本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種有機(jī)金屬配合物。尤其是，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)換成發(fā)光的有機(jī)金屬配合物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種使用有機(jī)金屬配合物的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備及照明裝置。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于上述技術(shù)領(lǐng)域。本說(shuō)明書(shū)等所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種物體、方法或制造方法。本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種工序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或組合物(composition of matter)。由此，更具體而言，作為本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的本發(fā)明的一個(gè)方式的技術(shù)領(lǐng)域的例子，除了上述之外還可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、這些裝置的驅(qū)動(dòng)方法或者這些裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

由于在一對(duì)電極之間包含作為發(fā)光物質(zhì)的有機(jī)化合物的發(fā)光元件(也稱(chēng)為有機(jī)EL元件)具有薄型輕量、響應(yīng)速度高及能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)等的特征，因此作為下一代平板顯示元件受到關(guān)注。并且，通過(guò)對(duì)該有機(jī)EL元件(發(fā)光元件)施加電壓，從電極注入的電子和空穴重新結(jié)合，從而發(fā)光物質(zhì)成為激發(fā)態(tài)，當(dāng)該激發(fā)態(tài)回到基態(tài)時(shí)發(fā)光。另外，作為激發(fā)態(tài)的種類(lèi)，可以舉出單重激發(fā)態(tài)(S^*)和三重激發(fā)態(tài)(T^*)，其中由單重激發(fā)態(tài)的發(fā)光被稱(chēng)為熒光，而由三重激發(fā)態(tài)的發(fā)光被稱(chēng)為磷光。另外，在發(fā)光元件中，單重激發(fā)態(tài)和三重激發(fā)態(tài)的統(tǒng)計(jì)學(xué)上的生成比例被認(rèn)為是S^*：T^*＝1：3。

此外，在上述發(fā)光物質(zhì)中，能夠?qū)沃丶ぐl(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)換成發(fā)光的化合物被稱(chēng)為熒光化合物(熒光材料)，能夠?qū)⑷丶ぐl(fā)態(tài)的能量轉(zhuǎn)換成發(fā)光的化合物被稱(chēng)為磷光化合物(磷光材料)。

因此，基于S^*：T^*＝1：3的關(guān)系，使用熒光材料的發(fā)光元件中的內(nèi)部量子效率(所產(chǎn)生的光子相對(duì)于所注入的載流子的比例)的理論上的極限被認(rèn)為是25％，而使用磷光材料的發(fā)光元件中的內(nèi)部量子效率的理論上的極限被認(rèn)為是75％。

換言之，與使用熒光材料的發(fā)光元件相比，使用磷光材料的發(fā)光元件可以得到更高的效率。因此，近年來(lái)對(duì)各種磷光材料進(jìn)行積極的研究開(kāi)發(fā)。尤其是，以銥等為中心金屬的有機(jī)金屬配合物因其高磷光量子產(chǎn)率而已受到關(guān)注(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2009-23938號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所報(bào)告，具有優(yōu)良的特性的磷光材料的開(kāi)發(fā)進(jìn)展，但期待具有更優(yōu)良的特性的新穎材料的開(kāi)發(fā)。

于是，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種新穎有機(jī)金屬配合物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種高色純度的新穎有機(jī)金屬配合物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種可用于發(fā)光元件的新穎有機(jī)金屬配合物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種可用于發(fā)光元件的EL層的新穎有機(jī)金屬配合物。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種新穎發(fā)光元件。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式提供一種新穎發(fā)光裝置、新穎電子設(shè)備或新穎照明裝置。注意，這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的。另外，可以從說(shuō)明書(shū)、附圖、權(quán)利要求書(shū)等的記載得知并抽取上述以外的目的。

本發(fā)明的一個(gè)方式是一種有機(jī)金屬配合物，該有機(jī)金屬配合物包含銥及配體，配體具有吡啶并[2，3-b]吲哚骨架以及與吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第三位鍵合的嘧啶骨架，吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位及嘧啶骨架分別與銥鍵合。

另外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是一種有機(jī)金屬配合物，該有機(jī)金屬配合物包含與銥鍵合的第一配體和第二配體。第一配體具有吡啶并[2，3-b]吲哚骨架及與吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第三位鍵合的嘧啶骨架。第二配體為具有β-二酮結(jié)構(gòu)的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯合配體、兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體或能夠通過(guò)環(huán)金屬化形成銥與金屬-碳鍵合的芳香族雜環(huán)雙齒配體。吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位及嘧啶骨架分別與銥鍵合。

另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，嘧啶骨架在嘧啶骨架的第三位與銥鍵合。

此外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是一種包括以下述通式(G1)表示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬配合物。

在通式(G1)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基和取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

此外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是以下述通式(G2)表示的有機(jī)金屬配合物。

在通式(G2)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基和取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。L表示單陰離子配體。

另外，在上述結(jié)構(gòu)中，單陰離子配體是具有β-二酮結(jié)構(gòu)的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯合配體、兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體或能夠通過(guò)環(huán)金屬化形成銥與金屬-碳鍵合的芳香族雜環(huán)雙齒配體。

另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，單陰離子配體優(yōu)選為如下通式(L1)至通式(L7)中的任一個(gè)。

在通式(L1)至(L7)中，R⁷¹至R¹⁰⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳數(shù)為1至6的烷基、鹵素、乙烯基、取代或未取代的碳數(shù)為1至6的鹵烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1至6的烷氧基或者取代或未取代的碳數(shù)為1至6的烷硫基。此外，A¹至A³分別獨(dú)立地表示氮、與氫鍵合的sp²雜化碳或者具有取代基的sp²雜化碳，該取代基表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基或苯基。

此外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是以下述通式(G3)表示的有機(jī)金屬配合物。

在通式(G3)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

此外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是以下述通式(G4)表示的有機(jī)金屬配合物。

在通式(G4)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

上述本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物具有如下結(jié)構(gòu)：包含于配體中的吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第三位與嘧啶骨架鍵合，并且吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位及嘧啶骨架分別與為中心金屬的銥鍵合。吡啶并[2，3-b]吲哚骨架包含吡啶環(huán)，當(dāng)具有吡啶環(huán)與為中心金屬的銥鍵合的結(jié)構(gòu)時(shí)，HOMO能級(jí)及LUMO能級(jí)傾向于降低。另外，當(dāng)有機(jī)金屬配合物的HOMO能級(jí)低時(shí)，在將其用于EL元件的情況下空穴注入性降低而會(huì)導(dǎo)致發(fā)光元件的發(fā)光効率的下降。但是，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物中的吡啶并[2，3-b]吲哚骨架中的五元環(huán)含有氮原子，由此可以提高因吡啶環(huán)而變得過(guò)低的HOMO能級(jí)。由此，可以抑制空穴注入性降低。另外，由于可以提高有機(jī)金屬配合物的HOMO能級(jí)，因此可以縮小帶隙。通過(guò)縮小帶隙，當(dāng)將有機(jī)金屬配合物用于發(fā)光元件的EL層等時(shí)，易于載流子(電子或空穴)的注入及傳輸，由此可以降低驅(qū)動(dòng)電壓。再者，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物因具有吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位與中心金屬銥鍵合的結(jié)構(gòu)而使發(fā)射光譜漂移至短波長(zhǎng)而發(fā)射光譜較窄，由此能夠獲得高效的發(fā)光并能夠獲得良好的綠色的色純度，因此是優(yōu)選的。

此外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是以下述結(jié)構(gòu)式(100)表示的有機(jī)金屬配合物。

此外，本發(fā)明的另一個(gè)方式是以下述結(jié)構(gòu)式(112)表示的有機(jī)金屬配合物。

本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物可以發(fā)射磷光，即能夠從三重激發(fā)態(tài)得到發(fā)光并呈現(xiàn)發(fā)光，所以通過(guò)將其應(yīng)用于發(fā)光元件，可以實(shí)現(xiàn)高效率化，所以是非常有效的。因此，本發(fā)明的一個(gè)方式也包括使用上述本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物的發(fā)光元件。

另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光元件，包括：一對(duì)電極之間的EL層，其中，EL層包括發(fā)光層，并且，發(fā)光層包含上述有機(jī)金屬配合物中的任何一個(gè)。

另外，本發(fā)明的一個(gè)方式是一種發(fā)光元件，包括：一對(duì)電極之間的EL層，其中，EL層包括發(fā)光層，發(fā)光層包含多個(gè)有機(jī)化合物，并且，多個(gè)有機(jī)化合物中的一個(gè)包含上述有機(jī)金屬配合物中的任何一個(gè)。

此外，本發(fā)明的一個(gè)方式不僅包括具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置，而且還包括具有發(fā)光裝置的照明裝置。因此，本說(shuō)明書(shū)中的發(fā)光裝置是指圖像顯示裝置或光源(包括照明裝置)。另外，發(fā)光裝置有時(shí)還包括如下模塊：在發(fā)光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：柔性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：載帶封裝)的模塊；在TCP端部中設(shè)置有印刷線路板的模塊；或者IC(集成電路)通過(guò)COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)方式直接安裝在發(fā)光元件上的模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種新穎有機(jī)金屬配合物。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種高色純度的新穎有機(jī)金屬配合物。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種可用于發(fā)光元件的新穎有機(jī)金屬配合物。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種可用于發(fā)光元件的EL層的新穎有機(jī)金屬配合物。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種使用新穎有機(jī)金屬配合物的新穎發(fā)光元件。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種新穎發(fā)光裝置、新穎電子設(shè)備或新穎照明裝置。注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要具有所有上述效果。另外，從說(shuō)明書(shū)，附圖，權(quán)利要求書(shū)等的記載中可明顯得知上述以外的效果，而可以從說(shuō)明書(shū)，附圖，權(quán)利要求書(shū)等的記載中抽取上述以外的效果。

附圖說(shuō)明

圖1A和圖1B是說(shuō)明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖；

圖2A和圖2B是說(shuō)明發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的圖；

圖3A至圖3C是說(shuō)明發(fā)光裝置的圖；

圖4A和圖4B是說(shuō)明發(fā)光裝置的圖；

圖5A至圖5D、圖5D’-1及圖5D’-2是說(shuō)明電子設(shè)備的圖；

圖6A至圖6C是說(shuō)明電子設(shè)備的圖；

圖7A和圖7B是說(shuō)明汽車(chē)的圖；

圖8A至圖8D是說(shuō)明照明裝置的圖；

圖9是說(shuō)明照明裝置的圖；

圖10A和圖10B是示出觸摸屏的一個(gè)例子的圖；

圖11A和圖11B是示出觸摸屏的一個(gè)例子的圖；

圖12A和圖12B是示出觸摸屏的一個(gè)例子的圖；

圖13A和圖13B分別是觸摸傳感器的方框圖及時(shí)序圖；

圖14是觸摸傳感器的電路圖；

圖15A、圖15B1和圖15B2是顯示裝置的方框圖；

圖16是顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)；

圖17是顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)；

圖18是以結(jié)構(gòu)式(100)表示的有機(jī)金屬配合物的¹H-NMR譜；

圖19是以結(jié)構(gòu)式(100)表示的有機(jī)金屬配合物的紫外·可見(jiàn)吸收光譜及發(fā)射光譜；

圖20是以結(jié)構(gòu)式(112)表示的有機(jī)金屬配合物的¹H-NMR譜；

圖21是以結(jié)構(gòu)式(112)表示的有機(jī)金屬配合物的紫外·可見(jiàn)吸收光譜及發(fā)射光譜；

圖22是說(shuō)明發(fā)光元件的圖；

圖23是示出發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的電流密度-亮度特性的圖；

圖24是示出發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的電壓-亮度特性的圖；

圖25是示出發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的亮度-電流效率特性的圖；

圖26是示出發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的電壓-電流特性的圖；

圖27是示出發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的發(fā)射光譜的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。注意，本發(fā)明不局限于以下說(shuō)明，其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅局限在以下所示的實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。

另外，根據(jù)情況或狀態(tài)，可以互相調(diào)換“膜”和“層”。例如，有時(shí)可以將“導(dǎo)電層”調(diào)換為“導(dǎo)電膜”。此外，有時(shí)可以將“絕緣膜”調(diào)換為“絕緣層”。

實(shí)施方式1

在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物進(jìn)行說(shuō)明。

本實(shí)施方式所示的所示的有機(jī)金屬配合物包含中心金屬銥及配體，配體具有吡啶并[2，3-b]吲哚骨架以及與吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第三位鍵合的嘧啶骨架，吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位及嘧啶骨架分別與銥鍵合。

另外，本實(shí)施方式所示的有機(jī)金屬配合物包含與中心金屬銥鍵合的第一配體和第二配體。第一配體具有吡啶并[2，3-b]吲哚骨架及與吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第三位鍵合的嘧啶骨架。第二配體為具有β-二酮結(jié)構(gòu)的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯合配體、兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體或能夠通過(guò)環(huán)金屬化形成銥與金屬-碳鍵合的芳香族雜環(huán)雙齒配體。吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位及嘧啶骨架分別與銥鍵合。

另外，在上述各結(jié)構(gòu)中，嘧啶骨架在嘧啶骨架的第三位與銥鍵合。

另外，本實(shí)施方式所示的有機(jī)金屬配合物是具有由下述通式(G1)表示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬配合物。

另外，在通式(G1)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

另外，本實(shí)施方式所示的有機(jī)金屬配合物是由下述通式(G2)表示的有機(jī)金屬配合物。

另外，在通式(G2)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。L表示單陰離子配體。

另外，作為上述結(jié)構(gòu)中的單陰離子配體，可以舉出具有β-二酮結(jié)構(gòu)的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯合配體、兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體或能夠通過(guò)環(huán)金屬化形成銥與金屬-碳鍵合的芳香族雜環(huán)雙齒配體等。

另外，作為上述各結(jié)構(gòu)中的單陰離子配體，可以舉出下述通式(L1)至(L7)中的任一個(gè)。

在通式(L1)至(L7)中，R⁷¹至R¹⁰⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳數(shù)為1至6的烷基、鹵素、乙烯基、取代或未取代的碳數(shù)為1至6的鹵烷基、取代或未取代的碳數(shù)為1至6的烷氧基或者取代或未取代的碳數(shù)為1至6的烷硫基。此外，A¹至A³分別獨(dú)立地表示氮、與氫鍵合的sp²雜化碳或者具有取代基的sp²雜化碳，該取代基表示碳原子數(shù)為1至6的烷基、鹵基、碳原子數(shù)為1至6的鹵代烷基或苯基。

另外，本實(shí)施方式所示的有機(jī)金屬配合物是由下述通式(G3)表示的有機(jī)金屬配合物。

另外，在通式(G3)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

另外，本實(shí)施方式所示的有機(jī)金屬配合物是由下述通式(G4)表示的有機(jī)金屬配合物。

另外，在通式(G4)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

在上述通式(G1)至上述通式(G4)中的任一個(gè)中，在取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基具有取代基的情況下，作為該取代基可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基等的碳原子數(shù)為1至6的烷基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、1-降冰片基、2-降冰片基等的碳原子數(shù)為5至7的環(huán)烷基、苯基、聯(lián)苯基等的碳原子數(shù)為6至12的芳基。

作為上述通式(G1)、(G2)、(G3)及(G4)中的R¹至R⁹的碳原子數(shù)為1至6的烷基的具體例子，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、己基、異己基、仲己基、叔己基、新己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1，2-二甲基丁基以及2，3-二甲基丁基、三氟甲基等。

另外，作為上述通式(G1)、(G2)、(G3)及(G4)中的R¹至R⁹的碳原子數(shù)為6至13的芳基的具體例子，可以舉出苯基、甲苯基(鄰甲苯基、間甲苯基、對(duì)甲苯基)、萘基(1-萘基、2-萘基)、聯(lián)苯基(聯(lián)苯-2-基、聯(lián)苯-3-基、聯(lián)苯-4-基)、二甲苯基、戊搭烯基、茚基、芴基、菲基等。另外，也可以使上述取代基彼此鍵合而形成環(huán)，作為這樣的例子，例如可以舉出芴基的9位的碳具有兩個(gè)苯基作為取代基，通過(guò)該苯基彼此鍵合而形成螺芴骨架的情況等。

另外，作為上述通式(G1)、(G2)、(G3)及(G4)中的R¹至R⁹中的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基的具體例子，可以舉出咪唑基、吡唑基、吡啶基、噠嗪基(pyridazyl group)、三唑基(triazylgroup)、苯并咪唑基、喹啉基等。

通式(G1)、(G2)、(G3)及(G4)所示的本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物具有如下結(jié)構(gòu)：包含于配體中的吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第三位與嘧啶骨架鍵合，并且吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位及嘧啶骨架分別與為中心金屬的銥鍵合。吡啶并[2，3-b]吲哚骨架包含吡啶環(huán)，當(dāng)具有吡啶環(huán)與為中心金屬的銥鍵合的結(jié)構(gòu)時(shí)，HOMO能級(jí)及LUMO能級(jí)傾向于降低。另外，當(dāng)有機(jī)金屬配合物的HOMO能級(jí)低時(shí)，在將其用于EL元件的情況下空穴注入性降低而會(huì)導(dǎo)致發(fā)光元件的發(fā)光効率的下降。但是，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物中的吡啶并[2，3-b]吲哚骨架中的五元環(huán)含有氮原子，由此可以提高因吡啶環(huán)而變得過(guò)低的HOMO能級(jí)。由此，可以抑制空穴注入性降低。另外，由于可以提高有機(jī)金屬配合物的HOMO能級(jí)，因此可以縮小帶隙。通過(guò)縮小帶隙，當(dāng)將有機(jī)金屬配合物用于發(fā)光元件的EL層等時(shí)，易于載流子(電子或空穴)的注入及傳輸，由此可以降低驅(qū)動(dòng)電壓。再者，由于本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物因具有吡啶并[2，3-b]吲哚骨架的第二位與中心金屬銥鍵合的結(jié)構(gòu)而使發(fā)射光譜漂移至短波長(zhǎng)而發(fā)射光譜較窄，由此能夠獲得高效的發(fā)光并能夠獲得良好的綠色的色純度，因此是優(yōu)選的。

接著，示出上述本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物的具體結(jié)構(gòu)式。但是，本發(fā)明不局限于此。

另外，以上述結(jié)構(gòu)式(100)至(121)表示的有機(jī)金屬配合物是能夠發(fā)射磷光的新穎物質(zhì)。作為這些物質(zhì)，根據(jù)配體的種類(lèi)可能有幾何異構(gòu)體和立體異構(gòu)體，但是本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物包括所有這些異構(gòu)體。

接著，說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)方式的由通式(G1)表示的有機(jī)金屬配合物的合成方法的一個(gè)例子。

《由通式(G0)表示的嘧啶衍生物的合成法》

由下述通式(G0)表示的嘧啶衍生物可以通過(guò)如下簡(jiǎn)單的合成方案(A)或(A’)合成。另外，在合成方案(A)中，Q表示鹵素，R³¹表示單鍵合、亞甲基、亞乙基、亞丙基或異亞丙基等，R³²至R³⁵分別表示同一或不同的氫原子或碳數(shù)為1至3的烷基，R³³與R³⁵也可以通過(guò)碳鏈彼此鍵合而形成環(huán)。

在通式(G0)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

例如，通式(G0)可以通過(guò)下述方案(A)來(lái)獲得：使硼酸、硼酸酯和環(huán)狀三醇硼酸鹽中的一種(A1)與鹵化嘧啶化合物(A2)耦合，并進(jìn)一步使該生成物與有機(jī)鹵化合物(A3)耦合。另外，作為環(huán)狀三醇硼酸鹽可以使用鉀鹽、鋰鹽、鈉鹽等。

另外，還可以通過(guò)下述方案(A’)得到通式(G0)：使吡啶并[2，3-b]吲哚衍生物的1，3-二酮(A1’)與脒(A2’)發(fā)生反應(yīng)。

另外，因?yàn)樯鲜龌衔?A1)、(A2)、(A1’)及(A2’)的各種已在市場(chǎng)上銷(xiāo)售或已能夠被合成，所以可以合成多種由通式(G0)表示的嘧啶衍生物。因此，本實(shí)施方式所示的有機(jī)金屬配合物的配體的種類(lèi)豐富。

《由通式(G2)表示的有機(jī)金屬配合物的合成方法》

接著，示出本發(fā)明的一個(gè)方式的由通式(G2)表示的有機(jī)金屬配合物的合成方法。

首先，如以下合成方案(B-1)所示那樣，通過(guò)使用無(wú)溶劑、單獨(dú)使用醇類(lèi)溶劑(甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等)或者混合溶劑(一種以上的醇類(lèi)溶劑和水的混合溶劑)在惰性氣體氣氛下對(duì)包含鹵素的銥金屬化合物(氯化銥、溴化銥、碘化銥、醋酸銥、六氯銥酸銨等)及由通式(G0)表示的嘧啶衍生物進(jìn)行加熱，可以得到作為新穎物質(zhì)的雙核配合物(P)，所述雙核配合物(P)是一種具有由鹵素交聯(lián)的結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬配合物。另外，對(duì)加熱單元沒(méi)有特別的限制，可以使用油浴(oil bath)、沙浴(sand bath)或鋁塊等。此外，還可以作為加熱單元使用微波。

在合成方案(B-1)中，Q表示鹵素，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

接著，如下述合成方案(B-2)所示，在惰性氣體氣氛下使通過(guò)上述合成方案(B-1)得到的雙核配合物(P)與單陰離子配體的原料HL起反應(yīng)，使得HL的質(zhì)子脫離而L與中心金屬銥配位，從而得到由通式(G2)表示的有機(jī)金屬配合物。

在合成方案(B-2)中，L表示單陰離子配體，Q表示鹵素，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。另外，作為上述結(jié)構(gòu)中的單陰離子配體，可以舉出具有β-二酮結(jié)構(gòu)的單陰離子雙齒螯合配體、具有羧基的單陰離子雙齒螯合配體、具有酚羥基的單陰離子雙齒螯合配體、兩個(gè)配體元素都是氮的單陰離子雙齒螯合配體或能夠通過(guò)環(huán)金屬化形成銥與金屬-碳鍵合的芳香族雜環(huán)雙齒配體等。

《由通式(G3)表示的有機(jī)金屬配合物的合成方法》

接著，示出本發(fā)明的一個(gè)方式的由通式(G3)表示的有機(jī)金屬配合物的合成方法。如合成方案(C)所示地，通過(guò)將含有鹵素的銥化合物(氯化銥水合物、溴化銥、碘化銥、醋酸銥、六氯銥酸銨等)或有機(jī)銥絡(luò)合物(乙酰丙酮配合物、二乙硫醚配合物、二-μ-氯架橋二核配合物、二-μ-羥基架橋二核配合物等)與由通式(G0)表示的嘧啶衍生物混合后使其溶解于無(wú)溶劑或醇類(lèi)溶劑(甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等)再進(jìn)行加熱，可以得到由通式(G3)表示的有機(jī)金屬配合物。

在合成方案(C)中，R¹至R⁹分別獨(dú)立地表示氫、取代或未取代的碳原子數(shù)為1至6的烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)為6至13的芳基、取代或未取代的碳原子數(shù)為3至12的雜芳基中的任何一個(gè)。

以上，雖然說(shuō)明了本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物的合成方法的一個(gè)例子，但是本發(fā)明不局限于此，也可以通過(guò)任何其他的合成方法合成。

另外，因?yàn)樯鲜霰景l(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物能夠發(fā)射磷光，所以可以將其用作發(fā)光材料或發(fā)光元件的發(fā)光物質(zhì)。

另外，通過(guò)使用本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物，可以實(shí)現(xiàn)一種發(fā)光效率高的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備或照明裝置。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式可以實(shí)現(xiàn)一種功耗低的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、電子設(shè)備或照明裝置。

在本實(shí)施方式中，描述本發(fā)明的一個(gè)方式。另外，在其他實(shí)施方式中，將描述本發(fā)明的一個(gè)方式。但是，本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。就是說(shuō)，在本實(shí)施方式及其他實(shí)施方式中記載各種各樣的發(fā)明的方式，由此本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于特定的方式。雖然示出將本發(fā)明的一個(gè)方式適用于發(fā)光元件的例子，但是本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此。根據(jù)情況，也可以將本發(fā)明的一個(gè)方式應(yīng)用于發(fā)光元件以外的物體。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。

實(shí)施方式2

在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D1A及圖1B說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件。

在本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件中，在一對(duì)電極(第一電極(陽(yáng)極)101與第二電極(陰極)103)之間夾有包括發(fā)光層113的EL層102，EL層102除了發(fā)光層113之外，還包括空穴注入層111、空穴傳輸層112、電子傳輸層114、電子注入層115等。

當(dāng)對(duì)上述發(fā)光元件施加電壓時(shí)，從第一電極101一側(cè)注入的空穴與從第二電極103一側(cè)注入的電子在發(fā)光層113中重新結(jié)合，由此產(chǎn)生的能量使發(fā)光層113所包含的有機(jī)金屬配合物等發(fā)光物質(zhì)發(fā)射光。

另外，EL層102中的空穴注入層111是可以對(duì)空穴傳輸層112或發(fā)光層113注入空穴的層，例如可以使用空穴傳輸性高的物質(zhì)和受主物質(zhì)形成。此時(shí)，由于受主物質(zhì)從空穴傳輸性高的物質(zhì)抽出電子，由此產(chǎn)生空穴。因此，空穴從空穴注入層111經(jīng)過(guò)空穴傳輸層112注入到發(fā)光層113。另外，作為空穴注入層111也可以使用空穴注入性高的物質(zhì)。例如，可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物或錳氧化物等。另外，也可以使用酞菁類(lèi)化合物如酞菁(簡(jiǎn)稱(chēng)：H₂Pc)、銅酞菁(CuPC)等；芳香胺化合物如4，4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPAB)、N，N'-雙{4-[雙(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N，N'-二苯基-(1，1'-聯(lián)苯)-4，4'-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：DNTPD)等；或者高分子如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)等來(lái)形成空穴注入層111。

下面，說(shuō)明制造本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件時(shí)的優(yōu)選的具體例子。

作為第一電極(陽(yáng)極)101及第二電極(陰極)103，可以使用金屬、合金、導(dǎo)電性化合物及它們的混合物等。具體而言，除了氧化銦-氧化錫(Indium Tin Oxide)、包含硅或氧化硅的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)之外，還可以使用屬于元素周期表中第1族或第2族的元素，即鋰(Li)和銫(Cs)等堿金屬、鈣(Ca)和鍶(Sr)等堿土金屬、鎂(Mg)、包含這些金屬的合金(MgAg、AlLi)、銪(Eu)和鐿(Yb)等稀土金屬、包含這些金屬的合金及石墨烯等。第一電極(陽(yáng)極)101及第二電極(陰極)103例如可以通過(guò)濺射法、蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等形成。

作為用于空穴注入層111及空穴傳輸層112的具有高空穴傳輸性的物質(zhì)，可以使用各種有機(jī)化合物如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴、高分子化合物(低聚物、樹(shù)枝狀聚合物、聚合物等)等。具體而言，優(yōu)選使用空穴遷移率為1×10^-6cm²/Vs以上的物質(zhì)。另外，使用具有高空穴傳輸性的物質(zhì)形成的層可以是單層，也可以是兩層以上的疊層。以下，具體地列舉可以被用作空穴傳輸物質(zhì)的有機(jī)化合物。

例如，作為芳香胺化合物，可以舉出N，N’-二(對(duì)甲苯基)-N，N’-二苯基-p-亞苯基二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：DTDPPA)、4，4’-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPAB)、DNTPD、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPA3B)、4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：NPB或α-NPD)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：TPD)、4，4’，4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：TCTA)、4，4’，4”-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：TDATA)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：MTDATA)、4，4’-雙[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：BSPB)等。

作為咔唑衍生物，可以具體地舉出3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzPCA1)、3，6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzPCN1)等。除此之外，還可以舉出4，4’-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：CBP)、1，3，5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：CzPA)、1，4-雙[4-(N-咔唑基)苯基]-2，3，5，6-四苯基苯等。

另外，作為芳烴，例如可以舉出2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：t-BuDNA)、2-叔丁基-9，10-二(1-萘基)蒽、9，10-雙(3，5-二苯基苯基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPPA)、2-叔丁基-9，10-雙(4-苯基苯基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：t-BuDBA)、9，10-二(2-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：DNA)、9，10-二苯基蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPAnth)、2-叔丁基蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：t-BuAnth)、9，10-雙(4-甲基-1-萘基)蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：DMNA)、2-叔丁基-9，10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、9，10-雙[2-(1-萘基)苯基]蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(1-萘基)蒽、2，3，6，7-四甲基-9，10-二(2-萘基)蒽、9，9’-聯(lián)蒽、10，10’-二苯基-9，9’-聯(lián)蒽、10，10’-雙(2-苯基苯基)-9，9’-聯(lián)蒽、10，10’-雙[(2，3，4，5，6-五苯基)苯基]-9，9’-聯(lián)蒽、蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等。除此之外，還可以使用并五苯、暈苯等。像這樣，優(yōu)選使用具有1×10^-6cm²/Vs以上的空穴遷移率的碳原子數(shù)為14至42的芳烴。芳烴也可以具有乙烯基骨架。作為具有乙烯基的芳烴，例如可以舉出4，4’-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPVBi)、9，10-雙[4-(2，2-二苯基乙烯基)苯基]蒽(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPVPA)等。

另外，也可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡(jiǎn)稱(chēng)：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡(jiǎn)稱(chēng)：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](簡(jiǎn)稱(chēng)：PTPDMA)、聚[N，N'-雙(4-丁基苯基)-N，N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺](簡(jiǎn)稱(chēng)：Poly-TPD)等高分子化合物。

作為用于空穴注入層111及空穴傳輸層112的受體物質(zhì)，可以舉出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(簡(jiǎn)稱(chēng)：F₄-TCNQ)、氯醌、2，3，6，7，10，11-六氰-1，4，5，8，9，12-六氮雜苯并菲(HAT-CN)等具有吸電子基團(tuán)(鹵基或氰基)的化合物。尤其是，HAT-CN這樣的吸電子基團(tuán)鍵合于具有多個(gè)雜原子的稠合芳香環(huán)的化合物熱穩(wěn)定，所以是優(yōu)選的。此外，可以舉出屬于元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體而言，優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因?yàn)樗鼈兙哂懈唠娮咏邮招?。其中，尤其?yōu)選使用氧化鉬，因?yàn)檠趸f在大氣中很穩(wěn)定，吸濕性低，并且容易進(jìn)行處理。

發(fā)光層113是包含發(fā)光物質(zhì)的層。作為發(fā)光物質(zhì)，可以舉出熒光性發(fā)光物質(zhì)和磷光性發(fā)光物質(zhì)，但是在本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件中，優(yōu)選將實(shí)施方式1所示的有機(jī)金屬配合物用于發(fā)光層113作為發(fā)光物質(zhì)。發(fā)光層113優(yōu)選包含其三重態(tài)激發(fā)能比該有機(jī)金屬配合物(客體材料)大的物質(zhì)作為主體材料。另外，除了發(fā)光物質(zhì)以外，發(fā)光層113還可以包含在發(fā)光層113中的載流子(電子及空穴)重新結(jié)合時(shí)能夠形成激基復(fù)合物(exciplex)的組合的兩種有機(jī)化合物(也可以為上述主體材料中的任何一種)。特別優(yōu)選的是，為了高效地形成激基復(fù)合物，組合容易接收電子的化合物(具有電子傳輸性的材料)和容易接收空穴的化合物(具有空穴傳輸性的材料)。當(dāng)如此組合具有電子傳輸性的材料和具有空穴傳輸性的材料而得到形成激基復(fù)合物的主體材料時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)具有電子傳輸性的材料和具有空穴傳輸性的材料的混合比率，容易使發(fā)光層中的空穴和電子之間的載流子平衡最優(yōu)化。通過(guò)使發(fā)光層中的空穴和電子之間的載流子平衡最優(yōu)化，可以抑制發(fā)光層中的電子和空穴重新結(jié)合的區(qū)域偏于一側(cè)。通過(guò)抑制產(chǎn)生重新結(jié)合的區(qū)域偏于一側(cè)，可以提高發(fā)光元件的可靠性。

作為在形成上述激基復(fù)合物時(shí)優(yōu)選使用的容易接收電子的化合物(具有電子傳輸性的材料)，可以使用含氮雜芳族化合物等的缺π電子型雜芳族化合物或金屬配合物等。具體而言，可以舉出：雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(II)(簡(jiǎn)稱(chēng)：BeBq₂)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：BAlq)、雙(8-羥基喹啉)鋅(II)(簡(jiǎn)稱(chēng)：Znq)、雙[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]鋅(II)(簡(jiǎn)稱(chēng)：ZnPBO)、雙[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]鋅(II)(簡(jiǎn)稱(chēng)：ZnBTZ)等金屬配合物；2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PBD)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：TAZ)、1，3-雙[5-(對(duì)叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：CO11)、2，2'，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(簡(jiǎn)稱(chēng)：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：mDBTBIm-II)等具有聚唑骨架(polyazole skelton)的雜環(huán)化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：2mDBTPDBq-II)、2-[3'-(二苯并噻吩-4-基)聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：2mDBTBPDBq-II)、2-[3'-(9H-咔唑-9-基)聯(lián)苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：2mCzBPDBq)、2-[4-(3，6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：7mDBTPDBq-II)、6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：6mDBTPDBq-II)、4，6-雙[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(簡(jiǎn)稱(chēng)：4，6mPnP2Pm)、4，6-雙[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(簡(jiǎn)稱(chēng)：4，6mDBTP2Pm-II)、4，6-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡(jiǎn)稱(chēng)：4，6mCzP2Pm)等具有二嗪骨架的雜環(huán)化合物；2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCCzPTzn)等具有三嗪骨架的雜環(huán)化合物；以及3，5-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡(jiǎn)稱(chēng)：35DCzPPy)、1，3，5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：TmPyPB)等具有吡啶骨架的雜環(huán)化合物。其中，具有二嗪骨架及三嗪骨架的雜環(huán)化合物和具有吡啶骨架的雜環(huán)化合物具有高可靠性，所以是優(yōu)選的。尤其是，具有二嗪(嘧啶或吡嗪)骨架及三嗪骨架的雜環(huán)化合物具有高電子傳輸性，還有助于降低驅(qū)動(dòng)電壓。

