有機薄膜形成裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明利用通過加熱生成的有機化合物的蒸氣以高成膜速率形成有機薄膜。將成膜室（43）配置到緩沖室（42）的內部，將中央輥（17）的一部分側面從成膜室開口（54）插入到成膜室（43）內，使基材膜（23）一邊緊貼在該部分的側面上一邊行進。從連接在成膜室（43）上的蒸氣生成裝置（26）將蒸氣通過載氣運輸，通過冷卻裝置（30）將中央輥（17）冷卻，將基材膜（23）冷卻到蒸氣的冷凝溫度以下的溫度，通過釋放到成膜室（43）內的蒸氣在基材膜（23）的表面上形成有機原料層（35），使中央輥（17）旋轉，在硬化室（44）中照射能量線而使其硬化。緩沖室（42）真空排氣到低壓力，使得從成膜室開口（54）流出的載氣和蒸氣不流入到硬化室（44）及卷室（41）中。
【專利說明】有機薄膜形成裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機薄膜形成裝置，特別涉及在真空環(huán)境中在膜上形成有機薄膜的有機薄膜形成裝置。

【背景技術】
[0002]以往使用在真空環(huán)境中在膜上形成有機薄膜的薄膜形成裝置，在膜上形成金屬薄膜或有機薄膜，生產食品包裝用的膜或電子零件用的膜。
[0003]如果在圖5中表示該裝置，則該有機薄膜形成裝置101具有真空槽111，在真空槽111中，配置有卷繞著作為成膜對象的基材膜105的原坯卷102、和將從原坯卷102放出的基材膜105卷繞起來的卷繞裝置103。
[0004]為了在基材膜105上形成有機薄膜，首先，從原坯卷102將基材膜105放出，在使基材膜105的背面接觸在配置于真空槽111的中央的中央輥104的側面的一部分上的狀態(tài)下，將已放出的部分的前端安裝到卷繞裝置103上。
[0005]將真空槽111內真空排氣，以基材膜105和中央輥104的表面不滑動的方式使中央輥104旋轉，從原坯卷102將基材膜105放出，將放出的基材膜105用卷繞裝置103卷繞起來。
[0006]在與中央輥104和基材膜105接觸的部分面對的位置，配置有蒸氣發(fā)生裝置106，通過加熱裝置107將配置在蒸氣發(fā)生裝置106內的有機材料加熱時，在蒸氣發(fā)生裝置106內產生有機材料的蒸氣，從蒸氣發(fā)生裝置106的釋放口朝向中央棍104釋放有機材料的蒸氣。在與釋放口面對的位置，基材膜105 —邊與中央輥104接觸一邊移動，有機材料的蒸氣在與釋放口面對的位置到達移動中的基材膜105的表面，在其表面上形成有機薄膜，由卷繞裝置103卷繞，得到卷繞卷108。
[0007]但是，在上述那樣的有機薄膜形成裝置101中，有機材料的硬化不充分，要求有在卷繞前促進硬化反應的技術。
[0008]此外，對于形成到基材膜105上的有機薄膜，要求膜厚的均勻性、以及使得真空槽111的內部不被釋放到真空槽111內的有機材料蒸氣污染的技術。
[0009]專利文獻1:日本特表2000 - 508089號公報。
[0010]專利文獻2:日本特開2010 - 236076號公報。
[0011]專利文獻3:日本特許第3502261號。


【發(fā)明內容】

[0012]本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有技術的問題而做出的，其目的是提供一種有機薄膜形成裝置，其真空槽內不會被蒸氣污染，并能以高成膜速率形成硬化了的有機薄膜。
