本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種新型oled材料的制備方法及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
：有機電致發(fā)光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術(shù)既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應(yīng)用前景十分廣泛。oled發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構(gòu)，包括電極材料膜層，以及夾在不同電極膜層之間的有機功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成oled發(fā)光器件。作為電流器件，當(dāng)對oled發(fā)光器件的兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機層功能材料膜層中正負(fù)電荷，正負(fù)電荷進一步在發(fā)光層中復(fù)合，即產(chǎn)生oled電致發(fā)光。當(dāng)前，oled顯示技術(shù)已經(jīng)在智能手機，平板電腦等領(lǐng)域獲得應(yīng)用，進一步還將向電視等大尺寸應(yīng)用領(lǐng)域擴展，但是，和實際的產(chǎn)品應(yīng)用要求相比，oled器件的發(fā)光效率，使用壽命等性能還需要進一步提升。對于oled發(fā)光器件提高性能的研究包括：降低器件的驅(qū)動電壓，提高器件的發(fā)光效率，提高器件的使用壽命等。為了實現(xiàn)oled器件的性能的不斷提升，不但需要從oled器件結(jié)構(gòu)和制作工藝的創(chuàng)新，更需要oled光電功能材料不斷研究和創(chuàng)新，創(chuàng)制出更高性能oled的功能材料。應(yīng)用于oled器件的oled光電功能材料從用途上可劃分為兩大類，即電荷注入傳輸材料和發(fā)光材料，進一步，還可將電荷注入傳輸材料分為電子注入傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入傳輸材料和空穴阻擋材料，還可以將發(fā)光材料分為主體發(fā)光材料和摻雜材料。針對當(dāng)前oled器件的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用要求，以及oled器件的不同功能膜層，器件的光電特性需求，必須選擇更適合，具有高性能的oled功能材料或材料組合，才能實現(xiàn)器件的高效率、長壽命和低電壓的綜合特性。就當(dāng)前oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機功能材料的開發(fā)顯得尤為重要。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于有機電致發(fā)光器件中，作為發(fā)光層、空穴傳輸層或電子傳輸層使用的新型oled材料，具有優(yōu)良光電性能。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種新型oled材料，其特征在于，包括具有符合式(1)所示的分子結(jié)構(gòu)，其中r選自甲基、乙基、異丙基、叔丁基、直鏈或枝化的c1～c12含氧烷基、苯環(huán)取代的含氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)與c5～c60多環(huán)芳基共軛結(jié)構(gòu)基團中的任一種；其中ar選自苯環(huán)取代的含氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)或c5～c60多環(huán)芳基共軛結(jié)構(gòu)基團中的任一種。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進。進一步，式(1)中所述四個ar相同或不相同，所述四個r相同或不相同。進一步，所述c5～c60多環(huán)芳基共軛結(jié)構(gòu)基團為蒽基、聯(lián)苯基、苯基或其衍生物中的一種。進一步，所述苯環(huán)取代的含氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)為三苯胺基、咔唑基、n-苯基咔唑基或其衍生物中的一種。本發(fā)明提供一種新型oled材料的制備方法，包括以下步驟：a、將二取代咪唑與二氯馬來酸酐、催化劑、堿加入到溶劑中，進行偶聯(lián)反應(yīng)，得到中間體-a，其反應(yīng)方程式為：b、將步驟a中得到的中間體-a、氫氧化鈉加入到溶劑中，制得中間體-b，其反應(yīng)方程式為：c、將步驟b中得到的中間體-b在甲磺酸催化作用下，制得中間體-c，其反應(yīng)方程式為：d、將步驟c中的中間體-c與格式試劑加入到溶劑中，制得最終產(chǎn)物，其反應(yīng)方程式為：進一步，在步驟a中，所述催化劑為醋酸鈀、cxa中的一種或幾種，所述堿為叔丁醇鈉，所述溶劑為二甲苯，在步驟b中，所述溶劑為無水乙醇，在步驟d中，所述溶劑為thf。進一步，在步驟a中，所述反應(yīng)溫度為110～135℃，反應(yīng)時間為5～15h；在步驟b中，所述反應(yīng)溫度為60～70℃，反應(yīng)時間為5～15h；在步驟c中，所述反應(yīng)溫度為50～80℃，反應(yīng)時間為5～15h；在步驟d中，所述反應(yīng)溫度為-20～5℃，反應(yīng)時間為3～5h。進一步，在步驟a中，所述二取代咪唑與所述二氯馬來酸酐的摩爾比為1:(0.4～0.6)，所述二取代咪唑與所述催化劑的摩爾比為1:(0.001～0.04)，所述二取代咪唑與所述堿的摩爾比為1:(1.2～4.0，所述二取代咪唑與所述溶劑的質(zhì)量比為1:(10～30)；在步驟b中，所述中間體-a與所述氫氧化鈉的摩爾比為1:(1.2～3.0)，所述中間體-a與所述溶劑的質(zhì)量比為1:(10～30)；在步驟c中，所述中間體-b與所述甲磺酸的質(zhì)量比為1:(1～5)；在步驟d中，所述中間體-c與所述格式試劑的摩爾比為1:(5～8)，所述中間體-c與所述溶劑的質(zhì)量比為1:(10～30)。