亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

含砜基的化合物、采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

文檔序號(hào):3592613閱讀:893來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:含砜基的化合物、采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域,特別涉及一種含砜基的化合物、采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光(OLED )器件是一種自發(fā)光器件,具有電壓低,視角寬、響應(yīng)速度快、溫度適應(yīng)性好等優(yōu)勢(shì),是新一代的顯示技術(shù),目前少數(shù)某些廠家已量產(chǎn)出OLED面板,而更多一些公司也進(jìn)入研發(fā)和量產(chǎn)階段。有機(jī)電致發(fā)光器件的原理,在電場(chǎng)作用下,空穴和電子分別從陽(yáng)極和陰極注入,分別通過(guò)空穴注入層、空穴傳輸層和電子注入層、電子傳輸層,在發(fā)光層復(fù)合形成激子,激子福射衰減發(fā)光。提高有機(jī)電致發(fā)光器件效率和壽命的關(guān)鍵之一便是器件發(fā)光層中空穴載流子和電子載流子濃度平衡,但是目前現(xiàn)有的電子傳輸材料的電子遷移率約為10 5cm2v 1S:-10 6Cm2V 1S \而空穴傳輸材料的空穴遷移率約為10 2cm2v 1S:-10 3cm2v 1S S兩種功能層材料的遷移率相差約1000倍,使得實(shí)際制備出來(lái)的器件發(fā)光層中的空穴載流子和電子載流子濃度不平衡,復(fù)合區(qū)域偏向陰極且多余的空穴載流子在發(fā)光層中還會(huì)淬滅激子,使得器件效率降低,嚴(yán)重制約有機(jī)電致發(fā)光器件的效率和壽命。為了能得到高效率和長(zhǎng)壽命的器件,電子傳輸層材料必須滿足以下要求:具有較高的電子遷移率,具有較高的電子親和勢(shì),具有較強(qiáng)的電子接受能力,易于傳輸電子。提高有機(jī)電致發(fā)光器 件效率和壽命的另一關(guān)鍵點(diǎn)便是空穴載流子和電子載流子能在整個(gè)發(fā)光層區(qū)域復(fù)合,這就需要電致發(fā)光磷光主體材料是雙極性材料,既有良好的空穴遷移率,又有良好的電子遷移率。目前現(xiàn)有的大部分電致發(fā)光磷光主體材料并不是雙極性材料,空穴遷移率和電子遷移率差別很大,使得實(shí)際制備出來(lái)的器件發(fā)光層中的載流子復(fù)合區(qū)域偏向一極,并沒(méi)有在整個(gè)發(fā)光層區(qū)域中復(fù)合,且發(fā)光層中多余的載流子還會(huì)淬滅激子,使得器件效率降低,嚴(yán)重制約有機(jī)電致發(fā)光器件的效率和壽命。硫氧芴是一種新型的缺電子單元,可看作是芴單元的衍生物,相當(dāng)于芴的C-9位被砜基(-SO2)取代。砜基是一個(gè)吸電子基團(tuán),因此,硫氧芴具有較高的電子親和勢(shì),能帶隙約為2.8eV,有利于電子的注入和傳輸。S原子處于最高的化合價(jià)狀態(tài),具有較強(qiáng)的抗氧化能力,硫氧芴還具有很強(qiáng)的熱穩(wěn)定性。這些優(yōu)點(diǎn)使得硫氧芴成為一個(gè)很有利用價(jià)值的電子傳輸材料。星形分子結(jié)構(gòu)的化合物由于具有特殊的結(jié)構(gòu)而具有分子量大,空間位阻大,玻璃化溫度高,分子結(jié)晶性能差,易于形成穩(wěn)定的無(wú)定形態(tài)膜層等特性,目前已公開(kāi)的利用橋聯(lián)單元形成的星形化合物有:
權(quán)利要求
1.一種含砜基的化合物,其特征在于,其結(jié)構(gòu)式如下:
2.如權(quán)利要求1所述的含砜基的化合物,其特征在于,所述能連接三個(gè)以上硫氧芴的基團(tuán)為
3.如權(quán)利要求1所述的含砜基的化合物,其特征在于,所述烷基鏈為枝化烷基鏈或直鏈。
4.如權(quán)利要求3所述的含砜基的化合物,其特征在于,所述枝化烷基鏈為
5.如權(quán)利要求1所述的含砜基的化合物,其特征在于,所述芳香環(huán)基團(tuán)為
6.如權(quán)利要求1所述的含砜基的化合物,其特征在于,所述雜環(huán)基團(tuán)為