[0013]為了解決上述課題，本發(fā)明是一種薄膜形成裝置，具有真空槽、蒸氣釋放裝置、能量線射出裝置、放卷裝置、卷繞裝置和圓筒狀的中央輥，安裝在所述放卷裝置上的基材膜的原坯卷被放出，被放出的基材膜一邊背面與所述中央輥的側面接觸一邊在所述真空槽內行進，在借助所述卷繞裝置進行卷繞期間，從所述蒸氣釋放裝置的釋放口釋放到所述真空槽內的有機化合物的蒸氣到達與所述中央輥的側面接觸的部分的所述基材膜的表面，在形成有機原料層后，從所述能量線射出裝置的射出部射出的能量線被照射到所述有機原料層，所述有機原料層中的所述有機化合物進行化學反應，形成有機薄膜，所述薄膜形成裝置如下所述地構成:
在所述真空槽的外部，配置有生成所述有機化合物的蒸氣并向所述蒸氣釋放裝置供給的蒸氣生成裝置，在所述真空槽的內部配置有緩沖室，在處于所述真空槽的內部且處于所述緩沖室的外部的位置，配置有硬化室，在所述緩沖室的內部配置有成膜室，所述緩沖室、所述成膜室和所述硬化室分別連接至真空排氣裝置，所述釋放口配置在所述成膜室的內部，所述射出部配置在所述硬化室中，所述中央輥配置成，以位于所述緩沖室中的旋轉軸線為中心旋轉，在形成所述成膜室的成膜室隔壁中的位于所述旋轉軸線與所述釋放口之間的部分，設有成膜室開口，所述釋放口與所述中央輥的側面面對，在形成所述硬化室的硬化室隔壁中的位于所述旋轉軸線與所述射出部之間的部分，設有硬化室開口，所述射出部與所述中央輥的側面面對。
[0014]另外，本發(fā)明是一種薄膜形成裝置，在所述中央輥上連接著冷卻裝置，所述冷卻裝置構成為，使冷卻介質在所述中央輥與所述冷卻裝置之間循環(huán)，將所述中央輥冷卻。
[0015]另外，本發(fā)明是一種薄膜形成裝置，所述中央輥的側面的與所述釋放口面對的部分被從所述成膜室開口插入到所述成膜室的內部，所述中央輥的側面的與所述射出部面對的部分被從所述硬化室開口插入到所述硬化室的內部。
[0016]另外，本發(fā)明是一種薄膜形成裝置，具有對所述蒸氣生成裝置供給載氣的載氣供給裝置，混合了所述載氣和所述有機化合物的蒸氣的混合氣體被從所述釋放口釋放。
[0017]另外，本發(fā)明是一種薄膜形成裝置，通過所述真空排氣裝置進行真空排氣，使得所述成膜室的壓力比所述緩沖室的壓力高，所述硬化室的壓力比所述緩沖室低。
[0018]本發(fā)明中，由于蒸氣生成室配置在真空槽的外部，成膜室開口配置在緩沖室的內部，所以有機化合物的補充較容易，由有機化合物生成的蒸氣不會流入到硬化室或卷室中。
[0019]由于將中央輥冷卻到蒸氣的冷凝溫度以下的溫度，所以能夠使通過加熱形成的有機化合物的蒸氣冷凝(除了氣體的液化以外，還包括氣體的固化)，由于通過能量樹脂使通過冷凝形成的有機原料層硬化，所以能夠得到強韌的有機薄膜。
[0020]此外，因為由載氣運送生成的蒸氣，所以能夠將大量的蒸氣從蒸氣生成室向成膜室供給，能夠使成膜速率變快。
[0021]此外，由于能夠用一個中央輥進行有機原料層的形成和有機原料層的硬化，所以能夠使真空槽的體積變小。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是用來說明本發(fā)明的薄膜形成裝置的圖。
[0023]圖2的(a)、(b)是用來說明釋放口的圖。
