相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本專(zhuān)利申請(qǐng)要求美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)no.62/066,484(2014年10月21日提交)和62/198,013(2015年7月28日提交)的優(yōu)先權(quán)，這兩篇美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)被引入作為參考。
背景技術(shù)：
：在存在水的情況下的金屬的腐蝕在許多行業(yè)中是具有挑戰(zhàn)性且常見(jiàn)的問(wèn)題。腐蝕可為普遍化的或局部化的。腐蝕可為嚴(yán)重的問(wèn)題，這是由于其可通過(guò)損壞制品的結(jié)構(gòu)且最終甚至致使一些產(chǎn)品無(wú)用而造成制品的劣化。允許腐蝕是不具有成本效益的且可抑制生產(chǎn)率。對(duì)于維護(hù)經(jīng)受腐蝕的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、機(jī)械及產(chǎn)品，理解及防止腐蝕已被證實(shí)為困難的挑戰(zhàn)。舉例而言，其中腐蝕可為問(wèn)題的一個(gè)領(lǐng)域是在集成電路及其它電子器件的制造中。典型地，多個(gè)導(dǎo)電、半導(dǎo)電及介電的材料層沉積至基板表面上或自基板表面移除。隨著材料層依序地沉積至基板上及自基板移除，基板的最上部表面可變得非平坦且需要進(jìn)行平坦化。對(duì)表面進(jìn)行平坦化或?qū)Ρ砻孢M(jìn)行“拋光”是這樣的工藝，通過(guò)該工藝，自基板的表面移除材料以形成總體上均勻平坦的表面。平坦化可用于移除不合乎期望的表面形貌(topography)及表面缺陷，諸如粗糙表面、經(jīng)團(tuán)聚的材料、晶格損傷、刮痕、以及受污染的層或材料。平坦化也可用于通過(guò)移除過(guò)量的沉積材料而在基板上形成特征，該沉積材料用于填充所述特征并提供用于后續(xù)的加工及金屬化水平的均勻表面。用于對(duì)基板表面進(jìn)行平坦化或拋光的組合物及方法在本領(lǐng)域中是公知的?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化或化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)是用于使基板平坦化的常用技術(shù)。cmp采用被稱(chēng)為cmp組合物或更簡(jiǎn)單地被稱(chēng)為拋光組合物(也被稱(chēng)作拋光漿料)的化學(xué)組合物以用于自基板選擇性地移除材料。典型地，通過(guò)使基板的表面與飽含拋光組合物的拋光墊(例如，拋光布或拋光盤(pán))接觸而將拋光組合物施加至基板。典型地，通過(guò)拋光組合物的化學(xué)活性和/或懸浮于拋光組合物中或結(jié)合到拋光墊(例如，固定研磨劑式拋光墊)中的研磨劑的機(jī)械活性而進(jìn)一步輔助基板的拋光。鈷(co)的化學(xué)機(jī)械拋光在先進(jìn)電路集成技術(shù)中正變得愈加重要。盡管經(jīng)設(shè)計(jì)用于拋光銅(cu)的組合物在本領(lǐng)域中是已知的，但這些拋光組合物并不始終針對(duì)鈷提供令人滿(mǎn)意的拋光性能同時(shí)將腐蝕控制至所需水平的組合。銅腐蝕抑制劑可能未充分地保護(hù)鈷表面免于不合乎期望的化學(xué)侵蝕及蝕刻。仍需要抑制基板(包括(例如)含有鈷的基板)的腐蝕的方法。還需要提供有效的鈷移除速率同時(shí)遏止鈷的腐蝕的拋光組合物及方法。本發(fā)明提供這樣的拋光組合物及方法。本發(fā)明的這些及其它優(yōu)勢(shì)以及其它的發(fā)明特征將自本文中所提供的本發(fā)明的描述而明晰。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在一個(gè)方面中，本發(fā)明提供一種抑制含有金屬的基板的腐蝕的方法。該方法包括以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：使該基板與包含抑制劑的水性組合物接觸，該抑制劑包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯(sulfocinnimate)、或其任意組合。在一些實(shí)施方式中，該組合物具有自約3至約8.5的ph。在另一方面中，本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光組合物。該組合物包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)研磨劑；(b)速率促進(jìn)劑；(c)腐蝕抑制劑，其包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合；(d)氧化劑；及(e)水性載劑。在另一方面中，本發(fā)明提供一種拋光基板的方法。該方法包括以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(i)提供基板；(ii)提供拋光墊；(iii)提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物；(iv)使該基板與該拋光墊及該化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸；及(v)相對(duì)于該基板移動(dòng)該拋光墊及該化學(xué)機(jī)械拋光組合物以磨除該基板的至少一部分以?huà)伖庠摶濉Ｔ摶瘜W(xué)機(jī)械拋光組合物可包含：(a)研磨劑；(b)速率促進(jìn)劑；(c)腐蝕抑制劑，其包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合；(d)氧化劑；及(e)水性載劑。在另一方面中，本發(fā)明提供一種拋光基板的方法。該方法包括以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(i)提供基板，其中該基板包含鈷層；(ii)提供拋光墊；(iii)提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物；(iv)使該基板與該拋光墊及該化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸；及(v)相對(duì)于該基板移動(dòng)該拋光墊及該化學(xué)機(jī)械拋光組合物，從而磨除該鈷層的至少一部分以?huà)伖庠摶?。該化學(xué)機(jī)械拋光組合物可包含：(a)研磨劑；(b)速率促進(jìn)劑；(c)腐蝕抑制劑，其包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合；(d)氧化劑；及(e)水性載劑。附圖說(shuō)明圖1為靜態(tài)蝕刻速率(ser)(y軸)相對(duì)于各種肌氨酸酯化合物的抑制劑濃度(微摩爾)(x軸)的圖，如本文中的實(shí)施例3中所描述的。圖2為各種腐蝕抑制劑(x軸)的鈷(co)移除速率(rr)(y軸)的柱狀圖，如本文中的實(shí)施例4中所描述的。圖3為co移除速率(y軸)相對(duì)于兩種肌氨酸酯腐蝕抑制劑的濃度(mm)(x軸)的圖，如本文中的實(shí)施例5中所描述的。具體實(shí)施方式抑制腐蝕的方法在一個(gè)方面中，本發(fā)明提供一種抑制含有金屬的基板的腐蝕的方法。該方法包括使基板與包含抑制劑的水性組合物接觸，抑制劑包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合。本文中提供這些類(lèi)型的成分中的每一者的實(shí)例，且其將由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員容易地理解。在一些實(shí)施方式中，例如，對(duì)于與含鈷基板相關(guān)的應(yīng)用，抑制劑包括于具有自約3至約8.5的ph的水性組合物中。本發(fā)明還提供拋光基板的化學(xué)機(jī)械拋光組合物及方法，如下文中進(jìn)一步所描述的?；逡种聘g的方法對(duì)于多種金屬具有效用，且可用于跨越不同行業(yè)的多種應(yīng)用中。在一些實(shí)施方式中，在金屬為鈷或含鈷合金的情況下可使用抑制腐蝕的方法?；蹇蔀樾枰g抑制的任何適合的基板。作為實(shí)例且并不意欲作為任何限制，抑制腐蝕的方法可用于如本文中所描述的化學(xué)機(jī)械拋光中，例如，其中基板是體現(xiàn)為集成電路或其它電子器件的半導(dǎo)體晶片。晶片通常包含(例如)以下物質(zhì)或由(例如)以下物質(zhì)組成：金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬?gòu)?fù)合物、金屬合金、低介電材料、或者它們的組合。然而，應(yīng)當(dāng)理解，抑制腐蝕的方法可用于其它應(yīng)用，包括金屬加工或金屬切削應(yīng)用。本發(fā)明的方法也可用于拋光包含鈷及鈷合金的基板，其可用于燃?xì)廨啓C(jī)及噴氣式飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)用的渦輪葉片、整形外科植入物、修復(fù)用部件(諸如髖部及膝部的替換物)、牙齒修復(fù)物、高速鋼鉆頭及永磁鐵中。在用于化學(xué)機(jī)械拋光的實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法及組合物在拋光用于集成電路及其它微器件的制造中的寬范圍的多種半導(dǎo)體晶片時(shí)具有適用性。在一些實(shí)施方式中，這樣的晶片可屬于常規(guī)節(jié)點(diǎn)(node)構(gòu)型，例如，65nm或更小、45nm或更小、32nm或更小等的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。