本發(fā)明屬于功能薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種透明超疏水薄膜、其制備方法及用途，特別涉及一種基于超薄氧化鋅薄膜的透明超疏水薄膜、其制備方法及用途。

背景技術(shù)：

所謂超疏水要求材料表面穩(wěn)定接觸角要大于150°，滾動接觸角小于10°，在表面上水珠呈球形，在自身重力或外加力的作用下，水珠即可從表面滾落。超疏水表面由于具有自清潔功能，近年來越來越受到人們關(guān)注，可廣泛應(yīng)用于眾多領(lǐng)域，如室外天線可防積雪、遠(yuǎn)洋輪船和石油管道可防污、防腐、微量注射器針尖可防粘附和污染等。

透明和自清潔是材料的兩個重要特性，其在防水、防結(jié)霧、自清潔以及光利用率等方面有著重要的應(yīng)用價值。例如，玻璃表面的反射和污染大大降低了玻璃的透明度和美觀度，很多光電器件也需要降低光學(xué)反射以提高光的利用效率以及通過器件的表面自清潔來延長使用壽命。制備同時兼具透明和持久耐用的自清潔薄膜是目前國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。例如，汽車擋風(fēng)玻璃、太陽能電池表面以及窗口玻璃等。由于超疏水表面要求具備大表面粗糙度和低表面能，而大表面粗糙度會增加光散射導(dǎo)致透明度降低；另一方面高透明性又要求薄膜粗糙度要遠(yuǎn)小于光波波長，但粗糙度過小又不利表面超疏水性。因此，對粗糙度相互矛盾的要求使得既透明又超疏水表面的制備異常困難。由此可見，制備透明超疏水薄膜的關(guān)鍵在于如何控制表面粗糙度使其同時滿足超疏水和高透明性要求。迄今為止，關(guān)于具有自清潔功能光學(xué)薄膜的制備已有較多文獻(xiàn)報 道。主要集中于多層自組裝法、模板法、刻蝕法和溶膠-凝膠等方法。但其制備工藝復(fù)雜冗長，制備速度慢，周期長，且表面理化性能較差，嚴(yán)重影響其應(yīng)用。因此，探索在不同襯底上制備透明超疏水表面的工藝簡單、污染少、周期短、可重復(fù)和規(guī)?；椒ㄒ饬x重大。

近年來，已有一些文獻(xiàn)報道透明超疏水窗口表面的制備。常見材料包括SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或異質(zhì)結(jié)構(gòu)ZnO/SiO₂等。N.L.Tarwal等采用噴霧熱解法將不同濃度的氧化鋅熱解噴涂到玻璃表面，隨著涂層厚度的增加，薄膜粗糙度增大，水接觸角增大，透過率降低，當(dāng)厚度達(dá)近900nm時，涂層水接觸角涂層最大水接觸角為154°，大于150度，達(dá)到超疏水效果，透光率為82％[Applied Surface science，2010,256，7451-7456]。

CN 101962269 B公開了一種超疏水抗反射氧化鋅納米針陣列的制備方法，其采用化學(xué)浴方法，利用晶種織構(gòu)化和前驅(qū)液濃度梯度沉積方法實現(xiàn)了氧化鋅納米針結(jié)構(gòu)，通過工藝條件控制針大小、密度、形貌等得到透明超疏水表面，針尖高度數(shù)百納米，典型反射率小于5％。

CN 104261695 B公開了一種透明超疏水氧化鋅涂層的制備方法，采用溶膠凝膠法在玻璃基底上制備了透明超疏水氧化鋅涂層，其接觸角大于160°，最佳透明度為90％，接近于空白玻璃透明度。