[0024]圖3的(a)是用來說明成膜室開口的圖，(b)是用來說明硬化室開口的圖。
[0025]圖4的(a)是表示在基材膜上形成了有機原料層的狀態(tài)的圖，(b)是表示由有機原料層形成了聚合物的有機薄膜的狀態(tài)的圖。
[0026]圖5是現(xiàn)有技術的薄膜形成裝置。
[0027]附圖標記說明 11真空槽
12真空排氣裝置
14旋轉軸線
17中央輥 19b釋放口 21原坯卷
23基材膜 26蒸氣生成裝置 27載氣供給裝置 30冷卻裝置 32放卷裝置 33卷繞裝置 35有機原料層 36有機薄膜
41卷室
42緩沖室
43成膜室 44硬化室 54成膜室開口 56硬化室開口。

【具體實施方式】
[0028]圖1表示本發(fā)明的薄膜形成裝置10。
[0029]該薄膜形成裝置10具有真空槽11，真空槽11的內部被分隔板51分隔，在真空槽11的內部的分隔板51的單側形成有卷室41。
[0030]在分隔板51的相反側形成有緩沖室42，在緩沖室42的內部配置有成膜室隔壁52，由成膜室隔壁52形成與緩沖室42的內部空間分離的成膜室43。
[0031]此外，在緩沖室42內部的與成膜室43離開的位置，配置有硬化室隔壁53，在緩沖室42的內部，借助硬化室隔壁53形成有與緩沖室42的內部空間分離的硬化室44。成膜室43與硬化室44之間也分尚。
[0032]在緩沖室42的內部，配置有金屬制成且呈圓筒形狀的中央輥17。這里，在緩沖室42的內部水平地配置有旋轉軸18，中央輥17使其中心軸線與旋轉軸18的中心軸線一致地安裝在旋轉軸18上，構成為，旋轉軸18和中央輥17以一致的中心軸線為中心一起旋轉。圖1的附圖標記14是作為旋轉軸18和中央輥17的旋轉中心的旋轉軸線，也是旋轉軸18和中央輥17的中心軸線。
[0033]卷室41、成I旲室43和硬化室44配直在中央棍17的側面的周圍。
[0034]如圖3的(a)所示，在成膜室隔壁52上形成有成膜室開口 54，如圖3的(b)所示，在硬化室隔壁53上形成有硬化室開口 56。
[0035]成膜室開口 54的寬度、硬化室開口 56的寬度和下述穿過口的寬度比中央輥17的側面的寬度(底面間的距離)稍大，中央輥17的側面中，其圓周方向一部分的寬度方向全部部分被插入到成膜室43內，中央輥17的側面的圓周方向另一部分的寬度方向全部部分被插入到硬化室44內，插入的部分的側面露出在成膜室43和硬化室44的內部。
[0036]在卷室41的內部，配置有放卷裝置32和卷繞裝置33。
[0037]在放卷裝置32上，安裝著將作為成膜對象的長尺寸的基材膜23卷繞而構成的原坯卷21，為了將原坯卷21的基材膜23通過卷繞裝置33卷繞，首先將位于原坯卷21的外周的基材膜23的端部拉出。
[0038]在分隔板51上形成有穿過口，被拉出的部分的前端穿過穿過口被送入到緩沖室42的內部，接觸在中央輥17的側面上，沿著側面的圓周方向移動，穿過成膜室43的內部、緩沖室42的內部、硬化室44的內部和緩沖室42的內部，被送回到卷室41，固定在卷繞裝置33上。
[0039]中央輥17與分隔板51、成膜室隔壁52和硬化室隔壁53不接觸。
[0040]在旋轉軸18和卷繞裝置33上，分別設有馬達37a、37b。
[0041]放卷裝置32構成為能夠旋轉，如果通過馬達37a、37b使旋轉軸18及中央輥17和卷繞裝置33分別旋轉，則原坯卷21被放出的基材膜23牽引，與放卷裝置32 —起旋轉，從原坯卷21將基材膜23進一步放出。被放出的部分由卷繞裝置33以基材膜23不發(fā)生松弛的方式卷繞。