然而，在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法及組合物特別適于進(jìn)階節(jié)點(diǎn)應(yīng)用(例如，22nm或更小、20nm或更小、18nm或更小、16nm或更小、14nm或更小、12nm或更小、10nm或更小、7nm或更小、5nm或更小等的技術(shù)節(jié)點(diǎn))。應(yīng)當(dāng)理解，隨著節(jié)點(diǎn)技術(shù)變得越來(lái)越進(jìn)階，在平坦化技術(shù)中降低腐蝕變得越來(lái)越重要，這是因?yàn)椋弘S著晶片上的特征的相對(duì)大小變得越來(lái)越小，腐蝕結(jié)果具有越來(lái)越多的影響。由于由本發(fā)明的組合物及方法提供的優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的顯著提升(例如，對(duì)于鈷或鈷合金)，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，可在較少腐蝕的情況下達(dá)成越來(lái)越進(jìn)階的節(jié)點(diǎn)拋光。然而，如所提及的，本發(fā)明不限于用于進(jìn)階節(jié)點(diǎn)晶片，且可視需要而在針對(duì)其它工件的腐蝕方面具有有益結(jié)果。本發(fā)明的方法及組合物可在上文所描述的常規(guī)或進(jìn)階節(jié)點(diǎn)處用于具有銅或其它已知金屬(例如，鋁、鎢等)基底的晶片。然而，本發(fā)明的方法及組合物對(duì)于鈷基板具有特別令人驚訝的且出人意料的益處。在進(jìn)階節(jié)點(diǎn)應(yīng)用中，越來(lái)越多地強(qiáng)調(diào)在晶體管之間用作有效互連的鈷。鈷已被發(fā)現(xiàn)為提供顯著優(yōu)勢(shì)，這是因?yàn)?例如)鈷能夠化學(xué)氣相沉積(cvd)至溝槽中而無(wú)缺陷，或充當(dāng)圍繞銅布線(xiàn)的襯套?；瘜W(xué)機(jī)械拋光組合物在另一方面中，本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)組合物，其包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)研磨劑，其包含帶負(fù)電荷的顆粒；(b)速率促進(jìn)劑；(c)腐蝕抑制劑，其包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合；(d)氧化劑；及(e)水性載劑。雖然不希望受到任何特定理論束縛，但相信，本發(fā)明的拋光組合物用以在基板表面上形成二維膜。該膜錨定至基板且保護(hù)基板免于腐蝕。令人驚訝地且出人意料地，本發(fā)明的拋光組合物使用陰離子型表面活性劑以鈍化帶正電荷的表面以保護(hù)基板免于腐蝕，同時(shí)在一些實(shí)施方式中還提供所需的拋光移除速率。本發(fā)明的實(shí)施方式可(例如)通過(guò)使用表面活性劑作為腐蝕抑制劑形成疏水性膜以保護(hù)基板。這樣的膜特別適合于保護(hù)鈷。用于保護(hù)銅基板的常規(guī)體系已與銅形成聚合型絡(luò)合物(例如，使用諸如苯并三唑(bta)的芳族唑)，而本發(fā)明令人驚訝地且出人意料地達(dá)成有益的腐蝕抑制，其沒(méi)有形成這樣的絡(luò)合物且沒(méi)有使用這樣的芳族唑，而是通過(guò)形成上文所提及的二維膜。然而，應(yīng)當(dāng)理解，所述拋光組合物不限于用于鈷，且可用于包括鎢、鋁、銅等的其它金屬基板。下文論述拋光組合物的單獨(dú)的組分。研磨劑顆粒拋光組合物包含研磨劑(即，一種或多種研磨劑)。研磨劑可為呈顆粒的形式的任何適合的研磨劑或研磨劑組合。在優(yōu)選實(shí)施方式中，研磨劑顆粒合乎期望地為帶負(fù)電荷的。舉例而言，研磨劑顆?？蔀檠趸X顆粒、氧化硅顆粒、或者它們的組合。在一些實(shí)施方式中，研磨劑顆粒為或包括氧化鋁顆粒，諸如α氧化鋁顆粒，其中，α氧化鋁顆粒的表面的至少一部分被涂布有帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物。更優(yōu)選地，研磨劑顆粒為或包括氧化硅顆粒，諸如膠體氧化硅顆粒，其合乎期望地為帶負(fù)電荷的膠體氧化硅顆粒。研磨劑顆?？蔀槿魏芜m合的氧化鋁顆粒。舉例而言，研磨劑顆粒可為α氧化鋁顆粒(即，α-氧化鋁)、γ氧化鋁顆粒(即，γ-氧化鋁)、δ氧化鋁顆粒(即，δ-氧化鋁)、或熱解氧化鋁顆粒?？蛇x擇地，研磨劑顆粒可為任何適合的氧化鋁顆粒，其中，氧化鋁顆粒不包括α氧化鋁顆粒、γ氧化鋁顆粒、δ氧化鋁顆粒及熱解氧化鋁顆粒中的一種或多種。在一些實(shí)施方式中，研磨劑顆粒可為或包括α氧化鋁顆粒。α氧化鋁是指在高于1400℃的高溫下形成的氧化鋁的結(jié)晶多晶型物，且通常是指包含約50重量％或更多的α多晶型物的氧化鋁。α氧化鋁在本領(lǐng)域中是公知的，且能夠以寬范圍的粒度和表面積而商購(gòu)獲得。在一些實(shí)施方式中，研磨劑包含α氧化鋁顆粒，且α氧化鋁顆粒的表面的至少一部分被涂布有帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物。舉例而言，α氧化鋁的表面的約5重量％或更多(例如，約10重量％或更多、約50重量％或更多、基本上全部、或全部)可被涂布有帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物。帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物可為任何適合的聚合物或共聚物。優(yōu)選地，帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物包含選自羧酸、磺酸及膦酸官能團(tuán)的重復(fù)單元。更優(yōu)選地，帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物包含選自以下的重復(fù)單元：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、乙烯基磺酸、2-(甲基丙烯酰氧基)乙磺酸、苯乙烯磺酸、2-丙烯酰氨基-2-甲基丙烷磺酸、乙烯膦酸、磷酸2-(甲基丙烯?；趸?乙基酯、以及它們的組合。最優(yōu)選地，帶負(fù)電荷的聚合物或共聚物為聚(2-丙烯酰氨基-2-甲基丙烷磺酸)或聚苯乙烯磺酸。由于α氧化鋁顆粒典型地具有帶正電荷的表面，因此，聚合物或共聚物與α氧化鋁顆粒的締合引起聚合物或共聚物上的酸性官能團(tuán)的至少部分的去質(zhì)子化，因此致使與α氧化鋁顆粒締合的聚合物或共聚物帶負(fù)電荷。氧化鋁顆粒可具有任何適合的粒度。顆粒的粒度為包圍該顆粒的最小球體的直徑?？墒褂萌魏芜m合的技術(shù)(例如，使用激光衍射技術(shù))來(lái)量測(cè)氧化鋁顆粒的粒度。適合的粒度量測(cè)儀器可購(gòu)自諸如malverninstruments(malvern,uk)及horibascientific(kyoto,japan)。氧化鋁顆?？删哂屑s10nm或更大的平均粒度，例如，約20nm或更大、約30nm或更大、約40nm或更大、或約50nm或更大。可選擇地，或者此外，氧化鋁顆?？删哂屑s1000nm或更小的平均粒度，例如，約750nm或更小、約500nm或更小、約250nm或更小、約200nm或更小、約150nm或更小、或約100nm或更小。因此，氧化鋁顆粒可具有在由前述端點(diǎn)中的任何兩者界定的范圍內(nèi)的平均粒度。舉例而言，氧化鋁顆粒可具有約10nm至約1000nm的平均粒度，例如，約25nm至約750nm、約40nm至約500nm、約50nm至約250nm、約50nm至約150nm、或約50nm至約125nm。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式，顆粒為或包括氧化硅顆粒。舉例而言，研磨劑顆?？蔀槟z體氧化硅顆粒。膠體氧化硅顆粒典型地為非聚集的單獨(dú)的離散顆粒，其通常為球形或近球形形狀，但可具有其它形狀(例如，具有大體上橢圓形、正方形或矩形橫截面的形狀)。這樣的顆粒典型地在結(jié)構(gòu)上不同于熱解顆粒，所述熱解顆粒是經(jīng)由火成或火焰水解工藝而制備且為聚集的初級(jí)顆粒的鏈狀結(jié)構(gòu)?？蛇x擇地，研磨劑顆?？蔀槿魏芜m合的氧化硅顆粒，其中，氧化硅顆粒不包括膠體氧化硅顆粒。更優(yōu)選地，研磨劑顆粒為膠體氧化硅顆粒。合意的是，膠體氧化硅顆粒為經(jīng)沉淀或縮聚的氧化硅，其可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任意方法而制備，諸如通過(guò)溶膠凝膠法或通過(guò)硅酸根離子交換。經(jīng)縮聚的氧化硅顆粒通常通過(guò)縮合si(oh)4以形成基本上球形顆粒而制備。前體si(oh)4可(例如)通過(guò)水解高純度烷氧硅烷或通過(guò)酸化水性硅酸酯溶液而獲得。這樣的研磨劑顆?？筛鶕?jù)美國(guó)專(zhuān)利5,230,833而制備，或可作為各種市售產(chǎn)品中的任一者而獲得，諸如akzo-nobelbindziltm氧化硅產(chǎn)品及nalco氧化硅產(chǎn)品，以及可購(gòu)自dupont、bayer、appliedresearch、nissanchemical、fuso及clariant的其它相似產(chǎn)品。膠體氧化硅顆?？删哂腥魏芜m合的表面電荷。優(yōu)選地，膠體氧化硅顆粒為帶負(fù)電荷的膠體氧化硅顆粒?！皫ж?fù)電荷的”意指膠體氧化硅顆粒在拋光組合物的ph下具有負(fù)的表面電荷。膠體氧化硅顆?？