綜上所述，現(xiàn)有報道都集中在采用化學(xué)浴、溶膠凝膠等化學(xué)方法，實驗過程冗長復(fù)雜，污染大，重復(fù)性差，性能差，很難實現(xiàn)規(guī)?；纳a(chǎn)。此外，所制備的疏水膜均很厚，為數(shù)百納米甚至微米級，透明性不大于95％，接觸角均小于170°，都不具備同時兼顧超薄、超透明及極好超疏水性。因此，尋求簡單、污染少、周期短、重復(fù)性好、可規(guī)?；a(chǎn)、并能在多種襯底上形成同時具有超薄、高透明和很好超疏水性能表面的制備方法十分重要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中制備自清潔表面所存在的弊端，本發(fā)明的目的在于提供一種透明超疏水薄膜、其制備方法及用途，更具體的是提供一種基于超薄氧化鋅薄膜的透明超疏水薄膜，其簡單、重復(fù)性好的制備方法以及用途，本發(fā)明的透明超疏水薄膜具有超薄、高透明且很好超疏水性的優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的透明超疏水薄膜的厚度在60～150nm，透光率在90～97％，與水的接觸角在167°以上，應(yīng)用該透明超疏水薄膜得到的光電器件兼具優(yōu)良的光學(xué)性質(zhì)和自清潔功能。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明“透明超疏水薄膜”中的“超疏水”指：其與水的接觸角在167°以上。

本發(fā)明的目的之一在于提供一種透明超疏水薄膜，所述透明超疏水薄膜包括氧化鋅薄膜及負(fù)載于氧化鋅薄膜表面的氟化碳薄膜，所述透明超疏水薄膜的厚度在60～150nm，透光率在90～97％，與水的接觸角在167°以上。

本發(fā)明中，透明超疏水薄膜的厚度在60～150nm，例如為60nm、65nm、70nm、80nm、85nm、90nm、100nm、110nm、115nm、120nm、130nm、135nm、140nm或150nm等。

本發(fā)明中，透明超疏水薄膜的透光率在90～97％，例如為90％、91％、92％、93％、94％、94.5％、95％、95.5％、96％或97％等。

本發(fā)明的超疏水薄膜與水的接觸角在167°以上，例如為167°、169°、171°、173°、175°或179°等。

優(yōu)選地，所述氧化鋅薄膜的厚度在50～120nm，例如為50nm、55nm、60nm、62.5nm、65nm、70nm、75nm、80nm、83nm、88nm、95nm、100nm、110nm或120nm等。

本發(fā)明中的氧化鋅薄膜具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和粗糙度(參見圖2a、圖3a、圖5a和圖6a)，粗糙度在Ra＝20～60，有利于其具有非常好的疏水性。

優(yōu)選地，所述氟化碳薄膜的厚度在10～30nm，例如為10nm、12nm、14nm、15nm、18nm、20nm、22nm、23nm、25nm、27.5nm、28nm或30nm等。

優(yōu)選地，所述氟化碳薄膜的組成為CH₃F、CH₂F₂、CHF₃或CF₄中的任意一種或至少兩種的組合。

本發(fā)明的目的之二在于提供一種如上所述的透明超疏水薄膜的制備方法，所述方法包括以下步驟：

(1)采用射頻磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)行鋅薄膜制備，以及進(jìn)行鋅薄膜退火處理，得到氧化鋅薄膜；

(2)對步驟(1)得到的氧化鋅薄膜進(jìn)行氟化處理，得到透明超疏水薄膜。

作為本發(fā)明所述方法的優(yōu)選技術(shù)方案，步驟(1)所述采用射頻磁控濺射系統(tǒng)進(jìn)行鋅薄膜制備的方法為射頻磁控濺射方法，具體為：將襯底置于射頻磁控濺射系統(tǒng)的基片臺上，抽真空，以鋅靶作為濺射源，氬氣作為工作氣體，沉積，得到負(fù)載在襯底的上表面的鋅薄膜。

本發(fā)明的鋅薄膜具有特定的表面形貌和粗糙度，可以滿足非常好的疏水性。

優(yōu)選地，所述襯底為惰性襯底，優(yōu)選為普通玻璃、k9玻璃、硅(Si)、鍍有增透膜的玻璃(簡稱為Glass/AR)、鍍有透明導(dǎo)電膜的玻璃(簡稱為Glass/TCO)、鍍有導(dǎo)電玻璃(ITO)的普通玻璃或非透明基體中的任意一種或至少兩種的組合。