本發(fā)明提供一種新型oled材料在有機電致發(fā)光領(lǐng)域中的應(yīng)用。本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件，所述有機電致發(fā)光器件包括發(fā)光層、空穴傳輸層與電子傳輸層，所述發(fā)光層、空穴傳輸層或電子傳輸層含上述一種新型oled材料。以下所列化合物m-1至m-10，與p-1至p-10是本發(fā)明一種新型oled材料的部分優(yōu)選結(jié)構(gòu)，是符合本發(fā)明精神和原則的代表結(jié)構(gòu)，應(yīng)當(dāng)理解，列出以下化合物結(jié)構(gòu)，只是為了更好地解釋本發(fā)明，并非是對本發(fā)明的限制。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供的化合物成膜性好，在室溫下具有較好的穩(wěn)定性，且易成模的特征使得制造成本更低，在室溫下較好的穩(wěn)定性使得器件工作更加穩(wěn)定，實用壽命較長。另外，可有效的應(yīng)用于有機電致發(fā)光器件中，作為發(fā)光層發(fā)光材料、電子傳輸層或空穴傳輸層材料，且較高的電子傳輸性能，使得作為電子傳輸材料，能明顯的降低驅(qū)動電壓，具有高載流子遷移率，提高電子效率，具有優(yōu)良光電性能。附圖說明圖1為本發(fā)明提供的一種有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中，各標(biāo)號所代表的部件列表如下：1、透明基板層，2、ito，3、空穴注入層，4、空穴傳輸/電子阻擋層，5、發(fā)光層，6、電子傳輸/空穴阻擋層，7、電子注入層，8、陰極反射電極層。具體實施方式以下對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。方便引用，將各實施例制備得到的化合物與上述各化合物名稱相一一對應(yīng)，例如：表一結(jié)構(gòu)式與實施例對應(yīng)表目標(biāo)產(chǎn)物實施例m-1實施例一m-2實施例二m-3實施例三m-4實施例四m-5實施例五m-6實施例六p-1實施例七p-2實施例八p-3實施例九p-4實施例十p-5實施例十一p-6實施例十二本發(fā)明中所用到的二取代咪唑、二氯馬來酸酐、醋酸鈀、cxa、二甲苯、氫氧化鈉、無水乙醇、甲磺酸、格式試劑等均可在國內(nèi)化工市場買到。以實施例一為例，合成路線如下：實施例一步驟1)m-1-a的制備：將22.0g(0.1mol)4,5-二苯基咪唑與8.4g(0.05mol)二氯馬來酸酐混合，以0.22g(0.001mol)醋酸鈀、0.72g(0.002)cxa為催化劑，以38.4g(0.4mol)叔丁醇鈉為堿，以90g二甲苯為溶劑，回流反應(yīng)13.0hr，降溫，水洗，干燥，脫溶劑得到25.4g(0.048mol)m-1-a粗品，經(jīng)柱層析得20.0g(0.038mol)m-1-a精品。步驟2)m-1-b的制備：將20.0g(0.04mol)m-1-a精品、1.8g(0.05mol)氫氧化鈉、50g無水乙醇混合，升溫至回流反應(yīng)5.0hr，脫干溶劑，大量固體析出，加入150g甲苯，滴加9.0g(0.09mol)濃鹽酸，大量固體析出，抽濾得17.6g(0.033mol)m-1-b精品。步驟3)m-1-c的制備：將17.6g(0.03mol)m-1-b精品、162g(1.69mol)甲磺酸混合，升溫至70～80℃反應(yīng)5.0hr，降溫，將體系倒入500.0g冰水，加入300g甲苯，分層，水洗，有機相脫溶劑得14.8(0.028mol)m-1-c粗品，經(jīng)柱層析得13.4g(0.026mol)m-1-c精品。步驟4)化合物結(jié)構(gòu)m-1的制備：將13.4g(0.026mol)m-1-c精品、50.0gthf混合，降溫至-10℃，滴加0.13mol碘甲烷格式試劑，控制體系溫度＜-5℃，滴加完畢保溫1.0hr，回溫至室溫保溫2.0hr，水解，分液，干燥，脫溶劑得14.2g(0.026mol)產(chǎn)品m-1粗品，，經(jīng)柱層析得11.7g(0.0216mol)m-1精品。使用hplc-ms來識別該化合物，分子式c38h32n4，檢測值[m+1]+＝545.72,計算值544.69?；衔锝Y(jié)構(gòu)式一的升華，稱取10.0g化合物結(jié)構(gòu)m-1的精品，于真空升華儀中，升華參數(shù)為升華真空度2×10-5pa,升華三區(qū)溫度為285℃，升華二區(qū)溫度為185℃，升華一區(qū)溫度為120℃，所設(shè)溫度均為梯度升溫，每15min升高50℃，升高至目標(biāo)溫度后，保溫升華5.0hr，升華共得到精品9.1g，hplc：99.9％，升華收率為91.0％。實施例二-實施例六的制備實施例二至實施例六與實施例一實驗過程均相同，僅僅原料4,5-二苯基咪唑不同，將4,5-二苯基咪唑按照下表進行更換，即可得到實施例二-實施例六：表二原料與實施例對應(yīng)表目標(biāo)產(chǎn)物實施例原料m-1實施例一4,5-二苯基咪唑m-2實施例二4,5-二(2-萘基)咪唑m-3實施例三4,5-二(3,4-二甲基苯基)咪唑m-4實施例四4,5-二(2-吡啶基)咪唑m-5實施例五4,5-二(4-聯(lián)苯基)咪唑m-6實施例六4,5-二(3,4，5-三甲基苯基)咪唑如上表所示，將m-1制備過程中的原料4,5-二苯基咪唑，更換為4,5-二(2-萘基)咪唑即為實施例二，即可得到m-2；以此類推即可得到實施例二—實施例六。實施例七至實施例十二與實施例一實驗過程均相同，僅僅原料4,5-二苯基咪唑及格式試劑不同，將4,5-二苯基咪唑及格式試劑按照下表進行更換，即可得到實施例七至實施例十二：表三原料與實施例對應(yīng)表如上表所示，將p-1制備過程中的原料4,5-二苯基咪唑，更換為4,5-二(2-萘基)咪唑、將碘甲烷格式試劑更換為溴苯格式試劑即為實施例八，即可得到p-2；以此類推即可得到實施例七—實施例十二。