稍谄涮烊粻顟B(tài)下在拋光組合物的ph下為帶負(fù)電荷的，或者，可使用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的任意方法來(lái)使膠體氧化硅顆粒在拋光組合物的ph下為帶負(fù)電荷的，所述方法諸如(例如)通過(guò)表面金屬摻雜(例如，通過(guò)使用鋁離子的摻雜)，或通過(guò)運(yùn)用系栓(tethered)有機(jī)酸、系栓的基于硫的酸或系栓的基于磷的酸的表面處理。氧化硅顆?？删哂腥魏瘟６?。顆粒的粒度為包圍該顆粒的最小球體的直徑?？墒褂萌魏芜m合的技術(shù)(例如，使用激光衍射技術(shù))來(lái)量測(cè)氧化硅顆粒的粒度。適合的粒度量測(cè)儀器可購(gòu)自諸如malverninstruments(malvern,uk)及horibascientific(kyoto,japan)。氧化硅顆?？删哂屑s1nm或更大的平均粒度，例如，約2nm或更大、約4nm或更大、約5nm或更大、約10nm或更大、約20nm或更大、約25nm或更大、約50nm或更大、或約75nm或更大?？蛇x擇地，或者此外，氧化硅顆?？删哂屑s1000nm或更小的平均粒度，例如，約750nm或更小、約500nm或更小、約300nm或更小、約250nm或更小、約120nm或更小、約150nm或更小、約100nm或更小、或約75nm或更小。因此，氧化硅顆?？删哂性谟汕笆龆它c(diǎn)中的任何兩者界定的范圍內(nèi)的平均粒度。舉例而言，氧化硅顆?？删哂屑s1nm至約1000nm的平均粒度，例如，約4nm至約750nm、約10nm至約500nm、約20nm至約300nm、或約50nm至約120nm。研磨劑以任何適合的量而存在于拋光組合物中。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，可以約10重量％或更少的量包括研磨劑，諸如自約1重量％至約10重量％，例如，自約1重量％至約8重量％、自約1重量％至約6重量％、自約2重量％至約8重量％、自約2重量％至約6重量％等。然而，令人驚訝地，本發(fā)明的實(shí)施方式允許出人意料地低含量的研磨劑以達(dá)成所需的移除速率而無(wú)需較高量的研磨劑及機(jī)械力，特別是在基板含有鈷的實(shí)施方式中。因此，在一些實(shí)施方式中，以自約0.05重量％至約1重量％的濃度包括研磨劑，例如，自約0.05重量％至約1重量％、自約0.05重量％至約0.8重量％、自約0.05重量％至約0.6重量％、自約0.05重量％至約0.4重量％、自約0.05重量％至約0.2重量％、自約0.1重量％至約1重量％、自約0.1重量％至約0.8重量％、自約0.1重量％至約0.6重量％、自約0.1重量％至約0.4重量％、自約0.2重量％至約1重量％、自約0.2重量％至約0.8重量％、自約0.2重量％至約0.6重量％、自約0.2重量％至約0.4重量％、自約0.4重量％至約1重量％、自約0.4重量％至約0.8重量％、自約0.4重量％至約0.6重量％等。腐蝕抑制劑根據(jù)優(yōu)選實(shí)施方式，腐蝕抑制劑(例如，用于鈷或用于其它金屬)為兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物(例如，諸如脂肪酸氨基酸酰胺的氨基酸酰胺)、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯或其任意組合中的一種或多種。在一些實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑被視為表面活性劑，這是因?yàn)槠渚哂杏H水性頭基(headgroup)及疏水性尾基(tailgroup)，從而致使其為表面活性的。在一些實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑的特征為下式：x-r2，其中x＝陰離子型頭基，且r2＝碳數(shù)n的脂族基。在一些實(shí)施方式中，n大于7。在一些實(shí)施方式中，n為自約12至約24(例如，約12至約22、約12至約20、約12至約18、約12至約16、或約12至約14)。然而，在一些實(shí)施方式中，視需要，n可較低(例如，自約8至約24)。x可為任何適合的陰離子型頭基，諸如氨基酸衍生物、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、磺酸酯，膦酸酯等。在實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑包含陰離子型頭基以及脂族尾基，例如，c8-c24脂族尾基，諸如c10-c22、c10-c20、c10-c18、c10-c16、c10-c14或c12-c14脂族尾基。在實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑(例如，用于鈷)包含陰離子型頭基以及c9-c14脂族尾基，例如，c9-c14烷基或c9-c14烯基尾基。應(yīng)當(dāng)理解，如本文中貫穿全文所定義的，“脂族”是指烷基、烯基或炔基，且可被取代或未被取代以及飽和或不飽和，例如，十八烷酰、油烯基、亞油烯基(linoleyl)或亞麻烯基(linolenyl)全部為c18脂族基。因此，術(shù)語(yǔ)脂族還指具有保持基團(tuán)的疏水性的雜原子取代的鏈。腐蝕抑制劑可為單一化合物，或可為兩種或更多種化合物的組合。在優(yōu)選實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑(例如，用于鈷)為或包含具有結(jié)構(gòu)r-con(ch3)ch2cooh的肌氨酸衍生物，其中，con(ch3)ch2cooh形成頭基，且r形成尾基。在一些實(shí)施方式中，r基團(tuán)為c8-c20脂族基且可為c9-c20烷基或c9-c20烯基，例如，c9烷基、c10烷基、c11烷基、c12烷基、c13烷基、c14烷基、c15烷基、c16烷基、c17烷基、c18烷基、c19烷基、c20烷基、c9烯基、c10烯基、c11烯基、c12烯基、c13烯基、c14烯基、c15烯基、c16烯基、c17烯基、c18烯基、c19烯基、或c20烯基。因此，舉例而言，r基團(tuán)可為c9-c14脂族基、c13-c20脂族基、或c15-c17脂族基。在其中腐蝕抑制劑(例如，用于鈷)為肌氨酸衍生物的優(yōu)選實(shí)施方式中，出于碳計(jì)數(shù)的目的，尾基的常規(guī)命名包括其上連接有r基團(tuán)的羰基。因此，舉例說(shuō)明，c12肌氨酸酯是指肌氨酸月桂?；ィ襝18肌氨酸酯是指(例如)肌氨酸十八烷?；セ蚣“彼嵊王；?。當(dāng)尾基為烯基(其中雙鍵不在尾基的末端處)時(shí)，烯基可具有e構(gòu)型或z構(gòu)型，或可為e異構(gòu)體與z異構(gòu)體的混合。腐蝕抑制劑可為單一化合物，或可為兩種或更多種具有陰離子型頭基以及c8-c20脂族尾基的化合物的混合物或兩種或更多種如本文中所描述的具有c7-c19脂族r基團(tuán)的肌氨酸衍生物的混合物，其限制條件為約75重量％或更多(例如，約80重量％或更多、約85重量％或更多、約90重量％或更多、或約95重量％或更多)的所述化合物包含陰離子型頭基以及c10-c14脂族尾基或?yàn)榫哂衏9-c13脂族r基團(tuán)的肌氨酸衍生物。應(yīng)當(dāng)理解，取決于拋光組合物的ph，前述肌氨酸衍生物可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽或其類(lèi)似者)的形式、酸的形式或作為其酸與鹽的混合物而存在。肌氨酸衍生物的酸或鹽形式或其混合物適合用于制備拋光組合物。在一些實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑可為或包括陰離子型表面活性劑，其包括(例如)適合的氨基酸衍生物，諸如氨基酸酰胺和/或脂肪酸氨基酸，特別是脂肪酸氨基酸胺。在一些實(shí)施方式中，氨基酸衍生物呈肌氨酸的脂肪酸衍生物的形式，包括其鹽，即，如上文所描述的肌氨酸酯。肌氨酸酯的實(shí)例包括(例如)肌氨酸n-椰油酰基酯、肌氨酸n-月桂?；ァ⒓“彼醤-十八烷?；ァ⒓“彼醤-油酰基酯、肌氨酸n-肉豆蔻?；ァ-月桂?；“彼徕?、其鹽、或其任意組合。在一些實(shí)施方式中，氨基酸衍生物為呈脂肪酸氨基酸酰胺的形式的氨基酸酰胺，其為或包括甘氨酸衍生物，諸如(例如)脂肪酸氨基酸酰胺，諸如c8-c18甘氨酸(例如，c8-c18脂族甘氨酸，諸如c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族甘氨酸等)。實(shí)例包括n-月桂?；拾彼?、n-肉豆蔻?；拾彼帷-棕櫚?；拾彼?、或者它們的組合。在一些實(shí)施方式中，氨基酸衍生物為呈脂肪酸氨基酸的形式的酰胺，其包含丙氨酸酯化合物，諸如c8-c18丙氨酸酯(例如，c8-c18脂族丙氨酸酯，諸如c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族丙氨酸酯等)，諸如丙氨酸n-月桂?；?、丙氨酸n-肉豆蔻?；ァ-椰油?；彼徕?、任何其鹽、或其任意組合。在一些實(shí)施方式中，氨基酸衍生物為呈脂肪酸氨基酸酰胺的形式的氨基酸酰胺，其包含谷氨酸化合物，諸如c8-c18谷氨酸(例如，c8-c18脂族谷氨酸，諸如c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族谷氨酸等)，諸如谷氨酸n-月桂?；?、谷氨酸n-椰油酰基酯、n-椰油?；劝彼徕?、其任意鹽、或其任意組合。腐蝕抑制劑可為或包括其它陰離子型表面活性劑，諸如磷酸酯、羥乙基磺酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、硫酸酯等中的一種或多種。磷酸酯作為腐蝕抑制劑是合乎期望的，這是因?yàn)槠涮卣鳛榱姿岣?經(jīng)由零個(gè)、一個(gè)或多個(gè)乙二醇單元而附著至脂族鏈的陰離子型頭基)。任何適合的磷酸酯可用以抑制鈷腐蝕，該磷酸酯包括(例如)c8-c18脂族磷酸酯，諸如c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族磷酸酯，例如，c18烯基磷酸酯，諸如油烯基磷酸酯、油烯基醚-3-磷酸酯、油烯基醚-10-磷酸酯、或其任意組合。