作為在形成上述激基復(fù)合物時(shí)優(yōu)選使用的容易接收空穴的化合物(具有空穴傳輸性的材料)，可以適當(dāng)?shù)厥褂酶沪须娮有碗s芳族(例如咔唑衍生物或吲哚衍生物)或芳香胺等。具體而言，可以舉出：2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]螺-9，9'-聯(lián)芴(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCASF)、4，4'，4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：1'-TNATA)、2，7-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-螺-9，9'-二芴(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPA2SF)、N，N'-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N，N'-二苯基苯-1，3-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCA2B)、N-(9，9-二甲基-2-二苯基氨基-9H-芴-7-基)二苯基胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPNF)、N，N'，N”-三苯基-N，N'，N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1，3，5-三胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCA3B)、2-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]螺-9，9'-二芴(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPASF)、N，N'-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N，N'-二苯基-9，9-二甲基芴-2，7-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：YGA2F)、NPB、N，N'-雙(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1，1'-聯(lián)苯]-4，4'-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：TPD)、4，4'-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPAB)、BSPB、4-苯基-4'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：mBPAFLP)、N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-N-{9，9-二甲基-2-[N'-苯基-N'-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基]-9H-芴-7-基}苯基胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：DFLADFL)、PCzPCA1、3-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzDPA1)、3，6-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzDPA2)、DNTPD、3，6-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-(1-萘基)氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzTPN2)、PCzPCA2、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBA1BP)、4，4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBANB)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBNBB)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCzPCN1)、9，9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9，9'-聯(lián)芴-2-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBASF)、N-(4-聯(lián)苯)-N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBiF)、N-(1，1’-聯(lián)苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9，9-二甲基-9H-芴-2-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBBiF)等具有芳香胺骨架的化合物；1，3-雙(N-咔唑基)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：mCP)、CBP、3，6-雙(3，5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：CzTP)、9-苯基-9H-3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCCP)等具有咔唑骨架的化合物；4，4'，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并噻吩)(簡(jiǎn)稱(chēng)：DBT3P-II)、2，8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(簡(jiǎn)稱(chēng)：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(簡(jiǎn)稱(chēng)：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物；以及4，4'，4”-(苯-1，3，5-三基)三(二苯并呋喃)(簡(jiǎn)稱(chēng)：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(簡(jiǎn)稱(chēng)：mmDBFFLBi-II)等具有呋喃骨架的化合物。其中，具有芳香胺骨架的化合物以及具有咔唑骨架的化合物具有高可靠性和高空穴傳輸性，也有助于降低驅(qū)動(dòng)電壓，所以是優(yōu)選的。

另外，通過(guò)包含上述有機(jī)金屬配合物(客體材料)和主體材料形成發(fā)光層113，可以從發(fā)光層113得到發(fā)光效率高的磷光發(fā)光。

發(fā)光層113在發(fā)光元件中不局限于圖1A所示的單層結(jié)構(gòu)，也可以具有如圖1B所示那樣的兩層以上的疊層結(jié)構(gòu)。注意，此時(shí)采用從所層疊的各層得到發(fā)光的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用從第一層的發(fā)光層113(a1)得到熒光發(fā)光且從層疊在第一層上的第二層的發(fā)光層113(a2)得到磷光發(fā)光的結(jié)構(gòu)。注意，關(guān)于疊層順序，也可以與此相反。此外，優(yōu)選的是可以獲得磷光發(fā)光的層中，可獲得由從激基復(fù)合物到摻雜劑的能量轉(zhuǎn)移引起的發(fā)光的結(jié)構(gòu)。此外，關(guān)于發(fā)光顏色，從一個(gè)層可以獲得的發(fā)光顏色與從另一個(gè)層可以獲得的發(fā)光顏色既可以相同，又可以不同，在它們不同的情況下，例如可以采用如下結(jié)構(gòu)：從一個(gè)層可以獲得藍(lán)色發(fā)光且從另一個(gè)層可以獲得橙色發(fā)光或黃色發(fā)光等的結(jié)構(gòu)。此外，在各層中，也可以具有包含多種摻雜劑的結(jié)構(gòu)。

在發(fā)光層113具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下，除了實(shí)施方式1所示的有機(jī)金屬配合物之外，還可以單獨(dú)或組合使用能夠?qū)沃丶ぐl(fā)能量轉(zhuǎn)換為發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)或者能夠?qū)⑷貞B(tài)激發(fā)能轉(zhuǎn)換為發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)等。此時(shí)，例如可以舉出如下材料。

作為能夠?qū)沃丶ぐl(fā)能量轉(zhuǎn)換為發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)，例如可以舉出發(fā)射熒光的物質(zhì)(熒光化合物)。

作為發(fā)射熒光的物質(zhì)，可以舉出N，N’-雙[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N’-二苯基芪-4，4’-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：YGA2S)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：YGAPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4’-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2YGAPPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCAPA)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：TBP)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCBAPA)、N，N”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-亞苯基)雙[N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺](簡(jiǎn)稱(chēng)：DPABPA)、N，9-二苯基-N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2PCAPPA)、N-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2DPAPPA)、N，N，N’，N’，N”，N”，N”’，N”’-八苯基二苯并[g，p]□(chrysene)-2，7，10，15-四胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：DBC1)、香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2PCAPA)、N-[9，10-雙(1，1’-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2PCABPhA)、N-(9，10-二苯基-2-蒽基)-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2DPAPA)、N-[9，10-雙(1，1’-聯(lián)苯-2-基)-2-蒽基]-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2DPABPhA)、9，10-雙(1，1’-聯(lián)苯-2-基)-N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-苯基蒽-2-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPhAPhA)、香豆素545T、N，N’-二苯基喹吖酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：DPQd)、紅熒烯、5，12-雙(1，1’-聯(lián)苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：BPT)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4H-吡喃-4-亞基)丙烷二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)：DCM1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)：DCM2)、N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N’，N’-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]熒蒽-3，10-二胺(簡(jiǎn)稱(chēng)：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)：DCJTI)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)：DCJTB)、2-(2，6-雙{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4H-吡喃-4-亞基)丙烷二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)：BisDCM)、2-{2，6-雙[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氫-1H，5H-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙烷二腈(簡(jiǎn)稱(chēng)：BisDCJTM)等。

作為將三重態(tài)激發(fā)能轉(zhuǎn)換為發(fā)光的發(fā)光物質(zhì)，例如可以舉出發(fā)射磷光的物質(zhì)(磷光化合物)、呈現(xiàn)熱活化延遲熒光(TADF)的TADF材料(熱活化延遲熒光)。TADF材料所呈現(xiàn)的延遲熒光是指其光譜與一般的熒光同樣但其使用壽命非常長(zhǎng)的發(fā)光。該使用壽命為1×10^-6秒以上，優(yōu)選為1×10^-3秒以上。

作為發(fā)射磷光的物質(zhì)，可以舉出雙{2-[3'，5'-雙(三氟甲基)苯基]吡啶-N，C^2'}銥(III)吡啶甲酸鹽(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(CF₃ppy)₂(pic)])、雙[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶-N，C^2']銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：FIracac)、三(2-苯基吡啶)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(ppy)₃])、雙(2-苯基吡啶)銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(ppy)₂(acac)])、三(乙酰丙酮)(一菲咯啉)鋱(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Tb(acac)₃(Phen)])、雙(苯并[h]喹啉)銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(bzq)₂(acac)])、雙(2，4-二苯基-1，3-噁唑-N，C^2')銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(dpo)₂(acac)])、雙{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-N，C^2'}銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(p-PF-ph)₂(acac)])、雙(2-苯基苯并噻唑-N，C^2')銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(bt)₂(acac)])、雙[2-(2'-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-N，C^3']銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(btp)₂(acac)])、雙(1-苯基異喹啉-N，C^2')銥(III)乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(piq)₂(acac)])、(乙酰丙酮)雙[2，3-雙(4-氟苯基)喹喔啉合(quinoxalinato)]銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(Fdpq)₂(acac)])、(乙酰丙酮)雙(3，5-二甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(mppr-Me)₂(acac)])、(乙酰丙酮)雙(5-異丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(mppr-iPr)₂(acac)])、(乙酰丙酮)雙(2，3，5-三苯基吡嗪)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(tppr)₂(acac)])、雙(2，3，5-三苯基吡嗪)(二新戊酰甲烷)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(tppr)₂(dpm)])、(乙酰丙酮)雙(6-叔丁基-4-苯基嘧啶)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(tBuppm)₂(acac)])、(乙酰丙酮)雙(4，6-二苯基嘧啶)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(dppm)₂(acac)])、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉鉑(II)(簡(jiǎn)稱(chēng)：PtOEP)、三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮)(一菲咯啉)銪(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Eu(DBM)₃(Phen)])、三[1-(2-噻吩甲?；?-3，3，3-三氟丙酮](一菲咯啉)銪(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Eu(TTA)₃(Phen)])等。

另外，作為T(mén)ADF材料，例如可以舉出富勒烯、其衍生物、普魯黃素等吖啶衍生物、伊紅等。此外，可以舉出包含鎂(Mg)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、錫(Sn)、鉑(Pt)、銦(In)或鈀(Pd)等的含金屬卟啉。作為該含金屬卟啉，例如可以舉出原卟啉-氟化錫配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：SnF₂(Proto IX))、中卟啉-氟化錫配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：SnF₂(Meso IX))、血卟啉-氟化錫配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：SnF₂(Hemato IX))、糞卟啉四甲基酯-氟化錫配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：SnF₂(Copro III-4Me))、八乙基卟啉-氟化錫配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：SnF₂(OEP))、初卟啉-氟化錫配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：SnF₂(Etio I))、八乙基卟啉-氯化鉑配合物(簡(jiǎn)稱(chēng)：PtCl₂OEP)等。并且，可以使用2-(聯(lián)苯-4-基)-4，6-雙(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(簡(jiǎn)稱(chēng)：PIC-TRZ)等具有富π電子型雜芳環(huán)及缺π電子型雜芳環(huán)的雜環(huán)化合物。另外，在富π電子型雜芳環(huán)和缺π電子型雜芳環(huán)直接結(jié)合的物質(zhì)中，富π電子型雜芳環(huán)的施主性和缺π電子型雜芳環(huán)的受主性都強(qiáng)，而S1和T1的能量差變小，所以是特別優(yōu)選的。

再者，發(fā)光層113也可以使用具有獨(dú)特的光學(xué)特性的量子點(diǎn)(QD：Quantum Dot)。另外，QD是納米尺寸的半導(dǎo)體結(jié)晶，具體地直徑約為幾nm至幾十nm。另外，由于可以通過(guò)改變結(jié)晶的大小來(lái)改變光學(xué)特性及電子特性，因此可以容易地調(diào)整發(fā)光顏色等。此外，量子點(diǎn)的發(fā)射光譜的峰寬窄，因此，可以得到色純度高的發(fā)光。

作為構(gòu)成量子點(diǎn)的材料，可以舉出元素周期表中第十四族元素、第十五族元素、第十六族元素、包含多個(gè)第十四族元素的化合物、第四族至第十四族的元素和第十六族元素的化合物、第二族元素和第十六族元素的化合物、第十三族元素和第十五族元素的化合物、第十三族元素和第十七族元素的化合物、第十四族元素和第十五族元素的化合物、第十一族元素和第十七族元素的化合物、氧化鐵類(lèi)、氧化鈦類(lèi)、硫系尖晶石(spinel chalcogenide)類(lèi)、各種半導(dǎo)體簇等。

具體而言，可以舉出硒化鎘、硫化鎘、碲化鎘、硒化鋅、氧化鋅、硫化鋅、碲化鋅、硫化汞、硒化汞、碲化汞、砷化銦、磷化銦、砷化鎵、磷化鎵、氮化銦、氮化鎵、銻化銦、銻化鎵、磷化鋁、砷化鋁、銻化鋁、硒化鉛、碲化鉛、硫化鉛、硒化銦、碲化銦、硫化銦、硒化鎵、硫化砷、硒化砷、碲化砷、硫化銻、硒化銻、碲化銻、硫化鉍、硒化鉍、碲化鉍、硅、碳化硅、鍺、錫、硒、碲、硼、碳、磷、氮化硼、磷化硼、砷化硼、氮化鋁、硫化鋁、硫化鋇、硒化鋇、碲化鋇、硫化鈣、硒化鈣、碲化鈣、硫化鈹、硒化鈹、碲化鈹、硫化鎂、硒化鎂、硫化鍺、硒化鍺、碲化鍺、硫化錫、硫化錫、硒化錫、碲化錫、氧化鉛、氟化銅、氯化銅、溴化銅、碘化銅、氧化銅、硒化銅、氧化鎳、氧化鈷、硫化鈷、氧化鐵、硫化鐵、氧化錳、硫化鉬、氧化釩、氧化鎢、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋯、氮化硅、氮化鍺、氧化鋁、鈦酸鋇、硒鋅鎘的化合物、銦砷磷的化合物、鎘硒硫的化合物、鎘硒碲的化合物、銦鎵砷的化合物、銦鎵硒的化合物、銦硒硫化合物、銅銦硫的化合物以及它們的組合等，但是不局限于此。此外，也可以使用以任意數(shù)表示組成的所謂的合金型量子點(diǎn)。例如，因?yàn)殒k硒硫的化合物的合金型量子點(diǎn)可以通過(guò)改變?cè)氐暮勘葋?lái)改變發(fā)光波長(zhǎng)，所以硒硫的化合物的合金型量子點(diǎn)是有效于得到藍(lán)色發(fā)光的手段之一。

另外，作為量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)，有核型、核殼(Core Shell)型、核多殼(Core Multishell)型等，可以使用任一種。另外，作為覆蓋核形成殼的核殼型或核多殼型的量子點(diǎn)，通過(guò)使用比核所使用的無(wú)機(jī)材料具有更寬帶隙的其他的無(wú)機(jī)材料形成殼，可以降低納米晶表面的缺陷或懸空鍵的影響，由此可以大大改善發(fā)光的量子效率，因此是優(yōu)選的。

另外，由于QD可以分散于溶液中，因此可以利用涂敷法、噴墨法、印刷法等形成發(fā)光層113。另外，QD不僅具有發(fā)色亮且鮮艷的特點(diǎn)而且能夠發(fā)射廣范圍的波長(zhǎng)的光，由于其具有高効率且壽命長(zhǎng)，因此通過(guò)將其用于發(fā)光層113可以提高元件特性。

電子傳輸層114是包含電子傳輸性高的物質(zhì)(也稱(chēng)為電子傳輸化合物)的層。電子傳輸層114可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)：Alq₃)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)稱(chēng)：Almq₃)、BeBq₂、BAlq、雙[2-(2-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(簡(jiǎn)稱(chēng)Zn(BOX)₂)、雙[2-(2-羥基苯基)-苯并噻唑]鋅(簡(jiǎn)稱(chēng)：Zn(BTZ)₂)等金屬配合物。此外，也可以使用PBD、OXD-7、TAZ、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：p-EtTAZ)、紅菲咯啉(簡(jiǎn)稱(chēng)：BPhen)、浴銅靈(簡(jiǎn)稱(chēng)：BCP)、4，4’-雙(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(簡(jiǎn)稱(chēng)：BzOs)等雜芳族化合物。另外，還可以使用聚(2，5-吡啶二基)(簡(jiǎn)稱(chēng)：PPy)、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-共-(吡啶-3，5-二基)](簡(jiǎn)稱(chēng)：PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共-(2，2’-聯(lián)吡啶-6，6’-二基)](簡(jiǎn)稱(chēng)：PF-BPy)等高分子化合物。在此所述的物質(zhì)主要是電子遷移率在1×10^-6cm²/Vs以上的物質(zhì)。注意，只要是電子傳輸性比空穴傳輸性高的物質(zhì)，就可以將上述物質(zhì)之外的物質(zhì)用于電子傳輸層114。

電子傳輸層114既可以為單層，又可以為由上述物質(zhì)構(gòu)成的層的兩層以上的疊層。

電子注入層115是包含電子注入性高的物質(zhì)的層。電子注入層115可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF₂)、鋰氧化物(LiO_x)等堿金屬、堿土金屬或它們的化合物。此外，可以使用氟化鉺(ErF₃)等稀土金屬化合物。此外，也可以將電子鹽用于電子注入層115。作為該電子鹽，例如可以舉出對(duì)氧化鈣-氧化鋁以高濃度添加電子的物質(zhì)等。另外，也可以使用如上所述的構(gòu)成電子傳輸層114的物質(zhì)。

另外，也可以將有機(jī)化合物與電子給體(供體)混合形成的復(fù)合材料用于電子注入層115。這種復(fù)合材料因?yàn)橥ㄟ^(guò)電子給體在有機(jī)化合物中產(chǎn)生電子而具有優(yōu)異的電子注入性和電子傳輸性。在此情況下，有機(jī)化合物優(yōu)選是在傳輸所產(chǎn)生的電子方面性能優(yōu)異的材料，具體而言，例如，可以使用如上所述的構(gòu)成電子傳輸層114的物質(zhì)(金屬配合物、雜芳族化合物等)。作為電子給體，只要是對(duì)有機(jī)化合物呈現(xiàn)電子供給性的物質(zhì)即可。具體而言，優(yōu)選堿金屬、堿土金屬、稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物是優(yōu)選的，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，可以使用氧化鎂等路易斯堿。另外，也可以使用四硫富瓦烯(簡(jiǎn)稱(chēng)：TTF)等有機(jī)化合物。

上述空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114及電子注入層115分別可以通過(guò)蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、印刷法(例如，凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法、平板印刷法及孔版印刷法等)、噴墨法、涂敷法等方法中的一個(gè)或它們的組合形成。此外，作為上述空穴注入層111、空穴傳輸層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114及電子注入層115，除了上述材料之外，也可以使用量子點(diǎn)等無(wú)機(jī)化合物或高分子化合物(低聚物、樹(shù)枝狀聚合物、聚合物等)。

在上述發(fā)光元件中，因?yàn)槭┘拥降谝浑姌O101與第二電極103之間的電位差而電流流動(dòng)，并且在EL層102中空穴和電子重新結(jié)合，由此發(fā)射光。然后，該發(fā)光穿過(guò)第一電極101和第二電極103中的任何一方或雙方提取到外部。因此，第一電極101和第二電極103中的任何一方或雙方為具有透光性的電極。

因?yàn)槿缟纤f(shuō)明的發(fā)光元件可以得到來(lái)源于有機(jī)金屬配合物的磷光發(fā)光，所以與只使用熒光化合物的發(fā)光元件相比，可以實(shí)現(xiàn)高效率的發(fā)光元件。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。