按照化合物樣品制備的實施例1中所述的方法制備新型有機光電材料(實施例一至實施例十二)，相關(guān)化合物ms數(shù)據(jù)如下表：表四hplc-ms檢測數(shù)據(jù)化合物實施例結(jié)構(gòu)式hplc-ms檢測值計算值m-1實施例一c38h32n4545.98544.69m-2實施例二c54h40n4745.69744.92m-3實施例三c46h48n4657.98656.9m-4實施例四c34h28n8549.69548.64m-5實施例五c62h48n4850.23849.07m-6實施例六c50h56n4714.32713.01p-1實施例七c58h40n4793.94792.96p-2實施例八c74h48n4994.23993.2p-3實施例九c66h56n4906.36905.18p-4實施例十c54h36n8797.81796.92p-5實施例十一c82h56n41098.751097.35p-6實施例十二c70h64n4962.54961.28有機電致發(fā)光器件可按照本領(lǐng)域方法制備，具體方法為：在高真空條件下，在經(jīng)過清洗的導(dǎo)電玻璃(氧化銦錫)襯底上依次蒸鍍moo3，空穴傳輸層，發(fā)光層，bcp，電子傳輸層，1nm的lif和120nm的al。用該方法制得如圖1所示的器件，按照作為器件的不同功能層可分為：作為發(fā)光層的器件一、器件二、器件七、器件八；作為空穴傳輸層的器件三、器件四、器件九、器件十；作為電子傳輸層的器件五、器件六、器件十一、器件十二。作為發(fā)光層的器件器件一ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/化合物結(jié)構(gòu)m-1：ir(piq)2：(acac)(6wt％，30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件二ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/化合物結(jié)構(gòu)m-2：ir(piq)2：(acac)(6wt％，30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件七ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/化合物結(jié)構(gòu)p-1：ir(piq)2：(acac)(6wt％，30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件八ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/化合物結(jié)構(gòu)p-2：ir(piq)2：(acac)(6wt％，30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。作為空穴傳輸層的器件器件三ito/moo3(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)m-3(30nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件四ito/moo3(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)m-4(30nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件九ito/moo3(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)p-3(30nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件十ito/moo3(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)p-4(30nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。作為電子傳輸層的器件器件五ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)m-5(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件六ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)m-6(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件十一ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)p-5(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件十二ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/化合物結(jié)構(gòu)p-6(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。對比器件ito/moo3(10nm)/npb(50nm)/alq3(30nm)/bcp(10nm)/tpbi(30nm)/lif(1nm)/al(120nm)。器件的電流-亮度-電壓特性是由帶有校正過的硅光電二極管的keithley源測量系統(tǒng)(keithley236sourcemeasureunit)完成的，器件的性能數(shù)據(jù)見表一。表五器件的性能數(shù)據(jù)以本發(fā)明的化合物可作為主體材料所制得的器件一、器件二、器件七、器件八，最高電流效率達到9.3cd/a，最高亮度可達12847cd/m2,本發(fā)明的器件在亮度、效率等方面都有明顯的優(yōu)勢。作為電子和/或空穴傳輸材料，能明顯降低器件的驅(qū)動電壓，提高器件效率。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁12