本發(fā)明涉及一種鉻蝕刻液及其制備方法，屬于鉻膜蝕刻工藝中鉻蝕刻液的
技術領域：
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背景技術：
：鉻膜蝕刻過程是鉻膜掩膜版制造的重要技術環(huán)節(jié)，對鉻膜掩膜版的圖形精度及精度均勻性的影響很高。同時，蝕刻液是蝕刻過程中重要的一個環(huán)節(jié)，其中硝酸鈰銨成分是鉻蝕刻液常用的成分之一，其與鉻版上的鉻層發(fā)生化學反應，而使鉻溶解在蝕刻液中。如CN102505118B，提供一種硝酸水溶液的環(huán)境，使硝酸鈰銨與鉻膜發(fā)生化學反應，并且通過提高硝酸的用量來提高蝕刻速度；CN102277573B采用鄰氟苯甲酸提供酸性環(huán)境，仍然可以通過用量來調(diào)節(jié)蝕刻速度。LTPS低溫多晶硅技術已經(jīng)成為一項發(fā)展相對完整的技術，現(xiàn)已廣泛的應用于發(fā)光面板中，其優(yōu)點是發(fā)光面板具有更大的可視角度(如應用于曲屏智能手機)，色彩還原好，畫面更加逼真絢麗。該技術陸續(xù)推出的第5.5代，第6代生產(chǎn)線對掩膜版的圖形精度要求越來越高。由于該技術要求鉻膜的雙向蝕刻，即從待蝕刻鉻膜的垂直方向和兩側同時進行蝕刻。前述的現(xiàn)有蝕刻液蝕刻速度大，不利于蝕刻過程的精細控制，并且使用現(xiàn)有技術的蝕刻液進行工作時，垂直蝕刻的速度大于側向，由于雙向蝕刻不能同時完成，對掩膜版圖形精度以及精度均勻性影響極大，造成終端產(chǎn)品不良率高。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明提供一種鉻蝕刻液及其制備方法，該蝕刻液可應用于同時進行垂直蝕刻和側向蝕刻的鉻膜雙向蝕刻工藝，有效降低垂直蝕刻速率，從而與側向蝕刻速率達到均衡，提高鉻膜圖形精度及精度均勻性。本發(fā)明是通過以下的技術方案實現(xiàn)的：一種鉻蝕刻液，包括以下成分和含量：硝酸鈰銨30～60份；高氯酸200～300份；去離子水4500～6000份。本發(fā)明的發(fā)明人在進行蝕刻液研究時，發(fā)現(xiàn)當使用高氯酸水溶液配制蝕刻液時，能夠起到減緩蝕刻的作用，同時使產(chǎn)品邊線更加光滑。在實驗過程中，首先使用的配方是硝酸鈰銨600～800份，高氯酸200～400份，去離子水4000～5000份，此時的垂直蝕刻速度為14埃/秒～20埃/秒，在實驗選取的待蝕刻鉻膜上反應時間需要50～80秒，雖然有效的降低了現(xiàn)有技術的蝕刻速度，但是同時進行的側向蝕刻完成的時間約為垂直蝕刻的二分之一，仍然需要進一步調(diào)整配方。在后續(xù)進行的實驗中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了硝酸鈰銨濃度變化對垂直蝕刻速度影響的關系，如圖2所示，在高氯酸的水溶液中，使用低濃度或是高濃度的硝酸鈰銨都能使蝕刻速度下降，但低濃度硝酸鈰銨同時又對能提高圖形精度，故選擇本發(fā)明所述配方的鉻蝕刻液。本發(fā)明還提供了該蝕刻液的制備方法：是通過以下的步驟實現(xiàn)的：(3)將硝酸鈰銨30～60份，高氯酸200～300份和去離子水4500～6000份倒入攪拌釜內(nèi)，攪拌并混合均勻，停止攪拌后抽真空；(4)將上述混合均勻的蝕刻液進行過濾。所述步驟(1)中的攪拌速度具體為：用500RPM進行攪拌15分鐘，再用800RPM進行攪拌20分鐘，最后用300RPM進行攪拌15分鐘。