實(shí)施方式3

在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的一個(gè)方式的具有多個(gè)EL層的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件(以下，稱(chēng)為疊層型發(fā)光元件)進(jìn)行說(shuō)明。

本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件是如圖2A所示的在一對(duì)電極(第一電極201與第二電極204)之間夾著電荷產(chǎn)生層205具有多個(gè)EL層(第一EL層202(1)和第二EL層202(2))的疊層型發(fā)光元件。

在本實(shí)施方式中，第一電極201是用作陽(yáng)極的電極，第二電極204是用作陰極的電極。另外，作為第一電極201及第二電極204，可以采用與實(shí)施方式2相同的結(jié)構(gòu)。此外，多個(gè)EL層(第一EL層202(1)和第二EL層202(2))既可以具有與實(shí)施方式2所示的EL層的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，又可以上述EL層中的任何一個(gè)具有與實(shí)施方式2所示的EL層的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。換言之，第一EL層202(1)和第二EL層202(2)既可以具有相同結(jié)構(gòu)，又可以具有互不相同的結(jié)構(gòu)，在具有相同結(jié)構(gòu)的情況下，可以適用實(shí)施方式2的結(jié)構(gòu)。

另外，在多個(gè)EL層(第一EL層202(1)和第二EL層202(2))之間設(shè)置的電荷產(chǎn)生層205具有如下功能：在對(duì)第一電極201和第二電極204施加電壓時(shí)，將電子注入到一個(gè)EL層中，并將空穴注入到另一個(gè)EL層中。在本實(shí)施方式中，當(dāng)以第一電極201的電位高于第二電極204的方式施加電壓時(shí)，電子從電荷產(chǎn)生層205被注入到第一EL層202(1)中，空穴被注入到第二EL層202(2)中。

另外，從光提取效率的觀點(diǎn)來(lái)看，電荷產(chǎn)生層205優(yōu)選具有使可見(jiàn)光透射的性質(zhì)(具體而言，電荷產(chǎn)生層205的可見(jiàn)光的透射率為40％以上)。另外，電荷產(chǎn)生層205即使其導(dǎo)電率小于第一電極201或第二電極204也可以發(fā)揮作用。

電荷產(chǎn)生層205既可以具有對(duì)空穴傳輸性高的有機(jī)化合物添加電子受體(接受體)的結(jié)構(gòu)，又可以具有對(duì)電子傳輸性高的有機(jī)化合物添加電子給體(供體)的結(jié)構(gòu)。或者，也可以層疊有這兩種結(jié)構(gòu)。

在采用對(duì)空穴傳輸性高的有機(jī)化合物添加電子受體的結(jié)構(gòu)的情況下，作為空穴傳輸性高的有機(jī)化合物，可以使用在實(shí)施方式2中作為用于空穴注入層111和空穴傳輸層112的空穴傳輸性高的物質(zhì)示出的物質(zhì)。例如可以使用芳族胺化合物等諸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA、BSPB等。在此所述的物質(zhì)主要是空穴遷移率在1×10^-6cm²/Vs以上的物質(zhì)。注意，只要是空穴傳輸性比電子傳輸性高的有機(jī)化合物，就可以使用上述物質(zhì)之外的物質(zhì)。

另外，作為電子受體，可以舉出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(簡(jiǎn)稱(chēng)：F₄-TCNQ)、氯醌等。另外，可以舉出屬于元素周期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。具體而言，優(yōu)選使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因?yàn)樗鼈兙哂懈唠娮咏邮招?。尤其?yōu)選使用氧化鉬，因?yàn)檠趸f在大氣中也穩(wěn)定，吸濕性低且操作容易。

另一方面，在采用對(duì)電子傳輸性高的有機(jī)化合物添加電子給體的結(jié)構(gòu)的情況下，作為電子傳輸性高的有機(jī)化合物，可以使用在實(shí)施方式2中作為用于電子傳輸層114的電子傳輸性高的物質(zhì)示出的物質(zhì)。例如可以使用具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金屬配合物等諸如Alq、Almq₃、BeBq₂、BAlq等。除此之外，還可以使用具有噁唑基配體、噻唑基配體的金屬配合物等諸如Zn(BOX)₂、Zn(BTZ)₂等。再者，除了金屬配合物之外，還可以使用PBD、OXD-7、TAZ、Bphen、BCP等。在此所述的物質(zhì)主要是電子遷移率為1×10^-6cm²/Vs以上的物質(zhì)。另外，只要是電子傳輸性比空穴傳輸性高的有機(jī)化合物，就可以使用上述物質(zhì)之外的物質(zhì)。

另外，作為電子給體，可以使用堿金屬、堿土金屬、稀土金屬或?qū)儆谠刂芷诒碇械?、第13族的金屬及它們的氧化物或碳酸鹽。具體而言，優(yōu)選使用鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐿(Yb)、銦(In)、氧化鋰、碳酸銫等。此外，也可以將如四硫萘并萘(tetrathianaphthacene)等有機(jī)化合物用作電子給體。

另外，通過(guò)使用上述材料形成電荷產(chǎn)生層205，可以抑制層疊EL層時(shí)造成的驅(qū)動(dòng)電壓的增大。電荷產(chǎn)生層205可以使用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、印刷法(例如，凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法、平板印刷法、孔版印刷法等)、噴墨法和涂敷法等方法中的一個(gè)或組合形成。

雖然在本實(shí)施方式中，對(duì)具有兩個(gè)EL層的發(fā)光元件進(jìn)行說(shuō)明，但是，如圖2B所示，本發(fā)明的一個(gè)方式可以同樣地應(yīng)用于層疊n個(gè)(其中，n是3以上)EL層(202(1)至202(n))的發(fā)光元件。當(dāng)如根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光元件那樣在一對(duì)電極之間具有多個(gè)EL層時(shí)，通過(guò)將電荷產(chǎn)生層(205(1)至205(n-1))設(shè)置在EL層與EL層之間，可以在保持低電流密度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高亮度區(qū)域中的發(fā)光。因?yàn)榭梢员３值碗娏髅芏龋钥梢詫?shí)現(xiàn)使用壽命長(zhǎng)的元件。

此外，通過(guò)使各EL層的發(fā)光顏色互不相同，可以使發(fā)光元件整體發(fā)射所需顏色的光。例如，在具有兩個(gè)EL層的發(fā)光元件中，使第一EL層的發(fā)光顏色和第二EL層的發(fā)光顏色處于補(bǔ)色關(guān)系，因此還可以得到發(fā)光元件整體發(fā)射白色光的發(fā)光元件。注意，“補(bǔ)色”表示在顏色混合時(shí)得到非彩色的顏色關(guān)系。也就是說(shuō)，通過(guò)混合處于補(bǔ)色關(guān)系的顏色的光，可以得到白色發(fā)光。具體而言，可以舉出從第一EL層得到藍(lán)色發(fā)光，從第二EL層得到黃色發(fā)光或橙色發(fā)光的組合。此時(shí)，并不一定需要藍(lán)色發(fā)光和黃色發(fā)光(或橙色發(fā)光)都為熒光發(fā)光或磷光發(fā)光，也可以采用藍(lán)色發(fā)光為熒光發(fā)光而黃色發(fā)光(或橙色發(fā)光)為磷光發(fā)光的組合或者與此相反的組合。

另外，具有三個(gè)EL層的發(fā)光元件的情況也與此相同，例如，當(dāng)?shù)谝籈L層的發(fā)光顏色是紅色，第二EL層的發(fā)光顏色是綠色，第三EL層的發(fā)光顏色是藍(lán)色時(shí)，發(fā)光元件作為整體可以得到白色發(fā)光。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。

實(shí)施方式4

在本實(shí)施方式中，對(duì)具有本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置進(jìn)行說(shuō)明。

上述發(fā)光裝置既可以是無(wú)源矩陣型發(fā)光裝置，也可以是有源矩陣型發(fā)光裝置。此外，可以將其他實(shí)施方式所示的發(fā)光元件應(yīng)用于本實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置。

在本實(shí)施方式中，首先參照?qǐng)D3A至圖3C說(shuō)明有源矩陣型發(fā)光裝置。

圖3A是發(fā)光裝置的俯視圖，圖3B是沿圖3A中的點(diǎn)劃線A-A’進(jìn)行切割的截面圖。根據(jù)本實(shí)施方式的發(fā)光裝置具有設(shè)置在元件襯底301上的像素部302、驅(qū)動(dòng)電路部(源極線驅(qū)動(dòng)電路)303以及驅(qū)動(dòng)電路部(柵極線驅(qū)動(dòng)電路)(304a、304b)。將像素部302、驅(qū)動(dòng)電路部303以及驅(qū)動(dòng)電路部(304a、304b)由密封劑305密封在元件襯底301與密封襯底306之間。

在元件襯底301上設(shè)置引繞布線307，該引繞布線307用來(lái)連接對(duì)驅(qū)動(dòng)電路部303及驅(qū)動(dòng)電路部(304a、304b)傳遞來(lái)自外部的信號(hào)(例如，視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、起始信號(hào)或復(fù)位信號(hào)等)或電位的外部輸入端子。在此，示出作為外部輸入端子設(shè)置FPC(柔性印刷電路)308的例子。雖然在此只圖示FPC，但是該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說(shuō)明書(shū)中的發(fā)光裝置不僅包括發(fā)光裝置主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發(fā)光裝置。

接著，參照?qǐng)D3B說(shuō)明截面結(jié)構(gòu)。在元件襯底301上形成有驅(qū)動(dòng)電路部及像素部，在此示出作為源極線驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電路部303及像素部302。

在此示出組合FET309和FET310構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路部303的例子。驅(qū)動(dòng)電路部303既可以由包含單極性(n溝道型或p溝道型)晶體管的電路形成，也可以由包含n溝道型晶體管及p溝道型晶體管的CMOS電路形成。在本實(shí)施方式中，雖然示出將驅(qū)動(dòng)電路形成在襯底上的驅(qū)動(dòng)器一體型，但是不一定必須如此，也可以將驅(qū)動(dòng)電路形成在襯底的外部而不形成在襯底上。

此外，像素部302包括開(kāi)關(guān)用FET(未圖示)及電流控制用FET312，電流控制用FET312的布線(源電極或漏電極)與發(fā)光元件317a及發(fā)光元件317b的第一電極(陽(yáng)極)(313a、313b)電連接。此外，雖然在本實(shí)施方式中示出使用兩個(gè)FET(開(kāi)關(guān)用FET、電流控制用FET312)構(gòu)成像素部302的例子，但不局限于此。例如，像素部302也可以具有組合三個(gè)以上的FET及電容器而成的結(jié)構(gòu)。

作為FET309、310、312，例如可以適當(dāng)?shù)厥褂媒诲e(cuò)型晶體管或反交錯(cuò)型晶體管。作為可以用于FET309、310、312的半導(dǎo)體材料，例如可以使用第13族半導(dǎo)體、第14族(硅等)半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體。此外，對(duì)該半導(dǎo)體的結(jié)晶性也沒(méi)有特別的限制，例如可以使用非晶半導(dǎo)體或結(jié)晶半導(dǎo)體。尤其是，F(xiàn)ET309、310、312優(yōu)選使用氧化物半導(dǎo)體。作為氧化物半導(dǎo)體，例如可以舉出In-Ga氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Al、Ga、Y、Zr、La、Ce、Hf或Nd)等。作為FET309、310、312，例如使用能隙為2eV以上，優(yōu)選為2.5eV以上，更優(yōu)選為3eV以上的氧化物半導(dǎo)體，由此可以降低晶體管的關(guān)態(tài)電流(off-state current)。

此外，第一電極(313a、313b)具有層疊用來(lái)光學(xué)調(diào)整的導(dǎo)電膜(320a、320b)的結(jié)構(gòu)。例如，如圖3B所示，在從發(fā)光元件317a提取的光與從發(fā)光元件317b提取的光的波長(zhǎng)互不相同時(shí)，導(dǎo)電膜320a及導(dǎo)電膜320b的厚度互不相同。另外，以覆蓋第一電極(313a、313b)的端部的方式形成有絕緣物314。在此，使用正型感光性丙烯酸樹(shù)脂形成絕緣物314。此外，在本實(shí)施方式中，將第一電極(313a、313b)用作陽(yáng)極。

優(yōu)選將絕緣物314的上端部或下端部形成為具有曲率的面。通過(guò)將絕緣物314形成為上述形狀，可以提高形成在絕緣物314上的膜的覆蓋性。例如，作為絕緣物314的材料，可以使用負(fù)型感光性樹(shù)脂或正型感光性樹(shù)脂，不局限于有機(jī)化合物，還可以使用無(wú)機(jī)化合物諸如氧化硅、氧氮化硅、氮化硅等。

在第一電極(313a、313b)上層疊形成EL層315和第二電極316。EL層315至少設(shè)置有發(fā)光層，由第一電極(313a、313b)、EL層315和第二電極316構(gòu)成的發(fā)光元件(317a、317b)具有EL層315的端部被第二電極316覆蓋的結(jié)構(gòu)。EL層315的結(jié)構(gòu)既可以與實(shí)施方式2或?qū)嵤┓绞?所示的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)相同，又可以不同。并且，上述結(jié)構(gòu)也可以根據(jù)發(fā)光元件不同。

作為用于第一電極(313a、313b)、EL層315及第二電極316的材料，可以使用實(shí)施方式2所示的材料。此外，發(fā)光元件(317a、317b)的第一電極(313a、313b)在區(qū)域321中與引繞布線307電連接并通過(guò)FPC308被輸入外部信號(hào)。再者，發(fā)光元件(317a、317b)的第二電極316在區(qū)域322中與引線323電連接，雖然未圖示，但是通過(guò)FPC308被輸入外部信號(hào)。

雖然在圖3B所示的截面圖中僅示出兩個(gè)發(fā)光元件(317a、317b)，但是，在像素部302中多個(gè)發(fā)光元件被配置為矩陣狀。就是說(shuō)，在像素部302中，除了可以獲得兩種(例如(B、Y))發(fā)光的發(fā)光元件以外，形成三種(例如(R、G、B))發(fā)光的發(fā)光元件、四種(例如，(R、G、B、Y)或(R、G、B、W))發(fā)光的發(fā)光元件等，由此可以制造能夠進(jìn)行全彩色顯示的發(fā)光裝置。此時(shí)，可以形成根據(jù)發(fā)光元件的發(fā)光顏色等使用不同材料的發(fā)光層(所謂的分別涂布形成)，也可以多個(gè)發(fā)光元件包括使用相同材料形成的共同發(fā)光層，而與濾色片組合進(jìn)行全彩色化。如此，通過(guò)組合上述可以獲得多種發(fā)光的發(fā)光元件，可以獲得色純度的提高、功耗的降低等效果。再者，也可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)與量子點(diǎn)組合，來(lái)提高發(fā)光效率且降低功耗的發(fā)光裝置。

再者，通過(guò)使用密封劑305將密封襯底306與元件襯底301貼合在一起，在由元件襯底301、密封襯底306和密封劑305圍繞的空間318中設(shè)置發(fā)光元件317a、317b。

此外，在密封襯底306上設(shè)置有有色層(濾色片)324，在相鄰的有色層之間設(shè)置有黑色層(黑矩陣)325。可以以其一部分與黑色層(黑矩陣)325重疊的方式設(shè)置相鄰的有色層(濾色片)324的一個(gè)或兩個(gè)。注意，由發(fā)光元件317a、317b得到的發(fā)光通過(guò)有色層(濾色片)324被提取到外部。

空間318可以填充有惰性氣體(如氮?dú)饣驓鍤獾?，也可以填充有密封劑305。當(dāng)涂敷密封劑進(jìn)行貼合時(shí)，優(yōu)選進(jìn)行UV處理或熱處理或者組合這些處理。

優(yōu)選將環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂或玻璃粉用作密封劑305。此外，這些材料優(yōu)選是盡量未使水分和氧透過(guò)的材料。此外，作為密封襯底306，除了玻璃襯底和石英襯底之外，還可以使用由FRP(Fiber-Reinforced Plastics：纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(polyvinyl fluoride：聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸樹(shù)脂等構(gòu)成的塑料襯底。從粘合性的觀點(diǎn)來(lái)看，在作為密封劑使用玻璃粉的情況下，作為元件襯底301及密封襯底306優(yōu)選使用玻璃襯底。

與發(fā)光元件電連接的FET可以具有柵電極的位置與圖3B不同的結(jié)構(gòu)，即圖3C所示的FET326、FET327和FET328的結(jié)構(gòu)。如圖3C所示，設(shè)置在密封襯底306上的有色層(濾色片)324也可以在與黑色層(黑矩陣)325重疊的位置與相鄰的有色層(濾色片)324重疊。

如上所述，可以得到有源矩陣型發(fā)光裝置。

本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置可以用于無(wú)源矩陣型發(fā)光裝置，而不局限于上述有源矩陣型發(fā)光裝置。

圖4A和圖4B示出無(wú)源矩陣型發(fā)光裝置。圖4A示出無(wú)源矩陣型發(fā)光裝置的俯視圖，圖4B示出無(wú)源矩陣型發(fā)光裝置的截面圖。

如圖4A和圖4B所示，在襯底401上形成有包括第一電極402、EL層(403a、403b、403c)、第二電極404的發(fā)光元件405。第一電極402的形狀為島狀，多個(gè)第一電極402在一個(gè)方向(圖4A中的橫方向)上設(shè)置為條紋狀。此外，在第一電極402的一部分上形成有絕緣膜406。在絕緣膜406上設(shè)置有使用絕緣材料形成的分隔壁407。分隔壁407的側(cè)壁如圖4B所示地具有傾斜而使兩個(gè)側(cè)壁之間的距離向襯底面的方向逐漸變窄。

絕緣膜406在第一電極402上的一部分中具有開(kāi)口，因此在第一電極402上可以分離形成具有所希望的形狀的EL層(403a、403b、403c)及第二電極404。圖4A及圖4B示出組合金屬掩模等掩模與絕緣膜406上的分隔壁407形成EL層(403a、403b、403c)及第二電極404的例子。另外，還示出EL層403a、EL層403b、EL層403c分別呈現(xiàn)不同的發(fā)光顏色(例如，紅色、綠色、藍(lán)色、黃色、橙色、白色等)的例子。

在形成EL層(403a、403b、403c)之后，形成第二電極404。因此，在EL層(403a、403b、403c)上以不與第一電極402接觸的方式形成第二電極404。

注意，關(guān)于密封方法，可以與有源矩陣型發(fā)光裝置的情況同樣地采用，在此省略其說(shuō)明。

通過(guò)上述步驟，可以得到無(wú)源矩陣型發(fā)光裝置。

例如在本說(shuō)明書(shū)等中，可以使用各種襯底形成晶體管或發(fā)光元件。對(duì)襯底的種類(lèi)沒(méi)有特別的限制。作為該襯底的例子，例如可以使用半導(dǎo)體襯底(例如，單晶襯底或硅襯底)、SOI襯底、玻璃襯底、石英襯底、塑料襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、具有不銹鋼箔的襯底、鎢襯底、具有鎢箔的襯底、柔性襯底、貼合薄膜、包含纖維狀的材料的紙或者基材薄膜等。作為玻璃襯底的一個(gè)例子，有鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。作為柔性襯底、貼合薄膜、基材薄膜等，可以舉出如下例子。例如可以舉出以聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)為代表的塑料?；蛘撸梢耘e出丙烯酸等的合成樹(shù)脂等?；蛘撸梢耘e出聚丙烯、聚酯、聚氟化乙烯、聚氯乙烯等?；蛘撸梢耘e出聚酰胺、聚酰亞胺、芳族聚酰胺、環(huán)氧、無(wú)機(jī)蒸鍍薄膜、紙類(lèi)等。尤其是，通過(guò)使用半導(dǎo)體襯底、單晶襯底或SOI襯底等制造晶體管，可以制造特性、尺寸或形狀等的不均勻性小、電流供應(yīng)能力高且尺寸小的晶體管。當(dāng)利用上述晶體管構(gòu)成電路時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)電路的低功耗化或電路的高集成化。

另外，也可以作為襯底使用柔性襯底，并在柔性襯底上直接形成晶體管或發(fā)光元件?；蛘?，也可以在襯底與晶體管或發(fā)光元件之間設(shè)置剝離層。當(dāng)在剝離層上制造半導(dǎo)體裝置的一部分或全部，然后將其從襯底分離并轉(zhuǎn)置到其他襯底上時(shí)可以使用剝離層。此時(shí)，也可以將晶體管或發(fā)光元件轉(zhuǎn)置到耐熱性低的襯底或柔性襯底上。另外，作為上述剝離層，例如可以使用鎢膜與氧化硅膜的無(wú)機(jī)膜的疊層結(jié)構(gòu)或在襯底上形成有聚酰亞胺等有機(jī)樹(shù)脂薄膜的結(jié)構(gòu)等。

也就是說(shuō)，也可以使用一個(gè)襯底來(lái)形成晶體管或發(fā)光元件，然后將晶體管或發(fā)光元件轉(zhuǎn)置到另一個(gè)襯底上。作為晶體管或發(fā)光元件被轉(zhuǎn)置的襯底的例子，不僅可以使用上述可以形成晶體管或發(fā)光元件的襯底，還可以使用紙襯底、玻璃紙襯底、芳族聚酰胺薄膜襯底、聚酰亞胺薄膜襯底、石材襯底、木材襯底、布襯底(包括天然纖維(絲、棉、麻)、合成纖維(尼龍、聚氨酯、聚酯)或再生纖維(醋酯纖維、銅氨纖維、人造纖維、再生聚酯)等)、皮革襯底、橡膠襯底等。通過(guò)使用上述襯底，可以實(shí)現(xiàn)特性良好的晶體管、功耗低的晶體管、不易損壞的裝置、耐熱性的提高、輕量化或薄型化。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。

實(shí)施方式5

在本實(shí)施方式中，對(duì)適用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置而完成的各種各樣的電子設(shè)備、汽車(chē)的例子進(jìn)行說(shuō)明。

作為適用發(fā)光裝置的電子設(shè)備，例如可以舉出電視裝置(也稱(chēng)為電視或電視接收機(jī))、用于計(jì)算機(jī)等的監(jiān)視器、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相框、移動(dòng)電話機(jī)(也稱(chēng)為移動(dòng)電話、移動(dòng)電話裝置)、便攜式游戲機(jī)、便攜式信息終端、音頻再現(xiàn)裝置、彈珠機(jī)等大型游戲機(jī)等。圖5A至圖5D、圖5D’-1及圖5D’-2以及圖6A至圖6C示出這些電子設(shè)備的具體例子。

圖5A示出電視裝置的一個(gè)例子。在電視裝置7100中，框體7101中組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示圖像，也可以采用安裝有觸摸傳感器(輸入裝置)的觸摸屏(輸入輸出裝置)。此外，可以將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于顯示部7103。在此示出利用支架7105支撐框體7101的結(jié)構(gòu)。

通過(guò)利用框體7101所具備的操作開(kāi)關(guān)或另外提供的遙控操作機(jī)7110可以進(jìn)行電視裝置7100的操作。通過(guò)利用遙控操作機(jī)7110所具備的操作鍵7109，可以進(jìn)行頻道、音量的操作，并可以對(duì)在顯示部7103上顯示的圖像進(jìn)行操作。此外，也可以采用在遙控操作機(jī)7110中設(shè)置顯示從該遙控操作機(jī)7110輸出的信息的顯示部7107的結(jié)構(gòu)。

電視裝置7100采用具備接收機(jī)、調(diào)制解調(diào)器等的結(jié)構(gòu)。通過(guò)接收機(jī)可以接收一般的電視廣播。再者，通過(guò)調(diào)制解調(diào)器連接到有線或無(wú)線方式的通信網(wǎng)絡(luò)，可以進(jìn)行單向(從發(fā)送者到接收者)或雙向(發(fā)送者和接收者之間或接收者彼此之間等)的信息通信。

圖5B為計(jì)算機(jī)，該計(jì)算機(jī)包括主體7201、框體7202、顯示部7203、鍵盤(pán)7204、外部連接端口7205、指向裝置7206等。該計(jì)算機(jī)可以通過(guò)將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于其顯示部7203來(lái)制造。此外，顯示部7203也可以為安裝有觸摸傳感器(輸入裝置)的觸摸屏(輸入輸出裝置)。

圖5C為智能手表，該智能手表包括框體7302、顯示部7304、操作按鈕7311、操作按鈕7312、連接端子7313、表帶7321、表帶扣7322等。

安裝在兼作框架(bezel)部分的框體7302中的顯示部7304具有非矩形狀的顯示區(qū)域。顯示部7304可以顯示表示時(shí)間的圖標(biāo)7305以及其他圖標(biāo)7306等。此外，顯示部7304也可以為安裝有觸摸傳感器(輸入裝置)的觸摸屏(輸入輸出裝置)。

圖5C所示的智能手表可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：在顯示部上顯示多種信息(靜態(tài)圖像、運(yùn)動(dòng)圖像、文字圖像等)的功能；觸摸屏功能：顯示日歷、日期或時(shí)間等的功能：以多種軟件(程序)控制處理的功能：無(wú)線通信功能：使用無(wú)線通信功能與多種計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)連接的功能：使用無(wú)線通信功能發(fā)送并接收多種數(shù)據(jù)的功能：以及讀取儲(chǔ)存于存儲(chǔ)介質(zhì)內(nèi)的程序或數(shù)據(jù)并且將該程序或數(shù)據(jù)顯示于顯示部上的功能等。

框體7302的內(nèi)部可具有揚(yáng)聲器、傳感器(包括測(cè)定如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉(zhuǎn)速、距離、光、液、磁、溫度、化學(xué)物質(zhì)、聲音、時(shí)間、硬度、電場(chǎng)、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動(dòng)、氣味或紅外線)、麥克風(fēng)等。另外，智能手表可以通過(guò)將發(fā)光裝置用于其顯示部7304來(lái)制造。

圖5D、圖5D’-1及圖5D’-2示出移動(dòng)電話機(jī)(包括智能手機(jī))的一個(gè)例子。移動(dòng)電話機(jī)7400在框體7401中具備顯示部7402、麥克風(fēng)7406、揚(yáng)聲器7405、照相機(jī)7407、外部連接部7404、操作按鈕7403等。當(dāng)將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件形成在具有柔性的襯底來(lái)制造發(fā)光裝置時(shí)，可以應(yīng)用于如圖5D所示那樣的具有曲面的顯示部7402。

圖5D所示的移動(dòng)電話機(jī)7400可以用手指等觸摸顯示部7402來(lái)輸入信息。此外，可以用手指等觸摸顯示部7402來(lái)進(jìn)行打電話或?qū)戨娮余]件等的操作。

顯示部7402的屏幕主要有如下三種模式：第一是以圖像顯示為主的顯示模式；第二是以文字等信息輸入為主的輸入模式；第三是混合顯示模式與輸入模式的兩種模式的顯示及輸入模式。

例如，在打電話或?qū)戨娮余]件的情況下，將顯示部7402設(shè)定為以文字輸入為主的文字輸入模式，并進(jìn)行顯示在屏幕的文字的輸入操作即可。在此情況下，優(yōu)選的是，在顯示部7402的屏幕的大部分上顯示鍵盤(pán)或號(hào)碼按鈕。

另外，通過(guò)在移動(dòng)電話機(jī)7400內(nèi)部設(shè)置陀螺儀和加速度傳感器等檢測(cè)裝置，判斷移動(dòng)電話機(jī)7400的方向(縱向或橫向)，由此可以對(duì)顯示部7402的屏幕顯示進(jìn)行自動(dòng)切換。

通過(guò)觸摸顯示部7402或?qū)蝮w7401的操作按鈕7403進(jìn)行操作，切換屏幕模式?；蛘撸梢愿鶕?jù)顯示在顯示部7402上的圖像的類(lèi)型而切換屏幕模式。例如，當(dāng)顯示在顯示部上的圖像信號(hào)為動(dòng)態(tài)圖像的數(shù)據(jù)時(shí)，將屏幕模式切換成顯示模式，而當(dāng)該圖像信號(hào)為文字?jǐn)?shù)據(jù)時(shí)，將屏幕模式切換成輸入模式。

另外，當(dāng)在輸入模式下通過(guò)獲得顯示部7402的光傳感器所檢測(cè)的信號(hào)并在一定時(shí)間內(nèi)未進(jìn)行顯示部7402的觸摸操作輸入時(shí)，也可以進(jìn)行控制將畫(huà)面模式從輸入模式切換成顯示模式。

還可以將顯示部7402用作圖像傳感器。例如，可以通過(guò)用手掌或手指觸摸顯示部7402來(lái)拍攝掌紋、指紋等，進(jìn)行個(gè)人識(shí)別。另外，還可以通過(guò)將發(fā)出近紅外光的背光或發(fā)出近紅外光的傳感用光源用于顯示部，拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。

再者，作為移動(dòng)電話機(jī)(包括智能手機(jī))的其他結(jié)構(gòu)，也可以采用具有圖5D’-1及圖5D’-2所示的結(jié)構(gòu)的移動(dòng)電話機(jī)。

在具有圖5D’-1及圖5D’-2所示的結(jié)構(gòu)的移動(dòng)電話機(jī)中，不僅在框體7500(1)、框體7500(2)的第一面7501(1)、第一面7501(2)上，而且還在第二面7502(1)、第二面7502(2)上顯示文字信息或圖像信息等。借助于這種結(jié)構(gòu)，使用者能夠在將移動(dòng)電話機(jī)收納在上衣口袋中的狀態(tài)下容易確認(rèn)在第二面7502(1)、第二面7502(2)等上顯示的文字信息或圖像信息等。

作為適用發(fā)光裝置的電子設(shè)備，可以舉出圖6A至圖6C所示的能夠折疊的便攜式信息終端。圖6A示出展開(kāi)狀態(tài)的便攜式信息終端9310。圖6B示出從展開(kāi)狀態(tài)和折疊狀態(tài)中的一個(gè)狀態(tài)變?yōu)榱硪粋€(gè)狀態(tài)的中途的狀態(tài)的便攜式信息終端9310。圖6C示出折疊狀態(tài)的便攜式信息終端9310。便攜式信息終端9310在折疊狀態(tài)下可攜帶性好，在展開(kāi)狀態(tài)下因?yàn)榫哂袩o(wú)縫拼接的較大的顯示區(qū)域所以顯示一覽性強(qiáng)。

顯示部9311由鉸鏈部9313所連接的三個(gè)框體9315來(lái)支撐。此外，顯示部9311也可以為安裝有觸摸傳感器(輸入裝置)的觸摸屏(輸入輸出裝置)。此外，顯示部9311通過(guò)鉸鏈部9313使兩個(gè)框體9315之間彎折，由此可以使便攜式信息終端9310從展開(kāi)狀態(tài)可逆性地變?yōu)檎郫B狀態(tài)。可以將本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置用于顯示部9311。顯示部9311中的顯示區(qū)域9312是位于折疊狀態(tài)的便攜式信息終端9310的側(cè)面的顯示區(qū)域。在顯示區(qū)域9312中可以顯示信息圖標(biāo)或者使用頻率高的應(yīng)用軟件或程序的快捷方式等，能夠順利地進(jìn)行信息的確認(rèn)或軟件的開(kāi)啟。

圖7A和圖7B示出適用發(fā)光裝置的汽車(chē)。就是說(shuō)，可以與汽車(chē)一體地形成發(fā)光裝置。具體而言，可以將發(fā)光裝置適用于圖7A所示的汽車(chē)的外側(cè)的燈5101(包括車(chē)身后部)、輪胎的輪轂5102、車(chē)門(mén)5103的一部分或整體等。另外，可以將發(fā)光裝置適用于圖7B所示的汽車(chē)內(nèi)側(cè)的顯示部5104、方向盤(pán)5105、變速桿5106、座位5107、后視鏡5108等。除此之外，也可以將發(fā)光裝置適用于玻璃窗的一部分。

如上所述，可以適用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置來(lái)得到電子設(shè)備或汽車(chē)。能夠適用的電子設(shè)備或汽車(chē)不局限于在本實(shí)施方式中示出的電子設(shè)備或汽車(chē)，在各種領(lǐng)域可以應(yīng)用。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。

實(shí)施方式6

在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D8A至圖8D說(shuō)明應(yīng)用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件而制造的照明裝置的結(jié)構(gòu)。

圖8A至圖8D示出照明裝置的截面圖的例子。圖8A及圖8B是在襯底一側(cè)提取光的底部發(fā)射型照明裝置，而圖8C及圖8D是在密封襯底一側(cè)提取光的頂部發(fā)射型照明裝置。

圖8A所示的照明裝置4000在襯底4001上包括發(fā)光元件4002。另外，照明裝置4000在襯底4001的外側(cè)包括具有凹凸的襯底4003。發(fā)光元件4002包括第一電極4004、EL層4005以及第二電極4006。

第一電極4004與電極4007電連接，第二電極4006與電極4008電連接。另外，也可以設(shè)置與第一電極4004電連接的輔助布線4009。此外，在輔助布線4009上形成有絕緣層4010。

襯底4001與密封襯底4011由密封劑4012粘合。另外，優(yōu)選在密封襯底4011與發(fā)光元件4002之間設(shè)置有干燥劑4013。由于襯底4003具有如圖8A所示那樣的凹凸，因此可以提高提取在發(fā)光元件4002中產(chǎn)生的光的效率。

另外，如圖8B所示的照明裝置4100那樣，也可以在襯底4001的外側(cè)設(shè)置擴(kuò)散板4015代替襯底4003。

圖8C所示的照明裝置4200在襯底4201上包括發(fā)光元件4202。發(fā)光元件4202包括第一電極4204、EL層4205以及第二電極4206。

第一電極4204與電極4207電連接，第二電極4206與電極4208電連接。另外，也可以設(shè)置與第二電極4206電連接的輔助布線4209。另外，也可以在輔助布線4209下設(shè)置絕緣層4210。

襯底4201與具有凹凸的密封襯底4211由密封劑4212粘合。另外，也可以在密封襯底4211與發(fā)光元件4202之間設(shè)置阻擋膜4213及平坦化膜4214。由于密封襯底4211具有如圖8C所示那樣的凹凸，因此可以提高提取在發(fā)光元件4202中產(chǎn)生的光的效率。

另外，如圖8D所示的照明裝置4300那樣，也可以在發(fā)光元件4202上設(shè)置擴(kuò)散板4215代替密封襯底4211。

另外，本實(shí)施方式所示的EL層4005、4205可以使用本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物。此時(shí)，可以提供功耗低的照明裝置。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合。

實(shí)施方式7

在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D9對(duì)適用本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的應(yīng)用例子的照明裝置進(jìn)行說(shuō)明。

圖9是將發(fā)光裝置用于室內(nèi)照明裝置8001的例子。另外，因?yàn)榘l(fā)光裝置可以實(shí)現(xiàn)大面積化，所以也可以形成大面積的照明裝置。此外，也可以通過(guò)使用具有曲面的框體來(lái)形成發(fā)光區(qū)域具有曲面的照明裝置8002。包括在本實(shí)施方式所示的發(fā)光裝置中的發(fā)光元件為薄膜狀，所以框體設(shè)計(jì)的自由度高。因此，可以形成能夠?qū)?yīng)各種設(shè)計(jì)的照明裝置。再者，室內(nèi)的墻面也可以設(shè)置有照明裝置8003。

通過(guò)將發(fā)光裝置用于上述以外的室內(nèi)家具的一部分，可以提供具有家具的功能的照明裝置。

如上所述，可以得到適用發(fā)光裝置的各種各樣的照明裝置。另外，這種照明裝置包括在本發(fā)明的一個(gè)方式中。

本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。

實(shí)施方式8

在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D10A至圖14對(duì)包括本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件或本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光裝置的觸摸屏進(jìn)行說(shuō)明。

圖10A和圖10B是觸摸屏2000的透視圖。注意，在圖10A和圖10B中，為了容易理解，示出觸摸屏2000的典型的構(gòu)成要素。

觸摸屏2000具備顯示面板2501及觸摸傳感器2595(參照?qǐng)D10B)。觸摸屏2000還具有襯底2510、襯底2570以及襯底2590。

顯示面板2501包括襯底2510上的多個(gè)像素以及能夠向該像素供應(yīng)信號(hào)的多個(gè)布線2511。多個(gè)布線2511被引導(dǎo)到襯底2510的外周部，其一部分構(gòu)成端子2519。端子2519與FPC2509(1)電連接。

襯底2590具備觸摸傳感器2595以及多個(gè)與觸摸傳感器2595電連接的布線2598。多個(gè)布線2598被引導(dǎo)在襯底2590的外周部，其一部分構(gòu)成端子2599。端子2599與FPC2509(2)電連接。另外，為了容易理解，在圖10B中由實(shí)線示出設(shè)置在襯底2590的背面一側(cè)(與襯底2510相對(duì)的面一側(cè))的觸摸傳感器2595的電極以及布線等。

作為觸摸傳感器2595，例如可以使用電容式觸摸傳感器。作為電容式觸摸傳感器，可以舉出表面電容式觸摸傳感器、投影電容式觸摸傳感器等。

作為投影電容式觸摸傳感器，可以舉出自電容式觸摸傳感器、互電容式觸摸傳感器等，這些主要根據(jù)驅(qū)動(dòng)方式的差異而區(qū)分。當(dāng)使用互電容式觸摸傳感器時(shí)，可以同時(shí)進(jìn)行多點(diǎn)檢測(cè)，所以是優(yōu)選的。

首先，參照?qǐng)D10B對(duì)采用投影電容式觸摸傳感器的情況進(jìn)行說(shuō)明。投影電容式觸摸傳感器可以應(yīng)用能夠檢測(cè)出指頭等檢測(cè)對(duì)象靠近或接觸的各種傳感器。

投影電容式觸摸傳感器2595具有電極2591及電極2592。電極2591及電極2592分別與多個(gè)布線2598中的不同的布線電連接。如圖10A和圖10B所示，電極2592具有在一個(gè)方向上連續(xù)地配置的多個(gè)四邊形的每個(gè)角部通過(guò)布線2594相互連接的形狀。電極2591也同樣地具有多個(gè)四邊形的角部連接的形狀，但是電極2591的連接方向與電極2592的連接方向交叉。注意，電極2591的連接方向與電極2592的連接方向不一定需要交叉，它們之間的角度也可以大于0度且小于90度。

優(yōu)選盡量減小布線2594與電極2592的交叉部的面積。由此，可以減小沒(méi)有設(shè)置電極的區(qū)域的面積，從而可以降低透射率的不均勻。其結(jié)果，可以降低透過(guò)觸摸傳感器2595的光的亮度不均勻。

另外，電極2591及電極2592的形狀不局限于此，可以具有各種形狀。例如，也可以以盡量沒(méi)有間隙的方式配置多個(gè)電極2591，并且隔著絕緣層設(shè)置多個(gè)電極2592。此時(shí)，通過(guò)在相鄰的兩個(gè)電極2592之間設(shè)置與它們電絕緣的虛擬電極，可以減小透射率不同的區(qū)域的面積，所以是優(yōu)選的。

接著，參照?qǐng)D11A和圖11B對(duì)觸摸屏2000進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。圖11A和圖11B相當(dāng)于圖10A所示的點(diǎn)劃線X1-X2之間的截面圖。

觸摸屏2000包括觸摸傳感器2595及顯示面板2501。

觸摸傳感器2595包括與襯底2590接觸地配置為交錯(cuò)形狀的電極2591及電極2592、覆蓋電極2591及電極2592的絕緣層2593以及使相鄰的電極2591電連接的布線2594。此外，在相鄰的電極2591之間設(shè)置有電極2592。

電極2591及電極2592可以使用透光導(dǎo)電材料形成。作為透光導(dǎo)電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導(dǎo)電氧化物。另外，也可以使用石墨烯化合物。此外，當(dāng)使用石墨烯化合物時(shí)，例如可以通過(guò)使膜狀的氧化石墨烯還原來(lái)形成。作為還原方法，可以采用進(jìn)行加熱的方法或照射激光的方法等。

例如在通過(guò)濺射法在襯底2590上形成透光導(dǎo)電材料的膜之后，可以通過(guò)光刻法等各種圖案化技術(shù)去除不需要的部分來(lái)形成電極2591及電極2592。

作為用于絕緣層2593的材料，例如，除了丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、具有硅氧烷鍵的樹(shù)脂之外，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁等無(wú)機(jī)絕緣材料。

由于形成在絕緣層2593的一部分的布線2594而使相鄰的電極2591電連接。另外，作為布線2594優(yōu)選使用其導(dǎo)電性比用于電極2591及電極2592的材料高的材料，因?yàn)榭梢越档碗娮琛?/p>

布線2598與電極2591或電極2592電連接。布線2598的一部分被用作端子。布線2598例如可以使用金屬材料諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等或者包含該金屬材料的合金材料。

通過(guò)端子2599使布線2598與FPC2509(2)電連接。端子2599可以使用各種各向異性導(dǎo)電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、各向異性導(dǎo)電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。

以與布線2594接觸的方式設(shè)置有粘合層2597。換言之，觸摸傳感器2595隔著粘合層2597以與顯示面板2501重疊的方式貼合。此外，與粘合層2597接觸的顯示面板2501的表面如圖11A所示那樣也可以包括襯底2570，但不一定需要包括襯底2570。

粘合層2597具有透光性。例如，可以使用熱固化樹(shù)脂、紫外線固化樹(shù)脂，具體而言，可以使用丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚氨酯類(lèi)樹(shù)脂、環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂或硅氧烷類(lèi)樹(shù)脂等。

圖11A所示的顯示面板2501在襯底2510與襯底2570之間包括配置為矩陣狀的多個(gè)像素及驅(qū)動(dòng)電路。此外，各像素包括發(fā)光元件及驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件的像素電路。

在圖11A中作為顯示面板2501的像素的一個(gè)例子示出像素2502R，作為驅(qū)動(dòng)電路的一個(gè)例子示出掃描線驅(qū)動(dòng)電路2503g。

像素2502R具備發(fā)光元件2550R以及能夠向發(fā)光元件2550R供應(yīng)電力的晶體管2502t。

絕緣層2521覆蓋晶體管2502t。絕緣層2521具有使起因于已形成的晶體管等的凹凸平坦化的功能。此外，也可以使絕緣層2521具有抑制雜質(zhì)擴(kuò)散的功能。此時(shí)，能夠抑制因雜質(zhì)的擴(kuò)散而導(dǎo)致的晶體管等的可靠性下降，所以是優(yōu)選的。

發(fā)光元件2550R通過(guò)布線與晶體管2502t電連接。此外，發(fā)光元件2550R的一個(gè)電極是與布線直接連接的。此外，發(fā)光元件2550R的一個(gè)電極的端部由絕緣體2528覆蓋。

發(fā)光元件2550R在一對(duì)電極之間包括EL層。此外，在與發(fā)光元件2550R重疊的位置上設(shè)置有著色層2567R，發(fā)光元件2550R所發(fā)射的光的一部分透過(guò)著色層2567R而在附圖中所示的箭頭的方向上射出。此外，在著色層的端部設(shè)置有遮光層2567BM，在發(fā)光元件2550R與著色層2567R之間包括密封層2560。

當(dāng)在提取來(lái)自發(fā)光元件2550R的光的方向上設(shè)置有密封層2560時(shí)，密封層2560優(yōu)選具有透光性。此外，密封層2560的折射率優(yōu)選高于空氣。

掃描線驅(qū)動(dòng)電路2503g包括晶體管2503t以及電容器2503c。此外，可以通過(guò)與像素電路相同的制造工序在相同的襯底上形成驅(qū)動(dòng)電路。因此，與像素電路的晶體管2502t同樣地，驅(qū)動(dòng)電路(掃描線驅(qū)動(dòng)電路2503g)的晶體管2503t也由絕緣層2521覆蓋。

此外，設(shè)置有能夠向晶體管2503t供應(yīng)信號(hào)的布線2511。此外，以與布線2511接觸的方式設(shè)置有端子2519。端子2519與FPC2509(1)電連接，F(xiàn)PC2509(1)具有供應(yīng)圖像信號(hào)及同步信號(hào)等信號(hào)的功能。FPC2509(1)也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

雖然示出圖11A所示的顯示面板2501包括底柵型晶體管的情況，但是晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于此，也可以使用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。此外，在圖11A所示的晶體管2502t及晶體管2503t中可以使用包含氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層作為溝道區(qū)域。除此以外，也可以使用包含非晶硅的半導(dǎo)體層、包含通過(guò)激光退火法等處理結(jié)晶化了的多晶硅的半導(dǎo)體層作為溝道區(qū)域。

此外，圖11B示出將與圖11A所示的底柵型晶體管不同的頂柵型晶體管用于顯示面板2501的結(jié)構(gòu)。此外，即使改變晶體管的結(jié)構(gòu)，能夠用于溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層的種類(lèi)也是同樣的。

圖11A所示的觸摸屏2000如圖11A所示優(yōu)選在來(lái)自像素的光發(fā)射到外部的一側(cè)的表面上以至少與像素重疊的方式包括防反射層2567p。作為防反射層2567p，例如可以使用圓偏振片等。

作為圖11A所示的襯底2510、襯底2570及襯底2590例如可以使用水蒸氣透過(guò)率為1×10^-5g/(m²·天)以下，優(yōu)選為1×10^-6g/(m²·天)以下的柔性材料。另外，這些襯底優(yōu)選使用熱膨脹率大致相同的材料形成。例如，可以舉出線性膨脹系數(shù)為1×10^-3/K以下，優(yōu)選為5×10^-5/K以下，更優(yōu)選為1×10^-5/K以下的材料。

接著，參照?qǐng)D12A和圖12B對(duì)與圖11A和圖11B所示的觸摸屏2000的結(jié)構(gòu)不同的觸摸屏2000’進(jìn)行說(shuō)明。注意，可以將觸摸屏2000’與觸摸屏2000同樣地用作觸摸屏。

圖12A和圖12B是觸摸屏2000’的截面圖。圖12A和圖12B所示的觸摸屏2000’與圖11A和圖11B所示的觸摸屏2000的不同之處為相對(duì)于顯示面板2501的觸摸傳感器2595的位置。在此，只對(duì)不同之處進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，關(guān)于可以使用同樣的結(jié)構(gòu)的部分，援用觸摸屏2000的說(shuō)明。

著色層2567R位于與發(fā)光元件2550R重疊的位置。圖12A所示的來(lái)自發(fā)光元件2550R的光向設(shè)置有晶體管2502t的方向發(fā)射。就是說(shuō)，來(lái)自發(fā)光元件2550R的光(的一部分)透過(guò)著色層2567R，而向圖12A中的箭頭的方向發(fā)射。此外，在著色層2567R的端部設(shè)置有遮光層2567BM。

此外，觸摸傳感器2595設(shè)置在顯示面板2501的比發(fā)光元件2550R更靠近晶體管2502t一側(cè)(參照?qǐng)D12A)。

粘合層2597與顯示面板2501所包括的襯底2510接觸，在采用圖12A所示的結(jié)構(gòu)的情況下，使顯示面板2501與觸摸傳感器2595貼合。注意，也可以采用在使用粘合層2597貼合的顯示面板2501與觸摸傳感器2595之間不設(shè)置襯底2510的結(jié)構(gòu)。

與觸摸屏2000的情況同樣地，在采用觸摸屏2000’的情況下可以對(duì)顯示面板2501應(yīng)用各種結(jié)構(gòu)的晶體管。此外，在圖12A中示出應(yīng)用底柵型晶體管的情況，但如圖12B所示，也可以應(yīng)用頂柵型晶體管。

接著，參照?qǐng)D13A和圖13B對(duì)觸摸屏的驅(qū)動(dòng)方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。

圖13A是示出互電容式觸摸傳感器的結(jié)構(gòu)的方框圖。在圖13A中，示出脈沖電壓輸出電路2601、電流檢測(cè)電路2602。另外，在圖13A中，以6個(gè)布線X1至X6表示被施加脈沖電壓的電極2621，并以6個(gè)布線Y1至Y6表示檢測(cè)電流的變化的電極2622。此外，在圖13A中，示出使電極2621與電極2622重疊而形成的電容器2603。注意，電極2621與電極2622的功能可以互相調(diào)換。

脈沖電壓輸出電路2601是用來(lái)依次將脈沖電壓施加到布線X1至X6的電路。當(dāng)對(duì)布線X1至X6施加脈沖電壓時(shí)，在形成電容器2603的電極2621與電極2622之間產(chǎn)生電場(chǎng)。當(dāng)在該電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)被遮蔽等時(shí)，產(chǎn)生電容器2603的互電容變化，通過(guò)利用該變化，可以檢測(cè)檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸。

電流檢測(cè)電路2602是用來(lái)檢測(cè)電容器2603的互電容變化所引起的布線Y1至Y6的電流變化的電路。在布線Y1至Y6中，如果沒(méi)有檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸，則所檢測(cè)的電流值沒(méi)有變化，另一方面，在由于所檢測(cè)的檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸而互電容減少的情況下，檢測(cè)到電流值減少的變化。另外，通過(guò)積分電路等檢測(cè)電流即可。

接著，圖13B示出圖13A所示的互電容式觸摸傳感器中的輸入/輸出波形的時(shí)序圖。在圖13B中，在一個(gè)幀期間中進(jìn)行各行列中的檢測(cè)對(duì)象的檢測(cè)。另外，在圖13B中，示出沒(méi)有檢測(cè)出檢測(cè)對(duì)象(未觸摸)時(shí)和檢測(cè)出檢測(cè)對(duì)象(觸摸)時(shí)的兩種情況。此外，布線Y1至Y6的波形表示對(duì)應(yīng)于所檢測(cè)出的電流值的電壓值。

依次對(duì)布線X1至X6施加脈沖電壓，布線Y1至Y6的波形根據(jù)該脈沖電壓而變化。當(dāng)沒(méi)有檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸時(shí)，布線Y1至Y6的波形根據(jù)布線X1至X6的電壓變化而變化。另一方面，在有檢測(cè)對(duì)象靠近或接觸的部分電流值減少，因而與其相應(yīng)的電壓值的波形也產(chǎn)生變化。如此，通過(guò)檢測(cè)互電容的變化，可以檢測(cè)檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸。

作為觸摸傳感器，圖13A雖然示出僅在布線的交叉部設(shè)置電容器2603的無(wú)源型觸摸傳感器的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用具備晶體管和電容器的有源型觸摸傳感器。圖14示出有源型觸摸傳感器所包括的一個(gè)傳感器電路的例子。

圖14所示的傳感器電路包括電容器2603、晶體管2611、晶體管2612及晶體管2613。

對(duì)晶體管2613的柵極供應(yīng)信號(hào)G2，對(duì)晶體管2613的源極和漏極中的一個(gè)施加電壓VRES，并且晶體管2613的源極和漏極中的另一個(gè)與電容器2603的一個(gè)電極及晶體管2611的柵極電連接。晶體管2611的源極和漏極中的一個(gè)與晶體管2612的源極和漏極中的一個(gè)電連接，對(duì)晶體管2611的源極和漏極中的另一個(gè)施加電壓VSS。對(duì)晶體管2612的柵極供應(yīng)信號(hào)G1，晶體管2612的源極和漏極中的另一個(gè)與布線ML電連接。對(duì)電容器2603的另一個(gè)電極施加電壓VSS。

接著，對(duì)圖14所示的傳感器電路的工作進(jìn)行說(shuō)明。首先，通過(guò)作為信號(hào)G2供應(yīng)使晶體管2613成為開(kāi)啟狀態(tài)的電位，對(duì)應(yīng)于電壓VRES的電位被供應(yīng)到與晶體管2611的柵極連接的節(jié)點(diǎn)n。接著，通過(guò)作為信號(hào)G2供應(yīng)使晶體管2613成為關(guān)閉狀態(tài)的電位，節(jié)點(diǎn)n的電位得到保持。接著，由于手指等檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸，電容器2603的互電容產(chǎn)生變化，節(jié)點(diǎn)n的電位隨之從VRES變化。

在讀出工作中，作為信號(hào)G1施加使晶體管2612成為開(kāi)啟狀態(tài)的電位。流過(guò)晶體管2611的電流，即流過(guò)布線ML的電流根據(jù)節(jié)點(diǎn)n的電位而產(chǎn)生變化。通過(guò)檢測(cè)該電流，可以檢測(cè)出檢測(cè)對(duì)象的靠近或接觸。

在晶體管2611、晶體管2612及晶體管2613中，優(yōu)選將氧化物半導(dǎo)體層用于形成有溝道區(qū)域的半導(dǎo)體層。尤其是通過(guò)將這種晶體管用于晶體管2613，能夠長(zhǎng)期間保持節(jié)點(diǎn)n的電位，由此可以減少對(duì)節(jié)點(diǎn)n再次供應(yīng)VRES的工作(刷新工作)的頻度。

