專利名稱：粉粒產(chǎn)生少的濺射靶及該靶的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶，其表面缺陷少，并且粉粒產(chǎn)生少；本發(fā)明還涉及該靶的表面加工方法。
背景技術(shù)：
濺射法作為薄膜的形成手段是已經(jīng)廣為人知的技術(shù)。其基本原理為在氬氣等的稀薄氣體中在需要形成薄膜的襯底(陽(yáng)極側(cè))和與其間隔短間距相對(duì)的包含薄膜形成物質(zhì)的靶(陰極側(cè))之間施加電壓，由此將氬氣等離子體化，由此產(chǎn)生的氬離子撞擊作為陰極物質(zhì)的靶，利用其能量使靶的物質(zhì)飛出(擊出)到外部，由此該飛出的物質(zhì)層疊在相對(duì)的襯底面上。利用該濺射原理的薄膜形成裝置，有偏壓二極濺射裝置、高頻濺射裝置、等離子體濺射裝置等多種設(shè)計(jì)，但基本原理相同。形成薄膜的物質(zhì)，由于作為氬離子的目標(biāo)，因此稱為靶，其具有如下特征由于利用離子的撞擊能量，因此構(gòu)成靶的薄膜形成物質(zhì)以原子狀或原子集合成的簇狀層疊在襯底上，從而形成微細(xì)且致密的薄膜，這是廣泛應(yīng)用于目前的各種電子部件的原因。該薄膜形成中使用的濺射，最近要求非常高度的成膜方法，因此制作的薄膜中缺陷少成為大的課題。濺射中產(chǎn)生這樣的缺陷，不僅是由濺射法引起的，而且多數(shù)起因于靶本身。這樣的起因于靶的缺陷的產(chǎn)生原因有粉粒或結(jié)瘤的產(chǎn)生。從靶濺射的(飛出的)物質(zhì)本來(lái)是附著到相對(duì)的襯底上的，但是，不一定是垂直濺射，而是從各種方向飛來(lái)。這樣的飛出物質(zhì)會(huì)附著到襯底以外的濺射裝置內(nèi)的設(shè)備上，有時(shí)其會(huì)剝離、漂浮并再次附著到襯底上或者產(chǎn)生靶表面的飛弧(由于異常放電，而成為Iym以下的微粒并附著到襯底上)。這樣的物質(zhì)稱為粉粒，例如在電子設(shè)備的微細(xì)布線膜中造成短路，從而導(dǎo)致產(chǎn)生不合格品。已知，這樣的粉粒產(chǎn)生，起因于物質(zhì)從靶的飛出，即隨靶的表面狀態(tài)而增減。另外，一般而言，通過(guò)濺射并不是使靶面的物質(zhì)均勻地減少(被剝蝕)，而是根據(jù)構(gòu)成物質(zhì)與濺射裝置的固有特性、電壓的施加方式等，而具有在特定的區(qū)域例如以環(huán)狀剝蝕的傾向。另外，根據(jù)靶物質(zhì)的種類或靶的制造方法，有時(shí)在靶上形成疹狀的突起物質(zhì)大量殘留的、稱為所謂的結(jié)瘤的物質(zhì)。其為薄膜形成物質(zhì)之一，因此，不會(huì)對(duì)薄膜直接造成影響，但是，觀察到在該結(jié)瘤的突起上會(huì)產(chǎn)生微小的電弧(微弧放電)，并且這會(huì)造成粉粒增大。另外，結(jié)瘤大量產(chǎn)生時(shí)，濺射速度發(fā)生變化(延遲)，從而不能控制成膜。有時(shí)該粗大的結(jié)瘤剝離并附著到襯底上。此時(shí)，結(jié)瘤本身成為引起故障的重要原因。由于這樣的情 況，有時(shí)要先停止濺射并進(jìn)行除去結(jié)瘤的作業(yè)。這有時(shí)存在作業(yè)效率下降的問(wèn)題。最近，多數(shù)情況下，靶并非由均勻的物質(zhì)構(gòu)成，而是在具有延性的基質(zhì)相中混合存在有金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、以及其它物質(zhì)的狀態(tài)下使用。這樣的情況下，特別產(chǎn)生結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生變多的問(wèn)題。作為現(xiàn)有技術(shù)，提出了將機(jī)械加工時(shí)在高熔點(diǎn)金屬合金用濺射靶的表面部產(chǎn)生的微小裂紋或缺陷部等加工缺陷層(破碎層)除去后的濺射靶(參考專利文獻(xiàn)I)。另外，公開(kāi)了調(diào)節(jié)濺射靶的表面粗糙度，減少殘留污染物的量、表面的氫含量以及加工改性層的厚度，而實(shí)現(xiàn)膜的均勻化，抑制結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生的技術(shù)(參考專利文獻(xiàn)2)。另外，提出了為了抑制粉粒產(chǎn)生而進(jìn)行機(jī)械化學(xué)研磨，由此將表面粗糙度Ra調(diào)節(jié)為O. 01 μ m以下的方案(參考專利文獻(xiàn)3)、為了在鉭靶濺射時(shí)抑制粉粒產(chǎn)生，而將結(jié)晶面(110)的半峰寬設(shè)定為O. 35以下的方案(專利文獻(xiàn)4)。