一種蒸發(fā)源裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蒸發(fā)源裝置，包括坩堝、線圈、浮力環(huán)和蒸發(fā)界面加熱裝置，線圈環(huán)繞于坩堝外側(cè)；坩堝的中間設(shè)有一圓柱形中空突起，突起內(nèi)部設(shè)置一鐵芯；浮力環(huán)為中空的環(huán)形結(jié)構(gòu)，浮力環(huán)套于坩堝中間的突起上；蒸發(fā)界面加熱裝置包括若干個(gè)同心圓環(huán)加熱片，每個(gè)圓環(huán)加熱片均采用陶瓷包裹圓環(huán)鐵質(zhì)薄片的結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)界面加熱裝置套于坩堝中間的突起上并置于浮力環(huán)上。該蒸發(fā)源裝置采用感應(yīng)渦流加熱的方法，一方面，在同等條件下，能夠顯著縮短蒸發(fā)速率地穩(wěn)定時(shí)間；另一方面，可對(duì)蒸發(fā)界面實(shí)時(shí)、直接加熱，補(bǔ)充蒸發(fā)帶走的熱量，有利于提高蒸發(fā)速率和蒸發(fā)穩(wěn)定性，便于形成均勻的鍍膜。
【專利說明】一種蒸發(fā)源裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于OLED顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種新型的蒸發(fā)源裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Diode, 0LED),又稱“有機(jī)電激發(fā)光顯示器”，是繼LCD、PDP之后發(fā)展?jié)摿ψ畲蟮男滦推桨屣@示技術(shù)，由于其突出的性能優(yōu)勢(shì)得到了世界上許多國(guó)家和企業(yè)的重視，目前正處于技術(shù)快速發(fā)展、產(chǎn)業(yè)逐步啟動(dòng)的階段。
[0003]OLED具有主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)速度快、低壓驅(qū)動(dòng)、耗電量低、全固態(tài)結(jié)構(gòu)、超輕薄、視角寬、可使用溫度范圍大等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)稱為“夢(mèng)幻顯示器”，代表了目前顯示技術(shù)的發(fā)展方向。有機(jī)材料蒸鍍工序作為OLED生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵工序，對(duì)最終產(chǎn)品的良率和生產(chǎn)效率都有非常大的影響；蒸鍍是指在真空環(huán)境中有機(jī)材料在蒸發(fā)源裝置(坩堝)內(nèi)受熱蒸發(fā)后在基板表面析出，生成一層附著于基板上的薄膜的技術(shù)。
[0004]真空蒸鍍中蒸發(fā)源裝置的加熱方式通常有電阻加熱、電弧加熱、感應(yīng)加熱、電子束加熱、鐳射加熱這幾種，它們的加熱特點(diǎn)分別如下:
[0005]1.電阻加熱:這是一種最簡(jiǎn)單的加熱方法，設(shè)備便宜、操作容易，應(yīng)用較廣；
[0006]2.電弧加熱:蒸鍍速率快；基板不須加熱；可鍍高溫金屬及陶瓷化合物；
[0007]3.感應(yīng)加熱:加熱效率佳，升溫快速，并可加熱大容量；一般用于金屬蒸發(fā)源裝置的加熱；
`[0008]4.電子束加熱:這種加熱方法是把數(shù)千電子伏特的高能量電子，經(jīng)磁場(chǎng)聚焦，直接撞擊被蒸發(fā)物加熱，溫度可以高達(dá)3000攝氏度，一般用于高熔點(diǎn)的蒸發(fā)源裝置；
[0009]5.鐳射加熱:激光束可經(jīng)由光學(xué)聚焦在蒸發(fā)源裝置上，產(chǎn)生局部瞬間高溫使其逃離，用以加熱蒸鍍的功能和電子束類似，常被用來披覆成份復(fù)雜的化合物，鍍膜的品質(zhì)甚佳。
[0010]目前OLED發(fā)光材料的沸點(diǎn)均在幾百攝氏度，一般在真空蒸鍍過程中采取電阻加熱的方式，但是電阻加熱方式存在很明顯的缺點(diǎn)，如蒸發(fā)速率穩(wěn)定時(shí)間長(zhǎng)等，不僅造成蒸鍍材料的浪費(fèi)而且影響整個(gè)OLED面板的生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于克服電阻加熱方式存在的問題，提供一種蒸發(fā)速率穩(wěn)定時(shí)間短、蒸發(fā)速率快且蒸發(fā)過程穩(wěn)定性高的蒸發(fā)源裝置。
[0012]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0013]一種蒸發(fā)源裝置，包括坩堝、線圈、浮力環(huán)和蒸發(fā)界面加熱裝置，所述線圈環(huán)繞于坩堝外側(cè)；所述坩堝的中間設(shè)有一圓柱形中空突起，所述突起內(nèi)部設(shè)置一鐵芯；所述浮力環(huán)為中空的環(huán)形結(jié)構(gòu)，浮力環(huán)套于坩堝中間的突起上；所述蒸發(fā)界面加熱裝置包括若干個(gè)同心圓環(huán)加熱片，每個(gè)圓環(huán)加熱片均采用陶瓷包裹圓環(huán)鐵質(zhì)薄片的結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)界面加熱裝置套于坩堝中間的突起上并置于浮力環(huán)上。[0014]進(jìn)一步地，所述各個(gè)圓環(huán)加熱片的圓環(huán)鐵質(zhì)薄片的厚度之和小于感應(yīng)渦流的趨膚厚度，且圓環(huán)鐵質(zhì)薄片厚度隨圓環(huán)加熱片與圓心距離的增大而減小。
[0015]進(jìn)一步地，所述蒸發(fā)界面加熱裝置的若干個(gè)同心圓環(huán)加熱片的環(huán)間距相等。