在一些實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑可為或包括羧酸酯化合物。如本文中所定義的，羧酸酯包括羧酸，這是由于：應(yīng)當(dāng)理解，取決于拋光組合物的ph，這些化合物可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽，或其類(lèi)似者)的形式、酸的形式或作為其酸與鹽的混合物而存在。這些化合物的酸或鹽形式或其混合物適合用于制備拋光組合物?？衫萌魏芜m合的羧酸，包括(例如)c8-c18羧酸(例如，c8-c18脂族羧酸，諸如c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族羧酸等)，包括(例如)癸酸、十二烷酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、其任意鹽、其任意結(jié)構(gòu)異構(gòu)體、或其任意組合。如本文中所定義的，結(jié)構(gòu)異構(gòu)體將被理解為是指具有相同實(shí)驗(yàn)式但具有不同連接性的脂族基。舉例而言，3-乙基癸基為正十二烷基的結(jié)構(gòu)異構(gòu)體。膦酸酯化合物為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的另一適合類(lèi)型的合意的腐蝕抑制劑(單獨(dú)地或結(jié)合其它物質(zhì))。如本文中所定義的，膦酸酯包括膦酸，這是由于：應(yīng)當(dāng)理解，取決于拋光組合物的ph，這些化合物可以鹽(例如，金屬鹽、銨鹽，或其類(lèi)似者)的形式、酸的形式或作為其酸與鹽的混合物而存在。這些化合物的酸或鹽形式或其混合物適合用于制備拋光組合物?？衫萌魏芜m合的膦酸，包括(例如)c8-c18膦酸酯(例如，c8-c18脂族膦酸酯，諸如c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族膦酸酯等)，諸如辛基膦酸、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、其任意結(jié)構(gòu)異構(gòu)體、或其任意組合。如本文中所定義的，這樣的膦酸酯的結(jié)構(gòu)異構(gòu)體將被理解為是指脂族膦酸酯，其中具有相同實(shí)驗(yàn)式但具有不同連接性的脂族基是可用的。舉例而言，膦酸3-乙基癸基酯為膦酸正十二烷基酯的結(jié)構(gòu)異構(gòu)體。在一些實(shí)施方式中，抑制劑可為或包括磺酸酯化合物。舉例而言，磺酸酯可為磺酸(處于上文針對(duì)羧酸酯及膦酸酯所描述的相似的鹽-酸形式下)、脂族磺酸酯，例如c8-c18磺酸酯(例如，c8-c16、c10-c14、c10-c12、c12-c16、c12-c18脂族磺酸酯等)，包括(例如)1-十六烷磺酸酯、烯烴磺酸酯、或者它們的組合。烯烴磺酸酯(例如，磺酸烯基酯)可具有任何適合的烯基，例如，c8-c24烯基，諸如c10-c20烯基、c12-c18烯基、c14-c16烯基等。在一些實(shí)施方式中，磺酸酯可為非金屬絡(luò)合鹽烷基磺酸酯或金屬鹽烷基磺酸酯，例如，c14-17仲烷基磺酸鹽或仲烷基磺酸酯的結(jié)構(gòu)異構(gòu)體，即，直鏈烷基磺酸酯。鹽可由非金屬絡(luò)離子(諸如銨、烷基銨)或任何適合的金屬(諸如鉀、銫、鈉、鋰等)形成。在一個(gè)實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑包含兩性表面活性劑、基本上由兩性表面活性劑組成或由兩性表面活性劑組成。兩性表面活性劑可為任何適合的兩性表面活性劑。舉例而言，兩性表面活性劑可為十二亞氨基二丙酸鈉或甜菜堿，諸如c12-c14-烷基二甲基-甜菜堿。適合的兩性表面活性劑可購(gòu)自(例如)rhodia(例如，miratainetmh2c-ha)及sigma-aldrich(例如，empigentmbb)。可選擇地，兩性表面活性劑可為任何適合的兩性表面活性劑，其中，兩性表面活性劑不包括十二亞氨基二丙酸鈉及甜菜堿中的一種或多種。在一些實(shí)施方式中，拋光組合物或其它含抑制劑組合物基本上無(wú)芳族唑，諸如苯并三唑(bta)。如本文中所使用，“基本上無(wú)”芳族唑(諸如bta)意指含抑制劑組合物含有以該組合物的重量計(jì)的0重量％，或者無(wú)這樣的芳族唑(諸如bta)，或者含有無(wú)效或非實(shí)質(zhì)量的這樣的芳族唑。無(wú)效量的實(shí)例為低于閾值量的量，所述閾值量用以達(dá)成使用諸如bta的這樣的芳族唑的預(yù)期目的。非實(shí)質(zhì)量可(例如)低于約0.01重量％。腐蝕抑制劑可具有任何適合的分子量。在一些實(shí)施方式中，可選擇所需的腐蝕抑制劑以具有自約60g/mol至約500g/mol的分子量，諸如自約60g/mol至約450g/mol、自約60g/mol至約400g/mol、自約60g/mol至約350g/mol、自約60g/mol至約300g/mol、自約60g/mol至約250g/mol、自約60g/mol至約200g/mol、自約60g/mol至約150g/mol、自約60g/mol至約100g/mol、自約100g/mol至約500g/mol、自約100g/mol至約450g/mol、自約100g/mol至約400g/mol、自約100g/mol至約350g/mol、自約100g/mol至約300g/mol、自約100g/mol至約250g/mol、自約100g/mol至約200g/mol、自約100g/mol至約150g/mol、自約150g/mol至約500g/mol、自約150g/mol至約450g/mol、自約150g/mol至約350g/mol、自約150g/mol至約300g/mol、自約150g/mol至約250g/mol、自約200g/mol至約500g/mol、自約200g/mol至約450g/mol、自約200g/mol至約400g/mol、自約200g/mol至約350g/mol、200g/mol至約300g/mol等。表1概述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的代表性腐蝕抑制劑的實(shí)例。表1抑制劑平均分子量(g/mol)類(lèi)別肌氨酸n-椰油?；?84脂肪酸氨基酸酰胺肌氨酸n-月桂酰基酯271脂肪酸氨基酸酰胺肌氨酸n-十八烷?；?56脂肪酸氨基酸酰胺n-肌氨酸油?；?54脂肪酸氨基酸酰胺肌氨酸n-肉豆蔻?；?21脂肪酸氨基酸酰胺n-月桂?；拾彼?57脂肪酸氨基酸酰胺n-肉豆蔻?；拾彼?07脂肪酸氨基酸酰胺癸酸172羧酸酯n-棕櫚?；拾彼?13脂肪酸氨基酸酰胺十二烷酸200羧酸酯肉豆蔻酸228羧酸酯n-月桂酰基谷氨酸351脂肪酸氨基酸酰胺棕櫚酸256羧酸酯n-椰油?；劝彼幔琸+鹽380脂肪酸氨基酸酰胺辛基膦酸194膦酸酯十四烷基膦酸278膦酸酯十六烷基膦酸306膦酸酯1-十六烷磺酸鈉鹽328磺酸酯烯烴磺酸鈉314磺酸酯腐蝕抑制劑可以任何適合的量包括于組合物中。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，抑制劑以約0.0025重量％或更多的量存在，例如，約0.004重量％或更多、約0.005重量％或更多、約0.01重量％或更多、約0.05重量％或更多、約0.075重量％或更多、約0.1重量％或更多、或約0.25重量％或更多?？蛇x擇地，或者此外，腐蝕抑制劑可以約1重量％或更少的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.75重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.25重量％或更少、或約0.1重量％或更少。因此，腐蝕抑制劑可以在由前述端點(diǎn)中的任何兩者界定的范圍內(nèi)的濃度存在于拋光組合物中。優(yōu)選地，腐蝕抑制劑以約0.004重量％至約0.25重量％的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.004重量％至約0.2重量％、約0.004重量％至約0.010重量％、約0.004重量％至約0.008重量％、約0.005重量％至約0.15重量％、約0.006重量％至約0.010重量％、約0.0075重量％至約0.1重量％、約0.01重量％至約0.1重量％、或約0.05重量％至約0.1重量％等。速率促進(jìn)劑拋光組合物可包含適合的速率促進(jìn)劑。速率促進(jìn)劑為改良通過(guò)拋光組合物自基板移除材料的速率的物質(zhì)或物質(zhì)組合。速率促進(jìn)劑可為或包括(例如)陽(yáng)離子型速率促進(jìn)劑、兩性離子速率促進(jìn)劑、陰離子型速率促進(jìn)劑、或其任意組合。在一些實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑包含陰離子型速率促進(jìn)劑、由陰離子型速率促進(jìn)劑組成或基本上由陰離子型速率促進(jìn)劑組成。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑可包括膦酸、n-雜環(huán)化合物、或者它們的組合。在一些實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑可選自：具有式nr1r2r3的化合物，其中，r1、r2及r3獨(dú)立地選自氫、羧基烷基、經(jīng)取代的羧基烷基、羥基烷基、經(jīng)取代的羥基烷基及氨基羰基烷基，其中r1、r2及r3中沒(méi)有一個(gè)是氫或者其中之一為氫；二羧基雜環(huán)；雜環(huán)基烷基-α-氨基酸；n-(酰氨基烷基)氨基酸；未經(jīng)取代的雜環(huán)；經(jīng)烷基取代的雜環(huán)；以經(jīng)取代的烷基取代的雜環(huán)；以及n-氨基烷基-α-氨基酸。速率促進(jìn)劑可為選自本文中所敘述的化合物的種類(lèi)的任何適合的速率促進(jìn)劑。