[0042]當在基材膜23表面上形成有機薄膜時，首先，通過真空排氣裝置12將真空槽11的內部真空排氣。
[0043]真空排氣裝置12分別獨立地連接在卷室41、緩沖室42、成膜室43和硬化室44上，能夠將各室41?44獨立地真空排氣。
[0044]此外，各室41?44在各室41?44內形成真空環(huán)境后也持續(xù)被真空排氣，在以下的說明中，在各室41?44內形成真空環(huán)境，并持續(xù)被真空排氣。
[0045]在成膜室43的內部配置有蒸氣釋放裝置19。
[0046]在真空槽11的外部配置有蒸氣生成裝置26，蒸氣釋放裝置19連接在蒸氣生成裝置26上。
[0047]蒸氣生成裝置26具有加熱裝置、和配置有液體或固體的有機化合物的容器，構成為，將配置在容器中的有機化合物每次少量地通過加熱裝置加熱而生成蒸氣。
[0048]這里，通過加熱，有機化合物蒸發(fā)或升華而產生氣體，在本發(fā)明中，通過升華產生的氣體包含在“蒸氣”中。
[0049]在蒸氣生成裝置26上，配置有供給載氣(惰性氣體、N2氣等不與有機化合物反應的氣體)的載氣供給裝置27，構成為，能夠從載氣供給裝置27對蒸氣生成裝置26的內部供給加熱而升溫到既定溫度的載氣。
[0050]一邊供給該載氣，一邊在蒸氣生成裝置26的內部生成有機化合物的蒸氣，生成的蒸氣與載氣混合而成為混合氣體，通過蒸氣釋放裝置19與蒸氣生成裝置26之間的壓力差，將混合氣體向蒸氣釋放裝置19輸送。
[0051]在圖2 (a)中表示蒸氣釋放裝置的一例。
[0052]蒸氣釋放裝置19具有內部中空的釋放裝置主體19a、和設在釋放裝置主體19a上的細長的釋放口 1%，從蒸氣釋放裝置19供給的蒸氣與載氣的混合氣體在釋放裝置主體19a內均勻地擴散，被從釋放口 19b向成膜室43內均勻地釋放。
[0053]釋放口 19b以長度方向與旋轉軸線14平行的方式配置在與中央輥17的側面面對的位置，基材膜23位于釋放口 19b與中央輥17之間。
[0054]釋放口 19b的長度方向的長度比基材膜23的寬度長，釋放口 19b的兩端伸出到基材膜23的寬度方向的外側。
[0055]當蒸氣被與載氣一起從釋放口 19b釋放時,蒸氣到達包含基材膜23的寬度方向的兩端的范圍。
[0056]另外，如圖2 (b)所示，也可以設計成，圓形開口的釋放口 19b與基材膜23的寬度方向平行地在比基材膜23的寬度長的范圍中排列為一列或多列。
[0057]在中央輥17的側面中與釋放口 19b面對的部分，中央輥17與釋放口 19b之間的基材膜23的背面接觸在中央輥17的側面上，從釋放口 19b釋放的蒸氣到達基材膜23上的背面接觸在中央輥17上的部分。
[0058]基材膜23表面的各部分在移動到從釋放口 19b釋放的蒸氣到達的位置之前接觸在中央輥17上，如后述那樣被中央輥17冷卻，被冷卻了的基材膜23的溫度使得，蒸氣到達的部分的基材膜23的表面附近的蒸氣的分壓比成膜室43的內部壓力下的飽和蒸氣壓高。
[0059]因而，到達該基材膜23的表面的蒸氣冷凝而成為液體或氣體，在基材膜23的表面上形成由冷凝的蒸氣構成的有機原料層。圖4 (a)表示在基材膜23上形成了有機原料層35的狀態(tài)。
[0060]在蒸氣生成裝置26的內部配置有單體的有機化合物，其蒸氣是氣體的單體。因而，有機原料層35是由其單體構成的單體層。
