專利名稱：用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于真空熱蒸鍍技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于真空線源蒸發(fā) 鍍膜設(shè)備的加熱裝置。
背景技術(shù)：
真空鍍膜技術(shù)作為薄膜制備的一種重要手段，在現(xiàn)代微電子技術(shù)和微器 件制備中占有特殊重要的地位；這種技術(shù)是指在真空環(huán)境下利用物理或化學(xué) 手段在工件表面沉積一層具有特殊用途膜層的表面處理方法。一般將真空鍍 膜技術(shù)分為兩大類 一類是物理氣相沉積，稱為PVD;另一類是化學(xué)氣相 沉積，稱為CVD;其中最簡單最常用的就是熱蒸發(fā)，即利用物質(zhì)受熱后的 蒸發(fā)或升華將其轉(zhuǎn)化為氣態(tài)再沉積在基片表面。與此相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備一 般包括蒸鍍室、轉(zhuǎn)架系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、進(jìn)氣系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)和加 熱裝置；所述加熱裝置一般包括蒸鍍?nèi)萜骱图訜崞?。使用時(shí)，先將基片固定 于所述轉(zhuǎn)架系統(tǒng)上，將蒸鍍材料置于蒸鍍?nèi)萜髦?，再利用加熱器加熱該蒸?容器，使其內(nèi)的蒸鍍材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)沉積在基片表面，從而達(dá)到蒸鍍成膜的目的。
現(xiàn)有的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備中的蒸發(fā)源可以分為點(diǎn)狀蒸發(fā)源和線狀蒸發(fā)源，其 中，線狀蒸發(fā)源主要用于大尺寸基片的蒸發(fā)鍍膜，其相應(yīng)的加熱裝置參見附 圖1 2所示，這是選自美國發(fā)明專利US6367414B2,其公開了一種線狀蒸鍍 裝置及加熱工藝(LINEAR APERTURE DEPOSITION APPARATUS AND COATING PROCESS),所述蒸鍍?nèi)萜鱨呈長條狀，其外圍設(shè)有加熱器2， 所述加熱器2可以是復(fù)數(shù)個(gè)加熱棒，也可以是環(huán)繞的加熱線圈。為了防止這 種外加熱結(jié)構(gòu)的大量熱量通過熱輻射向外散發(fā)掉，提髙熱能的有效利用率， 美國發(fā)明專利US6367414B2在加熱器的外圍設(shè)置了隔熱層5和冷卻層6。
然而，該結(jié)構(gòu)使得蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的成本很高，價(jià)格非常昂貴，限制了其 推廣應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置， 以降低設(shè)備的成本，并提高熱能的有效利用率。
為達(dá)到上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是 一種用于真空線 源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，包括蒸鍍?nèi)萜骱图訜崞鳎黾訜崞鞯闹行牟?位設(shè)有至少一個(gè)長條狀加熱片；所述蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬膳c所述長 條狀加熱片配合的導(dǎo)熱槽。
上文中，所述蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬蓪?dǎo)熱槽，是為了將加熱器的 長條狀加熱片插入導(dǎo)熱槽中進(jìn)行加熱，利用蒸鍍?nèi)萜鲗⒓訜崞鞯拈L條狀加熱 片包裹起來，從而防止了熱輻射向外散發(fā)，使得絕大部分的熱能都是用來加 熱蒸鍍?nèi)萜?，從而大大提高了熱能的利用率；同時(shí)，正式由于這種"內(nèi)熱式" 的加熱結(jié)構(gòu)防止了熱輻射向外散發(fā)，從而不需要在其外圍設(shè)置隔熱層和冷卻 層，因而大大降低了設(shè)備的成本。所述導(dǎo)熱槽和加熱器的長條狀加熱片配合， 以接觸面積最大最佳，以提高熱傳導(dǎo)面積。所述蒸鍍?nèi)萜魇乾F(xiàn)有技術(shù)，其組 成材料可以是石英、石墨、氮化硼、氧化鋁、鉭、鉬、鎢、銅、不銹鋼或其 它陶瓷和金屬材料；所述加熱器也是現(xiàn)有技術(shù)，其材料可以是鉭、鉬、鉤、 或不銹鋼。所述導(dǎo)熱槽的數(shù)目與長條狀加熱片是一一對應(yīng)的，以配合加熱， 所述導(dǎo)熱槽的數(shù)目根據(jù)實(shí)際情況確定。
進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述長條狀加熱片為2個(gè)，且并聯(lián)連接，形成口字形。
進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述長條狀加熱片為3個(gè)，且并聯(lián)連接，形成曰字形。
由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的優(yōu)點(diǎn)是 1、本實(shí)用新型的蒸鍍?nèi)萜鞯撞肯蛏贤蛊鹦纬蓪?dǎo)熱槽，從而可以將加熱 器的長條狀加熱片插入導(dǎo)熱槽中進(jìn)行加熱，利用蒸鍍?nèi)萜鲗⒓訜崞鞯拈L條狀 加熱片包裹起來，從而防止了熱輻射向外散發(fā)，使得絕大部分的熱能都是用 來加熱蒸鍍?nèi)萜骷捌鋬?nèi)部的蒸鍍材料，從而大大提髙了熱能的利用率；同時(shí)， 正式由于這種"內(nèi)熱式"的加熱結(jié)構(gòu)防止了熱輻射向外散發(fā)，從而不需要在 其外圍設(shè)置隔熱層和冷卻層，因而大大降低了設(shè)備的成本。2、 本實(shí)用新型的加熱裝置結(jié)構(gòu)簡單，且成本較低，適于推廣應(yīng)用。
