本發(fā)明涉及石墨－銅復(fù)合電極材料和使用該材料的放電加工用電極。

背景技術(shù)：

目前，已使用銅、作為碳材料的石墨、鎢－銅、鎢－銀、石墨－銅等的材料等作為放電加工用電極材料。特別而言，在超硬合金等的高熔點(diǎn)的難切削材料的放電加工中，在這些材料中尤其使用了鎢－銅、鎢－銀、石墨－銅材料。

這些材料各自具有作為放電加工用材料的特征，但銅熔點(diǎn)低，不適于作為高熔點(diǎn)的超硬合金材料的放電加工用材料。關(guān)于鎢－銅和鎢－銀材料，其自身的熔點(diǎn)高，能夠以低消耗進(jìn)行作為高熔點(diǎn)的難切削材料的超硬合金材料等的放電加工。然而，對(duì)電極形狀的機(jī)械加工性不足，并且有材料費(fèi)和制造費(fèi)用比石墨系材料高很多這樣的課題。石墨單質(zhì)和石墨－銅材料比鎢－銅和鎢－銀材料廉價(jià)，機(jī)械加工性也優(yōu)異。然而，有電極消耗多這樣的課題。

其中，出于改善鎢－銅系電極的機(jī)械加工性的目的，公開了利用金屬熔浸法在鎢粉末中熔浸銅而制造放電電極的方法(下述專利文獻(xiàn)1)。然而，在該制造方法中，在其制法上，由于難以改變銅和鎢的比率，不能解決上述的由鎢－銅形成的材料的課題。

另外，公開了利用燒結(jié)法制造銅－鎢合金的方法(下述專利文獻(xiàn)2)。然而，在該制造方法中，電極尺寸大時(shí)，難以獲得組成均勻的材料，并且有添加用于改善成型性的助劑有時(shí)反而損害放電特性這樣的課題。

另一方面，作為利用石墨－銅材料時(shí)電極消耗變多的主要因素，考慮原因在于：在使用該材料作為電極的情況下，容易蓄熱，容易產(chǎn)生電弧。因此，作為對(duì)其進(jìn)行改善的方法，公開了將包含硅的鋁熔融含浸在石墨材料中的方法(下述專利文獻(xiàn)3)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平7－9264號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開平8－199280號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2004－209610號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的課題

然而，即使是上述專利文獻(xiàn)3所示的放電加工用電極材料，也有不能使電極消耗降低至實(shí)用水平這樣的課題。

因此，本發(fā)明的目的在于：提供一種能夠使電極消耗降低至實(shí)用水平的石墨－銅復(fù)合電極材料和使用該材料的放電加工用電極。

用于解決課題的方法

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的特征在于：其是在由石墨材料形成的基材的氣孔中含浸有銅的石墨－銅復(fù)合電極材料，電阻率為2.5μΩm以下。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，發(fā)揮能夠使電極消耗降低至實(shí)用水平這樣的優(yōu)異的效果。

附圖說明

圖1是表示材料A1～A7的基材的開氣孔率與銅含浸率的關(guān)系的圖表。

圖2是表示材料A1～A7的銅含浸率與電阻率的關(guān)系的圖表。

圖3是表示材料A1～A7的電阻率與電極消耗率的關(guān)系的圖表。

圖4是表示材料A1～A7的變量x與加工速度和電極消耗率的關(guān)系的圖表。

圖5是材料A1的光學(xué)顯微鏡的剖面照片。

圖6是表示材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的基材的開氣孔率與銅含浸率的關(guān)系的圖表。

圖7是表示材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的銅含浸率與電阻率的關(guān)系的圖表。

圖8是表示材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的電阻率與電極消耗率的關(guān)系的圖表。

圖9是表示材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的變量x與加工速度和電極消耗率的關(guān)系的圖表。

具體實(shí)施方式

對(duì)于比銅－鎢和銀－鎢材料廉價(jià)的石墨－銅材料，為了以實(shí)用水平解決上述的現(xiàn)有技術(shù)的問題點(diǎn)，獲得致密且輕量的、以實(shí)用且可以耐受的水平抑制電極消耗性的銅含浸石墨材料，本發(fā)明人精心研究的結(jié)果是，將銅含浸在均質(zhì)且具有適當(dāng)?shù)臍饪茁实淖鳛楦邷夭牧系氖牧现袝r(shí)，使電極的電阻率變成2.5μΩm以下(優(yōu)選為1.5μΩm以下，更優(yōu)選為1.0μΩm以下)，從而發(fā)現(xiàn)能夠顯著地降低電極消耗，直至完成本發(fā)明。