另外，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施方式9

在本實(shí)施方式中，作為具有本發(fā)明的一個(gè)方式的發(fā)光元件的顯示裝置，參照?qǐng)D15A、圖15B1和圖15B2至圖17對(duì)具有反射型液晶元件及發(fā)光元件的能夠進(jìn)行透射模式顯示和反射模式顯示的顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。另外，也可以將上述顯示裝置稱(chēng)為ER-hybrid display(Emissive OLED and Reflective LC Hybrid display)。

另外，本實(shí)施方式所示的顯示裝置通過(guò)在屋外等外光較亮的場(chǎng)所利用反射模式進(jìn)行顯示，可以以極低的耗電量進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。另一方面，通過(guò)在夜間或室內(nèi)等光線較暗的場(chǎng)所利用透射模式進(jìn)行顯示，可以以最合適的亮度進(jìn)行圖像顯示。因此，通過(guò)組合上述模式進(jìn)行顯示，與現(xiàn)有的顯示面板相比，可以以低耗電量進(jìn)行高對(duì)比度的顯示。

作為本實(shí)施方式所示的顯示裝置的一個(gè)例子，示出具有如下結(jié)構(gòu)的顯示裝置：層疊有具有反射電極的液晶元件及發(fā)光元件，與發(fā)光元件重疊的位置中設(shè)置有反射電極的開(kāi)口部，當(dāng)采用反射模式時(shí)利用反射電極反射可見(jiàn)光，當(dāng)采用透射模式時(shí)從反射電極的開(kāi)口部射出發(fā)光元件的光。另外，優(yōu)選將用于驅(qū)動(dòng)上述元件(液晶元件及發(fā)光元件)的晶體管配置于同一平面上。另外，優(yōu)選被層疊形成的液晶元件與發(fā)光元件之間夾有絕緣層。

圖15A示出本實(shí)施方式說(shuō)明的顯示裝置的方框圖。顯示裝置500包括電路(G)501、電路(S)502及顯示部503。另外，在顯示部503中，在方向R及方向C上以矩陣狀配置有多個(gè)像素504。另外，電路(G)501分別與多個(gè)布線G1、布線G2、布線ANO及布線CSCOM電連接，并且這些布線還與配置在方向R上的多個(gè)像素504電連接。電路(S)502與多個(gè)布線S1及布線S2電連接，并且這些布線還與配置在方向C上的多個(gè)像素504電連接。

另外，像素504包括液晶元件和發(fā)光元件，液晶元件與發(fā)光元件具有相互重疊的部分。

圖15B1示出用作像素504中的液晶元件的反射電極的導(dǎo)電膜505的形狀。另外，為導(dǎo)電膜505的一部分的與發(fā)光元件重疊的位置506中設(shè)置有開(kāi)口部507。即，來(lái)自發(fā)光元件的光從該開(kāi)口部507射出。

圖15B1所示的像素504以與方向R上的相鄰的像素504呈現(xiàn)不同顏色的方式排列。再者，開(kāi)口部507以不在方向R上排成一列的方式設(shè)置。通過(guò)采用上述排列方式可以抑制相鄰的像素504所具有的發(fā)光元件之間的串?dāng)_。

開(kāi)口部507的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字狀等的形狀。另外，也可以為細(xì)長(zhǎng)的條狀、狹縫狀、方格狀等形狀。

另外，作為導(dǎo)電膜505的排列方式還可以采用圖15B2所示的排列。

相對(duì)于導(dǎo)電膜505的總面積(除了開(kāi)口部507之外)的開(kāi)口部507的比率對(duì)顯示裝置的顯示有影響。即，會(huì)發(fā)生如下問(wèn)題：當(dāng)開(kāi)口部507的面積大時(shí)，利用液晶元件的顯示變暗；當(dāng)開(kāi)口部507的面積小時(shí)，利用發(fā)光元件的顯示變暗。另外，除了上述比率之外還存在如下問(wèn)題：當(dāng)開(kāi)口部507的面積本身較小時(shí)，從發(fā)光元件射出的光的取出效率下降。另外，為了保持組合液晶元件及發(fā)光元件時(shí)的顯示質(zhì)量，優(yōu)選相對(duì)于上述導(dǎo)電膜505的總面積(除了開(kāi)口部507之外)的開(kāi)口部507的面積的比率為5％以上且60％以下。

接著，參照?qǐng)D16對(duì)像素504的電路結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。圖16示出相鄰的兩個(gè)像素504。

像素504包括晶體管SW1、電容器C1、液晶元件510、晶體管SW2、晶體管M、電容器C2及發(fā)光元件511等。另外，上述晶體管SW1、電容器C1、液晶元件510、晶體管SW2、晶體管M、電容器C2及發(fā)光元件511等在像素504中與布線G1、布線G2、布線ANO、布線CSCOM、布線S1及布線S2中的一個(gè)或多個(gè)電連接。另外，液晶元件510與布線VCOM1電連接，發(fā)光元件511與布線VCOM2電連接。

另外，晶體管SW1的柵極與布線G1連接，晶體管SW1的源極和漏極中的一個(gè)與布線S1連接，源極和漏極中的另一個(gè)與電容器C1的一個(gè)電極及液晶元件510的一個(gè)電極連接。另外，電容器C1的另一個(gè)電極與布線CSCOM連接。另外，液晶元件510的另一個(gè)電極與布線VCOM1連接。

另外，晶體管SW2的柵極與布線G2連接，晶體管SW2的源極和漏極中的一個(gè)與布線S2連接，源極和漏極中的另一個(gè)與電容器C2的一個(gè)電極及晶體管M的柵極連接。另外，電容器C2的另一個(gè)電極與晶體管M的源極和漏極中的一個(gè)及布線ANO連接。另外，晶體管M的源極和漏極中的另一個(gè)與發(fā)光元件511的一個(gè)電極連接。另外，發(fā)光元件511的另一個(gè)電極與布線VCOM2連接。

另外，晶體管M包括夾著半導(dǎo)體的兩個(gè)柵極，該兩個(gè)柵極彼此電連接。通過(guò)采用上述結(jié)構(gòu)，可以增大晶體管M流過(guò)的電流量。

利用從布線G1提供的信號(hào)控制晶體管SW1的導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，布線VCOM1提供預(yù)定電位。另外，可以利用布線S1提供的信號(hào)控制液晶元件510的液晶的取向狀態(tài)。另外，布線CSCOM提供預(yù)定電位。

利用布線G2提供的信號(hào)控制晶體管SW2的導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)。另外，由于布線VCOM2提供的電位與布線ANO提供的電位之間的電位差可以使發(fā)光元件511發(fā)光。另外，可以利用布線S2提供的信號(hào)控制晶體管M的導(dǎo)通狀態(tài)。

由此，在本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)中，例如，在反射模式中，可以利用布線G1及布線S1提供的信號(hào)控制液晶元件510而利用光學(xué)調(diào)制進(jìn)行顯示。另外，在透射模式中，可以利用布線G2及布線S2提供的信號(hào)使發(fā)光元件511發(fā)光。另外，在同時(shí)使用上述兩種模式的情況下，可以根據(jù)各布線G1、布線G2、布線S1及布線S2提供的信號(hào)進(jìn)行所希望的驅(qū)動(dòng)。

接著，在圖17中示出本實(shí)施方式說(shuō)明的顯示裝置500的截面示意圖并進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

顯示裝置500在襯底521與襯底522之間包括發(fā)光元件523及液晶元件524。另外，發(fā)光元件523及液晶元件524分別隔著絕緣層525形成。即，襯底521與絕緣層525之間有發(fā)光元件523，襯底522與絕緣層525之間有液晶元件524。

絕緣層525與發(fā)光元件523之間包括晶體管515、晶體管516、晶體管517及著色層528等。

襯底521與發(fā)光元件523之間有粘合層529。另外，發(fā)光元件523具有如下疊層結(jié)構(gòu)：從絕緣層525一側(cè)層疊有成為一個(gè)電極的導(dǎo)電層530、EL層531以及成為另一個(gè)電極的導(dǎo)電層532。另外，由于發(fā)光元件523是底部發(fā)射型的發(fā)光元件，所以導(dǎo)電層532含有反射可見(jiàn)光的材料，導(dǎo)電層530含有使可見(jiàn)光透過(guò)的材料。發(fā)光元件523所發(fā)射的光透過(guò)著色層528、絕緣層525并通過(guò)開(kāi)口部533透過(guò)液晶元件524，然后從襯底522射出到外部。

絕緣層525與襯底522之間除了液晶元件524之外還有著色層534、遮光層535、絕緣層546及結(jié)構(gòu)體536等。另外，液晶元件524包括成為一個(gè)電極的導(dǎo)電層537、液晶538、成為另一個(gè)電極的導(dǎo)電層539以及取向膜540、541等。另外，液晶元件524為反射型的液晶元件，由于導(dǎo)電層539被用作反射電極，所以使用反射率高的材料。另外，由于導(dǎo)電層537被用作透明電極，因此含有透過(guò)可見(jiàn)光的材料。再者，導(dǎo)電層537及導(dǎo)電層539的液晶538一側(cè)分別包括取向膜540、541。另外，絕緣層546以覆蓋著色層534及遮光層535的方式設(shè)置，具有保護(hù)層的作用。另外，若不需要取向膜540、541也可以不設(shè)置。

導(dǎo)電層539的一部分中設(shè)置有開(kāi)口部533。另外，以接觸于導(dǎo)電層539的方式設(shè)置有導(dǎo)電層543。，由于導(dǎo)電層543具有透光性，所以作為導(dǎo)電層543采用透過(guò)可見(jiàn)光的材料。

結(jié)構(gòu)體536具有用作抑制絕緣層525與襯底522之間的距離過(guò)近的間隔物的功能。另外，若不需要結(jié)構(gòu)體536也可以不設(shè)置。

晶體管515的源極和漏極中的一個(gè)與發(fā)光元件523的導(dǎo)電層530電連接。例如，晶體管515對(duì)應(yīng)于圖16所示的晶體管M。

晶體管516的源極和漏極中的一個(gè)通過(guò)端子部518與液晶元件524的導(dǎo)電層539及導(dǎo)電層543電連接。即，端子部518具有使設(shè)置于絕緣層525的兩面的導(dǎo)電層彼此電連接的功能。另外，晶體管516對(duì)應(yīng)于圖16所示的晶體管SW1。

襯底521與襯底522互不重疊的區(qū)域中設(shè)置有端子部519。端子部519與端子部518同樣地使設(shè)置于絕緣層525的兩面的導(dǎo)電層彼此電連接。端子部519電連接于對(duì)與導(dǎo)電層543同一的導(dǎo)電膜進(jìn)行加工而得到的導(dǎo)電層。由此，可以使端子部519與FPC544通過(guò)連接層545電連接。

另外，在設(shè)置有粘合層542的一部分的區(qū)域中設(shè)置有連接部547。在連接部547中，對(duì)與導(dǎo)電層543同一的導(dǎo)電膜進(jìn)行加工而得到的導(dǎo)電層與導(dǎo)電層537的一部分通過(guò)連接體548電連接。因此，可以通過(guò)連接體548將從FPC544輸入的信號(hào)或電位提供給導(dǎo)電層537。

導(dǎo)電層537與導(dǎo)電層543之間設(shè)置有結(jié)構(gòu)體536。結(jié)構(gòu)體536具有保持液晶元件524的單元間隙的功能。

導(dǎo)電層543優(yōu)選采用金屬氧化物、金屬氮化物或被低電阻化的氧化物半導(dǎo)體等的氧化物。當(dāng)采用氧化物半導(dǎo)體時(shí)，可以將氫、硼、磷、氮及其他雜質(zhì)的濃度以及氧缺陷量中的至少一個(gè)比晶體管所使用的半導(dǎo)體層高的材料用于導(dǎo)電層543。

注意，本實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)可以與其他實(shí)施方式所示的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)亟M合而使用。

實(shí)施例1

《合成例1》

在本實(shí)施例中，對(duì)由實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)式(100)表示的本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物的雙{9-乙基-3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶-κN3]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚-2-基-κC}(2，4-戊二酮根-κ²O，O’)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)])的合成方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下示出[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]的結(jié)構(gòu)。

<步驟1：3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊環(huán)-2-基)-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚的合成>

首先，將3-氯-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚2.01g、雙(戊酰)二硼3.02g、醋酸鉀1.52g、dry乙腈99mL倒入200mL的三口燒瓶中，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氮?dú)庵脫Q。

在減壓下對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行攪拌來(lái)進(jìn)行脫氣，然后倒入三環(huán)已基膦(0.6M甲苯溶液)(簡(jiǎn)稱(chēng)：P(C₆H₁₁)₃)1.4mL及三(二亞芐基丙酮)二鈀(0)(簡(jiǎn)稱(chēng)：Pd₂(dba)₃)0.37g，并以85℃攪拌12個(gè)小時(shí)。這里，加入P(C₆H₁₁)₃ 0.7mL、Pd₂(dba)₃ 0.19g以85℃攪拌7個(gè)小時(shí)，然后再加入P(C₆H₁₁)₃ 0.7mL、Pd₂(dba)₃ 0.19g以85℃攪拌7個(gè)小時(shí)。

然后對(duì)該溶液加水并以乙酸乙酯萃取有機(jī)層。將所得到的萃取液以飽和食鹽水洗滌并使用硫酸鎂進(jìn)行干燥。對(duì)干燥后的溶液進(jìn)行過(guò)濾。將該溶液的溶劑蒸餾而去除，然后將得到的殘余物利用以己烷：乙酸乙酯＝2：1(體積比)為展開(kāi)溶劑的硅膠柱層析法進(jìn)行提純，得到目的物(白色粉末，收率41％)。步驟1的合成方案如下面的(a-1)所示。

<步驟2：3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚的合成>

接著，將通過(guò)上述步驟1得到的3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊環(huán)-2-基)-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚1.82g、4-氯-6-(2-甲基丙基)嘧啶0.87g、1M醋酸鉀水溶液7.7mL、1M碳酸鈉水溶液7.7mL、乙腈16mL倒入安裝有回流管的100mL圓底燒瓶中，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氬置換。對(duì)該混合物加入四(三苯基膦)鈀(0)0.35g，并對(duì)該反應(yīng)容器照射1個(gè)小時(shí)的微波(2.45GHz 400W)來(lái)進(jìn)行加熱。然后，對(duì)析出的固體進(jìn)行抽濾，并用水、乙醇進(jìn)行洗滌。對(duì)得到的固體利用以二氯甲烷：乙酸乙酯＝2：1(體積比)為展開(kāi)溶劑的硅膠柱層析法進(jìn)行提純，得到目的物(白色粉末，收率91％)。步驟2的合成方案如下面的(a-2)所示。

<步驟3：9-乙基-3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚的合成>

接著，將通過(guò)上述步驟2得到的3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚1.71g及dryDMF50mL倒入100mL的三口燒瓶中，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氮?dú)庵脫Q。在此，加入氫化鈉(60％在礦物油中(in mineral oil))0.68g并在室溫下攪拌1個(gè)小時(shí)。然后，滴下0.96mL的碘乙烷并在室溫下攪拌20個(gè)半小時(shí)。將得到的反應(yīng)溶液倒入150mL的水中，并利用二氯甲烷萃取有機(jī)層。將所得到的萃取液以飽和食鹽水洗滌并使用硫酸鎂進(jìn)行干燥。對(duì)干燥后的溶液進(jìn)行過(guò)濾。將該溶液的溶劑蒸餾而去除，然后將得到的殘余物利用以己烷：乙酸乙酯＝5：1(體積比)為展開(kāi)溶劑的硅膠柱層析法進(jìn)行提純，得到目的物嘧啶衍生物HiBuidrpypm(簡(jiǎn)稱(chēng))(黃色油，收率86％)。步驟3的合成方案如下面的(a-3)所示。

<步驟4：二-μ-氯-四{9-乙基-3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶-κN3]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚-2-基-κC}二銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(iBuidrpypm)₂Cl]₂)的合成>

接著，將2-乙氧基乙醇15mL、水5mL以及通過(guò)上述步驟3得到的HiBuidrpypm(簡(jiǎn)稱(chēng))1.60g、氯化銥水合物(IrCl₃·nH₂O)(日本古屋金屬公司制造)0.69g倒入安裝有回流管的茄形燒瓶?jī)?nèi)，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氬置換。然后，以微波(2.45GHz 100W)照射1個(gè)小時(shí)使其發(fā)生反應(yīng)。蒸餾去除溶劑后利用甲醇對(duì)得到的殘余物進(jìn)行抽濾并進(jìn)行洗滌，由此得到雙核配合物[Ir(iBuidrpypm)₂Cl]₂(簡(jiǎn)稱(chēng))(黃褐色粉末，收率83％)。另外，利用微波合成裝置(CEM公司制造，Discover)進(jìn)行微波照射。另外，步驟4的合成方案如下面的(a-4)所示。

<步驟5：雙{9-乙基-3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶-κN3]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚-2-基-κC}(2，4-戊二酮根-κ²O，O’)銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)])的合成>