但是，雖然這些技術(shù)預(yù)想到結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生對(duì)靶的表面狀態(tài)有顯著影響，但是，現(xiàn)實(shí)情況是仍然沒(méi)有解決問(wèn)題。另外，提出了一種靶，其具有在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以f 50體積％存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶表面，并且不存在起因于機(jī)械加工的10 μ m以上的缺陷(參考專利文獻(xiàn)5)。這是本申請(qǐng)人提出的方案，在公知文獻(xiàn)中是有效的 方法，但是，為了防止結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生，尚有改良的余地。本申請(qǐng)發(fā)明對(duì)此進(jìn)行了進(jìn)一步改良?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)平3-257158號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :日本特開(kāi)平11-1766號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)平10-158828號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本特開(kāi)2003-49264號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 :國(guó)際公開(kāi)W02005/083148號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供可以改善在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)大量存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶表面，從而防止或者抑制濺射時(shí)產(chǎn)生結(jié)瘤或粉粒的表面特性優(yōu)良的濺射靶及其表面加工方法。本發(fā)明提供I) 一種粉粒產(chǎn)生少的濺射靶，其特征在于，在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以廣50%的體積比率存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶表面中，缺陷面積率為O. 5%以下。2)上述I)所述的粉粒產(chǎn)生少的濺射靶，其特征在于，所述靶表面中，
O.00Γ0. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)為全部缺陷個(gè)數(shù)的90%以上。另外，本發(fā)明提供3) 一種粉粒產(chǎn)生少的濺射靶的表面加工方法，其特征在于，對(duì)在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以廣50%的體積比率存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶的表面先通過(guò)切削加工進(jìn)行一次加工，然后通過(guò)研磨進(jìn)行精加工，由此形成靶表面中缺陷面積率為O. 5%以下的表面。4)上述3)所述的濺射靶的表面加工方法，其特征在于，通過(guò)所述加工，使所述靶表面中O. ΟΟΓΟ. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)為全部缺陷個(gè)數(shù)的90%以上。發(fā)明效果本發(fā)明對(duì)在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以廣50%的體積比率存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶的表面先通過(guò)切削加工進(jìn)行一次加工，然后通過(guò)研磨進(jìn)行精加工，由此得到平緩表面的表面特性優(yōu)良的靶，通過(guò)使用該靶進(jìn)行濺射，具有粉粒產(chǎn)生以及靶使用后的結(jié)瘤的產(chǎn)生顯著減少的優(yōu)良效果。


圖I是表示靶材料的車(chē)床加工面的代表例的顯微鏡照片(倍數(shù)X 6000)。圖2是表示利用激光顯微鏡對(duì)圖I所示的靶材料的車(chē)床加工面進(jìn)行三維形狀分析得到的圖像的圖。
