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單晶爐熱場導流筒的制作方法

文檔序號:12183655閱讀:1520來源:國知局
單晶爐熱場導流筒的制作方法與工藝

本實用新型屬于單晶爐技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種單晶爐熱場導流筒。



背景技術(shù):

目前,單晶爐使用的導流筒分為內(nèi)外兩層,導流筒的壁較厚,安裝錐形水冷套后會影響伊爾根采集信號,導致無法正常拉晶,影響單晶硅的生長效果。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種單晶爐熱場導流筒,能夠避開伊爾根采集區(qū),使籽晶正常拉晶,保證單晶硅的質(zhì)量。

為解決上述技術(shù)問題,本實用新型所采取的技術(shù)方案是:一種單晶爐熱場導流筒,包括導流筒和錐形水冷套,導流筒內(nèi)壁下端設有環(huán)形臺階,環(huán)形臺階的環(huán)面將導流筒分為上下兩部分,上部分為薄壁段,下部分為厚壁段,錐形水冷套置于導流筒的薄壁段,其外圓錐面與薄壁段的圓錐形內(nèi)壁間隙配合,錐形水冷套的下端面與環(huán)形臺階的環(huán)面之間留有間隙,錐形水冷套的內(nèi)圓錐面與導流筒的厚壁段的圓錐形內(nèi)壁處于同一圓錐面上,錐形水冷套的上沿低于導流筒的上沿,導流筒采用固化氈制作而成。

進一步的技術(shù)方案,錐形水冷套的壁厚大于導流筒的薄壁段的壁厚。

進一步的技術(shù)方案,導流筒的薄壁段的高度大于其厚壁段的高度。

進一步的技術(shù)方案,錐形水冷套為不銹鋼材質(zhì)。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本實用新型將導流筒分為上下兩段,上段壁厚變薄,也即導流筒的外徑不變,內(nèi)徑擴大,同時擴大錐形水冷套的內(nèi)外徑,這樣避開伊爾根采集區(qū),使籽晶正常拉晶,保證單晶硅的質(zhì)量。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是本實用新型中錐形水冷套連接部位的示意圖;

圖中:1、導流筒;2、錐形水冷套;3、水冷套法蘭;4、環(huán)形臺階;5、薄壁段;6、厚壁段;7、水管。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

本實用新型提供一種如圖1所示的單晶爐熱場導流筒,包括導流筒1和錐形水冷套2,導流筒1內(nèi)下端設有環(huán)形臺階4,環(huán)形臺階4的環(huán)面將導流筒1分為上下兩部分,上部分為薄壁段5,下部分為厚壁段6,錐形水冷套2置于導流筒1的薄壁段5,其外圓錐面與薄壁段5的圓錐形內(nèi)壁間隙配合,錐形水冷套2的下端面與環(huán)形臺階4的環(huán)面之間留有間隙,錐形水冷套2的內(nèi)圓錐面與導流筒1的厚壁段6的圓錐形內(nèi)壁處于同一圓錐面上,錐形水冷套2的上沿低于導流筒1的上沿,本實施例中,兩沿之間的距離為55mm;導流筒1采用固化氈制作而成,也即為碳碳固化材質(zhì)。

本實用新型將導流筒分為上下兩段,上段壁厚變薄,也即導流筒的外徑不變,內(nèi)徑擴大,同時與其配合的錐形水冷套的內(nèi)外徑均擴大,這樣就避開了伊爾根采集區(qū),使籽晶正常拉晶,保證單晶硅的質(zhì)量。

本實用新型中錐形水冷套2外圓錐面與薄壁段5的圓錐形內(nèi)壁間隙配合,是為了方便把錐形水冷套2取出或放入,也避免對導流筒1的內(nèi)壁造成摩擦損壞,該間隙可以為5mm,該數(shù)據(jù)也可大可小。

本實用新型中錐形水冷套2的壁厚為26.8mm,薄壁段5的壁厚為15.9mm,錐形水冷套2的壁厚大于導流筒1的薄壁段5的壁厚。

本實施例中,錐形水冷套2的下端面與環(huán)形臺階4的環(huán)面之間的間隙為10.5mm,當然在應用中不僅局限于該數(shù)值,錐形水冷套2的下端面與環(huán)形臺階4的環(huán)面之間留間隙是避免錐形水冷套2碰撞到導流筒1,也即避免導流筒1損壞,該間隙預留不碰到環(huán)形臺階4的環(huán)面即可,當然也可以大于本實施例列舉的數(shù)據(jù)。

其中,導流筒1的薄壁段5的高度為235.5mm,大于其厚壁段6的高度107mm。

其中,錐形水冷套2為不銹鋼材質(zhì)。

圖2給出了錐形水冷套2安裝連接部位的示意圖,可以看出,在錐形水冷套2的上沿設有水冷套法蘭3,錐形水冷套2和水冷套法蘭3焊接在一起,水冷套法蘭3支撐在單晶爐不銹鋼爐筒上,錐形水冷套2懸吊在導流筒1內(nèi),水管7連通到錐形水冷套2的上沿,導流筒1坐落在單晶爐整體熱場的頂端。導流筒減少了爐體上部氬氣流動渦胞,進而減少了加熱器向上部的熱損失,而本實用新型所提供的導流筒是經(jīng)過改進的導流筒,導流筒的上半部分壁厚減薄,其內(nèi)的錐形水冷套的內(nèi)徑相應的增大,從而避開了伊爾根采集區(qū),使籽晶正常拉晶,更利于保證單晶硅的質(zhì)量。

本實用新型中應用具體個例對本實用新型的實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型,應當指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可對本實用新型進行若干改進,這些改進也落入本實用新型權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。

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