一種首飾打磨頭的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種首飾加工用具，更確切地說，是一種首飾打磨頭。
【背景技術】
[0002]拋光是使用物理機械或化學藥品降低物體表面粗糙度的工藝。拋光技術主要在精密機械和光學工業(yè)中使用。拋光后的工件表面光滑具有良好的反射效果。
[0003]現(xiàn)實生活中對于更重首飾為了達到金銀透亮的效果，需要對各種材質(zhì)的首飾進行拋光，不過拋光效果不佳，且對首飾造成很大傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要是解決現(xiàn)有技術所存在的技術問題，從而提供一種拋光效果更好、對首飾傷害小的首飾打磨頭。
[0005]本發(fā)明的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的:
一種首飾打磨頭，包含一驅(qū)動桿，所述的驅(qū)動桿上設有一第一加工頭和一第二打加工，所述的驅(qū)動桿上還設有一消塵轉(zhuǎn)子。
[0006]作為本發(fā)明較佳的實施例，所述的第一加工頭和第二打加工的背面設有凹槽。
[0007]作為本發(fā)明較佳的實施例，所述的消塵轉(zhuǎn)子由苯乙烯橡膠制成。
[0008]由于本發(fā)明的首飾打磨頭上設置了相對的加工頭，同時設置了消塵轉(zhuǎn)子，從而大大提高了對首飾的的拋光效果，讓對首飾的損害大大降低。
[0009]
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本發(fā)明的首飾打磨頭的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為圖1中的首飾打磨頭的立體結(jié)構(gòu)示意圖，此時為另一視角。
[0012]
【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0014]本發(fā)明提供了一種拋光效果更好、對首飾傷害小的首飾打磨頭。
[0015]如圖1、圖2所示，一種首飾打磨頭1，包含一驅(qū)動桿2，所述的驅(qū)動桿2上設有一第一加工頭21和一第二打加工22，所述的驅(qū)動桿2上還設有一消塵轉(zhuǎn)子3。
[0016]如圖1、圖2所示，所述的第一加工頭21和第二打加工22的背面設有凹槽。
[0017]如圖1、圖2所示，所述的消塵轉(zhuǎn)子3由苯乙烯橡膠制成。
[0018]該發(fā)明的首飾打磨頭上設置了相對的加工頭，同時設置了消塵轉(zhuǎn)子，從而大大提高了對首飾的的拋光效果，讓對首飾的損害大大降低。
[0019]以上僅僅以一個實施方式來說明本發(fā)明的設計思路，在系統(tǒng)允許的情況下，本發(fā)明可以擴展為同時外接更多的功能模塊，從而最大限度擴展其功能。
[0020]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權(quán)利要求書所限定的保護范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種首飾打磨頭(I)，包含一驅(qū)動桿(2)，其特征在于，所述的驅(qū)動桿(2)上設有一第一加工頭(21)和一第二打加工(22)，所述的驅(qū)動桿(2)上還設有一消塵轉(zhuǎn)子(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的首飾打磨頭，其特征在于，所述的第一加工頭(21)和第二打加工(22)的背面設有凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的首飾打磨頭，其特征在于，所述的消塵轉(zhuǎn)子(3)由苯乙烯橡膠制成。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種首飾打磨頭，包含一驅(qū)動桿，所述的驅(qū)動桿上設有一第一加工頭和一第二打加工,所述的驅(qū)動桿上還設有一消塵轉(zhuǎn)子,所述的第一加工頭和第二打加工的背面設有凹槽,？所述的消塵轉(zhuǎn)子由苯乙烯橡膠制成。由于本發(fā)明的首飾打磨頭上設置了相對的加工頭,同時設置了消塵轉(zhuǎn)子，從而大大提高了對首飾的的拋光效果,讓對首飾的損害大大降低。
【IPC分類】B24B41-04
【公開號】CN104551982
【申請?zhí)枴緾N201510001364
【發(fā)明人】夏云美
【申請人】夏云美
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2015年1月5日