在優(yōu)選實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑為亞氨基二乙酸、2-[雙(2-羥基乙基)氨基]-2-(羥基甲基)-1,3-丙二醇、二羥乙基甘氨酸(bicine)、二吡啶甲酸、組氨酸、[(2-氨基-2-氧基乙基)氨基]乙酸、咪唑、n-甲基咪唑、賴(lài)氨酸、或者它們的組合。在優(yōu)選實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑包含膦酸、基本上由膦酸組成或由膦酸組成。膦酸可為任何適合的膦酸。優(yōu)選地，膦酸為胺基三(亞甲基膦酸)或1-羥基亞乙基-1,1,-二膦酸。適合的膦酸可購(gòu)自(例如)italmatchchemicals(例如，dequesttm2000及dequesttm2010)?？蛇x擇地，膦酸可為任何適合的膦酸，其中，膦酸不包括胺基三(亞甲基膦酸)及1-羥基亞乙基-1,1,-二膦酸中的一種或多種。在另一優(yōu)選實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑包含n-雜環(huán)化合物、基本上由n-雜環(huán)化合物組成或由n-雜環(huán)化合物組成。n-雜環(huán)化合物可為任何適合的n-雜環(huán)化合物。優(yōu)選地，n-雜環(huán)化合物為吡啶甲酸、l-組氨酸、2-巰基-1-甲基咪唑、或咪唑?？蛇x擇地，n-雜環(huán)化合物可為任何適合的n-雜環(huán)化合物，其中，n-雜環(huán)化合物不包括吡啶甲酸、2-巰基-1-甲基咪唑及咪唑中的一種或多種。速率促進(jìn)劑(用于鈷或其它金屬)可以任何適合的濃度存在于拋光組合物中。在一些實(shí)施方式中，速率促進(jìn)劑可以約0.05重量％或更多的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.075重量％或更多、約0.1重量％或更多、約0.15重量％或更多、約0.2重量％或更多、約0.25重量％或更多、約0.5重量％或更多、或約0.75重量％或更多?？蛇x擇地，或者此外，速率促進(jìn)劑可以約8重量％或更少的濃度存在于拋光組合物中，例如，約7重量％或更少、約6重量％或更少、約5重量％或更少、約4重量％或更少、約3重量％或更少、約2重量％或更少、或約1重量％或更少。因此，速率促進(jìn)劑可以在由前述端點(diǎn)中的任何兩者界定的范圍內(nèi)的濃度存在于拋光組合物中。優(yōu)選地，速率促進(jìn)劑以約0.05重量％至約5重量％的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.05重量％至約3重量％、0.2重量％至約1重量％、或約0.1重量％至約2重量％。cmp組合物的其它組分在一些實(shí)施方式中，拋光組合物包含氧化金屬(諸如但不限于鈷)的氧化劑。氧化劑可為在拋光組合物的ph下具有足夠量值的氧化電位以使鈷氧化的任何適合的氧化劑。在優(yōu)選實(shí)施方式中，氧化劑為過(guò)氧化氫。適合的氧化劑的其它實(shí)例包括過(guò)氧硫酸鹽(例如，過(guò)氧硫酸銨)、鐵鹽(例如，硝酸鐵)、無(wú)機(jī)過(guò)氧化物、有機(jī)過(guò)氧化物、以及它們的組合。無(wú)機(jī)過(guò)氧化物包括過(guò)碳酸鈉、過(guò)氧化鈣及過(guò)氧化鎂。氧化劑可包含適合的氧化劑的前述實(shí)例中的一種或多種、基本上由適合的氧化劑的前述實(shí)例中的一種或多種組成或由適合的氧化劑的前述實(shí)例中的一種或多種組成。拋光組合物可包含任何適合量的氧化劑。舉例而言，氧化劑可以約0.1重量％至約5重量％的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.2重量％至約5重量％、約0.3重量％至約5重量％、或約0.3重量％至約3重量％。在一些實(shí)施方式中，氧化劑以約0.2重量％至約2重量％的濃度存在于拋光組合物中，(例如，約0.3重量％至約1.8重量％、或約0.6重量％至約1.2重量％。拋光組合物任選地進(jìn)一步包含環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物。在不希望受到理論束縛的情況下，相信，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物充當(dāng)介電物移除的抑止劑(suppressant)。具體地說(shuō)，相信，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物充當(dāng)黑金剛石(bd)移除的抑止劑。環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可為任何適合的環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物。舉例而言，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可為以伯羥基封端的雙官能嵌段共聚物表面活性劑。適合的環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可購(gòu)自(例如)basfcorporation(例如，pluronictm系列產(chǎn)品，包括pluronictmf108)?？蛇x擇地，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可為任何適合的環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物，其中，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物不包括以伯羥基封端的雙官能嵌段共聚物表面活性劑。環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可以任何適合的濃度存在于拋光組合物中。舉例而言，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可以約0.001重量％或更多的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.005重量％或更多、約0.0075重量％或更多、約0.01重量％或更多、約0.05重量％或更多、或約0.1重量％或更多?？蛇x擇地，或者此外，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可以約1重量％或更少的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.75重量％或更少、約0.5重量％或更少、約0.25重量％或更少、或約0.1重量％或更少。因此，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物可以在由前述端點(diǎn)中的任何兩者界定的范圍內(nèi)的濃度存在于拋光組合物中。優(yōu)選地，環(huán)氧乙烷/環(huán)氧丙烷嵌段共聚物以約0.005重量％至約0.1重量％的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.0075重量％至約0.1重量％、約0.01重量％至約0.1重量％、或約0.05重量％至約0.1重量％。拋光組合物任選地進(jìn)一步包含聚合穩(wěn)定劑。聚合穩(wěn)定劑可為任何適合的穩(wěn)定劑。優(yōu)選地，聚合穩(wěn)定劑為聚丙烯酸?？蛇x擇地，聚合穩(wěn)定劑可為任何適合的穩(wěn)定劑，其中，聚合穩(wěn)定劑不包括聚丙烯酸。聚合穩(wěn)定劑可以任何適合的濃度存在于拋光組合物中。舉例而言，聚合穩(wěn)定劑可以約0.01重量％至約1重量％的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.025重量％至約0.5重量％、或約0.025重量％至約0.1重量％。優(yōu)選地，聚合穩(wěn)定劑以約0.025重量％至約0.075重量％的濃度存在于拋光組合物中，例如，約0.05重量％。合意的是，在鈷為基板的實(shí)施方式中，化學(xué)機(jī)械拋光組合物具有自約3至約8.5的ph。雖然不希望受到任何特定理論束縛，但相信，在高于8.5的ph下，鈷氧化物表面變得帶負(fù)電荷，且抑制劑較不有效，這是因?yàn)殛庪x子氧化物表面電荷排斥陰離子抑制劑分子。由于關(guān)于在ph低于3下的鈷溶解的相對(duì)表面不穩(wěn)定性，用于鈷的拋光組合物的ph合乎期望地不低于3。然而，取決于基板，其它ph是可能的。舉例而言，用于銅的拋光組合物可具有自約3至約7的ph，且用于鎢的拋光組合物可具有自約2至約4的ph。在一些實(shí)施方式中，拋光組合物任選地包含如已知為輔助達(dá)成所需的ph的氫氧化銨或其它緩沖劑。拋光組合物任選地進(jìn)一步包含一種或多種添加劑。示例性的添加劑包括調(diào)理劑、酸(例如，磺酸)、絡(luò)合劑(例如，陰離子型聚合物絡(luò)合劑)、螯合劑、殺生物劑、阻垢劑、分散劑等。當(dāng)存在時(shí)，殺生物劑可為任何適合的殺生物劑且可以任何適合的量存在于拋光組合物中。適合的殺生物劑為異噻唑啉酮?dú)⑸飫?。殺生物劑在拋光組合物中的量通常為約1ppm至約50ppm，優(yōu)選地為約10ppm至約30ppm。cmp組合物的制備可通過(guò)任何適合的技術(shù)來(lái)制備拋光組合物，其中許多技術(shù)是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。可以分批或連續(xù)工藝來(lái)制備拋光組合物。通常，可通過(guò)以任何次序組合拋光組合物的組分來(lái)制備拋光組合物。如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“組分”包括單獨(dú)的成分(例如，研磨劑、速率促進(jìn)劑、腐蝕抑制劑、氧化劑等)以及成分(例如，研磨劑、速率促進(jìn)劑、腐蝕抑制劑、氧化劑等)的任意組合。