半導(dǎo)體硅晶片的表面鈍化方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，包括以下步驟：(1)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片；(2)將硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽；(3)將硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露；(4)將硅晶片置于密閉的氧化爐內(nèi)，向氧化爐內(nèi)通入高純氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000～15000埃的氧化保護(hù)膜。本發(fā)明可以將硅晶片暴露在高純氧中，在溝槽外表面生長(zhǎng)的氧化膜結(jié)構(gòu)致密、均勻性好、重復(fù)性好、掩蔽能力強(qiáng)且鈍化效果較好。
【專利說明】
半導(dǎo)體硅晶片的表面鈍化方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體硅晶片的表面鈍化方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在微電子加工技術(shù)工藝中，半導(dǎo)體硅晶片經(jīng)光刻、腐蝕、清洗后必須對(duì)晶片進(jìn)行表面鈍化保護(hù)，目前多數(shù)廠家的表面鈍化方法是采用刀刮玻璃粉，將玻璃粉置于晶片腐蝕、清洗的臺(tái)面上，再對(duì)玻璃粉進(jìn)行燒制，在晶片表面形成玻璃層鈍化保護(hù)膜，一般需要燒制至少兩次玻璃粉才能形成較厚的玻璃保護(hù)膜，該工藝操作復(fù)雜，且勞動(dòng)強(qiáng)度大，不適用于工業(yè)化生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明為了克服上述技術(shù)問題的不足，提供了一種半導(dǎo)體硅晶片的表面鈍化方法，可以在硅晶片的所有溝槽的外表面形成一層厚度為10000?15000埃的氧化保護(hù)膜，為下一步制造優(yōu)質(zhì)管芯奠定了基礎(chǔ)。
[0004]解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
[0005]—種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，包括以下步驟:
[0006](I)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片;
[0007](2)將步驟(I)所述的硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽；
[0008](3)將步驟(2)所得的硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露；
[0009](4)將步驟(3)所得的硅晶片置于密閉的高溫氧化爐內(nèi)，向高溫氧化爐內(nèi)通入高純氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000?15000埃的氧化保護(hù)膜。
[0010]所述的高溫氧化爐內(nèi)的溫度為800°C?850 °C。
[0011]步驟(4)中還可以是向高溫氧化爐內(nèi)多次交替加入高純氧和濕氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000?15000埃的氧化保護(hù)膜。
[0012]本發(fā)明通過在硅晶片的表面腐蝕出若干溝槽，由于硅晶片表層對(duì)氧分子有較高的親和力，所以將硅晶片表面暴露在含氧的氣氛下，可以形成一層氧化層。本發(fā)明可以將硅晶片暴露在高純氧中，在溝槽外表面生長(zhǎng)的氧化膜結(jié)構(gòu)致密、均勻性好、重復(fù)性好、掩蔽能力強(qiáng)且鈍化效果較好。為了提高氧化膜的生長(zhǎng)速率，也可以將硅晶片先暴露在高純氧中，再暴露在濕氧中，再繼續(xù)暴露在高純氧中，如此反復(fù)多次，則可以在保證了生長(zhǎng)速率的同時(shí)，也達(dá)到了氧化膜的優(yōu)良效果，非常適用于半導(dǎo)體微電子的工業(yè)化生產(chǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0014]實(shí)施例1:
[0015]1、一種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，包括以下步驟:
[0016](I)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片;
[0017](2)將步驟(I)所述的硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽；
[0018](3)將步驟(2)所得的硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露；
[0019](4)將步驟(3)所得的硅晶片置于密閉的高溫氧化爐內(nèi)，向高溫氧化爐內(nèi)通入高純氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000埃的氧化保護(hù)膜。
[0020]高溫氧化爐內(nèi)的溫度為800°C。
[0021]實(shí)施例2:
[0022]—種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，包括以下步驟:
[0023](I)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片;
[0024](2)將步驟(I)所述的硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽；
[0025](3)將步驟(2)所得的硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露；
[0026](4)將步驟(3)所得的硅晶片置于密閉的高溫氧化爐內(nèi)，向高溫氧化爐內(nèi)通入高純氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為15000埃的氧化保護(hù)膜。
[0027]高溫氧化爐內(nèi)的溫度為850°C。
[0028]實(shí)施例3:
[0029]—種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，包括以下步驟:
[0030](I)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片;
[0031](2)將步驟(I)所述的硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽；
[0032](3)將步驟(2)所得的硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露；
[0033](4)將步驟(3)所得的硅晶片置于密閉的高溫氧化爐內(nèi)，向高溫氧化爐內(nèi)通入高純氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為12000埃的氧化保護(hù)膜。
[0034]高溫氧化爐內(nèi)的溫度為830°C。
[0035]實(shí)施例4:
[0036]—種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，包括以下步驟:
[0037](I)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片;
[0038](2)將步驟(I)所述的硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽；
[0039](3)將步驟(2)所得的硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露；
[0040](4)將步驟(3)所得的硅晶片置于密閉的高溫氧化爐內(nèi)，向高溫氧化爐內(nèi)多次交替加入高純氧和濕氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000埃的氧化保護(hù)膜。
[0041 ]高溫氧化爐內(nèi)的溫度為820°C。
[0042]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)上對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)選用P型硅作襯底，經(jīng)制絨拋光，雜質(zhì)源擴(kuò)散制成上、下表面均具有PN結(jié)的硅晶片； (2)將步驟(I)所述的硅晶片用腐蝕液腐蝕出若干溝槽； (3)將步驟(2)所得的硅晶片光刻保護(hù)至只有溝槽裸露； (4)將步驟(3)所得的硅晶片置于密閉的高溫氧化爐內(nèi)，向高溫氧化爐內(nèi)通入高純氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000?15000埃的氧化保護(hù)膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，其特征在于，所述的高溫氧化爐內(nèi)的溫度為800 °C?850 °C。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅晶片表面鈍化方法，其特征在于，步驟(4)中還包括向高溫氧化爐內(nèi)多次交替加入高純氧和濕氧，直至所有溝槽的外表面均形成一層厚度為10000?15000埃的氧化保護(hù)膜。
【文檔編號(hào)】H01L21/306GK105931958SQ201610313607
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月13日
【發(fā)明人】郟金鵬, 陳誠(chéng), 王平, 王峰, 張各海, 袁超, 張凌鹓
【申請(qǐng)人】江蘇佑風(fēng)微電子有限公司