即，本發(fā)明的特征在于：其是在由石墨材料形成的基材的氣孔中含浸有銅的石墨－銅復(fù)合電極材料，電阻率為2.5μΩm以下。

在使用電阻率為2.5μΩm以下的石墨－銅復(fù)合電極材料的情況下，在超硬材料的放電加工中，降低石墨－銅復(fù)合電極的電極消耗率。另外，與使用鎢－銅或鎢－銀作為電極的情況相比，能夠容易地加工成電極形狀，并且能夠以低成本制作電極。

希望上述電阻率為1.5μΩm以下，特別而言，希望上述電阻率為1.0μΩm以下。

只要是這樣的結(jié)構(gòu)，就可以進(jìn)一步發(fā)揮上述作用效果。

希望由上述石墨材料形成的基材的各向異性比為1.2以下。

各向異性比為1.2以下的各向同性高的石墨材料(以下，有時(shí)稱為各向同性石墨材料)由于切割方向的特性差小，設(shè)計(jì)容易且易以使用，并且由于機(jī)械加工性優(yōu)異，精密的加工變得容易。若考慮到這一點(diǎn)，則更加優(yōu)選各向異性比為1.1以下。

另外，所謂各向異性比為1.2以下，是指石墨材料的在任意形成直角的方向上測(cè)定的電阻率的比的平均值為1.2以下。

另外，作為各向同性石墨材料，通常包含：在焦炭等的骨材中加入瀝青等粘合劑混煉后，實(shí)施冷等靜壓成型，經(jīng)過燒制、石墨化、根據(jù)需要的瀝青含浸、再燒制、樹脂含浸、高純度化等的工序，由實(shí)質(zhì)上只由碳形成的材料或者以碳為主要成分的材料形成，包含瀝青含浸品、樹脂含浸品等含浸品的所謂的石墨化品等的各向同性石墨材料。

希望由下述(1)式求出的電極材料中的銅的含浸率為13％以上。

在(1)式中，d_B為電極的容積密度，d_B，s為由石墨材料形成的基材的容積密度，ρ_Cu為銅的比重(ρ_Cu＝8.96Mg/m³)。

銅的含浸率變大時(shí)，電極電阻值就變低。另外，在電極電阻值與電極消耗率之間，存在電極電阻值變低時(shí)，電極消耗率也變低這樣的關(guān)系。因此，銅的含浸率為13％以上時(shí)，由于電極電阻值變低，電極消耗率就顯著地降低。若考慮到這一點(diǎn)，則進(jìn)一步希望電極材料中的銅的含浸率為15％以上。

由下述(2)式求出的變量x優(yōu)選為7.5以下，特別希望為6.5以下。

在(2)式中，d_B為電極的容積密度(Mg/m³)，為銅的含浸率(％)，ρ為電阻率(μΩm)，σ_B為彎曲強(qiáng)度(MPa)。

對(duì)于放電加工電極，要求低的電極消耗率且高的加工速度。雖然多數(shù)情況是通過相反的特性來體現(xiàn)各種要求品質(zhì)，但本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過將由特性值求出的變量x限定在較小的值，就可以發(fā)揮均衡性能。若考慮到這一點(diǎn)，則進(jìn)一步希望變量x的值為5.0以下。

希望由上述石墨材料形成的基材的容積密度為1.40Mg/m³以上1.85Mg/m³以下。

由石墨材料形成的基材的容積密度小于1.40Mg/m³時(shí)，有時(shí)基材強(qiáng)度會(huì)降低，另一方面，該容積密度超過1.85Mg/m³時(shí)，由于基材的開氣孔率變小，銅的含浸率就會(huì)降低。若考慮到這一點(diǎn)，則進(jìn)一步希望由石墨材料形成的基材的容積密度為1.60Mg/m³以上1.80Mg/m³以下。

希望由上述石墨材料形成的基材的開氣孔率為14體積％以上。

基材的開氣孔率小于14體積％時(shí)，由于難以含浸銅，有時(shí)電阻率的降低會(huì)不充分，電極消耗率會(huì)變高。

希望由上述石墨材料形成的基材的電阻率為8.9μΩm以上19.5μΩm以下。

基材的電阻率小于8.9μΩm時(shí)，由于石墨化的進(jìn)行程度高，石墨基材自身的強(qiáng)度降低，會(huì)產(chǎn)生放電加工時(shí)的電極消耗率變高的危險(xiǎn)。另一方面，基材的電阻率超過19.5μΩm時(shí)，石墨化的進(jìn)行程度低，石墨基材自身的強(qiáng)度變得過高，就會(huì)有難以利用切削等機(jī)械加工形成電極的危險(xiǎn)。

