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印制電路板鍍金的蝕刻工藝的制作方法

文檔序號:3292106閱讀:818來源:國知局
印制電路板鍍金的蝕刻工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了印制電路板鍍金的蝕刻工藝,包括以下步驟:步驟一、采用質(zhì)量百分比濃度為2%~4%的氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,其中,氫氧化鈉溶液的溫度控制在40~45℃;步驟二、采用蝕刻液去除化學鍍鎳后多余的銅層,其中,蝕刻液的配方為氯化銅40~60g、磷酸銨20~30g、氨水330~340ml、氯化銨40~60g及鉬酸銨8~12g,蝕刻液的溫度為43~57℃。本發(fā)明中的蝕刻液的成分取材便捷、成本低,配制蝕刻液便于實現(xiàn),采用本發(fā)明來對未被鎳層覆蓋的銅進行蝕刻,效率高,且不會對鎳層造成損壞。
【專利說明】印制電路板鍍金的蝕刻工藝

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及印制電路板加工領域,具體是印制電路板鍍金的蝕刻工藝。

【背景技術】
[0002]PCB板,即印制電路板,其是電子產(chǎn)品的基本零組件,其在電子設備中主要提供集成電路等各種電子元器件固定、裝配的機械支撐,實現(xiàn)集成電路等各種電子元器件之間的布線和電氣連接或電絕緣等功能。隨著現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)及電子工業(yè)的高速發(fā)展,印制電路板行業(yè)發(fā)展迅猛。印制電路板的銅電路表面易氧化,可焊性差,最可靠的方法是對印制電路板鍍金,由于銅與金在界面的原子易相互滲透,金的硬度較低,一般的工藝是銅基體先鍍上一層鎳,再鍍金,鎳比銅硬度大,可以為鍍金層提供一種較硬的基底,從而能提高了金鍍層的耐磨性。另外,鎳的標準電極電位比銅低,因此,鎳鍍層對于銅來說是屬于陽極鍍層,對銅基體起電化學保護作用。鎳是一種可靠的阻擋層,可阻止基體銅向金鍍層擴散,從而提高金的抗腐蝕性。
[0003]傳統(tǒng)印制電路板鍍金工藝中在將圖像轉移到銅箔上至鍍鎳的工序之間一般還包括以下工序:圖形電鍍錫鉛合金形成圖形的電路保護層,蝕刻,退錫鉛合金,然后對銅表面進行活化。采用傳統(tǒng)方式在印制電路板上鍍金,工藝條件相當苛刻,不易控制,因此,現(xiàn)今人們考慮采用化學鍍鎳來代替圖形電鍍錫鉛合金,即在蝕刻前后分別進行一次化學鍍鎳,采用鍍鎳層來代替錫鉛合金作為圖形的電路保護層,進而可省去退錫鉛合金工序。印制電路板鍍金工藝在蝕刻前后分別進行化學鍍鎳,如何對蝕刻方法做出相應的改進,使其不損壞化學鍍鎳層,這成為目前人們普遍關注的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,提供了一種能避免鍍鎳層損壞,并能將未被鎳層覆蓋的銅去除的印制電路板鍍金的蝕刻工藝。
[0005]本發(fā)明的目的主要通過以下技術方案實現(xiàn):印制電路板鍍金的蝕刻工藝,包括以下步驟:
步驟一、采用質(zhì)量百分比濃度為2 %?4%的氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,其中,氫氧化鈉溶液的溫度控制在40?45°C ;
步驟二、采用蝕刻液去除化學鍍鎳后多余的銅層,其中,蝕刻液的配方為氯化銅40?60g、磷酸銨20?30g、氨水330?340ml、氯化銨40?60g及鑰酸銨8?12g,蝕刻液的溫度為43?57°C。在鍍金工藝中需采用絲網(wǎng)漏印技術將耐鍍油墨擠壓在銅板表面,耐鍍油墨為堿溶性,采用氫氧化鈉溶液可以很快將其卻除。在圖像轉移后經(jīng)過一次化學鍍鎳,印制板所需的線路全部鍍上鎳層,不需要的地方仍為銅層,本發(fā)明再通過蝕刻液將銅層去除。
[0006]進一步的,所述步驟一中氫氧化鈉溶液的質(zhì)量百分比濃度為3%。
[0007]進一步的,所述步驟一中氫氧化鈉溶液的溫度為43°C。
[0008]進一步的,所述步驟二中蝕刻液的溫度為45°C。
[0009]進一步的,所述蝕刻液的配方中氯化銅50g、磷酸銨25g、氨水335ml、氯化銨50g及鑰酸銨log。
[0010]與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明先采用氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,然后再用蝕刻液進行蝕刻,經(jīng)過蝕刻后,印制板上未鍍鎳的銅部分全部被溶解而露出基底,,圖形的鎳層被保留下來,本發(fā)明的蝕刻液的配方中包括氯化銅、磷酸銨、氨水、氯化銨及鑰酸銨,便于取材,成本低,且在蝕刻過程中不會對鎳層造成損壞。