所述步驟(1)中抽真空至0.01～0.08Mpa。所述步驟(2)中的過濾使用FPTE過濾器，濾孔為0.1μm。本發(fā)明應用于垂直和側向的雙向鉻蝕刻工藝中。本發(fā)明的有益效果為：1.有效的降低了垂直蝕刻速度，能夠?qū)⒋怪蔽g刻速度降低至7埃/秒～9埃/秒，從而使垂直蝕刻時間延長至120～150秒。2.蝕刻精度和蝕刻均勻性控制明顯被提升，終端產(chǎn)品效果佳。3.由于硝酸鈰銨為稀土金屬化合物，本發(fā)明降低了原料使用成本，溶液溫和，簡化了保存環(huán)境。附圖說明圖1是雙向蝕刻工藝的示意圖1-垂直蝕刻；2-側向蝕刻；3-基板玻璃；4-鉻膜；5-光刻膠層；6-待蝕刻鉻膜。圖2是硝酸鈰銨濃度變化影響垂直蝕刻速度的曲線圖其中蝕刻時間單位為秒，硝酸鈰銨使用量為毫升數(shù)。具體實施方式以下結合實施例，對本發(fā)明做進一步說明。實施例1將硝酸鈰銨30份，高氯酸200份和去離子水4500份倒入攪拌釜內(nèi)進行混合，設置攪拌速度，先用500RPM進行攪拌15分鐘，再用800RPM進行攪拌20分鐘，最后用300RPM進行攪拌15分鐘。停止后抽真空，真空度保持在0.01Mpa即可，抽真空15分鐘，靜置，用濾孔為0.1μm的FPTE過濾器進行過濾，過濾完成后放入HDPE桶中。實施例2將硝酸鈰銨60份，高氯酸300份和去離子水6000份倒入攪拌釜內(nèi)進行混合，設置攪拌速度，先用500RPM進行攪拌15分鐘，再用800RPM進行攪拌20分鐘，最后用300RPM進行攪拌15分鐘。停止后抽真空，真空度保持在0.08Mpa即可，抽真空15分鐘，靜置，用濾孔為0.1μm的FPTE過濾器進行過濾，過濾完成后放入HDPE桶中。實施例3將硝酸鈰銨45份，高氯酸250份和去離子水5250份倒入攪拌釜內(nèi)進行混合，設置攪拌速度，先用500RPM進行攪拌15分鐘，再用800RPM進行攪拌20分鐘，最后用300RPM進行攪拌15分鐘。停止后抽真空，真空度保持在0.04Mpa即可，抽真空15分鐘，靜置，用濾孔為0.1μm的FPTE過濾器進行過濾，過濾完成后放入HDPE桶中。實施例4將硝酸鈰銨30份，高氯酸300份和去離子水6000份倒入攪拌釜內(nèi)進行混合，設置攪拌速度，先用500RPM進行攪拌15分鐘，再用800RPM進行攪拌20分鐘，最后用300RPM進行攪拌15分鐘。停止后抽真空，真空度保持在0.04Mpa即可，抽真空15分鐘，靜置，用濾孔為0.1μm的FPTE過濾器進行過濾，過濾完成后放入HDPE桶中。實施例5將硝酸鈰銨60份，高氯酸200份和去離子水5000份倒入攪拌釜內(nèi)進行混合，設置攪拌速度，先用500RPM進行攪拌15分鐘，再用800RPM進行攪拌20分鐘，最后用300RPM進行攪拌15分鐘。停止后抽真空，真空度保持在0.06Mpa即可，抽真空15分鐘，靜置，用濾孔為0.1μm的FPTE過濾器進行過濾，過濾完成后放入HDPE桶中。對比例選取發(fā)明人最初實驗中配方是硝酸鈰銨600～800份，高氯酸200～400份，去離子水4000～5000份的鉻蝕刻液的五組配方進行對比參考。將實施例1-5和對比例幾組配方進行光刻CD均勻性測試。選取相同的待蝕刻鉻膜同時進行垂直和側向蝕刻，測試光刻CD均勻性。如表1。表1CD均勻性最大值最小值平均值值程實施例1-510.107210.029910.063080.0773對比例5組10.274710.027210.10790.2475從表1中可知，本發(fā)明鉻蝕刻液的值程明顯較小，即選取了配方中最佳的比例，掩膜版精度和均勻性控制良好。當前第1頁1 2 3