圖3是表示對(duì)圖I所示的靶材料的車(chē)床加工面進(jìn)一步進(jìn)行研磨加工(表面拋光)后的靶面的顯微鏡照片(倍數(shù)X6000)。圖4是表示利用激光顯微鏡對(duì)圖3的研磨加工(表面拋光)后的靶面進(jìn)行三維形狀分析得到的結(jié)果的圖。圖5是以Co、Cr、Pt、SiO2為原料，進(jìn)行本申請(qǐng)發(fā)明的切削和研磨后的實(shí)施例I的靶的顯微鏡照片(倍數(shù)X6000)。圖6是表示選擇任意的一個(gè)視野，考查所述靶表面的缺陷大小及個(gè)數(shù)的例子(靶表面的五個(gè)部位)的圖。
具體實(shí)施例方式作為本發(fā)明的表面加工對(duì)象的靶，是富有延性的基質(zhì)相和以f 50%的體積比率存在于其中的金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)混合存在的靶。這樣的靶的典型例子，為磁性材料，例如，作為具有延性的材料，可以列舉Co、Cr、Pt、B、Ru等。另外，作為無(wú)延性的物質(zhì)，可以列舉Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb、B、Co等的氧化物、碳化物、碳氮化物等。另外，作為金屬間化合物，有構(gòu)成元素的金屬間化合物。但是，這些為代表性的物質(zhì)，本申請(qǐng)發(fā)明不限于這些材料，也可以應(yīng)用于其它同樣的材料。對(duì)這樣的混合存在有無(wú)延性的物質(zhì)的靶材料，例如使用車(chē)刀(bite)進(jìn)行切削加工時(shí)，以金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)存在的部位為起點(diǎn)，形成裂紋、由脫落造成的凹陷，以及根據(jù)情況在凹陷處殘留碎片的形態(tài)的缺陷(疵點(diǎn))。觀察靶材料的車(chē)床加工面時(shí)，形成圖I所示的車(chē)床加工面。此時(shí)，顯示的是對(duì)在鈷-鉻-鉬合金(CCP)中分散有氧化物(SiO2)微粒的磁性材料進(jìn)行車(chē)床加工后的面，但是，在該車(chē)床加工面上在基質(zhì)相中存在大量的氧化物(SiO2)微粒(呈黑斑狀的部分)。另一方面，在車(chē)床加工面上存在由車(chē)刀造成的許多條紋，而且沒(méi)有成為平滑的面。該狀態(tài)如圖2所
/Jn ο圖2是利用激光顯微鏡進(jìn)行三維形狀分析得到的圖。該分析條件如下所述。對(duì)靶表面進(jìn)行激光照射，基于從表面反射的激光反射光量的亮度信息，將靶表面的凹凸制成帶有濃淡的測(cè)定圖像(高度數(shù)據(jù))，再將作為試樣的測(cè)定面自身所具有的斜率用X軸、Y軸、將其各自用最小二乘法得到的近似曲線來(lái)表示，將其修正為平面，由此可以得到形狀分析面。另外，將靶表面的最深地點(diǎn)作為O點(diǎn)，以μ m為單位(3位小數(shù))進(jìn)行測(cè)定和表示，由此可以用柱狀圖表示表面、凹凸(高度數(shù)據(jù))。由此，可以確認(rèn)高度數(shù)據(jù)分布(柱狀圖)的3 σ和平均值。上述的靶的表面狀態(tài)，不能防止或抑制結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生。因此，要進(jìn)行研磨加工(表面拋光)。關(guān)于該研磨加工條件如后所述，該研磨加工時(shí)的重點(diǎn)方面是，將靶表面中缺陷面積率調(diào)節(jié)為O. 5%以下。表面缺陷的代表例子為裂紋、由金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的脫落造成的凹陷、以及根據(jù)情況在凹陷處殘留碎片的形態(tài)的缺陷(疵點(diǎn))。本發(fā)明中，進(jìn)行研磨加工(表面拋光)直到使該缺陷面積率為O. 5%以下。面積率為O. 5%以下可以容易地理解是指靶表面整體的缺陷數(shù)少。該條件對(duì)于防止或抑制靶中產(chǎn)生結(jié)瘤或粉粒是重要的條件。進(jìn)行實(shí)現(xiàn)該條件的研磨加工(表面拋光)后的靶面的顯微鏡照片如圖3所示。在該圖3中，觀察不到由車(chē)刀造成的磨削痕跡，可以觀察到在鈷-鉻-鉬合金(CCP)中分散有氧化物(SiO2)微粒的形態(tài)。另外，在圖4中，顯示了通過(guò)與上述同樣的方法對(duì)圖3的研磨加工(表面拋光)后的靶面利用激光顯微鏡進(jìn)行三維形狀分析而得到的結(jié)果。本申請(qǐng)發(fā)明中，特別是在靶表面中，O. 001、. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)為全部缺陷個(gè)數(shù)的90%以上，這在評(píng)價(jià)粉粒產(chǎn)生少的濺射靶方面是一個(gè)重要的條件。這表示缺陷越小，則粉粒產(chǎn)生越少，而且表示如果缺陷小，則濺射中的異常帶電區(qū)域小，結(jié)果，可以抑制由于異常放電引起的飛弧。