【具體實施方式】
[0011]下面結合實施例對本發(fā)明做進一步的詳細說明,但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0012]實施例1
印制電路板鍍金的蝕刻工藝,包括以下步驟:步驟一、采用質(zhì)量百分比濃度為2 %的氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,其中,氫氧化鈉溶液的溫度控制在45°C ;步驟二、采用蝕刻液去除化學鍍鎳后多余的銅層,其中,蝕刻液的配方為氯化銅40g、磷酸銨20g、氨水340ml、氯化銨40g及鑰酸銨Sg,蝕刻液的溫度為43°C。本實施例中蝕刻液為堿性,蝕刻過程還可將步驟一中未處理完全的耐鍍油墨去除,本實施未包含能與鎳層反應的根離子,因此,采用本實施例能去除未被鎳層覆蓋的銅,而鎳層不會損壞,本實施例應用時效率高。
[0013]實施例2
印制電路板鍍金的蝕刻工藝,包括以下步驟:步驟一、采用質(zhì)量百分比濃度為3%的氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,其中,氫氧化鈉溶液的溫度控制在43°C ;步驟二、采用蝕刻液去除化學鍍鎳后多余的銅層,其中,蝕刻液的配方為氯化銅50g、磷酸銨25g、氨水335ml、氯化銨50g及鑰酸銨10g,蝕刻液的溫度為45°C。本實施例中蝕刻液為堿性,蝕刻過程還可將步驟一中未處理完全的耐鍍油墨去除,本實施未包含能與鎳層反應的根離子,因此,采用本實施例能去除未被鎳層覆蓋的銅,而鎳層不會損壞,本實施例應用時效率高。
[0014]實施例3
印制電路板鍍金的蝕刻工藝,包括以下步驟:步驟一、采用質(zhì)量百分比濃度為4%的氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,其中,氫氧化鈉溶液的溫度控制在40°C ;步驟二、采用蝕刻液去除化學鍍鎳后多余的銅層,其中,蝕刻液的配方為氯化銅60g、磷酸銨30g、氨水340ml、氯化銨60g及鑰酸銨12g,蝕刻液的溫度為57°C。本實施例中蝕刻液也為堿性,蝕刻過程還可將步驟一中未處理完全的耐鍍油墨去除,本實施也未包含能與鎳層反應的根離子,因此,采用本實施例能去除未被鎳層覆蓋的銅,而鎳層不會損壞,本實施例應用時效率高。
[0015]以上內(nèi)容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明作的進一步詳細說明,不能認定本發(fā)明的【具體實施方式】只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬【技術領域】的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明的技術方案下得出的其他實施方式,均應包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.印制電路板鍍金的蝕刻工藝,其特征在于,包括以下步驟: 步驟一、采用質(zhì)量百分比濃度為2 %?4%的氫氧化鈉溶液將耐鍍油墨去除,其中,氫氧化鈉溶液的溫度控制在40?45°C ; 步驟二、采用蝕刻液去除化學鍍鎳后多余的銅層,其中,蝕刻液的配方為氯化銅40?60g、磷酸銨20?30g、氨水330?340ml、氯化銨40?60g及鑰酸銨8?12g,蝕刻液的溫度為43?57°C。
2.根據(jù)權利要求1所述的印制電路板鍍金的蝕刻工藝,其特征在于,所述步驟一中氫氧化鈉溶液的質(zhì)量百分比濃度為3%。
3.根據(jù)權利要求1所述的印制電路板鍍金的蝕刻工藝,其特征在于,所述步驟一中氫氧化鈉溶液的溫度為43°C。
4.根據(jù)權利要求1所述的印制電路板鍍金的蝕刻工藝,其特征在于,所述步驟二中蝕刻液的溫度為45°C。
5.根據(jù)權利要求1?4中任意一項所述的印制電路板鍍金的蝕刻工藝,其特征在于,所述蝕刻液的配方中氯化銅50g、磷酸銨25g、氨水335ml、氯化銨50g及鑰酸銨10g。
【文檔編號】C23F1/34GK104419933SQ201310406939
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權日:2013年9月10日
【發(fā)明者】龔伶 申請人:龔伶
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