br>[0027]6清洗晶片:在對(duì)精拋后的晶片進(jìn)行清洗時(shí)，動(dòng)作一定要迅速，以防止表面沾有拋光液的晶片接觸空氣氧化。準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml。將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤迅速放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料及多余的拋光液。然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為2.5min，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干。
[0028]實(shí)施例2:
[0029]1上片:先將轉(zhuǎn)接盤凹槽面朝下小孔面朝上放置在磨拋夾具的真空吸附面上，再將尺寸為4cm X 4cm的正方形晶片待磨拋面朝上水平地?cái)[放在轉(zhuǎn)接盤上，輕輕移動(dòng)晶片至轉(zhuǎn)接盤中心位置，使晶片將轉(zhuǎn)接盤上的小孔全部遮蓋。將磨拋夾具與真空發(fā)生器相連接，真空通過轉(zhuǎn)接盤的轉(zhuǎn)換，凹槽與小孔處隨即產(chǎn)生真空，晶片被吸附固定。
[0030]2 3um氧化鋁研磨:以3um氧化鋁粉與去離子水體積比1:10的比例配制氧化鋁顆粒懸浮研磨液，攪拌均勾待用。采用平板玻璃研磨盤，設(shè)定研磨盤轉(zhuǎn)速為20rpm/min，研磨液滴速為4ml/min，研磨晶片，使用在線厚度測(cè)量規(guī)監(jiān)測(cè)晶片去除厚度。待晶片研磨去除厚度達(dá)到40um時(shí)，暫停磨拋設(shè)備，切斷磨拋夾具與真空發(fā)生器的連接，輕輕將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤取下。
[0031 ] 3清洗晶片:準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml。將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料。然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為3min，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干。
[0032]4上片:先將轉(zhuǎn)接盤凹槽面朝下小孔面朝上放置在磨拋夾具的真空吸附面上，再將晶片研磨后的面朝上水平地?cái)[放在轉(zhuǎn)接盤上，輕輕移動(dòng)晶片至轉(zhuǎn)接盤中心位置，使晶片將轉(zhuǎn)接盤上的小孔全部遮蓋。將磨拋夾具與真空發(fā)生器相連接，晶片被吸附固定。
[0033]5 Chemlox化學(xué)機(jī)械拋光:采用聚氨酯長(zhǎng)絨拋光盤，設(shè)定拋光盤轉(zhuǎn)速為40rpm/min，采用英國(guó)Logitech公司生產(chǎn)的Chemlox拋光液，滴速為2ml/min，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精拋。當(dāng)拋光時(shí)間達(dá)到4min時(shí)，暫停磨拋設(shè)備，切斷磨拋夾具與真空發(fā)生器的連接，輕輕將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤水平取下。
[0034]6清洗晶片:在對(duì)精拋后的晶片進(jìn)行清洗時(shí)，動(dòng)作一定要迅速，以防止表面沾有拋光液的晶片接觸空氣氧化。準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml。將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤迅速放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料及多余的拋光液。然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為3min，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干。
[0035]實(shí)施例3:
[0036]1上片:先將轉(zhuǎn)接盤凹槽面朝下小孔面朝上放置在磨拋夾具的真空吸附面上，再將尺寸超過2cm X 2cm的不規(guī)則形狀晶片待磨拋面朝上水平地?cái)[放在轉(zhuǎn)接盤上，輕輕移動(dòng)晶片至轉(zhuǎn)接盤中心位置，使晶片將轉(zhuǎn)接盤上的小孔全部遮蓋。將磨拋夾具與真空發(fā)生器相連接，真空通過轉(zhuǎn)接盤的轉(zhuǎn)換，凹槽與小孔處隨即產(chǎn)生真空，晶片被吸附固定。
[0037]2 3um氧化鋁研磨:以3um氧化鋁粉與去離子水體積比1:10的比例配制氧化鋁顆粒懸浮研磨液，攪拌均勾待用。采用平板玻璃研磨盤，設(shè)定研磨盤轉(zhuǎn)速為30rpm/min，研磨液滴速為5ml/min，研磨晶片，使用在線厚度測(cè)量規(guī)監(jiān)測(cè)晶片去除厚度。待晶片研磨去除厚度達(dá)到50um時(shí)，暫停磨拋設(shè)備，切斷磨拋夾具與真空發(fā)生器的連接，輕輕將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤取下。
[0038]3清洗晶片:準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml。將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料。然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為5min，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干。
[0039]4上片:先將轉(zhuǎn)接盤凹槽面朝下小孔面朝上放置在磨拋夾具的真空吸附面上，再將晶片研磨后的面朝上水平地?cái)[放在轉(zhuǎn)接盤上，輕輕移動(dòng)晶片至轉(zhuǎn)接盤中心位置，使晶片將轉(zhuǎn)接盤上的小孔全部遮蓋。將磨拋夾具與真空發(fā)生器相連接，晶片被吸附固定。