前述內(nèi)容中，通過(guò)缺陷在靶表面整體中的面積率評(píng)價(jià)靶的好壞，這在防止或抑制結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生方面是決定性的評(píng)價(jià)，另外，通過(guò)缺陷的大小也可以評(píng)價(jià)靶的好壞。結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生的大多數(shù)原因是缺陷的多少，但是，通過(guò)控制該缺陷以及該缺陷的大小，可以進(jìn)一步抑制靶產(chǎn)生結(jié)瘤或粉粒。通過(guò)O. OOfO. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)為全部缺陷個(gè)數(shù)的90%以上，可以得到更加良好的靶。另外，本申請(qǐng)發(fā)明中，靶表面中的缺陷如下所述進(jìn)行定義。研磨加工(表面拋光)面中，對(duì)于作為粉粒產(chǎn)生的前階段的飛弧產(chǎn)生部位，設(shè)定為“超過(guò)平均值+3σ ”的部位，并將其定義為缺陷。另一方面，在平面研磨加工面中，對(duì)于作為粉粒產(chǎn)生的前階段的飛弧產(chǎn)生部位，設(shè)定為“平均值+3 σ以上”的部位以及“平均值-3 σ以下”的部位，并將其定義為缺陷。這些平均值以及3σ可以通過(guò)利用激光顯微鏡的三維形狀分析來(lái)確認(rèn)。另外，本申請(qǐng)發(fā)明可以提供起因于在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)存在的金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的隆起水平相對(duì)于富有延性的基質(zhì)相的水平為0.05 μ m以下的濺射靶。靶的結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生多數(shù)是由于靶表面中的突起物引起的。因此，盡可能減少靶的表面研磨后的靶表面的突起、即隆起物的存在可以進(jìn)一步減少靶的結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生。本申請(qǐng)發(fā)明可以提供這樣的靶，本申請(qǐng)發(fā)明包括這些方面。本發(fā)明中，通過(guò)切削加工進(jìn)行一次加工，在進(jìn)行從靶材料的表面切削優(yōu)選 ImnTlOmm范圍的一次加工后,通過(guò)研磨進(jìn)行精加工。切削ImnTlOmm的理由在于,為了有效地除去先前形成的靶材料表面的缺陷。切削可以通過(guò)使用車(chē)刀或刀頭(f ” 7)的車(chē)床加工來(lái)進(jìn)行。另外，進(jìn)行所述一次加工后，也可以進(jìn)行磨削(平磨)加工。該磨削加工，并非必要工序，但是具有減少切削造成的缺陷(缺口(如(O、裂紋)或者未出現(xiàn)在表面上的加工破壞層的效果，結(jié)果，對(duì)粉粒的減少也有影響，因此可以說(shuō)希望根據(jù)需要實(shí)施。通過(guò)該切削加工(一次加工)，如上所述，產(chǎn)生裂紋、由脫落造成的凹陷等缺陷，例如要使用#8(Γ#400的粗磨粒的砂紙或磨石對(duì)其進(jìn)行研磨。由此，可以消除所述裂紋、由脫落造成的凹陷等缺陷，形成平滑的靶面。另外，本申請(qǐng)發(fā)明中進(jìn)行研磨加工(表面拋光)。該研磨加工(表面拋光)，可以在所述切削后或者再使用#8(Γ#400的粗磨粒的砂紙或磨石進(jìn)行研磨后進(jìn)行。
本申請(qǐng)發(fā)明的研磨加工，為包括通過(guò)滴加純水進(jìn)行的濕式一次研磨工序一通過(guò)滴加氧化鋁研磨劑進(jìn)行的濕式二次研磨工序的SSP (濺射靶表面拋光)加工。由此，可以制作平滑并且裂紋、由脫落等造成的凹陷等表面缺陷少的靶。本申請(qǐng)發(fā)明研磨加工的方法之一是在(A)純水(流水速度0. 51/分鐘)、研磨壓力(O. 3MPa)、祀及墊的轉(zhuǎn)速(祀400rpm,墊130rpm)、各氧化物種的金剛石墊(#800)、研磨時(shí)間1(Γ20分鐘(根據(jù)靶直徑而變化)條件下進(jìn)行。另外，本申請(qǐng)發(fā)明的研磨加工，通過(guò)設(shè)定為(B)氧化鋁研磨劑(種類中性類型，pH :7±0· 5)、滴加速度(任意調(diào)節(jié))、研磨壓力(O. 3MPa)、革巴及墊的轉(zhuǎn)速(革巴400rpm,墊130rpm)、各氧化物種的研磨時(shí)間15 20分鐘(根據(jù)靶直徑而變化)、研磨材料為中性類型，可以防止金屬部的侵蝕，可以進(jìn)行將金屬部與氧化物的磨削性的不同抑制到最小的研磨。本發(fā)明中重要的一點(diǎn)是通過(guò)該研磨加工的調(diào)節(jié)，使靶表面中缺陷面積率為O. 