示例性實(shí)施方式涉及方法。更具體地，示例性實(shí)施方式涉及制造掩模的方法。

背景技術(shù)：

諸如移動(dòng)電話、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板電腦等移動(dòng)電子裝置被廣泛使用。為了支持各種功能，移動(dòng)電子裝置通常包括將諸如圖像、視頻等可視信息提供給用戶的顯示裝置。雖然用于驅(qū)動(dòng)顯示裝置的部件變得更小，但是移動(dòng)電子裝置的用于顯示裝置的部分正在增大。另外，正在開(kāi)發(fā)可從平坦?fàn)顟B(tài)以某角度彎曲的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。

該背景部分中所公開(kāi)的上述信息僅為了增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，并因此，其可包含不形成在該國(guó)家中對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式提供制造掩模的方法。

附加的方面將在以下描述中被部分地闡述，并且通過(guò)該描述將部分地顯而易見(jiàn)，或者可通過(guò)對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，制造掩模的方法包括：使用激光在基礎(chǔ)材料中形成第一孔，第一孔從第一表面至與第一表面不同的第二表面穿透基礎(chǔ)材料；以及使用刻蝕劑擴(kuò)張第一孔以形成第二孔。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，制造掩模的方法包括：至少部分地導(dǎo)致激光穿過(guò)基礎(chǔ)材料形成第一孔，第一孔從基礎(chǔ)材料的第一表面延伸至基礎(chǔ)材料的第二表面；以及至少部分地導(dǎo)致刻蝕劑向第一孔提供，刻蝕劑配置為擴(kuò)張第一孔的尺寸以形成第二孔。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序或其組合可用于實(shí)施本文中所描述的示例性實(shí)施方式中的一個(gè)或多個(gè)。

以上概述性描述和以下詳細(xì)描述是示例性和說(shuō)明性的，并且旨在提供對(duì)所主張權(quán)利的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說(shuō)明

附圖示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式并且與描述一起用來(lái)解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理，附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。

圖1A、圖1B、圖1C和圖1D是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的在制造的各個(gè)階段的掩模的剖視圖。

圖2是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的配置為利用根據(jù)圖1A至圖1D的方法制造的掩模來(lái)制造顯示裝置的制造設(shè)備的示意圖。

圖3是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的使用圖2的制造設(shè)備制造的顯示裝置的一部分的剖視圖。

圖4A、圖4B、圖4C和圖4D是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的在制造的各個(gè)階段的掩模的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，為了解釋的目的，多個(gè)具體細(xì)節(jié)被闡述以提供對(duì)多種示例性實(shí)施方式的徹底理解。然而，顯而易見(jiàn)的是，多種示例性實(shí)施方式可在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下或使用一個(gè)或多個(gè)等同布置來(lái)實(shí)踐。在其它情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以框圖形式示出，以避免不必要地模糊多種示例性實(shí)施方式。

除非另有說(shuō)明，否則所說(shuō)明的示例性實(shí)施方式應(yīng)被理解成提供多種示例性實(shí)施方式的不同細(xì)節(jié)的示例性特征。因此，除非另有說(shuō)明，否則，在不背離所公開(kāi)的示例性實(shí)施方式的前提下，各圖示中的特征、部件、模塊、層、膜、面板、區(qū)域和/或方面可以以其它方式結(jié)合、分離、互換和/或重新排列。另外，在附圖中，為了清楚和描述的目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸可被夸大。當(dāng)示例性實(shí)施方式可以以不同的方式實(shí)施時(shí)，具體的過(guò)程順序可以與所描述的順序不同地執(zhí)行。例如，兩個(gè)連續(xù)描述的過(guò)程可基本上同時(shí)執(zhí)行或者可以以與所描述的順序相反的順序執(zhí)行。另外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接在另一元件或?qū)由?、直接連接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)樱蛘呖纱嬖诮橛谄溟g的元件或?qū)印Ｈ欢?，?dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在介于其間的元件或?qū)印Ａ硗?，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸，而可以以更廣泛的意義進(jìn)行解釋。例如，x軸、y軸和z軸可互相垂直，或者可表示不互相垂直的不同方向。為了本公開(kāi)的目的，“X、Y和Z中的至少一個(gè)”和“從由X、Y和Z組成的集合中選出的至少一個(gè)”可解釋成只有X、只有Y、只有Z，或者諸如X、Y和Z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任一組合，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。全文中相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如在本文中所使用的，措辭“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任何和全部組合。