再者，將2-乙氧基乙醇20mL、通過(guò)上述步驟4得到的雙核配合物[Ir(iBuidrpypm)₂Cl]₂(簡(jiǎn)稱(chēng))1.28g、乙酰丙酮(簡(jiǎn)稱(chēng)：Hacac)0.22g、碳酸鈉0.77g倒入安裝有回流管的茄形燒瓶中，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氬置換。然后，照射60分鐘微波(2.45GHz，120W)來(lái)進(jìn)行加熱。在對(duì)得到的反應(yīng)溶液進(jìn)行抽濾之后，對(duì)濾液進(jìn)行濃縮，得到黃色固體。利用該固體再次進(jìn)行反應(yīng)。將上述黃色固體0.94g、Hacac0.16g、碳酸鈉0.56g、2-乙氧基乙醇20mL倒入安裝有回流管的茄形燒瓶中，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氬置換。然后，以微波(2.45GHz 120W)照射兩個(gè)小時(shí)來(lái)進(jìn)行加熱。這里，還加入了Hacac0.16g以微波(2.45GHz 120W)照射兩個(gè)小時(shí)來(lái)進(jìn)行加熱。對(duì)得到的反應(yīng)溶液進(jìn)行抽濾并利用二氯甲烷進(jìn)行洗滌。對(duì)濾液進(jìn)行濃縮并將得到的殘余物利用以二氯甲烷：乙酸乙酯＝10：1(體積比)為展開(kāi)溶劑的硅膠柱層析法進(jìn)行提純，然后利用二氯甲烷與甲醇的混合溶劑進(jìn)行再結(jié)晶，由此得到為本發(fā)明的有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)](簡(jiǎn)稱(chēng))的黃色粉末(收率19％)。利用梯度升華方法對(duì)所得到的0.27g的黃色粉末固體進(jìn)行升華提純。在升華純化中，在壓力為2.6Pa、氬氣體流量為5mL/min的條件下，以310℃對(duì)固體進(jìn)行加熱。進(jìn)行了升華提純后，以78％的收率得到目的物的黃色固體。步驟5的合成方案如下面的(a-5)所示。

另外，以下示出利用核磁共振波譜分析法(¹H-NMR)對(duì)通過(guò)上述步驟5得到的化合物的分析結(jié)果。另外，圖18示出¹H-NMR譜。由此可知，在本合成例中得到了上述結(jié)構(gòu)式(100)表示的本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]。

¹H-NMR.δ(CDCl₃)：1.11-1.16(m，18H)，1.87(s，6H)，2.35-2.40(m，2H)，2.85-2.95(m，4H)，3.97-4.03(m，2H)，4.06-4.12(m，2H)，5.32(s，1H)，7.11(t，2H)，7.19(d，2H)，7.31(t，2H)，7.63(s，2H)，7.87(d，2H)，8.28(s，2H)，9.15(s，2H)。

接著，測(cè)量[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]的二氯甲烷溶液的紫外-可見(jiàn)吸收光譜(下面，簡(jiǎn)單地稱(chēng)為“吸收光譜”)及發(fā)射光譜。當(dāng)測(cè)量吸收光譜時(shí)，使用紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(日本分光株式會(huì)社制造，V550型)，將二氯甲烷溶液(0.011mmol/L)放在石英皿，并在室溫下進(jìn)行測(cè)量。此外，當(dāng)測(cè)量發(fā)射光譜時(shí)，使用絕對(duì)PL量子產(chǎn)率測(cè)量裝置(日本濱松光子學(xué)株式會(huì)社制造，C11347-01)，在手套箱(日本Bright株式會(huì)社制造，LABstarM13(1250/780))中，在氮?dú)夥障聦⒍燃淄槊撗跞芤?0.011mmol/L)放在石英皿，密封，并在室溫下進(jìn)行測(cè)量。圖19示出所得到的吸收光譜及發(fā)射光譜的測(cè)量結(jié)果。橫軸表示波長(zhǎng)，而縱軸表示吸收強(qiáng)度及發(fā)光強(qiáng)度。此外，在圖19中表示兩個(gè)實(shí)線，細(xì)的實(shí)線表示吸收光譜，粗的實(shí)線表示發(fā)射光譜。圖19所示的吸收光譜表示從將二氯甲烷溶液(0.011mmol/L)放在石英皿而測(cè)量的吸收光譜減去只將二氯甲烷放在石英皿而測(cè)量的吸收光譜來(lái)得到的結(jié)果。

如圖19所示，有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]在516nm具有發(fā)光峰值，并從二氯甲烷溶液觀察到了綠色發(fā)光。

實(shí)施例2

《合成例2》

在本實(shí)施例中，對(duì)由實(shí)施方式1的結(jié)構(gòu)式(112)表示的本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物的三{9-乙基-3-[6-(2-甲基丙基)-4-嘧啶-κN3]-9H-吡啶并[2，3-b]吲哚-2-基-κC}銥(III)(簡(jiǎn)稱(chēng)：[Ir(iBuidrpypm)₃])的合成方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，以下示出[Ir(iBuidrpypm)₃]的結(jié)構(gòu)。

<[Ir(iBuidrpypm)₃]的合成>

首先，將雙核配合物[Ir(iBuidrpypm)₂Cl]₂(簡(jiǎn)稱(chēng))0.43g、碳酸鉀0.33g、HiBuidrpypm(簡(jiǎn)稱(chēng))0.39g、苯酚4g倒入安裝有回流管的200mL的三口燒瓶中，并對(duì)燒瓶?jī)?nèi)進(jìn)行了氮?dú)庵脫Q。然后，以195℃進(jìn)行了8個(gè)小時(shí)的加熱。然后，得到的殘余物在甲醇中照射超音波，對(duì)其進(jìn)行抽濾并利用水、甲醇進(jìn)行洗滌。在利用以二氯甲烷：乙酸乙酯＝1：2(體積比)為展開(kāi)溶劑的硅膠柱層析法對(duì)得到的固體進(jìn)行提純后，利用甲苯和己烷的混合溶劑進(jìn)行再結(jié)晶，由此得到本發(fā)明的有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₃](簡(jiǎn)稱(chēng))的黃色粉末(收率21％)。合成方案如下述(b-1)所示。

另外，以下示出利用上述得到的黃色粉末的核磁共振波譜分析法(¹H-NMR)得到的分析結(jié)果。另外，圖20示出¹H-NMR譜。由此可知，在本合成例中得到了上述結(jié)構(gòu)式(112)表示的有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₃]。

¹H-NMR.δ(CDCl₃)：0.82-0.85(m，9H)，0.89-0.95(m，18H)，2.12-2.18(m，3H)，2.65(d，6H)，3.68-3.75(m，3H)，3.88-3.94(m，3H)，7.16-7.20(m，6H)，7.34(t，3H)，7.66(s，3H)，8.00(d，3H)，8.49(s，6H)。

接著，測(cè)量[Ir(iBuidrpypm)₃]的二氯甲烷溶液的紫外-可見(jiàn)吸收光譜(下面，簡(jiǎn)單地稱(chēng)為“吸收光譜”)及發(fā)射光譜。當(dāng)測(cè)量吸收光譜時(shí)，使用紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(日本分光株式會(huì)社制造，V550型)，將二氯甲烷溶液(9.7μmol/L)放在石英皿，并在室溫下進(jìn)行測(cè)量。此外，當(dāng)測(cè)量發(fā)射光譜時(shí)，使用絕對(duì)PL量子產(chǎn)率測(cè)量裝置(日本濱松光子學(xué)株式會(huì)社制造，C11347-01)，在手套箱(日本Bright株式會(huì)社制造，LABstarM13(1250/780))中，在氮?dú)夥障聦⒍燃淄槊撗跞芤?9.7μmol/L)放在石英皿，密封，并在室溫下進(jìn)行測(cè)量。

圖21示出所得到的吸收光譜及發(fā)射光譜的測(cè)量結(jié)果。橫軸表示波長(zhǎng)，而縱軸表示吸收強(qiáng)度及發(fā)光強(qiáng)度。此外，在圖21中表示兩個(gè)實(shí)線，細(xì)的實(shí)線表示吸收光譜，粗的實(shí)線表示發(fā)射光譜。圖21所示的吸收光譜表示從將二氯甲烷溶液(9.7μmol/L)放在石英皿而測(cè)量的吸收光譜減去只將二氯甲烷放在石英皿而測(cè)量的吸收光譜來(lái)得到的結(jié)果。

如圖21所示，有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₃]在519nm具有發(fā)光峰值，并從二氯甲烷溶液觀察到了綠色發(fā)光。

實(shí)施例3

在本實(shí)施例中，分別制造了使用本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)](結(jié)構(gòu)式(100)的發(fā)光元件1及使用了[Ir(iBuidrpypm)₃](結(jié)構(gòu)式(112)的發(fā)光元件2。此外，關(guān)于發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的制造，參照?qǐng)D22進(jìn)行說(shuō)明。以下示出本實(shí)施例所使用的材料的化學(xué)式。

《發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的制造》

首先，在玻璃襯底900上通過(guò)濺射法形成包含氧化硅的銦錫氧化物(ITO)的膜，由此形成被用作陽(yáng)極的第一電極901。另外，將厚度設(shè)定為110nm，并且將電極面積設(shè)定為2mm×2mm。

接著，作為用來(lái)在襯底900上形成發(fā)光元件1的預(yù)處理，使用水對(duì)襯底表面進(jìn)行洗滌，并以200℃進(jìn)行1小時(shí)的焙燒，然后進(jìn)行370秒的UV臭氧處理。

然后，將襯底放入到其內(nèi)部被減壓到1×10^-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，并在真空蒸鍍裝置內(nèi)的加熱室中，以170℃進(jìn)行30分鐘的真空焙燒，然后對(duì)襯底900進(jìn)行30分鐘左右的冷卻。

接著，以使形成有第一電極901的面朝下的方式將襯底900固定到設(shè)置于真空蒸鍍裝置內(nèi)的支架。在本實(shí)施例中，說(shuō)明通過(guò)真空蒸鍍法依次形成構(gòu)成EL層902的空穴注入層911、空穴傳輸層912、發(fā)光層913、電子傳輸層914及電子注入層915的情況。

在將真空蒸鍍裝置的內(nèi)部減壓到1×10^-4Pa之后，通過(guò)將1，3，5-三(二苯并噻吩-4-基)苯(簡(jiǎn)稱(chēng)：DBT3P-II)及氧化鉬以DBT3P-II：氧化鉬＝4：2(質(zhì)量比)的比例共蒸鍍，從而在第一電極901上形成空穴注入層911。將其厚度設(shè)定為60nm。注意，共蒸鍍是指使多個(gè)不同的物質(zhì)分別從不同的蒸發(fā)源同時(shí)蒸發(fā)的蒸鍍法。

接著，以厚度為20nm的方式蒸鍍9-苯基-9H-3-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)咔唑(簡(jiǎn)稱(chēng)：PCCP)來(lái)形成空穴傳輸層912。

接著，在空穴傳輸層912上形成發(fā)光層913。

作為發(fā)光元件1，以9，9’-(嘧啶-4，6-二基二-3，1-亞苯)雙(9H-咔唑)(簡(jiǎn)稱(chēng)：4，6mCzP2Pm)、PCCP、[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]的比例為4，6mCzP2Pm：PCCP：[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]＝0.7：0.3：0.05(質(zhì)量比)的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，以膜厚為40nm的方式形成發(fā)光層913。

作為發(fā)光元件2，以4，6mCzP2Pm、PCCP、[Ir(iBuidrpypm)₃]的比例為4，6mCzP2Pm：PCCP：[Ir(iBuidrpypm)₃]＝0.7：0.3：0.05(質(zhì)量比)的方式進(jìn)行共蒸鍍。另外，以膜厚為40nm的方式形成發(fā)光層913。

接著，在發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的發(fā)光層913上蒸鍍20nm厚的4，6mCzP2Pm，然后蒸鍍10nm的Bphen來(lái)形成電子傳輸層914。

并且，在電子傳輸層914上以厚度為1nm的方式蒸鍍氟化鋰來(lái)形成電子注入層915。

最后，在電子注入層915上以厚度為200nm的方式蒸鍍鋁來(lái)形成被用作陰極的第二電極903，以得到發(fā)光元件1及發(fā)光元件2。注意，在上述蒸鍍過(guò)程中，蒸鍍都利用電阻加熱法進(jìn)行。

表1示出通過(guò)上述步驟得到的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的元件結(jié)構(gòu)。

[表1]

*4,6mCzP2Pm:PCCP:[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)](0.7:0.3:0.05 40nm)

**4,6mCzP2Pm:PCCP:[Ir(iBuidrpypm)₃](0.7:0.3:0.05 40nm)

此外，以使發(fā)光元件不暴露于大氣的方式在氮?dú)夥盏氖痔紫渲忻芊馑圃斓陌l(fā)光元件1及發(fā)光元件2(將密封劑涂敷于元件的周?chē)?，并且在密封時(shí)進(jìn)行UV處理并以80℃進(jìn)行1小時(shí)的熱處理)。

《發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的工作特性》

對(duì)所制造的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的工作特性進(jìn)行測(cè)量。另外，在室溫(保持為25℃的氣氛)下進(jìn)行測(cè)量。

圖23、圖24、圖25和圖26分別示出發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的電流密度-亮度特性、電壓-亮度特性、亮度-電流效率特性和電壓-電流特性。

此外，下面的表2示出1000cd/m²附近的發(fā)光元件1及發(fā)光元件2的主要初始特性值。

[表2]

此外，圖27示出以25mA/cm²的電流密度使電流流過(guò)發(fā)光元件1及發(fā)光元件2時(shí)的發(fā)射光譜。如圖27所示那樣，發(fā)光元件1的發(fā)射光譜及發(fā)光元件2的發(fā)射光譜都在520nm附近具有峰值，可知該峰值來(lái)源于本發(fā)明的一個(gè)方式的有機(jī)金屬配合物[Ir(iBuidrpypm)₂(acac)]及[Ir(iBuidrpypm)₃]的綠色發(fā)光。

符號(hào)說(shuō)明

101 第一電極

102 EL層

103 第二電極

111 空穴注入層

112 空穴傳輸層

113 發(fā)光層

114 電子傳輸層

115 電子注入層

201 第一電極

202 (1)第一EL層

202 (2)第二EL層

202 (n-1)第(n-1)EL層

202 (n)第(n)EL層

204 第二電極

205 電荷產(chǎn)生層

205 (1)第一電荷產(chǎn)生層

205 (2)第二電荷產(chǎn)生層

205 (n-2)第(n-2)電荷產(chǎn)生層

205 (n-1)第(n-1)電荷產(chǎn)生層

301 元件襯底

302 像素部

303 驅(qū)動(dòng)電路部(源極線驅(qū)動(dòng)電路)

304a、304b 驅(qū)動(dòng)電路部(柵極線驅(qū)動(dòng)電路)

305 密封劑

306 密封襯底

307 布線

308 FPC(柔性印刷電路)

309 FET

310 FET

312 電流控制用FET

313a、313b 第一電極(陽(yáng)極)

314 絕緣物

315 EL層

316 第二電極(陰極)

317a、317b 發(fā)光元件

318 空間

320a、320b 導(dǎo)電膜

321、322 區(qū)域

323 引線

324 有色層(濾色片)

325 黑色層(黑矩陣)

326、327、328 FET

401 襯底

402 第一電極

403a、403b、403c EL層

404 第二電極

405 發(fā)光元件

406 絕緣膜

407 分隔壁

900 襯底

901 第一電極

902 EL層

903 第二電極

911 空穴注入層

912 空穴傳輸層

913 發(fā)光層

914 電子傳輸層

915 電子注入層

2000 觸摸屏

2000’ 觸摸屏

2501 顯示面板

2502R 像素

2502t 晶體管

2503c 電容器

2503g 掃描線驅(qū)動(dòng)電路

2503t 晶體管

2509 FPC

2510 襯底

2511 布線

2519 端子

2521 絕緣層

2528 絕緣體

2550R 發(fā)光元件

2560 密封層

2567BM 遮光層

2567p 防反射層

2567R 著色層

2570 襯底

2590 襯底

2591 電極

2592 電極

2593 絕緣層

2594 布線

2595 觸摸傳感器

2597 粘合層

2598 布線

2599 端子

2601 脈沖電壓輸出電路

2602 電流檢測(cè)電路

2603 電容器

2611 晶體管

2612 晶體管

2613 晶體管

2621 電極

2622 電極

4000 照明裝置

4001 襯底

4002 發(fā)光元件

4003 襯底

4004 電極

4005 EL層

4006 電極

4007 電極

4008 電極

4009 輔助布線

4010 絕緣層

4011 密封襯底

4012 密封劑

4013 干燥劑

4015 擴(kuò)散板

4100 照明裝置

4200 照明裝置

4201 襯底

4202 發(fā)光元件

4204 電極

4205 EL層

4206 電極

4207 電極

4208 電極

4209 輔助布線

4210 絕緣層

4211 密封襯底

4212 密封劑

4213 阻擋膜

4214 平坦化膜

4215 擴(kuò)散板

4300 照明裝置

5101 燈

5102 輪轂

5103 車(chē)門(mén)

5104 顯示部

5105 方向盤(pán)

5106 變速桿

5107 座位

5108 后視鏡

7100 電視裝置

7101 框體

7103 顯示部

7105 支架

7107 顯示部

7109 操作鍵

7110 遙控操作機(jī)

7201 主體

7202 框體

7203 顯示部

7204 鍵盤(pán)

7205 外部連接端口

7206 指向裝置

7302 框體

7304 顯示部

7305 表示時(shí)間的圖標(biāo)

7306 其他圖標(biāo)

7311 操作按鈕

7312 操作按鈕

7313 連接端子

7321 表帶

7322 表帶扣

7400 移動(dòng)電話機(jī)

7401 框體

7402 顯示部

7403 操作按鈕

7404 外部連接部

7405 揚(yáng)聲器

7406 麥克風(fēng)

7407 照相機(jī)

7500(1)、7500(2) 框體

7501(1)、7501(2) 第一面

7502(1)、7502(2) 第二面

8001 照明裝置

8002 照明裝置

8003 照明裝置

9310 便攜式信息終端

9311 顯示部

9312 顯示區(qū)域

9313 鉸鏈部

9315 框體