7.一種采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括:透光基板、設(shè)于透光基板上的陽(yáng)極、設(shè)于陽(yáng)極上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層及設(shè)于電子傳輸層上的陰極;所述電子傳輸層與發(fā)光層至少一種包含含砜基的化合物;所述含砜基的化合物結(jié)構(gòu)式如下:
8.如權(quán)利要求7所述的采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,當(dāng)所述發(fā)光層中包含含砜基的化合物,該含砜基的化合物作為單一發(fā)光層主體材料、或作為發(fā)光層主體材料中的一種成分,當(dāng)含砜基的化合物作為發(fā)光層主體材料中的一種成分時(shí),其含量占發(fā)光層主體材料總重量的1%_99% ; 當(dāng)所述電子傳輸層中包含含砜基的化合物,電子傳輸層為I層或2層以上,電子傳輸層中任意一層均包含含砜基的化合物,所述含砜基的化合物作為單一電子傳輸層材料、或作為電子傳輸層材料中的一種成分,當(dāng)含砜基的化合物作為電子傳輸層材料中的一種成分時(shí),其含量為電子傳輸層材料總重量的1%_99%。
9.一種如權(quán)利要求7所述的采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟I,提供透光基板; 步驟2 ,在透光基板上形成陽(yáng)極; 步驟3,在所述陽(yáng)極上形成一層或多層空穴傳輸層; 步驟4,在所述空穴傳輸層上形成一層或多層發(fā)光層; 步驟5,在所述發(fā)光層上形成一層或多層電子傳輸層; 步驟6,在所述電子傳輸層上形成陰極; 其中,所述發(fā)光層與電子傳輸層中至少一種包含含砜基的化合物。
10.如權(quán)利要求9所述的采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述步驟4包括,將含砜基的化合物通過(guò)真空蒸鍍沉積在所述空穴傳輸層上,含砜基的化合物作為單一發(fā)光層主體材料、或作為發(fā)光層主體材料中的一種成分,當(dāng)含砜基的化合物作為發(fā)光層主體材料中的一種成分時(shí),其含量為發(fā)光層主體材料總重量的1%_99%。
11.如權(quán)利要求9所述的采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,所述步驟5包括,將含砜基的化合物作為電子傳輸層材料,通過(guò)真空蒸鍍沉積在所述發(fā)光層上,所述含砜基的化合物作為單一電子傳輸層材料、或作為電子傳輸層材料中的一種成分,當(dāng)含砜基的化合物作為電子傳輸層材料中的一種成分時(shí),其含量為電子傳輸層材料總重量的1 %_99%。
全文摘要
本發(fā)明提供一種含砜基的化合物、采用含砜基的化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法,該含砜基的化合物結(jié)構(gòu)式如下上式中,R為一種能連接三個(gè)以上硫氧芴的基團(tuán);R1、R2、R3為烷基鏈、芳香環(huán)基團(tuán)、或雜環(huán)基團(tuán)。本發(fā)明含砜基的化合物利用橋聯(lián)單元把3個(gè)以上硫氧芴單元結(jié)合在一起,形成一種新的含砜基的星形分子結(jié)構(gòu)的化合物,既結(jié)合硫氧芴的電子親和性能和電子傳輸性能,也結(jié)合星形分子的空間特性,且橋聯(lián)單元還能進(jìn)一步提供空穴傳輸能力或電子傳輸能力,使其用于有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層或者電子傳輸層中,可有效提高有機(jī)電致發(fā)光器件的效率和壽命。
文檔編號(hào)C07D409/14GK103193760SQ20131016300
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2013年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月6日
發(fā)明者鄒清華 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1