光刻膠組合物、形成圖案的方法和薄膜晶體管襯底的制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 實(shí)施方案涉及光刻膠組合物、形成圖案的方法和制造薄膜晶體管襯底的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 用于顯示器件的顯示襯底可包括用作用于驅(qū)動(dòng)像素單元的切換元件的薄膜晶體 管、連接至該薄膜晶體管的信號(hào)線、和像素電極。所述信號(hào)線可包括提供柵極信號(hào)的柵極 線、和與該柵極線交叉并提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線。
[0003] 光刻工藝可用于形成薄膜晶體管、信號(hào)線和像素電極。根據(jù)光刻工藝，可在目標(biāo) (對(duì)象）層上形成光刻膠圖案，且可通過使用該光刻膠圖案作為掩模使該目標(biāo)層圖案化以 形成期望的圖案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 實(shí)施方案涉及光刻膠組合物、形成圖案的方法和制造薄膜晶體管襯底的方法。
[0005] 所述實(shí)施方案可通過提供光刻膠組合物而實(shí)現(xiàn)，所述光刻膠組合物包括：溶劑； 酚醛清漆樹脂；重氮類（基于重氮的，diazide-based)光敏劑；和由以下化學(xué)式1表示的丙 烯?；衔?，其中：R1為氫原子或甲基，R2為芳族基團(tuán)或烷基，所述烷基具有1-約1，000 個(gè)碳原子且具有直鏈形狀或支化形狀，R3、R4和R5各自獨(dú)立地為烷氧基，所述烷氧基具有 1-約1，000個(gè)碳原子且具有直鏈形狀或支化形狀，并且X、Y和Z各自獨(dú)立地為1-約100的 整數(shù)，
[0006] 〈化學(xué)式1>
[0007]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 光刻膠組合物，其包括： 溶劑； 酪醒清漆樹脂； 重氮類光敏劑；和 由W下化學(xué)式1表示的丙締酷基化合物，其中： R1為氨原子或甲基， R2為芳族基團(tuán)或烷基，所述烷基具有1-1，000個(gè)碳原子且具有直鏈形狀或支化形狀，R3、R4和R5各自獨(dú)立地為烷氧基，所述烷氧基具有1-1，000個(gè)碳原子且具有直鏈形狀 或支化形狀，并且 X、Y和Z各自獨(dú)立地為1-100的整數(shù)， <化學(xué)式1〉
〇
2. 如權(quán)利要求1中所述的光刻膠組合物，其中所述組合物包括： 5-30重量％的所述酪醒清漆樹脂， 2-10重量％的所述重氮類光敏劑， 0. 03-2重量％的所述丙締酷基化合物，和 余量的所述溶劑。
3. 如權(quán)利要求2中所述的光刻膠組合物，其中所述丙締酷基化合物的重均分子量為 5,000-30,000。
4. 如權(quán)利要求3中所述的光刻膠組合物，其中由化學(xué)式1表示的丙締酷基化合物由W 下化學(xué)式2表示，其中： R6為烷基，所述烷基具有10-70個(gè)碳原子且具有直鏈形狀，并且n為10-40的整數(shù)， <化學(xué)式2〉
5. 如權(quán)利要求2中所述的光刻膠組合物，其中所述重氮類光敏劑包括重氮蒙釀橫酷面 化合物與酪化合物的反應(yīng)產(chǎn)物。
6. 如權(quán)利要求5中所述的光刻膠組合物，其中所述重氮類光敏劑包括選自2, 3, 4-S 哲基二苯甲酬-1，2-重氮蒙釀-5-橫酸醋和2, 3, 4, 4' -四哲基二苯甲酬-1，2-重氮蒙 釀-5-橫酸醋的至少一種。
7. 如權(quán)利要求2中所述的光刻膠組合物，其中所述酪醒清漆樹脂的重均分子量為 4,000-30,000。
8. 如權(quán)利要求2中所述的光刻膠組合物，其中所述溶劑包括選自二醇離、己二醇烷基 離己酸醋和二甘醇的至少一種。
9. 形成圖案的方法，所述方法包括： 在基礎(chǔ)襯底上形成目標(biāo)層； 在所述目標(biāo)層上涂覆如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的光刻膠組合物W形成光刻膠層， 將所述光刻膠層部分地暴露于光； 除去所述光刻膠層的暴露部分W形成光刻膠圖案；W及 通過使用所述光刻膠圖案作為掩模使所述目標(biāo)層圖案化。
10. 如權(quán)利要求9中所述的方法，其中所述目標(biāo)層包括金屬氧化物。
11. 如權(quán)利要求10中所述的方法，其中所述金屬氧化物包括選自如下的至少一種：氧 化鋒、氧化鋒錫、氧化銅鋒、氧化銅、氧化鐵、氧化銅嫁鋒、氧化銅鋒錫、氧化銅錫、氧化嫁鋒、 氧化鋒侶和氧化銅嫁。
12. 制造薄膜晶體管襯底的方法，所述方法包括： 在基礎(chǔ)襯底上形成柵電極； 形成覆蓋所述柵電極的柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層； 在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成源金屬層使得所述源金屬層包括金屬層和在所述金屬 層上的導(dǎo)電氧化物層； 在所述導(dǎo)電氧化物層上涂覆如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的光刻膠組合物W形成第 一光刻膠圖案， 通過使用所述第一光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述源金屬層W形成源金屬圖案； 部分地除去所述第一光刻膠圖案W形成第二光刻膠圖案；W及 通過使用所述第二光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述源金屬圖案W形成源電極和漏電極。
13. 如權(quán)利要求12中所述的方法，其中所述導(dǎo)電氧化物層包括選自如下的至少一種； 氧化銅鋒、氧化銅錫、氧化嫁鋒、和氧化鋒侶。
14. 如權(quán)利要求12中所述的方法，其中所述第一光刻膠圖案包括第一厚度部分和比該 第一厚度部分薄的第二厚度部分。
【專利摘要】本發(fā)明公開光刻膠組合物、形成圖案的方法和制造薄膜晶體管襯底的方法，所述組合物包括溶劑、酚醛清漆樹脂、重氮類光敏劑、由以下化學(xué)式1表示的丙烯?；衔?，在化學(xué)式1中，R1為氫原子或甲基，R2為芳族基團(tuán)或烷基，所述烷基具有1-1,000個(gè)碳原子且具有直鏈形狀或支化形狀，R3、R4和R5各自獨(dú)立地為烷氧基，所述烷氧基具有1-1,000個(gè)碳原子且具有直鏈形狀或支化形狀，并且X、Y和Z各自獨(dú)立地為1-100的整數(shù)。<化學(xué)式1>
【IPC分類】H01L21-336, G03F7-004, G03F7-075, G03F7-20
【公開號(hào)】CN104793464
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410795461
【發(fā)明人】李政洙, 樸廷敏, 樸成均, 田俊, 曹基鉉, 金智賢, 金東敏, 金升起, 諸葛銀
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司, 株式會(huì)社東進(jìn)世美肯
【公開日】2015年7月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月18日
【公告號(hào)】US20150205200