雖然措辭“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段不應(yīng)受這些措辭限制。這些措辭用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層、和/或段與另一元件、部件、區(qū)域、層、和/或段區(qū)分開(kāi)。因此，在不背離本公開(kāi)的教導(dǎo)的前提下，以下所論述的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層和/或第一段可被稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層和/或第二段。

為了描述的目的，在本文中可使用諸如“在……下(beneath)”、“在……之下(below)”、“下(lower)”、“在……之上(above)”、“上(upper)”等的空間相對(duì)措辭，并且從而描述如附圖中所圖示的一個(gè)元件或特征與另一元件(多個(gè)元件)或特征(多個(gè)特征)的關(guān)系。除了附圖中描繪的定向外，空間相對(duì)措辭旨在包含設(shè)備在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征“之下”或“下”的元件將定向?yàn)樵谠撈渌蛱卣鳌爸稀?。因此，示例性措辭“在……之下(below)”可包含之上和之下兩個(gè)定向。此外，設(shè)備可以以其它方式定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，并因此，本文中所使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)被相應(yīng)地解釋。

本文中所使用的術(shù)語(yǔ)用于描述具體實(shí)施方式的目的，且不旨在進(jìn)行限制。除非上下文另外清楚地指出，否則如本文中所使用的單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”和“一(the)”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。此外，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，措辭“包含(comprise)”、“包含有(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括有(including)”指定所述特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其集合的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其集合的存在和附加。

在本文中參照理想化的示例性實(shí)施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性圖示的剖面圖示描述多種示例性實(shí)施方式。因而，應(yīng)預(yù)期作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的與圖示的形狀的差異。因而，本文中公開(kāi)的示例性實(shí)施方式不應(yīng)被解釋為限于區(qū)域的具體圖示的形狀，而是應(yīng)包括由例如制造引起的形狀上的偏差。例如，圖示成矩形的植入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壧幘哂袌A形或彎曲的特征和/或具有植入濃度的梯度，而非具有從植入?yún)^(qū)域到非植入?yún)^(qū)域的二元的變化。同樣地，由植入形成的隱埋區(qū)域可在隱埋區(qū)域與植入穿過(guò)其發(fā)生的表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些植入。因此，附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，而且它們的形狀不旨在圖示裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀并且不旨在進(jìn)行限制。

除非另外限定，否則本文中使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的含義相同的含義。除非在本文中明確地如此定義，否則諸如常用詞典中限定的術(shù)語(yǔ)應(yīng)被解釋成具有與其在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，并且不應(yīng)以理想化或過(guò)于形式化的意義進(jìn)行解釋。

圖1A、圖1B、圖1C和圖1D是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的在制造的各個(gè)階段的掩模的剖視圖。相應(yīng)地，將結(jié)合圖1A至圖1D來(lái)描述制造掩模110的方法。

參照?qǐng)D1A至圖1D，可通過(guò)在基礎(chǔ)材料M中形成具有圖案形狀的狹縫110b(s)制造掩模110。基礎(chǔ)材料M可包括例如殷鋼(亦稱FeNi36或64FeNi)材料的鐵鎳合金。然而，預(yù)期的是，可結(jié)合本文中所描述的示例性實(shí)施方式使用任何適當(dāng)?shù)牟牧?。這里，如圖2中所示，多個(gè)狹縫110b(s)可以以統(tǒng)一的圖案形成。另外，狹縫110b(s)的形狀可基于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和/或限制條件而改變。例如，在平面圖中，狹縫110b(s)可具有橢圓形形狀、矩形形狀、菱形形狀、圓形形狀和/或類似的形狀。為便于描述，將結(jié)合狹縫110b(s)具有圓形形狀的情況來(lái)描述示例性實(shí)施方式。

現(xiàn)將更詳細(xì)地描述形成狹縫110b(s)的方法?；A(chǔ)材料M可被切割并且被制備成任何適當(dāng)?shù)某叽?。在基礎(chǔ)材料M的第一表面F1上可形成第一阻擋膜120，以及在基礎(chǔ)材料M的第二表面F2上可形成第二阻擋膜130。第一阻擋膜120和第二阻擋膜130可分別包括使第一表面F1的一部分暴露的第一開(kāi)口120a和使第二表面F2的一部分暴露的第二開(kāi)口130a。第一開(kāi)口120a和第二開(kāi)口130a在第一表面F1和第二表面F2處可分別具有與狹縫110b(s)的尺寸相同的尺寸(例如，寬度)。第一阻擋膜120和第二阻擋膜130可包括任何適當(dāng)?shù)哪涂涛g材料以阻擋刻蝕劑的作用。例如，第一阻擋膜120和第二阻擋膜130可以是光刻膠材料。