本發(fā)明中，襯底的種類不同，會影響Zn膜的形核成膜進(jìn)而影響薄膜的粗糙 度，進(jìn)一步得到的負(fù)載在襯底上的透明超疏水薄膜的疏水性。

本發(fā)明中，透明超疏水薄膜負(fù)載在鍍有增透膜的普通玻璃襯底或鍍有增透膜的k9玻璃襯底上時，該產(chǎn)品既具有增透性，又具有超疏水性。

優(yōu)選地，所述非透明基體為鍍有Au、Ag和Al等金屬膜作為高反膜的Si窗口，進(jìn)一步優(yōu)選為鍍有Au膜的Si窗口、鍍有Ag膜的Si窗口或鍍有Al膜的Si窗口中的任意一種。

優(yōu)選地，所述鋅靶的純度為99.999％。

優(yōu)選地，所述工作氣體為超純氬氣，其純度為99.99％。

優(yōu)選地，鋅薄膜制備的過程中，襯底的溫度為室溫，本發(fā)明所述室溫指15～32℃，例如為15℃、17℃、20℃、22℃、23℃、24℃、25℃、27℃、28℃、29℃、30℃或32℃等。

優(yōu)選地，鋅薄膜制備的過程中，抽真空至背底真空高于10^-7torr，例如為3×10^-7torr、5×10^-7torr、6×10^-7torr、7×10^-7torr、9×10^-7torr或1×10^-6torr等。

優(yōu)選地，鋅薄膜制備過程中，工作氣壓為3～10mtorr，例如為3mtorr、4mtorr、5mtorr、6mtorr、7mtorr、8mtorr、9mtorr或10mtorr等，優(yōu)選為8mtorr。

優(yōu)選地，鋅薄膜制備過程中，射頻功率為80～150w，例如為80w、85w、90w、100w、110w、115w、120w、130w、135w、140w或150w等，優(yōu)選為150w。

優(yōu)選地，鋅薄膜制備過程中，沉積的時間為40～70min，例如為40min、45min、47min、50min、52min、55min、60min、63min、65min、68min或70min等，優(yōu)選為50min。

作為本發(fā)明所述方法的又一優(yōu)選技術(shù)方案，步驟(1)所述采用射頻磁控濺 射系統(tǒng)進(jìn)行鋅薄膜退火處理的方法為：將制備得到的上表面載有鋅薄膜的襯底置于射頻磁控濺射系統(tǒng)的基片臺上，抽真空，加熱，通入氧氣，升溫至第一溫度保溫，然后再升溫至第二溫度保溫，得到負(fù)載在襯底的上表面的氧化鋅薄膜。

優(yōu)選地，所述鋅薄膜退火處理的過程中，所述氧氣為高純氧氣，所述氧氣的純度為99.99％。

優(yōu)選地，所述鋅薄膜退火處理的過程中，所述氧氣的流量為5～13sccm，例如為5sccm、7sccm、8sccm、9sccm、10sccm、11sccm、12sccm或13sccm等，優(yōu)選為10sccm。

優(yōu)選地，所述鋅薄膜退火處理的過程中，抽真空至背底真空高于10^-6torr，例如2×10^-6torr、3×10^-6torr、5×10^-6torr、7×10^-6torr、8×10^-6torr或1×10^-5tor等。

優(yōu)選地，鋅薄膜退火處理的過程中，第一溫度為300～350℃，例如為300℃、310℃、315℃、320℃、330℃、335℃、340℃、345℃或350℃等，優(yōu)選為350℃。

優(yōu)選地，鋅薄膜退火處理的過程中，在第一溫度保溫的時間為0.5～1.5h，例如0.5h、0.6h、0.8h、0.9h、1h、1.1h、1.2h、1.4h或1.5h等，優(yōu)選為1h。

優(yōu)選地，鋅薄膜退火處理的過程中，第二溫度為450～500℃，例如為450℃、455℃、460℃、465℃、470℃、480℃、485℃、490℃、495℃或500℃等，優(yōu)選為460℃。

優(yōu)選地，所述鋅薄膜退火處理的過程中，在第二溫度保溫的時間為0.5～1h，例如為0.5h、0.7h、0.8h、0.9h或1h等，優(yōu)選為0.5h。

本發(fā)明中，步驟(2)所述氟化處理的方法可以采用現(xiàn)有技術(shù)公開的氟化處 理方法，例如可以參照CN 105154850 A公開的一種氟化碳膜及其制備方法和用途。