3、 本實(shí)用新型的加熱器是設(shè)置在蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞?，而不和蒸鍍?nèi)萜鲀?nèi) 的材料直接接觸，因而加熱器可以反復(fù)使用，提高了利用率，同時(shí)也降低了 成本。


圖1是背景技術(shù)中加熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是圖1的A-A'剖視圖； 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的主視圖； 圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一的俯視圖； 圖5是圖3的B-B剖視圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例一中加熱器的主視圖 圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一中加熱器的俯視圖； 圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一中蒸鍍?nèi)萜鞯闹饕晥D； 圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例一中蒸鍍?nèi)萜鞯母┮晥D； 圖IO是本實(shí)用新型實(shí)施例一中蒸鍍?nèi)萜鞯淖笃蕡D; 圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例二的立體圖 圖12是本實(shí)用新型實(shí)施例三的立體圖。
其中1、蒸鍍?nèi)萜?、加熱器；3、導(dǎo)熱槽4、長條狀加熱片；5、 隔熱層；6、冷卻層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述 實(shí)施例一
參見圖3 10所示， 一種用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，包括 蒸鍍?nèi)萜?和加熱器2,所述加熱器2的中心部位設(shè)有至少一個(gè)長條狀加熱 片4;所述蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬膳c所述長條狀加熱片4配合的導(dǎo)熱 槽3。所述長條狀加熱片4為2個(gè)，且并聯(lián)連接，形成口字形。
蒸鍍?nèi)萜饔?個(gè)分室，所述加熱器的中部形成一個(gè)"口"字形；蒸鍍時(shí)，加熱器按箭頭方向嵌入蒸鍍?nèi)萜髦小?br> 上文中，所述蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬蓪?dǎo)熱槽，是為了將加熱器的 長條狀加熱片插入導(dǎo)熱槽中進(jìn)行加熱，利用蒸鍍?nèi)萜鲗⒓訜崞鞯拈L條狀加熱 片包裹起來，從而防止了熱輻射向外散發(fā)，使得絕大部分的熱能都是用來加 熱蒸鍍?nèi)萜?，從而大大提髙了熱能的利用率同時(shí)，正式由于這種"內(nèi)熱式" 的加熱結(jié)構(gòu)防止了熱輻射向外散發(fā)，從而不需要在其外圍設(shè)置隔熱層和冷卻 層，因而大大降低了設(shè)備的成本。所述導(dǎo)熱槽和加熱器的長條狀加熱片配合， 以接觸面積最大最佳，以提髙熱傳導(dǎo)面積。所述蒸鍍?nèi)萜魇乾F(xiàn)有技術(shù)，其組 成材料可以是石英、石墨、氮化硼、氧化鋁、鉭、鉬、鎢、銅、不銹鋼或其 它陶瓷和金屬材料所述加熱器也是現(xiàn)有技術(shù)，其材料可以是鉭、鉬、鎢、 或不銹鋼。所述導(dǎo)熱槽的數(shù)目與長條狀加熱片是一一對應(yīng)的，以配合加熱。
實(shí)施例二
參見圖ll所示， 一種用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，包括蒸 鍍?nèi)萜骱图訜崞鳎黾訜崞鞯闹行牟课辉O(shè)有至少一個(gè)長條狀加熱片；所述 蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬膳c所述長條狀加熱片配合的導(dǎo)熱槽3。所述長 條狀加熱片為3個(gè)，且并聯(lián)連接，形成日字形。
實(shí)施例三
參見圖12所示， 一種用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，包括蒸 鍍?nèi)萜骱图訜崞?，所述加熱器的中心部位設(shè)有一個(gè)長條狀加熱片；所述蒸鍍 容器的底部向上凸起形成與所述長條狀加熱片配合的導(dǎo)熱槽3。
權(quán)利要求1.一種用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，包括蒸鍍?nèi)萜?1)和加熱器(2)，其特征在于所述加熱器(2)的中心部位設(shè)有至少一個(gè)長條狀加熱片(4)；所述蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬膳c所述長條狀加熱片(4)配合的導(dǎo)熱槽(3)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，其 特征在于所述長條狀加熱片(4)為2個(gè)，且并聯(lián)連接，形成口字形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，其 特征在于所述長條狀加熱片(4)為3個(gè)，且并聯(lián)連接，形成日字形。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于真空線源蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的加熱裝置，包括蒸鍍?nèi)萜骱图訜崞鳎黾訜崞鞯闹行牟课辉O(shè)有至少一個(gè)長條狀加熱片；所述蒸鍍?nèi)萜鞯牡撞肯蛏贤蛊鹦纬膳c所述長條狀加熱片配合的導(dǎo)熱槽。本實(shí)用新型大大提高了熱能的利用率，并大大降低了設(shè)備的成本。
文檔編號C23C14/24GK201406463SQ20092004533
公開日2010年2月17日 申請日期2009年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者廖良生, 李述湯 申請人:蘇州大學(xué)