專利名稱：一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)金屬硅的方法，特別是涉及采用電阻爐生產(chǎn)金屬硅。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的冶煉金屬硅的爐型通常采用電弧爐(即礦熱爐)，在冶煉過程中，由于電弧爐中的電極一方面要導電，另一方面在產(chǎn)生電弧發(fā)熱，電極被弧光一層層剝落，致使電極消耗嚴重，加之電弧爐為“明火”作業(yè)，熱消耗大，造成電耗偏高。使用電弧爐時，會產(chǎn)生大量的煙氣，污染環(huán)境。在冶煉中需搗爐作業(yè)，增加了勞動強度。此外，電弧爐造價較高，增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有電弧爐生產(chǎn)金屬硅的不足之處，提供一種生產(chǎn)金屬硅的新的爐型—電阻爐，使生產(chǎn)金屬硅的成本降低，減少環(huán)境污染，并可減輕生產(chǎn)中的勞動強度。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣的。本發(fā)明依據(jù)金屬硅的生產(chǎn)原理，用化學方程式表達為，采用電阻爐生產(chǎn)金屬硅，其生產(chǎn)工藝為將石英裝入電阻爐內(nèi)，然后送電冶煉，經(jīng)停電后冷卻出爐，剝殼后進行手工挑選分級，產(chǎn)品入庫。本發(fā)明方法可在現(xiàn)有用于石墨化或生產(chǎn)碳化硅的電阻爐上進行石墨化或生產(chǎn)碳化硅的同時冶煉出金屬硅。
本發(fā)明具有如下顯著效果1、用電阻爐生產(chǎn)金屬硅，由于爐內(nèi)的反應區(qū)(高溫區(qū))被外層的保溫區(qū)包圍著，屬絕對的“暗火”作業(yè)，生產(chǎn)中可降低散熱損耗；2、電阻爐中的電極僅起導電作用，使用中電極不發(fā)熱，不存在損耗問題，從而提高了使用壽命；3、用電阻爐生產(chǎn)金屬硅，由于反應區(qū)爐料相對固定，沒有大的物料流動，因此，進入高溫區(qū)的有害雜質(zhì)相對較少，有利于提高產(chǎn)品質(zhì)量；4、電阻爐生產(chǎn)金屬硅時，反應區(qū)被外層保溫料包裹，反應過程產(chǎn)生的硅氣被爐料有效吸收，不會產(chǎn)生大量的硅煙氣，避免了環(huán)境污染；5、電阻爐生產(chǎn)金屬硅，作業(yè)環(huán)境較電弧爐大為改善，無需進行搗爐作業(yè)，降低了工人勞動強度；6、與電弧爐相比，電阻爐結(jié)構(gòu)簡單，投資少，現(xiàn)場易于管理，從而降低了生產(chǎn)成本。
附圖簡要說明

圖1為用于本發(fā)明的電阻爐爐體截面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為用于本發(fā)明的另一種電阻爐爐體截面結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖1所示電阻爐爐體截面各工作區(qū)的分布為1—電阻爐石墨爐芯2—金屬硅冶煉區(qū)3—反應區(qū)4—保溫區(qū)。金屬硅冶煉區(qū)2位于反應區(qū)3的下方。
如圖2所示金屬硅冶煉區(qū)2的位置可以安置在反應區(qū)的左側(cè)(也可以安置在右側(cè))。
具體實施例方式
本發(fā)明采用電阻爐生產(chǎn)金屬硅，其生產(chǎn)工藝為將石英裝入電阻爐內(nèi)，然后送電冶煉，經(jīng)停電冷卻后出爐，剝殼后進行手工挑選分級，產(chǎn)品入庫。
說明書附1為本發(fā)明電阻爐的截面結(jié)構(gòu)示意圖，電阻爐石墨爐芯1位于中心位置，包裹它的第二層為反應區(qū)3，金屬硅冶煉區(qū)2位于反應區(qū)3的下方，保溫區(qū)4包裹在最外層。
說明書附2是將金屬硅冶煉區(qū)2的位置進行了變化，它可以位于反應區(qū)3的左側(cè)，也可以位于反應區(qū)3的右側(cè)(未單獨給出附圖)。金屬硅冶煉區(qū)2也可以在反應區(qū)3的左右同時安置。
此外，金屬硅冶煉區(qū)2的位置，亦可安置在石墨爐芯1以外，保溫區(qū)4以內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法，其特征在于采用電阻爐生產(chǎn)金屬硅，其生產(chǎn)工藝為將石英裝入電阻爐內(nèi)，然后送電冶煉，經(jīng)停電冷卻后出爐，剝殼后進行手工挑選分級，產(chǎn)品入庫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法，其特征在于可在現(xiàn)有用于石墨化或生產(chǎn)碳化硅的電阻爐上進行石墨化或生產(chǎn)碳化硅的同時冶煉出金屬硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法，其特征在于該電阻爐的石墨爐芯1位于爐體中心位置，包裹它的第二層為反應區(qū)3，金屬硅冶煉區(qū)2位于反應區(qū)3的下方，保溫區(qū)4包裹在最外層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法，其特征在于金屬硅冶煉區(qū)2的位置可以安置在反應區(qū)3的左側(cè)或右側(cè)，或左右側(cè)同時安置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用電阻爐生產(chǎn)金屬硅的方法。其特征在于電阻爐金屬硅冶煉區(qū)2的位置亦可安置在石墨爐芯1以外，保溫區(qū)4以內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)金屬硅的方法，特別是涉及采用電阻爐生產(chǎn)金屬硅。該方法的生產(chǎn)工藝為將石英裝入電阻爐內(nèi)，然后送電冶煉，經(jīng)停電后冷卻出爐，剝殼后進行手工挑選分級，產(chǎn)品入庫。采用電阻爐生產(chǎn)金屬硅可降低散熱損耗、提高電極使用壽命、提高產(chǎn)品質(zhì)量，減少環(huán)境污染，降低工人作業(yè)強度，并可降低生產(chǎn)成本。
文檔編號C01B33/00GK1587039SQ200410071708
公開日2005年3月2日 申請日期2004年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月16日
發(fā)明者蘇占忠, 羅占學 申請人:蘇占忠