在形成第一阻擋膜120和第二阻擋膜130后，可通過(guò)使用激光束穿過(guò)基礎(chǔ)材料M而形成第一孔110a。第一孔110a可從第一表面F1至第二表面F2穿透基礎(chǔ)材料M。激光束可穿過(guò)第一開(kāi)口120a照射并且可穿透基礎(chǔ)材料M從而穿過(guò)第二開(kāi)口130a。在這種情況下，第一孔110a的橫截面積(與基礎(chǔ)材料M的厚度方向(或Z方向)垂直)可從第一表面F1至第二表面F2減小。第一孔110a的橫截面積(與基礎(chǔ)材料M的厚度方向垂直)可從第一表面F1至第二表面F2線性地減小，然而，可存在任何其它適當(dāng)?shù)年P(guān)系。相應(yīng)地，在基礎(chǔ)材料M內(nèi)部的形成第一孔110a的處理表面可傾斜以形成逐漸變窄的形狀，例如倒置的梯形形狀。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，按以上所述而形成的第一孔110a的尺寸可小于狹縫110b(s)的尺寸。另外，在第一表面F1處跨過(guò)第一孔110a的第一直線距離X1和在第二表面F2處跨過(guò)第一孔110a的第二直線距離X2可滿足以下等式：

X2＝X1–2*T/tan(θ) 等式1

這里，X1表示第一直線距離，X2表示第二直線距離，T表示基礎(chǔ)材料M的厚度，以及θ表示具有逐漸變窄的形狀的第一孔110a的處理表面的傾斜角度。X2的值可基于X1和θ的值而確定。例如，第一直線距離X1可基于基礎(chǔ)材料M的性質(zhì)而確定，諸如熔點(diǎn)、剛性和材料。第一直線距離X1可比狹縫110b(s)在基礎(chǔ)材料M的第一表面F1處的直線距離N1小。即，如在下文中將變得更顯而易見(jiàn)的，通過(guò)將第一直線距離X1形成為至少比狹縫110b(s)在第一表面F1處形成的直線距離N1小，可通過(guò)隨后經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)刻蝕過(guò)程擴(kuò)張第一孔110a以形成第二孔110b。如上所述，第一直線距離X1可在比狹縫110b(s)在第一表面F1處的直線距離N1小的范圍內(nèi)任意選擇。另外，第二直線距離X2可形成為比狹縫110b(s)在第二表面F2處的直線距離N2小。通過(guò)這種方式，第一孔110a可具有比最終形成的狹縫110b(s)小的尺寸。

在形成第一孔110a后，可通過(guò)將刻蝕劑提供至第一開(kāi)口120a和第二開(kāi)口130a中的至少一個(gè)而形成第二孔110b。第二孔110b可具有與狹縫110b(s)相同的形狀。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，在形成第一孔110a時(shí)(或在形成第一孔110a之后)，刻蝕劑可噴射到基礎(chǔ)材料M上。例如，刻蝕劑可按照從基礎(chǔ)材料M的第一表面F1向第二表面F2的方向的噴涂而噴射到基礎(chǔ)材料M上。還預(yù)期的是，刻蝕劑可同時(shí)或依次噴射到基礎(chǔ)材料M的第一表面F1和第二表面F2上。為便于描述，結(jié)合刻蝕劑噴射到基礎(chǔ)材料M的第一表面F1上的情況描述示例性實(shí)施方式。