基材的電阻率更優(yōu)選為10.0μΩm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為11.0μΩm以上。

希望利用熱等靜壓法(HIP法)進(jìn)行上述銅的含浸。

只要是該方法，就可以對(duì)各向同性石墨材料基材的各面均等地施加壓力，因此能夠在銅的含浸中抑制各向同性石墨材料基材發(fā)生變形。

但是，銅的含浸不限定于熱等靜壓法，也可以是熔液鍛造法等。

放電加工用電極的特征在于：在利用放電加工對(duì)以碳化鎢為主要成分的超硬材料實(shí)施刻模加工時(shí)使用，由上述的石墨－銅復(fù)合電極材料形成。

(其它的事項(xiàng))

(1)在進(jìn)行利用HIP法的銅含浸時(shí)，在不損害特性的范圍內(nèi)，也可以加入改善石墨與銅的界面的潤(rùn)濕性的含浸助劑。作為這些助劑，可以例示鈦、鋯、鈧、釔、鑭、鉿和它們的化合物。但是，含浸助劑的種類不限定于這些。

在這種情況下，優(yōu)選含浸助劑的量為0.5～10重量％。小于0.5重量％時(shí)，有時(shí)潤(rùn)濕性的改善會(huì)不充分，超過10重量％時(shí)，有時(shí)含浸后的殘存銅合金與銅含浸石墨材料的分離會(huì)變得困難。

(2)關(guān)于銅含浸，例如使用耐壓容器，分別將銅合金加入碳制等的陶瓷容器(坩堝)中，將各向同性石墨材料加入碳制等的陶瓷容器(燒箱)中，將這些坩堝、燒箱裝入耐壓容器中，接著使容器內(nèi)上升至比含浸銅合金的熔點(diǎn)高的溫度，加壓含浸。壓力為數(shù)MPa至150MPa左右，含浸時(shí)間為1～60分鐘左右，優(yōu)選為30～60分鐘左右。

另外，作為本發(fā)明中使用的銅合金的組成，在對(duì)放電加工特性不產(chǎn)生影響的范圍，也可以含有不可避免的雜質(zhì)。

(3)放電加工用電極的銅含浸率高時(shí)，由于銅的導(dǎo)電性高，放電加工用電極的電阻率會(huì)變低，并且由于銅是高密度，放電加工用電極的容積密度會(huì)變高。因此，在降低放電加工用電極的電阻率時(shí)，必須某種程度地提高銅含浸率。若考慮到這一點(diǎn)，則希望放電加工用電極的容積密度的下限為2.5Mg/m³以上，特別希望為3.0Mg/m³以上。另外，放電加工用電極的銅含浸率高時(shí)，放電加工用電極的容積密度會(huì)變高，但容積密度變得過高時(shí)，會(huì)有對(duì)其它的特性產(chǎn)生不良影響的危險(xiǎn)。另外，在向石墨材料的氣孔含浸銅時(shí)存在限度。若考慮到這一點(diǎn)，則希望放電加工用電極的容積密度的上限為4.5Mg/m³以下，特別希望為4.0Mg/m³以下。

對(duì)于銅含浸率，也從與上述相同的理由出發(fā)，希望下限為12.5％以上，特別希望為15％以上，希望上限為35％以下，特別希望為30％以下。

通常，放電加工用電極的電阻率越低越好，但過于接近于零時(shí)，有時(shí)會(huì)對(duì)其它的特性產(chǎn)生不良影響，因此對(duì)于下限希望為0.01μΩm以上，特別希望為0.1μΩm以上。另外，對(duì)于彎曲強(qiáng)度，越高越能夠抑制放電時(shí)的電極損耗，優(yōu)選，因此希望為40MPa以上，特別希望為60MPa以上。但是，彎曲強(qiáng)度過高時(shí)，有時(shí)會(huì)對(duì)其它的特性產(chǎn)生影響，因此希望為220MPa以下，特別希望為200MPa以下。

實(shí)施例

以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)敘述，但本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。

(實(shí)施例1)

將致密質(zhì)地的各向同性石墨材料(東洋炭素株式會(huì)社制，容積密度1.66Mg/m³，開氣孔率23.8％，電阻率11.1μΩm，各向異性比1.02)收容在耐壓容器內(nèi)，在1070℃將熔融的銅在N₂氣體下以15MPa的壓力加壓含浸1小時(shí)，制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A1。

另外，以下，有時(shí)將加工上述銅含浸石墨材料而成的放電加工用電極稱為電極A1。這在下述實(shí)施例2～實(shí)施例9、比較例1、比較例2中也相同(例如，如果是實(shí)施例2的放電加工用電極，則成為電極A2)。

