包含凸狀固化產品和基板的集成件的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及一種制造其中使用可固化有機娃組合物在基板上形成凸狀固化產品 的集成件的方法，特別是設及一種制造其中在半導體元件上或其上安裝有所述元件的基板 上形成凸狀固化產品的集成件的方法。
[0002] 本發(fā)明要求于2012年10月15日提交的日本專利申請No. 2012-228327的優(yōu)先權， 該專利申請的內容W引用方式并入本文。
【背景技術】
[0003] 可固化有機娃組合物用于光禪合器、發(fā)光二極管、固態(tài)圖像感測裝置W及具有光 學半導體元件的其他類型的光學半導體裝置W密封所述元件。對于該些組合物而言，要求 其固化產品不吸收或散射由光學半導體元件發(fā)射或接受的光，且有時要求所述固化產品為 半球形、半圓柱形、寫頂形或類似的凸形W便改善光學半導體裝置的光學性質。
[0004] 例如，日本未經審查的專利申請公布No. 2008-231199公開了灌注觸變可固化有 機娃組合物W密封發(fā)光元件，并為密封體賦予凸透鏡形狀。
[0005] 日本未經審查的專利申請公布No. 2009-235265公開了使用分配器將觸變可固化 有機娃組合物逐滴沉積在基板上W密封發(fā)光元件，并為密封體賦予凸透鏡形狀。
[0006] 然而，日本未經審查的專利申請公布No. 2008-231199和2009-235265中所公開的 方法存在難W控制觸變性從而使得在實踐中無法獲得具有所需半球形、半圓柱形、寫頂形 或類似凸形的密封體的問題。另外，該觸變可固化有機娃組合物的高粘度阻礙了其從分配 器的快速分配，從而導致分配該組合物所需的時間問題W及在分配該組合物時形成線狀物 的問題。此外，根據(jù)為賦予該可固化有機娃組合物觸變性質而添加到其中的填充劑，該可固 化有機娃組合物可能變混濁，從而導致光學性質方面的問題。
[0007] 本發(fā)明鑒于如上所述的現(xiàn)有技術中的問題而實現(xiàn)，并且其目標是提供一種能夠有 效地制造其中使用可固化有機娃組合物在基板上形成凸狀固化產品的集成件的方法。

【發(fā)明內容】

[000引作為為實現(xiàn)上述目標而努力研究的結果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：當將具有特定粘度和可 固化質的可固化有機娃組合物逐滴沉積或分配到基板上時，預先設定基板的溫度使得可W 有效制造其中形成了所需凸狀固化產品的集成件，從而達成本發(fā)明。
[0009] 具體地講，本發(fā)明的目標經由制造包含凸狀固化產品和基板的集成件的方法來 實現(xiàn)，該方法包括W下步驟：將可固化有機娃組合物逐滴沉積或分配到經預熱的基板上， 該組合物在基板所加熱到的溫度下在剛開始測量后的60秒內達到使用硫化計根據(jù)JIS K 6300-2測得的IdN ? m的扭矩值，并在所述溫度下具有至少0. 05化? S的粘度。
[0010] 在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，將基板優(yōu)選地預熱到至少50°C。具體地講，將基板優(yōu) 選地加熱到一定的溫度，W使得可固化有機娃組合物在基板所加熱到的溫度下的粘度與可 固化有機娃組合物在25 °C下的粘度之比為至少0. 01。另外，基板優(yōu)選地為半導體裝置或用 于半導體裝置的基板；特別是，半導體裝置優(yōu)選地為光學半導體裝置。
[001U 可固化有機娃組合物優(yōu)選地在25°C下具有至少2. 0化，s的粘度和在25°C下小于 1. 50的折射率。該樣的可固化有機娃組合物優(yōu)選地經由娃氨加成反應而熱固化。
[0012] 凸狀固化產品可包封半導體元件。半導體元件可存在于基板上。
[0013] 半導體元件優(yōu)選地由光學半導體構成。
[0014] 光學半導體優(yōu)選地為LED。
[0015] 本發(fā)明還設及一種包含根據(jù)上述制造方法所獲得的集成件的光學裝置。
[001 d 本發(fā)巧的效果
[0017] 根據(jù)本發(fā)明，可能的是有效地制造其中使用可固化有機娃組合物在基板上形成半 球形、半圓柱形、寫頂形或類似凸形固化產品的集成件。
[0018] 特別是，在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，無需預先形成用于防止可固化有機娃組合 物在逐滴沉積或分配到基板上后擴散的圍堤構件。因此，即使基板具有平坦表面，也可容易 地制造具有半球形、半圓柱形、寫頂形或類似凸形的凸狀固化產品。
【附圖說明】
[0019] 圖1是根據(jù)本發(fā)明制造方法制造的光學裝置的一個例子的示意性橫截面視圖。
[0020] 圖2是圖1中所示的光學裝置的示意性透視圖。
[0021] 圖3是根據(jù)本發(fā)明制造方法制造的光學裝置的另一個例子的示意性橫截面視圖。
[0022] 圖4是根據(jù)本發(fā)明制造方法制造的光學裝置的另一個例子的示意性透視圖。