當(dāng)刻蝕劑噴射到基礎(chǔ)材料M的第一表面F1上時(shí)，刻蝕劑可流動(dòng)到第一孔110a中。通過(guò)這種方式，第一阻擋膜120、第一孔110a和通過(guò)第一開(kāi)口120a圍繞第一孔110a的基礎(chǔ)材料M可暴露至刻蝕劑。在這種情況下，圍繞第一孔110a的區(qū)域和第一孔110a內(nèi)部的區(qū)域可通過(guò)接觸刻蝕劑而被刻蝕。即，刻蝕劑可以以與第一孔110a的處理表面的傾斜角度相同或相似的角度刻蝕第一孔110a的處理表面。相應(yīng)地，在基礎(chǔ)材料M中可形成形狀與第一孔110a相同或相似但尺寸比第一孔110a大的第二孔110b。在第一孔110a內(nèi)部的處理表面和在第二孔110b內(nèi)部的處理表面可互相平行。另外，當(dāng)形成第二孔110b時(shí)，可去除形成在第一孔110a的處理表面(或內(nèi)表面)上的氧化物。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，可執(zhí)行以上所述的刻蝕過(guò)程直到第二孔110b變成狹縫110b(s)的尺寸。第二孔110b在第一表面F1處的尺寸與第一開(kāi)口120a的尺寸相同，并且第二孔110b在第二表面F2處的尺寸與第二開(kāi)口130a的尺寸相同。在這種情況下，當(dāng)?shù)诙?10b按如上所述形成時(shí)，可調(diào)節(jié)刻蝕速度以使得第二孔110b形成為與狹縫110b(s)相同的尺寸。

當(dāng)?shù)诙?10b經(jīng)由如上所述的刻蝕過(guò)程形成時(shí)，可去除在形成第一孔110a時(shí)生成的氧化物。即，當(dāng)形成第一孔110a時(shí)，由于激光工藝而導(dǎo)致在第一孔110a的處理表面上、在形成于第一表面F1中的圍繞第一孔110a的區(qū)域上以及在形成于第二表面F2中的圍繞第一孔110a的區(qū)域上可形成氧化物?？赏ㄟ^(guò)清洗來(lái)去除氧化物，但是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，可在形成第二孔110b時(shí)通過(guò)刻蝕劑來(lái)去除氧化物。

應(yīng)注意的是，當(dāng)形成第一孔110a時(shí)，由于激光照射設(shè)備中的污染或激光照射設(shè)備的故障而導(dǎo)致多個(gè)第一孔110a中的一些可能未形成或可具有不精確的形狀。為此，當(dāng)形成第一孔110a時(shí)，第一孔110a可包括雜質(zhì)。然而，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，這種情況可通過(guò)形成第二孔110b解決(或至少減少)。相應(yīng)地，通過(guò)使用上述方法，可減少在制造掩模110時(shí)可能生成的掩模110中的缺陷。另外，根據(jù)本文中描述的示例性實(shí)施方式，因?yàn)樵谛纬傻谝豢?10a時(shí)經(jīng)由激光束生成的氧化膜在形成第二孔110b時(shí)被去除，所以不單獨(dú)需要用于去除氧化膜的工藝。當(dāng)僅使用激光束來(lái)制造掩模110時(shí)，防止了制造時(shí)間上的增加。注意的是，僅使用激光束可使更精確的處理成為可能。

圖2是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的配置為利用根據(jù)圖1A至圖1D的方法制造的掩模來(lái)制造顯示裝置的制造設(shè)備的示意圖。圖3是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的使用圖2的制造設(shè)備制造的顯示裝置的一部分的剖視圖。

參照?qǐng)D2和圖3，用于制造顯示裝置的設(shè)備100可包括腔室161、掩模組件140、容納單元162、沉積源170、襯底支承件181和觀察部182。掩模組件140可包括掩模110以及容納并固定掩模110的掩?？?50。掩模110可根據(jù)圖1A至圖1D的方法制造。

在腔室161內(nèi)部可形成空間，并且該空間的一部分可打開(kāi)。在腔室161的打開(kāi)部分處可設(shè)置門(mén)閥161a以打開(kāi)或關(guān)閉通向腔室161的打開(kāi)部分的入口。掩模組件140可容納在容納單元162中。注意的是，容納單元162可配置為轉(zhuǎn)動(dòng)或線性地移動(dòng)掩模組件140。沉積材料可插入沉積源170中并且可蒸發(fā)或升華。蒸發(fā)或升華的沉積材料可通過(guò)掩模110沉積在第一襯底11上。襯底支承件181可支承第一襯底11。

