單晶爐投料裝置的制造方法
【技術(shù)領域】
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[0001]本實用新型屬于硅單晶制造技術(shù)領域，具體地說涉及一種單晶爐投料裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于原有的復投裝置生產(chǎn)效率低，一次投料量有限，需要進行多次投料，在復投前一般做法是將原料砸碎進行篩選原料粒徑較小的原料，由于砸料后粉塵會附著在篩選好的原料上，所以需要對原料進行除塵或清洗處理，清洗過程中需要使用大量純水及酸液，原料在清洗過程中會對環(huán)境造成嚴重污染，同時會由于酸的腐蝕造成原料損失，增加加工成本。另外，現(xiàn)有復投裝置大多采用內(nèi)提升方式進行投料，內(nèi)提升方式容易卡料，且漏料處開度小，要求原料粒徑小，砸料所產(chǎn)生的粉末和碎料較多增加了生產(chǎn)成本；復投后碎料及粉塵在復投過程中會附著在導流筒、隔離閥室、副室、水冷套等位置使產(chǎn)品成品率低，砸碎過程更加污染了原料，導致產(chǎn)品品質(zhì)的不良增加。綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)存在缺點有:⑴現(xiàn)有復投裝置采用內(nèi)提升，內(nèi)提升方式容易卡料，且漏料處開度小，要求原料粒徑小，砸料后沫子料產(chǎn)生比例高；(2)物料浪費增加，使加工成本升高；⑶原料存在沾污，對成品率及品質(zhì)有影響^4)耗費人力較大，作業(yè)效率低。
【實用新型內(nèi)容】:
[0003]本實用新型的目的在于提供一種有能夠效避免卡料現(xiàn)象的發(fā)生、增大漏料處開合度的單晶爐投料裝置。
[0004]本實用新型由如下技術(shù)方案實施:單晶爐投料裝置，其包括料筒、支撐法蘭、控制桿、提升架，在所述料筒頂部設有所述支撐法蘭，在所述支撐法蘭中部設有投料口 ；在所述料筒底部鉸接有兩個對合的半圓形底板；在兩個所述半圓形底板對合邊兩側(cè)上方的所述料筒外壁上分別設有一個導向套，在每個所述導向套內(nèi)部分別上下滑動設有一根所述控制桿；所述控制桿頂端穿過所述支撐法蘭，并延伸至所述支撐法蘭上方；在兩根所述控制桿頂端固定連接設有所述提升架；每個所述半圓形底板對合邊兩端分別通過連桿與相鄰的所述控制桿底端鉸接。
[0005]本實用新型的優(yōu)點:結(jié)構(gòu)簡單，設計合理，采用外提升的方式進行投料，有效避免了卡料現(xiàn)象的發(fā)生；增大漏料處開合度，進而使該投料裝置適用于不同粒徑的原料，減少復投硅原料砸料和砸料所產(chǎn)生的沫子料，進而減少砸料所產(chǎn)生的物料浪費，減少復投硅原料上附著的硅粉塵、節(jié)省純水及酸液，降低生產(chǎn)成本，避免污染環(huán)境，提高作業(yè)效率。
【附圖說明】
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[0006]圖1為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]圖2為圖1的左視圖。
[0008]料筒1、支撐法蘭2、控制桿3、提升架4、投料口 5、半圓形底板6、導向套7、連桿8?！揪唧w實施方式】:
[0009]如圖1和圖2所示，單晶爐投料裝置，其包括料筒1、支撐法蘭2、控制桿3、提升架4，在料筒I頂部設有支撐法蘭2，在支撐法蘭2中部設有投料口 5，由投料口 5向料筒I內(nèi)部加入原料；在料筒I底部鉸接有兩個對合的半圓形底板6 ;在兩個半圓形底板對合邊兩側(cè)上方的料筒I外壁上分別設有一個導向套7，在每個導向套7內(nèi)部分別上下滑動設有一根控制桿3 ;控制桿3頂端穿過支撐法蘭2，并延伸至支撐法蘭2上方；在兩根控制桿3頂端固定連接設有提升架4，通過提升架4可以使得兩根控制桿3分別在對應的導向套7內(nèi)部上下滑動；每個半圓形底板6對合邊兩端分別通過連桿8與相鄰的控制桿3底端鉸接，上下滑動的控制桿3可以通過連桿8控制兩個半圓形底板6的開合。
[0010]工作說明:將該投料裝置的提升架4與單晶爐的提升機構(gòu)連接，通過提升機構(gòu)控制提升架4的升降，進而將該投料裝置下降到預設在單晶爐中的擋環(huán)位置，使得該投料裝置通過支撐法蘭2固定設置在單晶爐中；通過提升機構(gòu)控制提升架4升起，使得兩個半圓形底板6處于閉合狀態(tài)，由投料口 5向料筒I內(nèi)部加入原料；通過提升機構(gòu)控制提升架4降下，使得兩個半圓形底板6處于打開狀態(tài)，進行投料。
【主權(quán)項】
1.單晶爐投料裝置，其特征在于，其包括料筒、支撐法蘭、控制桿、提升架，在所述料筒頂部設有所述支撐法蘭，在所述支撐法蘭中部設有投料口 ；在所述料筒底部鉸接有兩個對合的半圓形底板；在兩個所述半圓形底板對合邊兩側(cè)上方的所述料筒外壁上分別設有一個導向套，在每個所述導向套內(nèi)部分別上下滑動設有一根所述控制桿；所述控制桿頂端穿過所述支撐法蘭，并延伸至所述支撐法蘭上方；在兩根所述控制桿頂端固定連接設有所述提升架；每個所述半圓形底板對合邊兩端分別通過連桿與相鄰的所述控制桿底端鉸接。
【專利摘要】本實用新型公開了一種單晶爐投料裝置，其包括料筒、支撐法蘭、控制桿、提升架，在料筒頂部設有支撐法蘭，在支撐法蘭中部設有投料口；在料筒底部鉸接有兩個對合的半圓形底板；在兩個半圓形底板對合邊兩側(cè)上方的料筒外壁上分別設有一個導向套，在每個導向套內(nèi)部分別上下滑動設有一根控制桿。優(yōu)點：結(jié)構(gòu)簡單，設計合理，采用外提升的方式進行投料，有效避免了卡料現(xiàn)象的發(fā)生；增大漏料處開合度，進而使該投料裝置適用于不同粒徑的原料，減少復投硅原料砸料和砸料所產(chǎn)生的沫子料，進而減少砸料所產(chǎn)生的物料浪費，減少復投硅原料上附著的硅粉塵、節(jié)省純水及酸液，降低生產(chǎn)成本，避免污染環(huán)境，提高作業(yè)效率。
【IPC分類】C30B35/00, C30B29/06
【公開號】CN204849122
【申請?zhí)枴緾N201520509121
【發(fā)明人】張二毛, 王巖, 谷守偉, 王永清, 賈海洋, 王軍磊, 王建平
【申請人】內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月14日