舉例而言，可將研磨劑分散于水中。然后，可通過(guò)能夠?qū)⒔M分結(jié)合到拋光組合物中的任何方法來(lái)添加及混合速率促進(jìn)劑及腐蝕抑制劑。可在制備拋光組合物期間的任何時(shí)刻添加氧化劑。可在使用之前制備拋光組合物，其中恰好在使用之前(例如，在使用之前約1分鐘內(nèi)，或在使用之前約1小時(shí)內(nèi)，或在使用之前約7天內(nèi))將一種或多種組分(諸如氧化劑)添加至拋光組合物。也可通過(guò)在拋光操作期間將組分混合于基板的表面處來(lái)制備拋光組合物?？蓪伖饨M合物供應(yīng)為包含研磨劑、速率促進(jìn)劑、腐蝕抑制劑、氧化劑、水等的單包裝體系。可選擇地，可將研磨劑作為在水中的分散體供應(yīng)于第一容器中，且可將速率促進(jìn)劑、腐蝕抑制劑、氧化劑及如所需的其它成分以干燥形式或作為在水中的溶液或分散體供應(yīng)于第二容器中。合意的是，相對(duì)于拋光組合物的其它組分單獨(dú)地供應(yīng)氧化劑，且在使用前不久(例如，在使用之前1周或1周內(nèi)，在使用之前1天或1天內(nèi)，在使用之前1小時(shí)或1小時(shí)內(nèi)，在使用之前10分鐘或10分鐘內(nèi)，或在使用之前1分鐘或1分鐘內(nèi))例如由最終使用者將之與拋光組合物的其它組分進(jìn)行組合。第一或第二容器中的組分可呈干燥形式，而其它容器中的組分可呈水性分散體形式。此外，適合的是使第一及第二容器中的組分具有不同的ph值，或者，可選擇地，具有基本上相似或甚至相等的ph值。拋光組合物的各組分的其它的兩個(gè)容器組合、或者三個(gè)或更多個(gè)容器組合在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。本發(fā)明的拋光組合物還可作為濃縮物提供，該濃縮物意圖在使用之前用適量的水稀釋。在這樣的實(shí)施方式中，拋光組合物濃縮物可包含研磨劑、速率促進(jìn)劑、腐蝕抑制劑及如所需的其它成分、具有或不具有氧化劑，其量使得在用適量的水及氧化劑(如果尚未以適當(dāng)?shù)牧看嬖诘脑?huà))稀釋濃縮物時(shí)，拋光組合物的各組分就將以在上文針對(duì)各組分的所敘述的適當(dāng)范圍內(nèi)的量存在于拋光組合物中。舉例而言，研磨劑、速率促進(jìn)劑、腐蝕抑制劑及如所需的其它成分可各自以上文針對(duì)各組分所敘述的濃度的約2倍(例如，約3倍、約4倍、或約5倍)大的量的濃度而存在，使得當(dāng)用等體積的水(例如，分別用2倍等體積的水、3倍等體積的水、或4倍等體積的水)以及適當(dāng)量的氧化劑稀釋濃縮物時(shí)，各組分將以在上文針對(duì)各組分所闡述的范圍內(nèi)的量存在于拋光組合物中。此外，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的，濃縮物可含有存在于最終拋光組合物中的適當(dāng)分率的水，以便確保其它組分至少部分地或完全地溶解于濃縮物中。拋光基板的方法在另一方面中，本發(fā)明提供一種拋光基板的方法，包括以下步驟、由以下步驟組成或基本上由以下步驟組成：(i)提供基板；(ii)提供拋光墊；(iii)提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物；(iv)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸；及(v)相對(duì)于基板移動(dòng)拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物以磨除基板的至少一部分以?huà)伖庠摶?。拋光組合物包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)研磨劑，其包含帶負(fù)電荷的顆粒；(b)速率促進(jìn)劑；(c)腐蝕抑制劑，其包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物(例如，脂肪酸氨基酸酰胺)、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合；(d)氧化劑；及(e)水性載劑，如本文中所描述的。具體地說(shuō)，本發(fā)明進(jìn)一步提供一種拋光基板的方法，包括：(i)提供基板，其中基板包含鈷層；(ii)提供拋光墊；(iii)提供化學(xué)機(jī)械拋光組合物；(iv)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸；及(v)相對(duì)于基板移動(dòng)拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物以研磨鈷層的至少一部分以?huà)伖饣?。拋光組合物包含以下物質(zhì)、由以下物質(zhì)組成或基本上由以下物質(zhì)組成：(a)研磨劑，其包含帶負(fù)電荷的顆粒；(b)速率促進(jìn)劑；(c)腐蝕抑制劑，其包含兩性表面活性劑、磺酸酯、膦酸酯、羧酸酯、氨基酸衍生物(例如，脂肪酸氨基酸酰胺)、磷酸酯、羥乙基磺酸酯、硫酸酯、磺基丁二酸酯、磺基肉桂酸酯、或其任意組合；(d)氧化劑；及(e)水性載劑，如本文中所描述的。本發(fā)明的拋光方法及組合物可用于拋光任何適合的基板。拋光方法及組合物特別可用于拋光包含鈷、基本上由鈷組成或由鈷組成的基板層。適合的基板包括但不限于平板顯示器、集成電路、儲(chǔ)存器或硬磁盤(pán)、金屬、半導(dǎo)體、層間介電(ild)器件、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)、鐵電體，及磁頭?；蹇蛇M(jìn)一步包含至少一個(gè)其它層，例如，絕緣層。絕緣層可為金屬氧化物、多孔金屬氧化物、玻璃、有機(jī)聚合物、氟化有機(jī)聚合物，或任何其它適合的高或低κ絕緣層，例如，黑金剛石(bd)。絕緣層可包含以下物質(zhì)、基本上由以下物質(zhì)組成或由以下物質(zhì)組成：硅氧化物、硅氮化物或其組合。硅氧化物層可包含任何適合的硅氧化物、基本上由任何適合的硅氧化物組成或由任何適合的硅氧化物組成，其中許多硅氧化物在本領(lǐng)域中是已知的。舉例而言，硅氧化物層可包含四乙氧基硅烷(teos)、高密度等離子體(hdp)氧化物、硼磷硅玻璃(bpsg)、高縱橫比工藝(harp)氧化物、旋涂式電介質(zhì)(sod)氧化物、化學(xué)氣相沉積(cvd)氧化物、等離子體增強(qiáng)型原硅酸四乙酯(peteos)、熱氧化物、或未經(jīng)摻雜的硅酸鹽玻璃?；蹇蛇M(jìn)一步包含金屬層。金屬可包含任何適合的金屬、基本上由任何適合的金屬組成或由任何適合的金屬組成，其中許多金屬在本領(lǐng)域中是已知的，諸如(例如)鈷、銅、鉭、氮化鉭、鎢、鈦、氮化鈦、鉑、釕、銥、鋁、鎳或其組合。根據(jù)本發(fā)明，可通過(guò)任何適合的技術(shù)而運(yùn)用本文中所描述的拋光組合物來(lái)平坦化或拋光基板。本發(fā)明的拋光方法特別適于結(jié)合化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)裝置而使用。通常，cmp裝置包括：平臺(tái)，其在使用中時(shí)處于運(yùn)動(dòng)中且具有由軌道、線(xiàn)性或圓周運(yùn)動(dòng)引起的速度；拋光墊，其與平臺(tái)接觸且在運(yùn)動(dòng)中時(shí)隨著平臺(tái)而移動(dòng)；及載體，其固持待通過(guò)接觸拋光墊的表面且相對(duì)于拋光墊的表面移動(dòng)而拋光的基板?；宓膾伖馔ㄟ^(guò)如下方式而進(jìn)行：將基板置放成與本發(fā)明的拋光組合物接觸且通常與拋光墊接觸，且然后運(yùn)用拋光組合物且通常運(yùn)用拋光墊來(lái)研磨基板(例如鈷，或本文中所描述的基板材料中的一種或多種)的表面的至少一部分以?huà)伖饣?。根?jù)本發(fā)明，可使用任何適合的拋光條件以?huà)伖饣?。基板可利用該化學(xué)機(jī)械拋光組合物以及任何適宜的拋光墊(例如，拋光表面)來(lái)平坦化或拋光。適宜的拋光墊包括(例如)紡織及非紡織的拋光墊。而且，適宜的拋光墊可包含具有各種密度、硬度、厚度、壓縮性、壓縮回彈能力、及壓縮模量的任何適宜的聚合物。適宜的聚合物包括(例如)聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、氟碳化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚異氰脲酸酯、其共形成產(chǎn)物、及其混合物。合意的是，該cmp裝置進(jìn)一步包括原位拋光終點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)，其中的許多是本領(lǐng)域中已知的。通過(guò)分析從工件表面反射的光或其它輻射來(lái)檢查和監(jiān)控拋光過(guò)程的技術(shù)是本領(lǐng)域中已知的。這樣的方法描述于例如美國(guó)專(zhuān)利5,196,353、美國(guó)專(zhuān)利5,433,651、美國(guó)專(zhuān)利5,609,511、美國(guó)專(zhuān)利5,643,046、美國(guó)專(zhuān)利5,658,183、美國(guó)專(zhuān)利5,730,642、美國(guó)專(zhuān)利5,838,447、美國(guó)專(zhuān)利5,872,633、美國(guó)專(zhuān)利5,893,796、美國(guó)專(zhuān)利5,949,927及美國(guó)專(zhuān)利5,964,643中。合意的是，對(duì)于正被拋光的工件的拋光過(guò)程的進(jìn)展的檢查或監(jiān)控使得能夠確定拋光終點(diǎn)，即，確定何時(shí)終止對(duì)特定工件的拋光過(guò)程。