用于制造顯示裝置的設(shè)備100可在支承第一襯底11時(shí)將沉積材料沉積在第一襯底11上。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，在使第一襯底11和/或沉積源170相對(duì)于彼此移動(dòng)時(shí)沉積材料可沉積在第一襯底11上。還預(yù)期的是，掩模組件140可相對(duì)于第一襯底11和/或沉積源170移動(dòng)。為便于描述，結(jié)合在第一襯底11被支承在腔室161中時(shí)沉積材料沉積在第一襯底11上的情況來(lái)描述示例性實(shí)施方式。壓力調(diào)節(jié)器190可連接至腔室161。在這種方式中，壓力調(diào)節(jié)器190可包括連接至腔室161的連接管191和設(shè)置在連接管191處的泵192以改變腔室161中的環(huán)境壓力(增壓或降壓)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，用于制造顯示裝置的設(shè)備100可用于形成顯示裝置的有機(jī)層、無(wú)機(jī)層或金屬層。為便于描述，結(jié)合形成顯示裝置的有機(jī)層的情況描述示例性實(shí)施方式。例如，結(jié)合形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層之中的中間層18b的情況描述設(shè)備100(包括掩模110)。

例如，基于設(shè)備100的操作，第一襯底11和掩模組件140插入腔室161中，并且分別被襯底支承件181和容納單元162支承。使用觀察部182測(cè)量掩模組件140和第一襯底11的位置，并且可通過(guò)調(diào)節(jié)容納單元162將第一襯底11與掩模組件140對(duì)準(zhǔn)。觀察部182可包括配置為拍攝掩模組件140和第一襯底11的圖像的相機(jī)，然而，可使用任何適當(dāng)?shù)挠^察機(jī)構(gòu)。

在將掩模組件140和第一襯底11的位置互相對(duì)準(zhǔn)后，沉積源170可被驅(qū)動(dòng)以蒸發(fā)或升華沉積材料。沉積材料可通過(guò)形成在掩模110中的狹縫110b(s)而沉積在第一襯底11上。在沉積材料沉積后，第一襯底11可從腔室161去除以用于下一操作。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，設(shè)備100可形成中間層18b。然后，在中間層18b上可形成相對(duì)電極18c，并且然后，在相對(duì)電極18c上可設(shè)置薄膜封裝層E或第二襯底(未示出)以制造顯示裝置10。

如圖3所示，顯示裝置10可包括第一襯底11和發(fā)射單元。另外，顯示裝置10可包括形成在發(fā)射單元上的薄膜封裝層E或第二襯底。因?yàn)榈诙r底與通常的顯示裝置中使用的襯底相同或相似，所以在本文中不提供其細(xì)節(jié)。另外，為便于描述，結(jié)合顯示裝置10包括薄膜封裝層E的情況描述示例性實(shí)施方式。

發(fā)射單元包括薄膜晶體管TFT。在薄膜晶體管TFT上形成鈍化膜17，并且在鈍化膜17上可形成有機(jī)發(fā)光裝置18。第一襯底11可包括玻璃材料，但示例性實(shí)施方式不限于此。例如，第一襯底11可包括塑料材料、諸如不銹鋼(SUS)或鈦(Ti)的金屬材料和/或類似物。另外，第一襯底11可由聚酰亞胺(PI)形成。為便于描述，結(jié)合第一襯底11包括玻璃材料的情況來(lái)描述示例性實(shí)施方式。

在第一襯底11的頂面上可形成緩沖層12。緩沖層12可例如包括有機(jī)化合物和/或諸如SiO_x(x≥1)或SiN_x(x≥1)的無(wú)機(jī)化合物。在緩沖層12上根據(jù)確定的圖案形成有源層13。在有源層13上形成柵絕緣層14，有源層13包括源區(qū)13a、漏區(qū)13c和形成在源區(qū)13a與漏區(qū)13c之間的溝道區(qū)13b。

有源層13可包括任何適當(dāng)?shù)牟牧稀＠?，有源?3可包括諸如非晶硅、晶體硅等無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料。作為另一示例，有源層13可包括氧化物半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體材料等。為便于描述，結(jié)合有源層13包括非晶硅的情況描述示例性實(shí)施方式。例如，可通過(guò)在緩沖層12上形成非晶硅膜、使非晶硅晶化以形成多晶硅膜并且隨后將多晶硅膜圖案化來(lái)形成有源層13。在有源層13中，根據(jù)薄膜晶體管TFT類型而用雜質(zhì)摻雜源區(qū)13a和漏區(qū)13c，其中薄膜晶體管TFT類型例如驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT(未示出)或開(kāi)關(guān)薄膜晶體管TFT(未示出)。