[0023] 圖5是根據(jù)本發(fā)明制造方法制造的光學裝置的另一個例子的示意性橫截面視圖。
【具體實施方式】
[0024] 在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，將具有預定的粘度性質和預定的可固化質的可固化 有機娃組合物逐滴沉積或分配到經預熱的基板上。
[0025] 對用于本發(fā)明的基板并無特別限制，只要其耐熱即可；基板材料的例子包括：金 屬，諸如銀、金、銅、侶和鑲；半導體，諸如娃；玻璃，諸如耐熱玻璃；高烙點熱塑性樹脂；熱固 性樹脂，諸如環(huán)氧樹脂、BT樹脂、聚酷亞胺樹脂和有機娃樹脂；陶瓷，諸如氧化侶和氮化侶； W及它們的復合物。
[0026] 在本發(fā)明中，對基板預熱。在本發(fā)明中，必須根據(jù)可固化有機娃組合物的固化性 質來調整加熱溫度。對加熱溫度并無特別限制，但至少50°C的溫度是優(yōu)選的，至少60°C的 溫度是更優(yōu)選的，至少70°C的溫度是還要優(yōu)選的，并且至少80°C的溫度是尤其優(yōu)選的。對 加熱溫度的上限也無限制，但不大于220°C的溫度是優(yōu)選的，不大于180°C的溫度是更優(yōu)選 的，并且不大于160°C的溫度是還要優(yōu)選的。對加熱方法并無特別限制，并且可W采用任何 加熱方法，諸如經由熱板等進行直接加熱、經由紅外福射進行福射加熱或經由微波進行感 應加熱。
[0027] 用于本發(fā)明的可固化有機娃組合物的折射率優(yōu)選地小于1. 50。其固化產品的折射 率優(yōu)選地也小于1.50。可使用例如阿貝折射計測量折射率。在此類情況下，可改變阿貝折 射計的光源的波長W測量在所需波長下的折射率。可固化有機娃組合物或其固化產品優(yōu)選 地在可見光波長巧89nm)下具有小于1. 50、更優(yōu)選地1. 40至1. 49、還優(yōu)選地1. 42至1. 47 的折射率（25°C)。通常，可固化有機娃組合物優(yōu)選地為非苯基組合物，其包含具有甲基基 團或其他烷基基團的有機聚硅氧烷（諸如二甲基聚硅氧烷）作為主要組分。
[002引用于本發(fā)明的可固化有機娃組合物或其固化產品優(yōu)選地具有至少80%、更優(yōu)選地 至少90%、還優(yōu)選地至少95%的光學透射率（25°C )。該光學透射率可例如通過使用分光 光度計在0. 1cm光程長和450nm波長下測量可固化有機娃組合物或固化產品的光學透射率 (25°C )來獲得。
[0029] 用于本發(fā)明的可固化有機娃組合物優(yōu)選地為不具有娃鍵合的苯基基團的非苯基 可固化有機娃組合物。更優(yōu)選的是，除苯基基團W外的芳基基團也不鍵合到娃原子。
[0030] 對可固化有機娃組合物并無特別限制；例子包括（A)在分子中具有至少兩個締基 基團的有機聚硅氧烷、炬）在分子中具有至少兩個娃鍵合的氨原子的有機聚硅氧烷和（C) 包含至少娃氨加成催化劑的娃氨加成-可固化有機娃組合物。
[003U 組分（A)優(yōu)選地在25°C下具有50至100, OOOmPa ? S范圍內的粘度。
[0032] 對組分（A)的分子結構無限制；例子包括直鏈、部分支化的直鏈、支鏈、樹枝狀、網 狀或環(huán)狀結構。
[0033] 組分（A)中的締基基團的例子包括具有2至10個碳的直鏈或支鏈締基基團，諸如 己締基基團、締丙基基團、丙締基基團、異丙締基基團、了締基基團、戊締基基團和己締基基 團。己締基基團或締丙基基團是優(yōu)選的，并且己締基基團是更優(yōu)選的。組分（A)可任選地 在分子中具有=個或更多個娃鍵合的締基基團。
[0034] 組分（A)中具有1至10個碳的烷基基團的例子包括甲基基團、己基基團、丙基基 團、異丙基基團、了基基團、異了基基團、叔了基基團、戊基基團、新戊基基團、己基基團、庚 基基團和其他直鏈或支鏈烷基基團。烷基基團中的部分氨原子可被面素原子、哲基基團、環(huán) 氧基基團等取代，諸如氯甲基基團、3-氯丙基基團、3, 3, 3-=氣丙基基團和其他面代烷基 基團。
[0035] 組分（A)的例子包括；在兩個分子末端被=甲基甲娃烷氧基基團封端的甲基己締 基聚硅氧烷；在兩個分子末端被=甲基甲娃烷氧基基團封端的甲基己締基硅氧烷與二甲基 硅氧烷的共聚物；在兩個分子末端被二甲基己締基甲娃烷氧基基團封端的甲基己締基聚娃 氧燒；在兩個分子末端被^甲基己締基甲娃烷氧基基團封端的^甲基硅氧烷與甲基己締基 硅氧烷的共聚物；環(huán)狀甲基己締基硅氧烷；環(huán)狀二甲基硅氧烷-甲基己締基硅氧烷共聚物； 由式（CH3)3Si〇i/2表示的硅氧烷單元、由式畑2= CH)畑3)2Si〇i/2表示的硅氧烷單元和由 式Si〇4/2表示的硅氧烷單元所組成的共聚物；由式（邸2= CH) (CH3)2Si〇i/2表示的硅氧烷單 元和由式Si〇4/2表示的硅氧烷單元所組成的共聚物；由式（CH3)3Si〇i/2表示的硅氧烷單元、 由式（吼二CH) (CH3)2Si〇i/康示的硅氧烷單元、由式（CH3)2Si〇2/2表示的硅氧烷單元