以下實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但當(dāng)然不應(yīng)被認(rèn)作以任何方式限制其范圍。實(shí)施例1該實(shí)施例表明抑制劑組合物在侵蝕性的環(huán)境條件下的腐蝕抑制劑功效。具體地說(shuō)，在鈷(co)基板暴露于跨越一ph范圍的各種抑制劑溶液(與不存在抑制劑的對(duì)照溶液相比較)之后量測(cè)鈷(co)基板的靜態(tài)蝕刻速率(ser)。靜態(tài)蝕刻為表明在所測(cè)試的ph水平下的水中的鈷溶解的量值的技術(shù)，且高的值是不合乎期望的。此外，硫酸鉀(k2so4)包括于需要額外腐蝕性(即，在高于3的ph下)以提供所需的侵蝕性環(huán)境條件的溶液中。自silybwaferservices,inc.(gigharbor,washington)獲得通過(guò)物理氣相沉積(pvd)而制備為具有的厚度的鈷晶片，其運(yùn)用這樣的沉積方案：硅，其上為二氧化硅(sio2)，其上為鈦(ti)，其上為鈷。將鈷晶片剖切成2cm乘2cm的正方形。將鈷正方形暴露于經(jīng)調(diào)整至四個(gè)不同ph(分別為3.0、5.0、7.0及9.0)的溶液中各達(dá)五分鐘。運(yùn)用維持ph的侵蝕性的緩沖劑以及建立侵蝕性的條件所需要的硫酸鉀來(lái)制成溶液。應(yīng)當(dāng)理解，硫酸鉀賦予侵蝕性的腐蝕性條件，這是因?yàn)槠錇橐鸫笥?分鐘的靜態(tài)蝕刻速率的非鈍化性鹽。將每一測(cè)試溶液添加至50ml燒杯，其中，稱(chēng)重40克的每一溶液(無(wú)過(guò)氧化氫)且置放于35℃下的水浴中。在每一溶液平衡至35℃之后，添加過(guò)氧化氫，且允許溶液再次平衡。表2中闡述用以建立腐蝕性條件以測(cè)試抑制劑的有效性的溶液，且表3中闡述與每一測(cè)試緩沖劑一起利用的不同腐蝕抑制劑。通過(guò)緩沖劑濃縮溶液與抑制劑濃縮溶液的簡(jiǎn)單混合來(lái)制成腐蝕抑制劑測(cè)試溶液。表2使用可購(gòu)自kla-tencorcorporation(milpitas,california)的omnimap“rs-75”儀器以量測(cè)在暴露之前及之后的鈷厚度。厚度改變被用于計(jì)算靜態(tài)蝕刻速率(ser)，其在表3中針對(duì)每一抑制劑(如果可溶的話(huà))以/分鐘為單位被報(bào)告為隨ph而變化。表3展示在暴露至各種ph水平的每一抑制劑溶液之后的pvd鈷正方形的ser。如表3中所展示，“nt”指示未經(jīng)測(cè)試；“is”指示不可溶；且“高”指示：樣本被腐蝕至高程度，但由于腐蝕程度高，儀器(即，上文所提及的“rs-75”)不提供精確的讀數(shù)。將值與對(duì)照物進(jìn)行比較，所述值出于比較目的而提供基線(xiàn)值。通過(guò)總體上對(duì)兩個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行平均來(lái)達(dá)成表3中所闡述的平均ser值。表3有效地遏止鈷蝕刻的抑制劑提供較低的值，這是因?yàn)?，如所期望的，較少的鈷被溶解。如自表3中所闡述的數(shù)據(jù)明晰的，即使在該實(shí)驗(yàn)中所闡述的侵蝕性的條件下，肌氨酸酯也合乎期望地表明遠(yuǎn)低于由對(duì)照物展示的結(jié)果的在所有ph下的低的平均ser值，其中，大多數(shù)值小于對(duì)照物的一半(例如，120或更低，其中許多值低得多)。另外，表3中所闡述的數(shù)據(jù)表明：在至少一些實(shí)施方式中，bta對(duì)于鈷為無(wú)效的腐蝕抑制劑。此外，如自表3中所闡述的數(shù)據(jù)明晰的，含有具有高于十二個(gè)碳原子的脂族鏈長(zhǎng)的羧酸酯基團(tuán)的表面活性劑展示顯著的鈷腐蝕抑制(與對(duì)照物相比較，ser縮減≥70％)。具有至少十二個(gè)碳原子的鏈長(zhǎng)的谷氨酸及肌氨酸酯主要在低ph(3及5)下有效。雖然不希望受到任何特定理論束縛，但相信，該結(jié)果可歸因于陰離子型頭基與在這些ph水平下的帶正電(positive)的鈷氧化物-氫氧化物表面之間的電荷吸引。進(jìn)一步相信，鈷氧化物的等電點(diǎn)測(cè)定(iep)為約7至9，且因此，在大于9的ph下，這些抑制劑的作用將較不有效。雖然再次地不希望受到任何特定理論束縛，但注意到，陰離子型頭基被吸引至低于約ph9的帶正電的鈷表面，從而允許陰離子型表面活性劑的鈍化層形成于鈷表面上。如自表3中所闡述的數(shù)據(jù)進(jìn)一步明晰的，磺酸酯及膦酸酯頭基提供顯著的腐蝕抑制，這暗示可相對(duì)地獨(dú)立于陰離子型頭基而達(dá)成抑制。烯烴磺酸鈉展示可能地歸因于可溶性問(wèn)題的可變行為。觀(guān)測(cè)到磺酸酯表面活性劑的低可溶性。在許多條件下，1-十六烷磺酸鈉鹽相比于其它摩爾/鏈長(zhǎng)等效表面活性劑較不可溶。另外，烯烴磺酸鈉的臨界膠束濃度(<1mm)低于所測(cè)試的肌氨酸酯的臨界膠束濃度(3至15mm)。由于可用于鈷抑制的活性抑制劑的減少，低的可溶性及臨界膠束濃度可能造成抑制功效的可變性。應(yīng)當(dāng)理解，許多實(shí)踐應(yīng)用并不要求在使用中暴露至這些侵蝕性的條件。因此，應(yīng)當(dāng)理解，該實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)中所闡述的條件可不指示與一些實(shí)施方式的實(shí)際實(shí)踐類(lèi)似的常見(jiàn)條件。舉例而言，在半導(dǎo)體晶片工業(yè)中，該實(shí)施例中所闡述的侵蝕性的條件可不為典型的。雖然不希望受到任何特定理論束縛，然而，對(duì)于侵蝕性的條件，缺乏胺的實(shí)施可指示陰離子型頭基是有益的。這暗示在陽(yáng)離子表面活性劑與鈷表面之間存在可能的電荷排斥。這些分子的抑制機(jī)制被認(rèn)為經(jīng)由陰離子基團(tuán)與鈷的表面的配位且然后進(jìn)行疏水性尾部的對(duì)準(zhǔn)而發(fā)生，從而保護(hù)鈷免于后續(xù)的氧化。根據(jù)一些實(shí)施方式，特別是關(guān)于侵蝕性的條件，含有至少十四個(gè)碳原子的脂族鏈長(zhǎng)的抑制劑可在一些實(shí)施方式中可用于有效表面吸附及鈷腐蝕抑制。在一些實(shí)施方式中，腐蝕抑制劑可被視為表面活性劑，這是因?yàn)槠渚哂杏H水性頭基以及疏水性尾部，從而致使其為表面活性的。在一些實(shí)施方式中，特別是在這些侵蝕性的條件下，芳族基團(tuán)單獨(dú)地并不提供鈷抑制，這可能歸因于較低量的疏水性特性或相對(duì)于長(zhǎng)飽和脂族鏈的較不有效的包封(packing)。實(shí)施例2該實(shí)施例表明抑制劑組合物在相比于實(shí)施例1的條件較不具侵蝕性的環(huán)境條件下的腐蝕抑制劑功效。具體地說(shuō)，如實(shí)施例1中所闡述而進(jìn)行ser實(shí)驗(yàn)，除了硫酸鉀鹽不包括于所述溶液中的任一者中以外。表4闡述在如實(shí)施例1中先前所描述的相似測(cè)試程序及條件下(但沒(méi)有添加硫酸鉀(k2so4)鹽)的所選擇的抑制劑溶液的ser。表4這些結(jié)果表明先前作為腐蝕抑制劑在實(shí)施例1的侵蝕性的條件下無(wú)效的表面活性劑在不同的較不具侵蝕性的條件下為有效的。實(shí)例包括肌氨酸n-月桂?；?c12)酯及十二烷酸(c12)，其展示與無(wú)抑制劑的對(duì)照物相比較顯著地縮減的ser。另外，膦酸酯及磺酸酯表明低ser，其進(jìn)一步支持頭基要求的相對(duì)獨(dú)立性。然而，苯甲?；拾彼崛圆皇怯行У模词乖谳^不侵蝕性的條件下也如此，這指示，對(duì)于抑制，苯環(huán)單獨(dú)地不是足夠的尾部。另外，季胺不能夠與在ph9下的對(duì)照物進(jìn)行區(qū)分，這是因?yàn)椋簹w因于在堿性ph下的鈷鈍化，針對(duì)對(duì)照物的總速率是低的。這些結(jié)果進(jìn)一步表明，在較不具侵蝕性的環(huán)境條件下，如實(shí)施例1中所描述的在較具侵蝕性的環(huán)境條件下的某些鏈長(zhǎng)要求不是必要的。實(shí)施例3該實(shí)施例表明對(duì)各種肌氨酸酯抑制劑組合物在侵蝕性的條件下的腐蝕抑制劑功效的劑量依賴(lài)性的作用。具體地說(shuō)，通過(guò)將如實(shí)施例1中所描述的小塊pvd鈷晶片暴露至在35℃下的抑制劑組合物達(dá)5分鐘而實(shí)施ser實(shí)驗(yàn)。抑制劑組合物呈ph為7的溶液形式，且包括40mml-組氨酸、10mm硫酸鉀、及五種不同肌氨酸酯抑制劑中的一者，如圖1中所標(biāo)示的，圖1為靜態(tài)蝕刻速率(ser)(y軸)相對(duì)于各種肌氨酸酯化合物的抑制劑濃度(μm)(x軸)的圖。通過(guò)比較鈷晶片在ser測(cè)試之前及之后的厚度而以/分鐘為單位測(cè)定ser。在這些條件下無(wú)任何抑制劑的情況下，平均ser為/分鐘，如表3中所示的。參考圖1，應(yīng)當(dāng)理解，具有如所測(cè)試的不同肌氨酸酯抑制劑的組合物如下。組合物3a包括肌氨酸n-月桂?；?，其在脂族鏈中具有12個(gè)碳；組合物3b包括肌氨酸n-椰油酰基酯，其衍生自展現(xiàn)在脂族鏈中具有10個(gè)及20個(gè)碳的肌氨酸酯的混合物的天然產(chǎn)物；組合物3c包括肌氨酸n-肉豆蔻?；?，其在脂族鏈中具有14個(gè)碳；組合物3d包括肌氨酸n-十八烷?；?，其在脂族鏈中具有18個(gè)碳；且組合物3e包括肌氨酸n-油酰基酯，其在脂族鏈中具有18個(gè)碳。l-組氨酸(其為螯合劑及速率促進(jìn)劑的實(shí)例)作為ph緩沖劑包括于每一抑制劑組合物中以增加腐蝕。如實(shí)施例1中所解釋的，硫酸鉀包括于每一抑制劑組合物中以提供侵蝕性的環(huán)境條件。通過(guò)添加堿而達(dá)成為7的ph。如自圖1明晰的，這些結(jié)果表明：在較低濃度下，含有小于十四個(gè)碳的肌氨酸酯可傾向于在侵蝕性的條件下失去其抑制性能力，如以約/分鐘的ser值所表明的。