作為本發(fā)明所述方法中的氟化處理的優(yōu)選技術(shù)方案，本發(fā)明采用如下方法進(jìn)行氟化處理：將步驟(1)得到的在上表面負(fù)載有氧化鋅薄膜的襯底的下表面涂抹導(dǎo)熱油或真空硅脂，然后置于電感耦合等離子體(inductive coupled plasma,ICP)刻蝕系統(tǒng)中，利用含碳和氟元素的氣體作為工作氣體，對氧化鋅薄膜進(jìn)行氟化處理。

優(yōu)選地，所述工作氣體為CHF₃和/或CF₄，所述工作氣體的流量優(yōu)選為60sccm。

本發(fā)明中，所述“CHF₃和/或CF₄”指：可以為CHF₃，也可以為CF₄，還可以為CHF₃和CF₄的混合氣體。

進(jìn)一步優(yōu)選地，氟化處理的過程中，氟化處理的溫度為0℃。

優(yōu)選地，氟化處理的過程中，氟化處理的時間為8～45s，例如8s、10s、15s、18s、20s、25s、27s、30s、33s、36s、38s、41s、43s或45s等。

優(yōu)選地，氟化處理的過程中，工作氣壓為0.8Pa。

優(yōu)選地，氟化處理的過程中，上電極ICP功率為200W，下電極RF功率為10W。

作為本發(fā)明所述透明超疏水薄膜的制備方法的更進(jìn)一步優(yōu)選技術(shù)方案，所述方法包括以下步驟：

(1)將襯底置于射頻磁控濺射系統(tǒng)的基片臺上，抽真空至背底真空高于10^-7torr，以純度為99.999％的鋅靶為濺射源，氬氣作為工作氣體，工作電壓為3～10mtorr，射頻功率為80～150w的條件下，沉積40～70min，得到負(fù)載在襯底的上表面的鋅薄膜；

(2)將步驟(1)得到的上表面負(fù)載有鋅薄膜的基底置于射頻測控濺射系統(tǒng)的基片臺上，抽真空至背底真空高于10^-6torr，加熱，通入氧氣，在300～350℃保溫1h，然后再升溫至450～500℃保溫0.5h，得到負(fù)載在襯底的上表面的氧化鋅薄膜；

(3)在步驟(2)得到的上表面負(fù)載有氧化鋅薄膜的襯底的下表面涂抹導(dǎo)熱油或真空硅脂，然后置于電感藕合等離子體ICP刻蝕系統(tǒng)中，利用含碳和氟元素的氣體作為工作氣體，對氧化鋅薄膜進(jìn)行氟化處理，得到透明超疏水薄膜。

本發(fā)明的目的之三在于提供一種如上所述的透明超疏水薄膜的用途，所述透明超疏水薄膜用于對透光和超疏水均有要求的光電器件、光學(xué)器件等高端領(lǐng)域，以及要求具有自清潔功能的各種產(chǎn)品和領(lǐng)域，比如汽車玻璃、家用玻璃等工業(yè)、日常生活領(lǐng)域。

優(yōu)選地，所述透明超疏水薄膜在光電器件中作為自清潔材料。

本發(fā)明的目的之四在于提供一種光電器件，所述光電器件中包含上述的透明超疏水薄膜。示例性地，具有透明超疏水薄膜的光電器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1a和圖1b所示，其中，圖1a中的1代表透明超疏水薄膜，2代表襯底；圖1b中的1代表透明超疏水薄膜，21代表光學(xué)功能薄膜(光學(xué)功能薄膜為高反、高透，透明導(dǎo)電膜等，例如增透膜、自清潔膜和導(dǎo)電膜等)，22代表基底(基底為普通玻璃、K9玻璃和Si等)，且21和22共同構(gòu)成的2代表襯底。

與已有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：

(1)本發(fā)明采用將傳統(tǒng)射頻磁控濺射和真空中氧化退火的方法制備得到一種超薄且疏水的氧化鋅納米結(jié)構(gòu)，然后利用ICP刻蝕系統(tǒng)進(jìn)行低溫氟基 處理，大大降低表面能，并配合性地調(diào)整各工序的參數(shù)，避開了傳統(tǒng)化學(xué)方法處理程序復(fù)雜冗長，制備速度慢，周期長，且制作薄膜的理化性能較差等弱點(diǎn)，能夠在包括普通玻璃、k9玻璃、硅、鍍有增透膜的玻璃、鍍有導(dǎo)電玻璃的玻璃或非透明基體等多種透明或非透明的襯底表面形成透明超疏水薄膜，本發(fā)明的方法采用純物理方法，且全程在高真空狀態(tài)下進(jìn)行，污染少、成本低、容易操作，生長過程容易控制，且容易走向規(guī)?；?，是一種簡單、高效地實現(xiàn)多種襯底上制備透明超疏水薄膜的方法，具有廣闊的應(yīng)用前景。