(實(shí)施例2)

除了使用容積密度1.66Mg/m³、開氣孔率23.5％、電阻率14.0μΩm、各向異性比1.03的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A2。

(實(shí)施例3)

除了使用容積密度1.79Mg/m³、開氣孔率16.7％、電阻率12.6μΩm、各向異性比1.05的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A3。

(實(shí)施例4)

除了使用容積密度1.77Mg/m³、開氣孔率16.7％、電阻率18.9μΩm、各向異性比1.06的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A4。

(實(shí)施例5)

除了使用容積密度1.78Mg/m³、開氣孔率15.2％、電阻率19.1μΩm、各向異性比1.03的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A5。

(實(shí)施例6)

除了使用容積密度1.81Mg/m³、開氣孔率14.2％、電阻率8.9μΩm、各向異性比1.03的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A6。

(實(shí)施例7)

除了使用容積密度1.80Mg/m³、開氣孔率14.8％、電阻率15.2μΩm、各向異性比1.06的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A7。

(實(shí)施例8)

除了使用容積密度1.78Mg/m³、開氣孔率15.0％、電阻率15.9μΩm、各向異性比1.05的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A8。

(實(shí)施例9)

除了使用容積密度1.78Mg/m³、開氣孔率16.1％、電阻率14.4μΩm、各向異性比1.04的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料A9。

(比較例1)

除了使用容積密度1.88Mg/m³、開氣孔率10.7％、電阻率8.7μΩm、各向異性比1.03的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料Z1。

(比較例2)

除了使用容積密度1.92Mg/m³、開氣孔率13.4％、電阻率20.0μΩm、各向異性比1.06的材料作為各向同性石墨材料以外，與上述實(shí)施例1同樣制作銅含浸石墨材料。

以下，將這樣制作的銅含浸石墨材料稱為材料Z2。

(實(shí)驗(yàn)1)

利用如下所述的方法調(diào)查上述材料(電極)A1～A7的電阻率、銅含浸率和電極消耗率(長(zhǎng)度電極消耗率)，將其結(jié)果表示在表1中。另外，將材料A1～A7的基材的開氣孔率與銅含浸率的關(guān)系表示在圖1中，將材料A1～A7的銅含浸率與電阻率的關(guān)系表示在圖2中，以及將材料A1～A7的電阻率與電極消耗率的關(guān)系表示在圖3中。

〔電阻率的測(cè)定〕

利用直流四端子法測(cè)定各材料的電阻率。

〔銅含浸率的計(jì)算〕

調(diào)查電極的容積密度(銅含浸后的容積密度)d_B和由石墨材料形成的基材的容積密度d_B，s，將這些值代入(1)式中，從而算出銅含浸率。另外，ρ_Cu為銅的比重(ρ_Cu＝8.96Mg/m³)。

〔電極消耗率的計(jì)算〕

使用由各材料形成的電極，在下述的條件下對(duì)超硬合金材料(富士模具株式會(huì)社制FUJILLOY D40)進(jìn)行放電加工，測(cè)定電極消耗長(zhǎng)度，將這些值代入下述(3)式中，算出電極消耗率。

·加工面積10×4mm²

·電極的支撐夾具的、向加工深度方向的行進(jìn)距離2mm

·使用機(jī)型：(株式會(huì)社)Sodick公司制AQ35L

·極性：正極性

·電流峰值：28(A)

·ON時(shí)間：5(μsec)

·OFF時(shí)間：10(μsec)

電極消耗率＝(電極消耗長(zhǎng)度〔mm〕/加工深度〔mm〕)×100···(3)

[表1]

從表1和圖1可以明顯地確認(rèn)，基材的開氣孔率越高，銅含浸率越高。另外，從表1和圖2可以明顯地確認(rèn)，銅含浸率越高，電阻率越低。另外，從表1和圖3可以明顯地確認(rèn)，電阻率越低，電極消耗率越低。

(實(shí)驗(yàn)2)

接著，在與上述實(shí)驗(yàn)1中〔電極消耗率的計(jì)算〕所示的條件相同的條件下，使用材料(電極)A1～A7，進(jìn)行上述的超硬合金材料的加工，測(cè)定各材料的加工速度。另外，所謂上述加工速度，是指對(duì)超硬合金材料加工1分鐘時(shí)的加工深度。

另外，作為材料(電極)A1～A7的銅含浸后的特性，除了上述實(shí)驗(yàn)1中所示的電阻率、銅含浸率以外，還調(diào)查了電極(銅含浸后)的容積密度和彎曲強(qiáng)度。然后，使用下述(2)式，由電極的容積密度、銅含浸率、電阻率和彎曲強(qiáng)度求出材料(電極)A1～A7的變量x。