在柵絕緣層14的頂面上形成與有源層13對(duì)應(yīng)的柵電極15以及布置在柵電極15上的層間絕緣膜16。另外，穿過(guò)層間絕緣膜16和柵絕緣層14形成接觸孔H1。源電極17a和漏電極17b形成在層間絕緣膜16上并且分別與有源層13的源區(qū)13a和漏區(qū)13c接觸。

鈍化膜17形成在薄膜晶體管TFT上，并且在鈍化膜17上形成有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)18的像素電極18a。像素電極18a通過(guò)形成在鈍化膜17中的通孔H2與薄膜晶體管TFT的漏電極17b接觸。鈍化膜17可包括無(wú)機(jī)材料和/或有機(jī)材料，并且可形成為單層或至少兩層。鈍化膜17可以是平坦化膜，使得其頂面是平坦的而不考慮其底面的彎曲，或者其頂面可根據(jù)底面的彎曲而形成。另外，鈍化膜17可包括透明絕緣材料從而獲得共振效應(yīng)。

在將像素電極18a形成在鈍化膜17上之后，形成由有機(jī)材料和/或無(wú)機(jī)材料形成的像素限定膜19來(lái)覆蓋像素電極18a和鈍化膜17。像素限定膜19被開(kāi)口以部分地暴露像素電極18a。中間層18b和相對(duì)電極18c至少形成在像素電極18a上。OLED 18的像素電極18a用作陽(yáng)極而OLED 18的相對(duì)電極18c用作陰極，或反之亦然。像素電極18a和相對(duì)電極18c通過(guò)中間層18b相互絕緣，并且隨著不同極性的電壓施加至中間層18b，有機(jī)發(fā)射層發(fā)光。

中間層18b可包括有機(jī)發(fā)射層。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，中間層18b可包括有機(jī)發(fā)射層，并且還可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的至少一個(gè)以作為公共層(未示出)。像素單元可包括多個(gè)子像素，并且多個(gè)子像素可基于施加至中間層18b的電壓發(fā)射各種顏色的光。例如，多個(gè)子像素可包括分別配置為發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的子像素或分別發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光和白光的子像素。然而，預(yù)期的是，像素/子像素可配置為發(fā)射任何適當(dāng)顏色(或多個(gè)顏色)的光。

薄膜封裝層E可包括多個(gè)無(wú)機(jī)層或可包括無(wú)機(jī)層和有機(jī)層。薄膜封裝層E的有機(jī)層可包括聚合物，并且，例如可以是由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中任一種形成的單膜或堆疊膜。例如，有機(jī)層可包括聚丙烯酸酯，并且聚丙烯酸酯可包括包含雙丙烯酸基單體和三丙烯酸基單體的聚合單體化合物。聚合單體化合物還可包括單丙烯酸基單體。聚合單體化合物還可包括諸如2,4,6-三甲基苯甲?；?二苯基氧化膦(TPO)的光引發(fā)劑，但示例性實(shí)施方式不限于此。薄膜封裝層E的無(wú)機(jī)層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單膜或堆疊膜。例如，無(wú)機(jī)層可包括氮化硅(SiN_x)(x≥1)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硅(SiO₂)和氧化鈦(TiO₂)中的任一種。

薄膜封裝層E的最上層可以是無(wú)機(jī)層，該無(wú)機(jī)層可防止潮氣滲透到OLED 18中。薄膜封裝層E可包括至少一個(gè)有機(jī)層插入在至少兩個(gè)無(wú)機(jī)層之間的至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)。作為另一示例，薄膜封裝層E可包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)層插入在至少兩個(gè)有機(jī)層之間的至少一個(gè)夾層結(jié)構(gòu)。作為又一示例，薄膜封裝層E可包括至少一個(gè)有機(jī)層插入在至少兩個(gè)無(wú)機(jī)層之間的夾層結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)無(wú)機(jī)層插入在至少兩個(gè)有機(jī)層之間的夾層結(jié)構(gòu)。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，薄膜封裝層E從OLED 18的頂部可依次包括第一無(wú)機(jī)層、第一有機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層。作為另一示例，薄膜封裝層E從OLED 18的頂部可依次包括第一無(wú)機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無(wú)機(jī)層、第二有機(jī)層和第三無(wú)機(jī)層。作為又一示例，薄膜封裝層E從OLED 18的頂部可依次包括第一無(wú)機(jī)層、第一有機(jī)層、第二無(wú)機(jī)層、第二有機(jī)層、第三無(wú)機(jī)層、第三有機(jī)層和第四無(wú)機(jī)層。