(2)本發(fā)明制備得到的透明超疏水薄膜同時兼具超薄、透光率高和極好的超疏水性，其厚度在60～150nm，透光率在90～97％，與水的接觸角在167°以上。本發(fā)明的透明超疏水薄膜的應(yīng)用范圍廣闊，覆蓋高、低端應(yīng)用領(lǐng)域，具有十分重要和廣泛的意義。

附圖說明

圖1a和圖1b為兩種不同結(jié)構(gòu)的光電器件，圖1a中的1代表透明超疏水薄膜，2代表襯底；圖1b中的1代表透明超疏水薄膜，21代表光學(xué)功能薄膜(光學(xué)功能薄膜為高反、高透，透明導(dǎo)電膜等，例如增透膜、自清潔膜和導(dǎo)電膜等)，22代表基底(基底為普通玻璃、K9玻璃和Si等)，且21和22共同構(gòu)成的2代表襯底；

圖2a實施例1制備得到的產(chǎn)品的斷面形貌圖；

圖2b為實施例1制備得到的產(chǎn)品的透明超疏水薄膜與水的實測接觸角圖；

圖3a為實施例2制備得到的產(chǎn)品的表面形貌圖；

圖3b為實施例2制備得到的產(chǎn)品與水的實測接觸角圖；

圖4為實施例2制備得到的產(chǎn)品以及對比例1的普通玻璃的光譜曲線對比 圖；

圖5a為實施例3制備得到的產(chǎn)品的AFM圖；

圖5b為實施例3制備得到的產(chǎn)品與水的實測接觸角圖；

圖6a實施例4制備得到的產(chǎn)品的透明超疏水薄膜的AFM圖；

圖6b為實施例4制備得到的產(chǎn)品的透明超疏水薄膜與水的實測接觸角圖；

圖7為實施例4得到的產(chǎn)品以及對比例2的K9玻璃的光譜曲線對比圖；

圖8為實施例5制備得到的負(fù)載在鍍有20nm厚的ITO的普通玻璃表面的透明超疏水薄膜與水的實測接觸角圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

本發(fā)明制備透明超疏水薄膜使用的射頻磁控濺射系統(tǒng)為lesker公司Lab 18型號多靶磁控濺射鍍膜儀；采用的電感藕合等離子體ICP刻蝕系統(tǒng)為SENTECH公司ICP高密度等離子體刻蝕系統(tǒng)(型號SI500)。

本發(fā)明對得到的產(chǎn)品的性能表征采用如下設(shè)備：

采用紫外/可見/近紅外分光光度計(設(shè)備型號Lambda140)測試透光率；

采用全自動接觸角測量儀(設(shè)備型號DSA100)測試與水的接觸角，測試時，水滴大小為8μL；

采用熱場發(fā)射掃面電鏡表征(設(shè)備型號NOVA NanoSEM430)以及Multimode多功能掃描探針顯微鏡測試產(chǎn)品的表面和斷面形貌和成分分析。

實施例1

在n-Si表面制備透明超疏水薄膜，制備方法如下：

1)將清洗干凈的n-Si置于磁控濺射基片臺上，以純度為99.999％超純鋅靶作為濺射源，超純氬作為工作氣體進(jìn)行鋅膜制備。鋅膜制備過程中，抽真空至 背底真空超過10^-7torr；工作氣壓為8mtorr；襯底溫度為室溫；射頻功率為150w；沉積時間為50min。

2)將步驟1)得到的樣品(鋅膜負(fù)載在n-Si襯底的上表面)置于磁控濺射的基片臺上對鋅膜退火處理制備氧化鋅膜。抽真空至背底真空超過10^-6torr；將襯底加熱至350℃，通入高純氧氣10sccm，在氧氣氣氛中退火1h；然后將襯底溫度提高到460℃，繼續(xù)在氧氣氣氛中退火0.5h。