[0061]基材膜23在被從原坯卷21抽出后，在形成有機原料層35之前，背面接觸在中央輥17上，如上述那樣，當中央輥17和卷繞裝置33旋轉、使基材膜23移動時，中央輥17和卷繞裝置33以下述方式旋轉:使得基材膜23在背面接觸在中央輥17的側面上的狀態(tài)下移動，基材膜23的背面不被磨損。
[0062]形成有機原料層35后的基材膜23在背面接觸在中央輥17上的狀態(tài)下被從成膜室43送出，穿過緩沖室42后被向硬化室44的內部送入。
[0063]在硬化室44中，設有能量線射出裝置16。
[0064]能量線射出裝置16具有射出部13，射出部13配置在硬化室44的內部，構成為，從射出部13向硬化室44的內部射出能量線。
[0065]射出的能量線被向基材膜23的表面的有機原料層35照射，該基材膜23與中央輥17的插入到硬化室44的內部的側面接觸。
[0066]能量線對基材膜23的照射范圍是沿著基材膜23的寬度方向的直線狀，即，是在與基材膜23的移動方向垂直的方向上延伸的直線狀，被照射到比寬度方向大的范圍。照射范圍的寬度是一定的，有機原料層35當穿過照射位置時，寬度方向的全部位置被以能量線的寬度照射。
[0067]在有機原料層35的被能量線照射的部分，借助能量線所具有的能量發(fā)生單體的聚合反應，聚合反應進展，單體成為聚合物，由有機原料層35形成聚合物的有機薄膜。圖4(b)的附圖標記36表示該有機薄膜。
[0068]這里，能量線是電子，但也可以放射其他基本粒子或帶電粒子，或放射電磁波(包括光)。
[0069]另外，在能量線具有電荷的情況下，被照射的基材膜23會帶電。在本發(fā)明中，中央輥17被連接到接地電位，因而，由于能量線的照射而要儲存到有機薄膜36及基材膜23中的電荷從中央棍17向接地電位流出，帶電減少。
[0070]在中央輥17上設有冷卻裝置30，冷卻裝置30使冷卻介質在冷卻裝置30與中央輥17之間循環(huán)，使冷卻了的冷卻介質流到中央輥17內部的流路中，將中央輥17冷卻。
[0071]基材I旲23的背面在成I旲室43的內部接觸在中央棍17的側面中插入在成I旲室43內部的部分上，在硬化室44的內部接觸在中央輥17的側面中插入在硬化室44內部的部分上，從有機原料層35的形成前到形成有機薄膜36后的期間中，基材膜23的背面與同一中央輥17接觸。在此期間，基材膜23被中央輥17冷卻，一邊被冷卻一邊移動。
[0072]由到達基材膜23的蒸氣或照射在基材膜23及有機原料層35上的能量線帶來的熱使在中央輥17的流路中流動的冷卻介質升溫，升溫后的冷卻介質被向冷卻裝置30送回。
[0073]在冷卻裝置30中，冷卻介質被散熱而被冷卻，通過對中央輥17輸送冷卻了的冷卻介質，使冷卻介質循環(huán)。
[0074]另外，基材膜23只要在使有機化合物的蒸氣冷凝前接觸在中央輥17上而被冷卻到冷凝所需的溫度就可以，開始接觸的位置可以是卷室41的內部、緩沖室42的內部、成膜室43的內部中的任何一個地方。
[0075]形成了有機薄膜36的部分的基材膜23 —邊背面接觸在中央輥17上一邊穿過硬化室開口 56而被從硬化室44送出，被向緩沖室42送入，穿過緩沖室42，經過形成在分隔板51上的穿過口被向卷室41送入。