在OLED 18與薄膜封裝層E的第一無(wú)機(jī)層之間還可布置包括氟化鋰(LiF)的鹵化金屬層。鹵化金屬層可防止在通過(guò)濺射方法形成第一無(wú)機(jī)層時(shí)OLED 18被損壞。第一有機(jī)層可具有比第二無(wú)機(jī)層小的面積，并且第二有機(jī)層也可具有比第三無(wú)機(jī)層小的面積。相應(yīng)地，顯示裝置制造設(shè)備100可利用掩模110形成精確的圖案。另外，顯示裝置10可實(shí)現(xiàn)清晰的圖像。

圖4A、圖4B、圖4C和圖4D是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式的在制造的各個(gè)階段的掩模的剖視圖。

參照?qǐng)D4A至圖4D，可按照與圖1A至圖1D的方法類似的方式制造掩模210。例如，可通過(guò)將激光束照射至以充分尺寸制備的基礎(chǔ)材料M的第一表面F1上來(lái)形成第一孔210a。第一孔210a的尺寸可以是預(yù)定的尺寸，并且，在這種情況下可控制激光束的強(qiáng)度或激光束的照射時(shí)間以獲得預(yù)定的尺寸。當(dāng)?shù)谝豢?10a形成在基礎(chǔ)材料M中時(shí)，第一孔210a可從第一表面F1到第二表面F2穿透基礎(chǔ)材料M。第一孔210a可具有與參照?qǐng)D1A至圖1D所描述的形狀相同或相似的形狀。

在形成第一孔210a后，在基礎(chǔ)材料M的第一表面F1和第二表面F2上可分別形成第一阻擋膜220和第二阻擋膜230。因?yàn)榈谝蛔钃跄?20和第二阻擋膜230與以上參照?qǐng)D1A至圖1D所描述的阻擋膜相同或相似，所以省略重復(fù)的描述以避免模糊本文中所描述的示例性實(shí)施方式。形成在第一阻擋膜220中的第一開(kāi)口220a的尺寸可比第一孔210a在第一表面F1處的尺寸大。第一開(kāi)口220a的尺寸可與狹縫210b(s)在第一表面F1處的尺寸相同。例如，第一開(kāi)口220a的尺寸可與第二孔210b在第一表面F1處的尺寸相同。形成在第二阻擋膜230中的第二開(kāi)口230a的尺寸可比第一孔210a在第二表面F2處的尺寸大。第二開(kāi)口230a的尺寸可與狹縫210b(s)在第二表面F2處的尺寸相同或者與第二孔210b在第二表面F2處的尺寸相同。

在形成第一阻擋膜220和第二阻擋膜230后，可通過(guò)向第一表面F1和/或第二表面F2噴射刻蝕劑來(lái)形成第二孔210b。如上所述，第二孔210b的尺寸可與第一開(kāi)口220a在第一表面F1處的尺寸相同，并且可與第二開(kāi)口230a在第二表面F2處的尺寸相同。以上所述的第二孔210b可變成掩模210的狹縫210b(s)。注意的是，可使用多個(gè)狹縫210b(s)，并且多個(gè)狹縫210b(s)可具有統(tǒng)一的圖案。如上所述，可在形成第二孔210b之后去除第一阻擋膜220和第二阻擋膜230。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，可減少在制造掩模210時(shí)可能生成的掩模210中的缺陷。另外，因?yàn)樵谛纬傻谝豢?10a時(shí)生成的氧化膜可在形成第二孔210b時(shí)去除，所以不另外需要用于去除氧化膜的工藝，但是仍然可使用用于去除氧化膜的工藝。根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，當(dāng)僅使用激光束制造掩模210時(shí)，防止了制造時(shí)間上的增加。注意的是，僅使用激光束可使更精確的處理成為可能。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施方式，可用精細(xì)的圖案形成掩模并且可用減少的雜質(zhì)和/或缺陷形成掩模。

雖然在本文中描述了某些示例性實(shí)施方式和實(shí)施例，但是，根據(jù)該描述，其它實(shí)施方式和修改將是顯而易見(jiàn)的。相應(yīng)地，本發(fā)明構(gòu)思不受限于這些實(shí)施方式，而受限于所提出的權(quán)利要求以及各種明顯的修改和等同布置的更寬泛的范圍。