[0016]進(jìn)一步地，所述鐵芯的高度小于所述線圈的縱向深度。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:首先，本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置采用感應(yīng)渦流加熱的方法，在同等條件下，能夠顯著縮短蒸發(fā)速率的穩(wěn)定時(shí)間；其次，本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置的蒸發(fā)界面加熱裝置可對(duì)蒸發(fā)界面實(shí)時(shí)、直接加熱，補(bǔ)充蒸發(fā)帶走的熱量，有利于提高蒸發(fā)速率和蒸發(fā)穩(wěn)定性，便于形成均勻的鍍膜。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0020]如圖1所示，本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置包括坩堝1、線圈2、浮力環(huán)3和蒸發(fā)界面加熱裝置4:
[0021]線圈2環(huán)繞于坩堝I的外側(cè)；坩堝I的中間設(shè)有一圓柱形中空突起11，突起11的內(nèi)部設(shè)置一鐵芯12，當(dāng)線圈2中通入交變電流時(shí)，鐵芯12內(nèi)部將會(huì)產(chǎn)生渦流，進(jìn)而產(chǎn)生熱量，構(gòu)成感應(yīng)渦流加熱的發(fā)熱體，熱量通過熱傳導(dǎo)加熱坩堝，進(jìn)而對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行加熱，實(shí)現(xiàn)蒸鍍材料的蒸發(fā)。
[0022]為了避免鐵芯12對(duì)蒸鍍材料造成污染且盡量減少熱傳導(dǎo)導(dǎo)致的熱量損失，坩堝I采用耐高溫?zé)醾鲗?dǎo)系數(shù)高的陶瓷材料作為涂層，如高純氧化鋁。
[0023]為了保證鐵芯12各處的磁通量均勻一致，線圈2的縱向深度大于鐵芯12的高度。
[0024]蒸鍍材料蒸發(fā)時(shí)會(huì)帶走蒸發(fā)界面的一部分熱量，如果不及時(shí)進(jìn)行熱量補(bǔ)充，將會(huì)影響到蒸鍍材料蒸發(fā)的穩(wěn)定性及蒸發(fā)速率，基于此，本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置設(shè)計(jì)了蒸發(fā)界面加熱裝置4，如圖1所示，蒸發(fā)界面加熱裝置4包括若干個(gè)同心圓環(huán)加熱片41，每個(gè)圓環(huán)加熱片41均采用陶瓷411包裹圓環(huán)鐵質(zhì)薄片412的結(jié)構(gòu)，可見，當(dāng)線圈2中通入交變電流時(shí)，圓環(huán)鐵質(zhì)薄片412也是感應(yīng)渦流加熱的發(fā)熱體，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)蒸鍍材料的加熱。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)蒸鍍材料蒸發(fā)界面的加熱，本發(fā)明的蒸發(fā)源裝置還包括一呈中空的環(huán)形結(jié)構(gòu)的浮力環(huán)3，浮力環(huán)3套于坩堝I中間的突起11上，而蒸發(fā)界面加熱裝置4置于浮力環(huán)3上同時(shí)也套于坩堝I中間的突起11上，當(dāng)蒸鍍材料在坩鍋I內(nèi)溶化后，由于浮力環(huán)3的作用，浮力環(huán)3與蒸發(fā)界面加熱裝置4便一起漂浮于蒸發(fā)界面上，從而實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)界面加熱裝置4對(duì)蒸發(fā)界面直接、實(shí)時(shí)的加熱。
[0025] 蒸發(fā)界面加熱裝置4的陶瓷411可選用與坩堝I涂層一樣的材料。
[0026]感應(yīng)渦流現(xiàn)象存在趨膚效應(yīng)，電流集中在臨近導(dǎo)體外表的薄層，趨膚厚度為:
【權(quán)利要求】
1.一種蒸發(fā)源裝置，其特征在于:包括坩堝、線圈、浮力環(huán)和蒸發(fā)界面加熱裝置，所述線圈環(huán)繞于坩堝外側(cè)；所述坩堝的中間設(shè)有一圓柱形中空突起，所述突起內(nèi)部設(shè)置一鐵芯；所述浮力環(huán)為中空的環(huán)形結(jié)構(gòu)，浮力環(huán)套于坩堝中間的突起上；所述蒸發(fā)界面加熱裝置包括若干個(gè)同心圓環(huán)加熱片，每個(gè)圓環(huán)加熱片均采用陶瓷包裹圓環(huán)鐵質(zhì)薄片的結(jié)構(gòu)，蒸發(fā)界面加熱裝置套于坩堝中間的突起上并置于浮力環(huán)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于:所述各個(gè)圓環(huán)加熱片的圓環(huán)鐵質(zhì)薄片的厚度之和小于感應(yīng)渦流的趨膚厚度，且圓環(huán)鐵質(zhì)薄片厚度隨圓環(huán)加熱片與圓心距離的增大而減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于:所述蒸發(fā)界面加熱裝置的若干個(gè)同心圓環(huán)加熱片的環(huán)間距相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于:所述鐵芯的高度小于所述線圈的縱向深 度。
【文檔編號(hào)】C23C14/26GK103849837SQ201410111163
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月24日
【發(fā)明者】潘劍白, 陳思敏, 趙芳 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司