5%以下。由此，可以實(shí)現(xiàn)以下優(yōu)良效果可以改善在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)大量存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶的表面，在濺射時(shí)可以防止或抑制結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生。實(shí)施例以下，對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)例子，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。(實(shí)施例I)在本實(shí)施例I中，通過(guò)使用車(chē)床的切削對(duì)以Co、Cr、Pt、Si02為原料、通過(guò)包括粉末混合和燒結(jié)(粉末冶金)的制造工序制造的祀原料進(jìn)行一次加工，使得Ra為O. 30 μ m, Rz為I. 50 μ m。然后，再進(jìn)行包括通過(guò)滴加純水進(jìn)行的濕式一次研磨工序一通過(guò)滴加氧化鋁研磨劑進(jìn)行的濕式二次研磨工序的SSP (濺射靶表面拋光)加工對(duì)表面進(jìn)行調(diào)節(jié)，得到靶。該靶的表面的顯微鏡照片的一例如圖5所示。如該圖5所示，在具有延性的C0-Cr-Pt合金的基質(zhì)中觀察到SiO2微粒的存在。然后，對(duì)該靶考查缺陷面積率以及(O. 00Γ0. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)/全部缺陷個(gè)數(shù))的比例。結(jié)果，分別為O. 486%和86. 69%。另外，缺陷面積率以及缺陷個(gè)數(shù)，如圖6所示，對(duì)于180mm Φ的靶表面的5個(gè)部位，各自選擇任意的一個(gè)視野(100 μ mX 80 μ m)，根據(jù)前述的靶表面的缺陷的定義，考查、求出缺陷的大小以及缺陷個(gè)數(shù)。然后，使用該祀，在I. 5Pa的Ar氣氛中、30W/cm2的DC 賤射條件下在基板上形成派射膜。對(duì)濺射后的粉粒進(jìn)行觀察，粉粒的尺寸為約O. 8 μ πΓ約18 μ m(“平均直徑”，下同)，并且可以將起因于粉粒的不合格產(chǎn)生率減少到I. 5%。結(jié)果如表I所示。表1表面不存在磨削加工引起的突起的磁性材料靶
權(quán)利要求
1.一種粉粒產(chǎn)生少的濺射靶，其特征在于，在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以廣50%的體積比率存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶表面中，缺陷面積率為O. 5%以下。
2.如權(quán)利要求I所述的粉粒產(chǎn)生少的濺射靶，其特征在于，所述靶表面中，O.00Γ0. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)為全部缺陷個(gè)數(shù)的90%以上。
3.一種粉粒產(chǎn)生少的濺射靶的表面加工方法，其特征在于，對(duì)在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以f 50%的體積比率存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶的表面先通過(guò)切削加工進(jìn)行一次加工，然后通過(guò)研磨進(jìn)行精加工，由此形成靶表面中缺陷面積率為O. 5%以下的表面。
4.如權(quán)利要求3所述的濺射靶的表面加工方法，其特征在于，通過(guò)所述加工，使靶表面中O. 00Γ0. 04 μ m2大小的缺陷個(gè)數(shù)為全部缺陷個(gè)數(shù)的90%以上。
全文摘要
本發(fā)明涉及粉粒產(chǎn)生少的濺射靶，其特征在于，在富有延性的基質(zhì)相內(nèi)以1~50%的體積比率存在金屬間化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其它無(wú)延性的物質(zhì)的靶表面中缺陷面積率為0.5%以下；還涉及該靶的制造方法。本發(fā)明提供可以改善存在大量無(wú)延性的物質(zhì)的靶表面，可以防止或抑制濺射時(shí)結(jié)瘤或粉粒產(chǎn)生的濺射靶及其表面加工方法。
文檔編號(hào)C22C1/10GK102666912SQ20108005814
公開(kāi)日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月25日
發(fā)明者小出啟 申請(qǐng)人:吉坤日礦日石金屬株式會(huì)社