[0076]如果電子等帶電粒子朝向基材膜23放射，則基材膜23帶電，當將基材膜23從中央輥17分離時，由于所帶的靜電力，有基材膜23被吸附在中央輥17上、分離失敗從而基材膜23被中央輥17卷入的情況。
[0077]在本發(fā)明中，在將基材膜23從中央輥17分離的位置的附近設有除電裝置28，使除電裝置28形成的等離子擴散到分離位置，在分離前使帶電量減少。
[0078]分離位置應該配置到配置有除電裝置28的室中，這里是卷室41。
[0079]形成了有機薄膜36的部分的基材膜23在卷室41中被從中央輥17分離后，從除電裝置28形成的等離子中穿過而被除電，被卷繞裝置33卷繞。因而，形成了有機薄膜36的基材膜23不帶電，所以卷繞該基材膜23的卷繞裝置33也不帶電，不會產生因帶電引起的基材膜23的吸附。
[0080]如以上說明的那樣，通過冷凝，從蒸氣釋放裝置19釋放的單體的蒸氣附著在基材膜23上而形成有機原料層35。此外，對有機原料層35照射能量線，使其發(fā)生聚合反應而硬化，形成有機薄膜36。在此期間中，基材膜23的背面接觸在同一中央輥17上，能夠利用一個中央輥17得到形成有有機薄膜36的基材膜23。在此情況下，一旦基材膜23與中央輥17接觸后，直到形成有機薄膜36后分離為止，就不會被分離。
[0081]關于成膜室43的真空環(huán)境，成膜室43配置在緩沖室42的內部，通過成膜室隔壁52和真空槽11的槽壁將緩沖室42的內部和成膜室43的內部分離。緩沖室42的內部和成膜室43的內部僅通過成膜室開口 54連接，在成膜室開口 54以外的部分被遮蔽。
[0082]硬化室44的真空環(huán)境通過硬化室開口 56連接到緩沖室42的真空環(huán)境，卷室41的真空環(huán)境通過分隔板51的穿過口連接到緩沖室42的真空環(huán)境，成膜室開口 54配置在緩沖室42的內部，從成膜室開口 54流出的蒸氣及載氣被將緩沖室42真空排氣的真空排氣裝置12真空排氣，不會流入到硬化室44及卷室41中。
[0083]另外，如果將對設在本發(fā)明的成膜室43中的全部裝置進行控制的部件設為控制裝置29，則通過控制裝置29，控制真空排氣裝置12的各室41?44各自的排氣速度及載氣對蒸氣生成裝置26的供給量。此外，通過控制裝置29和真空排氣裝置12進行真空排氣，使得成膜室43的壓力比緩沖室42的壓力高，硬化室44的壓力比緩沖室42低。
[0084]當將各室真空排氣時，真空排氣使得卷室41的壓力比緩沖室42的壓力高，從成膜室43的成膜室開口 54流入到緩沖室42內的有機化合物的蒸氣被從緩沖室42真空排氣，不會從硬化室開口 56或穿過口流入到硬化室44及卷室41中。也可以在卷室41中設置氣體導入裝置而導入惰性氣體。
[0085]另外，在中央輥17的內部設有溫度傳感器，控制裝置29通過溫度傳感器測量中央輥17的溫度，控制冷卻裝置30以使中央輥17的溫度處于既定的溫度范圍內，控制形成有機原料層35時的基材膜23的溫度、使有機原料層35硬化而形成有機薄膜36時的基材膜23的溫度。
[0086]此外，也可以通過控制裝置29控制能量線射出裝置16、除電裝置28、蒸氣生成裝置26等。
[0087]在上述例子中，在旋轉軸18和卷繞裝置33上連接著馬達37a、37b，但也可以在放卷裝置32上也連接馬達，用馬達的旋轉力輔助原坯卷21的旋轉。
[0088]另外，該載氣的供給量被載氣供給裝置27具有的受控制裝置29控制的質量流裝置進行流量控制，能夠通過控制裝置29控制基材膜23上的有機原料層35的成長速度。