在(2)式中，d_B為電極的容積密度(Mg/m³)，為銅的含浸率(％)，ρ為電阻率(μΩm)，σ_B為彎曲強(qiáng)度(MPa)。

關(guān)于上述彎曲強(qiáng)度，在室溫下使用instron型材料試驗(yàn)機(jī)，利用三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)方法測(cè)定。

另外，將各特性值表示在表2中，另外，將材料A1～A7的變量x與加工速度和電極消耗率的關(guān)系表示在圖4中。

[表2]

從表2和圖4明顯可知，對(duì)于材料(電極)A1～A7，由于變量x為7.5以下，在電極消耗率和加工速度兩個(gè)方面都發(fā)揮優(yōu)異的性能。

另外，將利用光學(xué)顯微鏡對(duì)材料A1進(jìn)行攝影而得到的剖面照片表示在圖5中。在圖5中，白色部分是銅，灰色部分是石墨，黑色部分是空隙。如圖5所示，可以判定銅均勻地含浸并存在于石墨中。

(實(shí)驗(yàn)3)

以與實(shí)驗(yàn)1相同的方法調(diào)查上述材料(電極)A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的電阻率、銅含浸率和電極消耗率(長(zhǎng)度電極消耗率)，將其結(jié)果表示在表3中。其中，只對(duì)放電加工的條件進(jìn)行了如下所述那樣地變更(其中，與實(shí)驗(yàn)1不同的是電流峰值、ON時(shí)間和OFF時(shí)間)。另外，將材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的基材的開氣孔率與銅含浸率的關(guān)系表示在圖6中，將材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的銅含浸率與電阻率的關(guān)系表示在圖7中，以及將材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的電阻率與電極消耗率的關(guān)系表示在圖8中。

·加工面積10×4mm²

·電極的支撐夾具的、向加工深度方向的行進(jìn)距離2mm

·使用機(jī)型：(株式會(huì)社)Sodick公司制AQ35L

·極性：正極性

·電流峰值：60(A)

·ON時(shí)間：30(μsec)

·OFF時(shí)間：100(μsec)

[表3]

從表3和圖6可以明顯地確認(rèn)，基材的開氣孔率越高，銅含浸率越高，在基材的開氣孔率比材料Z1、Z2高的材料A1～A5、A8、A9中，銅含浸率比材料Z1、Z2高。另外，從表3和圖7可以明顯地確認(rèn)，銅含浸率越高，電阻率越低，在銅含浸率比材料Z1、Z2高的材料A1～A5、A8、A9中，電阻率比材料Z1、Z2低。另外，從表3和圖8可以明顯地確認(rèn)，電阻率越低，電極消耗率越低，在電阻率比材料Z1、Z2低的材料A1～A5、A8、A9中，電極消耗率比材料Z1、Z2低。

(實(shí)驗(yàn)4)

接著，在與上述實(shí)驗(yàn)3中〔電極消耗率的計(jì)算〕所示的條件相同的條件下，使用材料(電極)A1～A5、A8、A9、Z1和Z2，進(jìn)行上述的超硬合金材料的加工，測(cè)定各材料的加工速度。另外，所謂上述加工速度，是指對(duì)超硬合金材料加工1分鐘時(shí)的加工深度。

另外，作為材料(電極)A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的銅含浸后的特性，除了上述實(shí)驗(yàn)3所示的電阻率、銅含浸率以外，還調(diào)查了電極(銅含浸后)的容積密度和彎曲強(qiáng)度。然后，使用下述(2)式，由電極的容積密度、銅含浸率、電阻率和彎曲強(qiáng)度求出材料(電極)A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的變量x。

在(2)式中，d_B為電極的容積密度(Mg/m³)，為銅的含浸率(％)，ρ為電阻率(μΩm)，σ_B為彎曲強(qiáng)度(MPa)。

關(guān)于上述彎曲強(qiáng)度，在室溫下使用instron型材料試驗(yàn)機(jī)，利用三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)方法測(cè)定。

另外，將各特性值表示在表4中，另外，將材料A1～A5、A8、A9、Z1和Z2的變量x與加工速度和電極消耗率的關(guān)系表示在圖9中。

[表4]

從表4和圖9明顯可知，對(duì)于材料(電極)A1～A5、A8、A9，由于變量x為6.5以下，在電極消耗率和加工速度兩個(gè)方面都發(fā)揮特別優(yōu)異的性能。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明可以用作利用放電加工實(shí)施刻模加工時(shí)的電極。