3)將步驟2)得到的樣品(氧化鋅膜負(fù)載在n-Si襯底的上表面)置于ICP刻蝕系統(tǒng)中進(jìn)行氟基處理制備透明超疏水薄膜。采用CN 105154850 A公開的一種氟化碳膜及其制備方法和用途中的方法，并調(diào)整具體工藝如下：溫度0℃，工作氣壓為0.8Pa，上電極ICP功率為200W，下電極RF功率為10W，CHF₃流量為60sccm，氟化處理時間為15s。

本實施例制備得到的產(chǎn)品由單晶n型Si(100)及負(fù)載在其表面的透明超疏水薄膜構(gòu)成。

圖2a為本實施例1制備得到的產(chǎn)品的斷面形貌圖，從圖可以看出，透明超疏水薄膜的表面粗糙，厚度約為90nm。

圖2b為本實施例1制備得到的產(chǎn)品與水的實測接觸角圖，從圖可以看出，與水的接觸角>170°，具有超疏水性。

實施例2

除將襯底替換為普通玻璃(Glass)，并將步驟3)的氟化處理時間調(diào)整為20s外，其他制備方法和條件與實施例1相同。

本實施例制備得到的產(chǎn)品由普通玻璃及負(fù)載在其表面的透明超疏水薄膜構(gòu)成，命名為鍍自清潔膜的玻璃。

圖3a為本實施例制備得到的產(chǎn)品的表面形貌圖，由圖可以看出，透明自清 潔薄膜表面粗糙，分布有很多不規(guī)整的納米棒。

圖3b為本實施例制備得到的產(chǎn)品與水的實測接觸角圖，由圖可以看出，與水的接觸角>170°，具有超疏水性。

圖4為實施例2制備得到的產(chǎn)品以及對比例1的普通玻璃的光譜曲線對比圖，從曲線圖可以看出，超疏水層可以一定程度上提高透過率。

實施例3

除將襯底替換為K9玻璃，并將步驟1)的沉積時間調(diào)整為1h外，其他制備方法和條件與實施例2相同。

本實施例制備得到的產(chǎn)品由K9玻璃及負(fù)載在其表面的透明超疏水薄膜構(gòu)成。

圖5a為本實施例制備得到的產(chǎn)品的AFM圖，由圖可以看出，其粗糙度Ra＝57。

圖5b為本實施例制備得到的產(chǎn)品與水的實測接觸角圖，由圖可以看出，與水的接觸角>170°，具有極好超疏水性。

實施例4

除將襯底替換為鍍有增透膜的K9玻璃外，其他制備方法和條件與實施例3相同。

本實施例制備得到的產(chǎn)品由鍍有增透膜的K9玻璃及負(fù)載在其表面的透明超疏水薄膜構(gòu)成，命名為鍍增自清潔膜的K9玻璃，該實施例得到的產(chǎn)品既具有增透性，又具有超疏水性。

圖6a為本實施例制備得到的產(chǎn)品的透明超疏水薄膜的AFM圖，由圖可以看出，其粗糙度Ra＝37。

圖6b為本實施例制備得到的產(chǎn)品的透明超疏水薄膜與水的實測接觸角圖， 由圖可以看出，與水的接觸角>170°，具有極好超疏水性。

圖7為實施例4得到的產(chǎn)品以及對比例2的K9玻璃的光譜曲線對比圖，從曲線圖看出，超疏水薄膜可以使透光率有明顯提高。

實施例5

除將襯底替換為鍍有20nm厚的ITO的普通玻璃(G/ITO)外，其他制備方法和條件與實施例2相同。

圖8為本實施例制備得到的負(fù)載在鍍有20nm厚的ITO的普通玻璃表面的透明超疏水薄膜與水的實測接觸角圖，由圖可知，其接觸角約為167°，具有超疏水性。

對比例1

本對比例的產(chǎn)品為普通玻璃。

對比例2

本對比例的產(chǎn)品為鍍有增透膜的K9玻璃。

申請人聲明，本發(fā)明通過上述實實施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)方法，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)方法才能實施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。