[0089]也可以在上述真空排氣裝置12中設置多個真空泵，在各室41?44上分別連接不同的真空泵，分別單獨地控制各室41?44的壓力。
[0090]此外，在上述實施例中，在硬化室44的內部設有遮蔽板55，構成為，穿過了遮蔽板55的開口的能量線對基材膜23照射，防止照射位置以外的基材膜23暴露在能量線下。
[0091]上述除電裝置28在殼體內部配置有由施加正電壓的電極和施加負電壓的電極構成的一組電極31，此外，配置有用來將等離子封入的磁鐵38。
[0092]另外，上述單體廣泛地包括通過能量線的照射而聚合、能夠形成有機薄膜的有機化合物。
【權利要求】
1.一種薄膜形成裝置，具有真空槽、蒸氣釋放裝置、能量線射出裝置、放卷裝置、卷繞裝直和圓筒狀的中央棍， 安裝在所述放卷裝置上的基材膜的原坯卷被放出，被放出的基材膜一邊背面與所述中央輥的側面接觸一邊在所述真空槽內行進，在借助所述卷繞裝置進行卷繞期間，從所述蒸氣釋放裝置的釋放口釋放到所述真空槽內的有機化合物的蒸氣到達與所述中央輥的側面接觸的部分的所述基材膜的表面，在形成有機原料層后，從所述能量線射出裝置的射出部射出的能量線被照射到所述有機原料層，所述有機原料層中的所述有機化合物進行化學反應，形成有機薄膜， 其特征在于，所述薄膜形成裝置如下所述地構成: 在所述真空槽的外部，配置有生成所述有機化合物的蒸氣并向所述蒸氣釋放裝置供給的蒸氣生成裝置， 在所述真空槽的內部配置有緩沖室， 在處于所述真空槽的內部且處于所述緩沖室的外部的位置，配置有硬化室， 在所述緩沖室的內部配置有成膜室， 所述緩沖室、所述成膜室和所述硬化室分別連接至真空排氣裝置， 所述釋放口配置在所述成膜室的內部， 所述射出部配置在所述硬化室中， 所述中央輥配置成，以位于所述緩沖室中的旋轉軸線為中心旋轉， 在形成所述成膜室的成膜室隔壁中的位于所述旋轉軸線與所述釋放口之間的部分，設有成膜室開口，所述釋放口與所述中央輥的側面面對， 在形成所述硬化室的硬化室隔壁中的位于所述旋轉軸線與所述射出部之間的部分，設有硬化室開口，所述射出部與所述中央輥的側面面對。
2.如權利要求1所述的薄膜形成裝置，其特征在于， 在所述中央輥上連接著冷卻裝置，所述冷卻裝置構成為，使冷卻介質在所述中央輥與所述冷卻裝置之間循環(huán)，將所述中央輥冷卻。
3.如權利要求1或2所述的薄膜形成裝置，其特征在于， 所述中央輥的側面的與所述釋放口面對的部分被從所述成膜室開口插入到所述成膜室的內部， 所述中央輥的側面的與所述射出部面對的部分被從所述硬化室開口插入到所述硬化室的內部。
4.如權利要求1?3中任一項所述的薄膜形成裝置，其特征在于， 具有對所述蒸氣生成裝置供給載氣的載氣供給裝置， 混合了所述載氣和所述有機化合物的蒸氣的混合氣體被從所述釋放口釋放。
5.如權利要求1?4中任一項所述的薄膜形成裝置，其特征在于， 通過所述真空排氣裝置進行真空排氣，使得所述成膜室的壓力比所述緩沖室的壓力高，所述硬化室的壓力比所述緩沖室低。
【文檔編號】C23C14/12GK104379797SQ201380034632
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年6月19日 優(yōu)先權日:2012年6月29日
【發(fā)明者】齋藤和彥, 飯島正行, 廣野貴啟, 中森建治 申請人:株式會社愛發(fā)科