另外，可看出，隨著肌氨酸n-月桂酰基酯的濃度增加，鈷ser縮減。另外，舉例而言，肌氨酸油?；ピ?00至300微摩爾的較低濃度下是有效的，而肌氨酸月桂?；ピ?00至750微摩爾的較高濃度下得到有效性，如在圖1中所示的。這被認(rèn)為反映較長(zhǎng)鏈長(zhǎng)的材料在侵蝕性的環(huán)境條件(如實(shí)施例1中所指示的，其可不指示實(shí)踐條件)下的較大的有效性。具有較長(zhǎng)鏈的十八烷?；种苿┰谳^低劑量水平(例如，小于300微摩爾)下是有效的，且更完全地保護(hù)鈷表面免于溶解。因此，這些結(jié)果表明：尤其在侵蝕性的條件下，較長(zhǎng)鏈陰離子型表面活性劑可提供免于腐蝕的合意的保護(hù)。這樣的腐蝕抑制在較低的劑量要求下發(fā)生以提供所需的鈍化，而諸如月桂?；种苿┑妮^短鏈陰離子型表面活性劑將需要較高劑量以得到相同抑制水平。雖然不希望受到任何特定理論束縛，但這可歸因于相對(duì)疏水性，這是由于針對(duì)較長(zhǎng)脂族鏈表面活性劑的較強(qiáng)的疏水性鏈締合。實(shí)施例4該實(shí)施例表明包括各種腐蝕抑制劑的拋光組合物提供有效的鈷移除速率。將鈷pdv基板制備為正方形(4cm乘4cm)。運(yùn)用八種化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)組合物(標(biāo)示為圖2中的組合物4a至4h)來(lái)拋光鈷基板。拋光組合物中的每一者含有0.5重量％的帶負(fù)電荷的膠體氧化硅、1重量％過(guò)氧化氫、0.54重量％亞氨基二乙酸、0.042重量％bis-tris、水，且在為7的ph下進(jìn)行配制。氧化硅為研磨劑，過(guò)氧化氫為氧化劑，且亞氨基二乙酸作為促進(jìn)劑而存在，而bis-tris充當(dāng)緩沖劑。拋光組合物在腐蝕抑制劑的存在方面彼此不同。組合物4a為對(duì)照物且不包括腐蝕抑制劑，組合物4a是出于比較目的而用作基線(xiàn)。其余的組合物在每一組合物中包括352微摩爾的不同腐蝕抑制劑。具體地說(shuō)，組合物4b包括肌氨酸n-椰油?；?。組合物4c包括肌氨酸n-月桂?；?。組合物4d包括肌氨酸n-油?；ァ＝M合物4e包括肌氨酸n-十八烷?；?。組合物4f包括肌氨酸n-肉豆蔻?；?。組合物4g包括十二烷酸。組合物4h包括肉豆蔻酸。在可購(gòu)自logitechinternationals.a.(lausanne,switzerland)的化學(xué)延遲(delayering)及平坦化(cdp)拋光裝置上拋光基板，其中，將基板以10.3kpa(1.5psi)的下壓力抵靠著可購(gòu)自dowchemicalcompany(midland,michigan)的ic1010拋光墊，運(yùn)用80rpm平臺(tái)速度及75rpm頭速度，運(yùn)用50ml/分鐘的漿料流動(dòng)速率且使用3mtma165金剛石墊調(diào)節(jié)器。如圖2所展示的，這些結(jié)果表明：對(duì)于特征為小于或等于十二的脂族鏈長(zhǎng)的陰離子型表面活性劑，與對(duì)照物相比較，即使在腐蝕抑制劑為固定的352微摩爾濃度的情況下，移除速率也相對(duì)地相似。然而，觀(guān)測(cè)到，特征為大于十二的脂族鏈長(zhǎng)的肌氨酸酯具有較不有效的移除速率。相信，鏈長(zhǎng)在拋光條件下通過(guò)在鈷或鈷氧化物表面處的較有效的締合而影響移除速率。如自圖2所示的，與對(duì)照物(無(wú)抑制劑)相比較，在拋光不具有抑制劑或具有352微摩爾的肌氨酸n-月桂?；?c12)、十二烷酸(c12)及肉豆蔻酸(c14)的組合物的情況下，移除速率不受影響。作為c8、c10、c12、c14、c16、c18及c20肌氨酸酯的混合物的肌氨酸n-椰油?；フ故驹?52微摩爾濃度下的顯著抑制。在較長(zhǎng)鏈腐蝕抑制劑特別是肌氨酸n-油?；ァ⒓“彼醤-十八烷酰基酯或肌氨酸n-肉豆蔻酰酯為352微摩爾濃度的情況下，移除速率抑制是幾乎完全的。因此，這些結(jié)果表明，鈷移除速率可受到腐蝕抑制劑的影響，其中，較短鏈長(zhǎng)在固定濃度下較不有害于移除速率。肌氨酸椰油?；?其為鏈長(zhǎng)(c8-20)的混合物)表明中等的移除速率，從而進(jìn)一步支持鏈長(zhǎng)對(duì)于鈷移除速率的重要性。含有較短長(zhǎng)度的配制物表明較高的鈷移除速率。在cmp應(yīng)用中，需要具有適當(dāng)?shù)母g保護(hù)，但其可以在損害較高腐蝕抑制劑濃度下的鈷移除速率的情況下達(dá)到。平衡抑制劑減低腐蝕速率及鈷移除速率的影響將是配制物及應(yīng)用特定的。實(shí)施例5該實(shí)施例表明包括各種腐蝕抑制劑的拋光組合物提供有效的鈷移除速率。將鈷pdv基板制備為正方形(4cm乘4cm)。運(yùn)用兩種化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)組合物(在圖3中標(biāo)示為組合物5a至5b)來(lái)拋光鈷基板。拋光組合物中的每一者含有0.5重量％的帶負(fù)電荷的膠體氧化硅、0.6重量％過(guò)氧化氫、0.6重量％亞氨基二乙酸、0.04重量％bis-tris及水，且在為7.1的ph下進(jìn)行配制。組合物5a包括肌氨酸n-油?；ィM合物5b包括肌氨酸n-月桂?；?。使用如實(shí)施例4中所描述的儀器來(lái)拋光基板。結(jié)果展示在圖3中。這些結(jié)果表明，鈷化學(xué)機(jī)械拋光移除速率也可隨抑制劑濃度而變。具體地說(shuō)，這些結(jié)果指示兩種不同肌氨酸酯的結(jié)果：肌氨酸n-油酰基酯(其為c18單不飽和肌氨酸酯)相對(duì)于肌氨酸n-月桂?；?其為c12飽和肌氨酸酯)。肌氨酸n-油?；ケ话l(fā)現(xiàn)為在100微摩爾的濃度下抑制鈷覆蓋物的移除速率，且在200微摩爾下在甚至更大程度上抑制鈷覆蓋物的移除速率。在cmp實(shí)驗(yàn)中，在肌氨酸n-月桂?；シ乐光挵l(fā)生移除之前，肌氨酸n-月桂酰基酯需要達(dá)到約750微摩爾的濃度。可看出，可經(jīng)由抑制劑選擇(例如，鏈長(zhǎng))及濃度來(lái)調(diào)整鈷cmp移除速率及腐蝕行為以達(dá)成最佳性能。實(shí)施例6該實(shí)施例表明在實(shí)施例1中先前所描述的測(cè)試程序及條件下的所選擇的抑制劑溶液在ph7下的靜態(tài)蝕刻速率，但其中所添加的硫酸鉀(k2so4)鹽的濃度為0.02mm。將無(wú)抑制劑或具有不同濃度的bta的溶液與含有肌氨酸n-月桂?；サ娜芤哼M(jìn)行比較。表5中闡述了所測(cè)試的抑制劑溶液。表5結(jié)果表明，bta單獨(dú)地在減輕鈷靜態(tài)蝕刻速率上是無(wú)效的，即使其濃度是肌氨酸n-月桂酰基酯的有效劑量的10倍也如此。將本文中引用的所有參考文獻(xiàn)(包括出版物、專(zhuān)利申請(qǐng)和專(zhuān)利)在此引入作為參考，其參考程度如同各參考文獻(xiàn)被單獨(dú)和具體說(shuō)明以引入作為參考并且各參考文獻(xiàn)在本文中全部闡述一般。在描述本發(fā)明的范圍(特別是所附權(quán)利要求的范圍)中使用術(shù)語(yǔ)“一個(gè)”和“一種”和“該”和“至少一個(gè)(種)”以及類(lèi)似的指示物應(yīng)理解為包括單數(shù)和復(fù)數(shù)，除非本文中另有說(shuō)明或上下文明顯矛盾。在一個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的列表后使用術(shù)語(yǔ)“至少一個(gè)(種)”(例如，“a和b中的至少一個(gè)(種)”)解釋為意指選自所列項(xiàng)目中的一個(gè)(種)項(xiàng)目(a或b)或所列項(xiàng)目中的兩個(gè)(種)或更多個(gè)(種)項(xiàng)目的任何組合(a和b)，除非本文中另有說(shuō)明或上下文明顯矛盾。術(shù)語(yǔ)“包含”、“具有”、“包括”、和“含有”應(yīng)理解為開(kāi)放式術(shù)語(yǔ)(即，意味著“包括，但不限于”)，除非另有說(shuō)明。本文中數(shù)值范圍的列舉僅僅用作單獨(dú)提及落在該范圍內(nèi)的每個(gè)獨(dú)立值的簡(jiǎn)寫(xiě)方法，除非本文中另有說(shuō)明，并且在說(shuō)明書(shū)中引入每個(gè)獨(dú)立值，就如同其在這里被單獨(dú)列舉一樣。本文描述的所有方法可以任何適宜的順序進(jìn)行，除非本文另有說(shuō)明或與上下文明顯矛盾。本文中提供的任何和所有實(shí)例、或示例性語(yǔ)言(如，“例如”)的使用僅用來(lái)更好地說(shuō)明本發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明的范圍加以限定，除非另有說(shuō)明。說(shuō)明書(shū)中沒(méi)有語(yǔ)言應(yīng)被理解為是在將任何非要求保護(hù)的要素表明為是本發(fā)明的實(shí)踐所必需的。本文中描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，包括本發(fā)明人已知的進(jìn)行本發(fā)明的最佳模式。通過(guò)閱讀上述說(shuō)明書(shū)，那些優(yōu)選實(shí)施方式的變化對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將變得明晰。本發(fā)明人希望技術(shù)人員適當(dāng)?shù)夭捎眠@種變化，且本發(fā)明人希望本發(fā)明用不同于本文具體描述的方式進(jìn)行實(shí)踐。因此，本發(fā)明包括適用法律所允許的、所附權(quán)利要求書(shū)中所列舉的主題的所有修改和等價(jià)物。此外，在其所有可能變化中的上述要素的任意組合包括在本發(fā)明中，除非本文另有說(shuō)明或與上下文明顯矛盾。當(dāng)前第1頁(yè)12