25°C的溫度下具有 小于240Kg · mm的韌性。
3.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述基底膜具有210Kg· mm以下的韌性。
4.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述基底膜具有小于700%的伸長(zhǎng)率。
5.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述基底膜在20°C的溫度下具有IXIO7Pa 至IXlO9Pa的儲(chǔ)能模量。
6.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述基底膜為聚烯烴膜、聚酯膜、聚氯乙 烯、聚酯彈性體或聚氨酯膜。
7.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述基底膜具有50μιη至300μιη的厚度。
8.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述壓敏粘合劑層包含硅壓敏粘合劑、合 成橡膠壓敏粘合劑、天然橡膠壓敏粘合劑或丙烯酸酯壓敏粘合劑。
9.權(quán)利要求8所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述丙烯酸酯壓敏粘合劑包含單體的共聚 物，該單體含有90至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯單體和0.1至10重量份的含有交聯(lián) 官能團(tuán)的單體。
10.權(quán)利要求9所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述(甲基)丙烯酸酯單體包括(甲基) 丙烯酸異冰片酯。
11.權(quán)利要求9所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述共聚物具有-50至15°C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
12.權(quán)利要求9所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述共聚物具有50,000至700,000的重均分子量。
13.權(quán)利要求9所述的壓敏粘合劑膜，其中，相對(duì)于100重量份的共聚物，所述壓敏 粘合劑進(jìn)一步包含0.1 10重量份的交聯(lián)劑。
14.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其中，所述壓敏粘合劑層具有0.5μ m至50 μ m的厚度。
15.權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜，其進(jìn)一步包括在所述壓敏粘合劑層上形成的可 剝離膜。
16.—種背磨方法，包括第一步，將權(quán)利要求1所述的壓敏粘合劑膜粘合到半導(dǎo)體晶片上；以及 第二步，研磨其上粘附了壓敏粘合劑膜的半導(dǎo)體晶片的背面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種壓敏粘合劑膜和一種使用該壓敏粘合劑膜的半導(dǎo)體晶片背磨方法。本發(fā)明提供了一種壓敏粘合劑膜，由于該壓敏粘合劑膜在半導(dǎo)體制備過程中具有優(yōu)越的切割性能和粘合性能且具有優(yōu)異的減震性能，其可以在半導(dǎo)體制備過程的晶片背磨中顯著地提高生產(chǎn)效率。此外，本發(fā)明提供了兼具提供優(yōu)異的耐水性和對(duì)晶片具有優(yōu)越剝離性能和再剝離性能和潤(rùn)濕性的壓敏粘合劑膜，還提供了使用該壓敏粘合劑膜的背磨方法。
文檔編號(hào)C09J5/00GK102015937SQ200980114076
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2009年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月21日
發(fā)明者孫賢喜, 樸炫佑, 洪宗完, 白允貞, 金世羅, 金章淳 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社