專利名稱：一種改善硅片表面刻蝕水膜的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池片的生產(chǎn)裝置。
背景技術(shù)：
隨著太陽能電池濕法刻蝕技術(shù)的發(fā)展，漏電問題得到較好解決，同時(shí)碎片率較干法刻蝕有較大改善，且背面刻蝕后形成拋光面，有利于電性能提升。但同時(shí)濕法刻蝕也易造成刻蝕不夠或者刻蝕過多等問題，致使正反面導(dǎo)通，擴(kuò)散面PN結(jié)被破壞，受光面積減少，從而導(dǎo)致漏電較大，電池性能急劇下降等問題。所以，濕法刻蝕的關(guān)鍵是要保證刻蝕完全，同時(shí)擴(kuò)散面PN結(jié)不被破壞，減小漏電并最大限度的增加受光面積?？涛g機(jī)利用水膜噴淋覆蓋技術(shù)，在擴(kuò)散面噴淋水膜，利用SiO2親水性將水吸附在表面，使擴(kuò)散面PN結(jié)不易遭到破壞，在減小漏電同時(shí)最大限度的增加受光面積，提升效率。上料臺至刻蝕槽滾輪呈水平狀態(tài)，硅片在經(jīng)水噴淋管噴水后，由于水的流動(dòng)性等不可控因素，在表面形成水膜的同時(shí)易帶來其他問題(1)表面水膜覆蓋不全，高濃度的酸液揮發(fā)破壞擴(kuò)散面PN結(jié)，導(dǎo)致漏電增大，受光面積減小，效率降低；(2)水膜覆蓋過厚，表面水量加大，硅片在行進(jìn)中水溢流到刻蝕槽，導(dǎo)致刻蝕液濃度下降，造成刻蝕不夠，酸耗量增加，成本上升。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型旨在提供一種改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，使硅片表面的水膜覆蓋完全，提高質(zhì)量，同時(shí)減少水膜水量，使硅片在行進(jìn)中水膜的水不會溢流到刻蝕槽，減少酸耗量，節(jié)約成本。本實(shí)用新型的技術(shù)方案為一種改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，硅片在若干滾輪支承下移動(dòng)，滾輪上方有噴淋管，滾輪中有高位滾輪，高位滾輪對硅片的支承點(diǎn)高于前后滾輪的支承點(diǎn)。優(yōu)選的，所述高位滾輪與前后滾輪的高度差小于或等于10mm。優(yōu)選的，所述噴淋管位于高位滾輪上方。優(yōu)選的，所述高位滾輪的直徑大于前后滾輪。優(yōu)選的，所述高位滾輪是在滾輪上加裝橡膠圈。優(yōu)選的，所述高位滾輪是安裝位置高于前后滾輪。本實(shí)用新型通過滾輪支承點(diǎn)的高度差，使硅片在行進(jìn)過程中呈起伏狀態(tài)，利用水的流動(dòng)性使水膜覆蓋完全，有利于提高刻蝕質(zhì)量，同時(shí)減少水膜水量，使硅片在行進(jìn)中水膜的水不會溢流到刻蝕槽，減少酸耗量，節(jié)約成本。

圖1為本實(shí)用新型示意圖。圖中1-噴淋管，2-硅片，3-滾輪，4-高位滾輪。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型一種改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，若干滾輪3支承硅片 2移動(dòng)，滾輪3上方有噴淋管1，滾輪中有高位滾輪4，高位滾輪4對硅片2的支承點(diǎn)高于前后滾輪3的支承點(diǎn)。優(yōu)選的，高位滾輪4與前后滾輪3的高度差小于或等于10mm，噴淋管1 位于高位滾輪4上方。高位滾輪4支承點(diǎn)高于前后滾輪3可采用以下結(jié)構(gòu)之一實(shí)現(xiàn)一是直接加大滾輪 3的直徑，使高位滾輪4的直徑大于前后滾輪3 ；二是高位滾輪4為在普通滾輪3上加裝橡膠圈，增大其直徑；三是高位滾輪4的安裝位置高于前后滾輪3。操作時(shí)，當(dāng)硅片2行進(jìn)至高位滾輪4處時(shí)，噴淋管1開始噴水，由于重力，水會沿著硅片2傾斜的方向流向低位滾輪端，使硅片2尾部水膜覆蓋均勻 ’硅片2繼續(xù)前進(jìn)，重心向前偏移，硅片2向前傾斜至另一低位滾輪處，此時(shí)硅片2尾部的水會沿著傾斜方向流向前端，使硅片2頭部被水膜覆蓋均勻。當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，硅片( 在若干滾輪C3)支承下移動(dòng)，滾輪上方有噴淋管(1)，其特征在于滾輪⑶中有高位滾輪G)，高位滾輪⑷對硅片⑵的支承點(diǎn)高于前后滾輪(3)的支承點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，其特征在于所述高位滾輪 ⑷與前后滾輪⑶的高度差小于或等于10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，其特征在于所述噴淋管(1) 位于高位滾輪(4)上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，其特征在于所述高位滾輪 (4)的直徑大于前后滾輪(3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，其特征在于所述高位滾輪 (4)是在滾輪( 上加裝橡膠圈。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，其特征在于所述高位滾輪 (4)是安裝位置高于前后滾輪(3)。
專利摘要一種改善硅片表面刻蝕水膜的裝置，硅片在若干滾輪支承下移動(dòng)，滾輪上方有噴淋管，滾輪中有高位滾輪，高位滾輪對硅片的支承點(diǎn)高于前后滾輪的支承點(diǎn)。通過滾輪支承點(diǎn)的高度差，使硅片在行進(jìn)過程中呈起伏狀態(tài)，利用水的流動(dòng)性使水膜覆蓋完全，有利于提高刻蝕質(zhì)量，同時(shí)減少水膜水量，使硅片在行進(jìn)中水膜的水不會溢流到刻蝕槽，減少酸耗量，節(jié)約成本。
文檔編號C23F1/08GK202323030SQ201120431268
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月3日
發(fā)明者劉凱, 匡成國, 張鳳鳴, 張恒, 徐濤, 徐照, 李富強(qiáng), 李質(zhì)磊, 盛雯婷, 羅存義 申請人:保定天威集團(tuán)有限公司, 天威新能源控股有限公司