[0040]5 Chemlox化學(xué)機(jī)械拋光:采用聚氨酯長(zhǎng)絨拋光盤，設(shè)定拋光盤轉(zhuǎn)速為70rpm/min，采用英國(guó)Logitech公司生產(chǎn)的Chemlox拋光液，滴速為3ml/min，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精拋。當(dāng)拋光時(shí)間達(dá)到5min時(shí)，暫停磨拋設(shè)備，切斷磨拋夾具與真空發(fā)生器的連接，輕輕將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤水平取下。
[0041]6清洗晶片:在對(duì)精拋后的晶片進(jìn)行清洗時(shí)，動(dòng)作一定要迅速，以防止表面沾有拋光液的晶片接觸空氣氧化。準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml。將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤迅速放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料及多余的拋光液。然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為5min，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種無蠟?zāi)來阡\鎘晶片的方法，其特征在于包括如下步驟: (1)上片:先將轉(zhuǎn)接盤凹槽面朝下小孔面朝上放置在磨拋夾具的真空吸附面上，再將晶片待磨拋面朝上水平地?cái)[放在轉(zhuǎn)接盤上，輕輕移動(dòng)晶片至轉(zhuǎn)接盤中心位置，使晶片將轉(zhuǎn)接盤上的小孔全部遮蓋;將磨拋夾具與真空發(fā)生器相連接，真空通過轉(zhuǎn)接盤的轉(zhuǎn)換，凹槽與小孔處隨即產(chǎn)生真空，晶片被吸附固定； (2)3um氧化鋁研磨:顆粒度3um氧化鋁粉與去離子水體積比1:10的比例配制氧化鋁顆粒懸浮研磨液，攪拌均勾待用;采用平板玻璃研磨盤，設(shè)定研磨盤轉(zhuǎn)速為5-30rpm/min，研磨液滴速為3_5ml/min，研磨晶片，使用在線厚度測(cè)量規(guī)監(jiān)測(cè)晶片去除厚度;待晶片研磨去除厚度達(dá)到30-50um時(shí)，暫停磨拋設(shè)備，切斷磨拋夾具與真空發(fā)生器的連接，輕輕將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤取下； (3)清洗晶片:準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml;將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料;然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為2min以上，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干； (4)上片:先將轉(zhuǎn)接盤凹槽面朝下小孔面朝上放置在磨拋夾具的真空吸附面上，再將晶片研磨后的面朝上水平地?cái)[放在轉(zhuǎn)接盤上，輕輕移動(dòng)晶片至轉(zhuǎn)接盤中心位置，使晶片將轉(zhuǎn)接盤上的小孔全部遮蓋;將磨拋夾具與真空發(fā)生器相連接，晶片被吸附固定； (5)016111101化學(xué)機(jī)械拋光:采用聚氨酯長(zhǎng)絨拋光盤，設(shè)定拋光盤轉(zhuǎn)速為30-70印111/111；[11，采用英國(guó)Logitech公司生產(chǎn)的Chemlox拋光液，滴速為l-3ml/min，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精拋；當(dāng)拋光時(shí)間達(dá)到2-5min時(shí)，暫停磨拋設(shè)備，切斷磨拋夾具與真空發(fā)生器的連接，輕輕將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤水平取下； (6)清洗晶片:在對(duì)精拋后的晶片進(jìn)行清洗時(shí)，準(zhǔn)備一個(gè)1500ml的敞口燒杯，內(nèi)部灌入去離子水1000ml，將載有晶片的轉(zhuǎn)接盤迅速放入去離子水中，使用高純長(zhǎng)絨棉反復(fù)擦洗，去除表面的研磨廢料及多余的拋光液;然后再采用流動(dòng)去離子水，對(duì)晶片與轉(zhuǎn)接盤進(jìn)行沖洗，沖洗時(shí)間為2min以上，最后使用高純氮?dú)鈱⒕稗D(zhuǎn)接盤上殘留的去離子水吹干。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種無蠟?zāi)來阡\鎘晶片的方法，首先設(shè)計(jì)制作磨拋夾具轉(zhuǎn)接盤，將轉(zhuǎn)接盤水平放置在磨拋夾具吸附平面上，再將晶片放置在轉(zhuǎn)接盤的中央以覆蓋轉(zhuǎn)接盤上的所有真空導(dǎo)流小孔。然后，將研磨夾具與真空發(fā)生器相連接，晶片被吸附固定。晶片先經(jīng)過3um氧化鋁水溶液研磨去除30-50um，再使用英國(guó)Logitech公司生產(chǎn)的Chemlox拋光液化學(xué)機(jī)械拋光2-5min，清洗后得到高平整度的碲鋅鎘晶片。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：(1)無需加熱粘片與熔蠟取片，晶片厚度控制更為準(zhǔn)確，平整度高。(2)適用于不同尺寸、形狀、厚度的晶片，實(shí)用性高。(3)磨拋后易清洗，不會(huì)對(duì)晶片造成二次污染。(4)有利于減少裂紋與劃傷，提高磨拋質(zhì)量。
【IPC分類】B24B1/00
【公開號(hào)】CN105415102
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510864304
【發(fā)明人】虞慧嫻, 陸丞, 周梅華, 孫士文
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年12月1日