防止oled材料裂解的坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及0LED顯示器件的制程領(lǐng)域，尤其涉及一種防止0LED材料裂解的坩堝。
【背景技術(shù)】
[0002] 平板顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的 平板顯示器件主要包括液晶顯示器件（Liquid Crystal Display，IXD)及有機電致發(fā)光顯 不器件（Organic Light Emitting Display，OLED)。其中，0LED 顯不器件相較于 LCD，不僅 具有十分優(yōu)異的顯示性能，還具有全固態(tài)、自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、響應(yīng)速度快、寬視角、 室溫工作、低功耗及易于實現(xiàn)柔性顯示和3D顯示等優(yōu)點，被譽為"夢幻顯示器"，一致被公 認(rèn)為是下一代顯示的主流技術(shù)，得到了各大顯示器廠家的青睞。
[0003] 0LED顯示器件通常由陽極、陰極、以及夾在陽極和陰極之間的有機電致發(fā)光材料 層構(gòu)成，有機電致發(fā)光材料層又包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、及電子 注入層。0LED顯示器件的發(fā)光機理是從陰、陽兩級分別注入電子和空穴，被注入的電子和空 穴經(jīng)傳輸在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合，從而激發(fā)發(fā)光層分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子輻射衰減而發(fā)光。
[0004] 目前，制備0LED顯示器件主流的主要方式是真空加熱鍍膜，即在真空腔體內(nèi)使用 坩堝加熱0LED材料，使其在一定溫度下升華或者熔融汽化成蒸汽，透過金屬掩膜板上的開 孔沉積在基板上。
[0005] 使用點蒸發(fā)源進行0LED材料蒸鍍的情況下，常常會因為點蒸發(fā)源各處的溫差不 均，導(dǎo)致坩堝內(nèi)的0LED材料無法消耗完和材料易裂解等問題。
[0006] 請參閱圖1，現(xiàn)有的用于0LED材料蒸鍍的坩堝包括坩堝本體100及蓋設(shè)于坩堝本 體100開口端的蓋子200,其中坩堝本體100用于容納0LED材料300,該坩堝本體100的底 部與側(cè)壁的壁厚基本均勻一致。圖1所示為0LED材料充裕，液面高度較高的情況，設(shè)坩堝本 體100底部的溫度為tl、0LED材料液面的蒸發(fā)溫度為t2、坩堝本體100頂部的溫度為t3、 OLED材料的裂解溫度為T，由于坩堝本體100的上、下溫度有差異，一般T>t3>t2>tl，經(jīng)實驗 驗證，如圖2所示，在該現(xiàn)有的坩堝本體100內(nèi)的0LED材料為65g，蒸鍍速率穩(wěn)定在〇.3A/s 時，OLED材料液面的蒸發(fā)溫度t2穩(wěn)定在375°C，坩堝本體100頂部的溫度t3為403°C，小于 裂解溫度T405°C。如圖3所示，隨著蒸鍍過程的進行，OLED材料不斷消耗，要保持一定的蒸 鍍速率，OLED材料液面的蒸發(fā)溫度t2也需要越來越高。當(dāng)OLED材料消耗至距離坩堝本體 100底面的高度等于或小于h時，h為位于坩堝本體100頂部的OLED材料處于裂解的臨界溫 度時，坩堝本體100內(nèi)的OLED材料300正常蒸發(fā)允許的最低液面高度，會出現(xiàn)t3>T>t2>tl， 經(jīng)實驗驗證，當(dāng)坩堝本體100內(nèi)的OLED材料減少至40g或以下時，坩堝本體100頂部的溫 度t3為410°C，大于裂解溫度T405°C，導(dǎo)致OLED材料在坩堝蓋子200的出口處發(fā)生裂解，且 剩余的OLED材料均不可用，從而破壞蒸鍍過程的穩(wěn)定性，造成OLED材料的浪費，影響OLED 顯示器件的品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種防止OLED材料裂解的坩堝，能夠解決蒸鍍過程中坩 堝內(nèi)的0LED材料容易裂解及材料浪費的問題，使得蒸鍍過程穩(wěn)定運行，保證0LED顯示器件 的品質(zhì)。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種防止0LED材料裂解的坩堝，包括一用于容納 0LED材料的坩堝本體、及蓋設(shè)于所述坩堝本體開口端的蓋子；
[0009] 所述坩堝本體底部具有一抬升結(jié)構(gòu)，通過所述抬升結(jié)構(gòu)抬升坩堝內(nèi)0LED材料最 低液面的高度。
[0010] 所述抬升結(jié)構(gòu)的頂面到坩堝本體底面的高度大于或等于坩堝內(nèi)0LED材料正常蒸 發(fā)允許的最低液面高度，使得0LED材料（3)在低于裂解溫度的溫度下全部蒸出。
[0011] 所述抬升結(jié)構(gòu)為自坩堝本體自身的底面向上延伸形成的凸起部，通過降低坩堝本 體自身的挖掘深度來實現(xiàn)。
[0012] 所述抬升結(jié)構(gòu)為固設(shè)于坩堝本體底部的架空的金屬板。
[0013] 所述金屬板通過焊接固設(shè)于坩堝本體底部。
[0014] 所述抬升結(jié)構(gòu)包括填充于坩堝本體底部的導(dǎo)熱性好的填充材料及設(shè)于填充材料 上的底板。
[0015] 所述抬升結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于坩堝本體底部的導(dǎo)熱性支架及設(shè)于支架上的底板。通過 所述抬升結(jié)構(gòu)能夠使得坩堝內(nèi)0LED材料在低于裂解溫度8°C -15°c的溫度下全部蒸出。
[0016] 通過所述抬升結(jié)構(gòu)能夠使得坩堝內(nèi)0LED材料在低于裂解溫度10°C的溫度下全部 蒸出。
[0017] 本發(fā)明的有益效果，本發(fā)明提供的一種防止0LED材料裂解的坩堝，通過在坩堝本 體底部設(shè)置能夠抬升0LED材料最低液面高度的抬升結(jié)構(gòu)，能夠使得0LED材料在低于裂解 溫度的溫度下全部蒸出，解決蒸鍍過程中坩堝內(nèi)的0LED材料容易裂解及材料浪費的問題， 使得蒸鍍過程穩(wěn)定運行，保證0LED顯示器件的品質(zhì)。
[0018] 為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0019] 下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0020] 附圖中，
[0021] 圖1為現(xiàn)有的坩堝在0LED材料充裕狀態(tài)下的剖面示意圖；
[0022] 圖2為顯示現(xiàn)有的坩堝內(nèi)0LED材料液面的蒸發(fā)溫度與蒸鍍速率的曲線圖；
[0023] 圖3為現(xiàn)有的坩堝在0LED材料較少狀態(tài)下的剖面示意圖；
[0024] 圖4為本發(fā)明防止0LED材料裂解的坩堝的第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖5為本發(fā)明防止0LED材料裂解的坩堝的第二實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖6為本發(fā)明防止0LED材料裂解的坩堝的第三實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖7為本發(fā)明防止0LED材料裂解的坩堝的第四實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖8為顯示本發(fā)明防止0LED材料裂解的坩堝內(nèi)0LED材料液面的蒸發(fā)溫度與蒸鍍 速率的曲線圖。
【具體實施方式】
[0029] 為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施 例及其附圖進行詳細(xì)描述。
[0030] 請參閱圖4,為本發(fā)明防止OLED材料裂解的坩堝的第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意 圖。該防止OLED材料裂解的坩堝包括一用于容納OLED材料3的坩堝本體1、及蓋設(shè)于所述 坩堝本體1開口端的蓋子2。
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