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硅片表面的處理方法

文檔序號(hào):3404184閱讀:1221來源:國知局
專利名稱:硅片表面的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于制造太陽能電池的 硅片表面的處理方法。
背景技術(shù)
太陽能電池是一種利用光生伏特效應(yīng)將太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器
件。圖l為太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,太陽能電池主要由n型半導(dǎo) 體材料101和p型的半導(dǎo)體材料102組成,其兩邊分別制作了上電極103和下電 極104以引出電能,其中,為了吸收光照輻射105,上電極的金屬通常制成自 由柵圖案(open grid pattern),以便于光的吸收。工作時(shí),光輻射105照在半導(dǎo) 體上,其中一部分被反射, 一部分被晶體接收。當(dāng)被接收的光子的能量大于 或等于電子的束縛能時(shí),能量便會(huì)被電子吸收,使其擺脫束縛,成為自由電 子,同時(shí)形成一個(gè)空穴,這一由光照產(chǎn)生的電子、空穴對(duì)在內(nèi)電場(chǎng)的作用下 分離開,在太陽能電池的正面和背面之間產(chǎn)生電壓,此時(shí)如果將它與一個(gè)外 電路106連通,就會(huì)產(chǎn)生直流電流,相當(dāng)于給外電路提供電能。這就是光生伏 特效應(yīng),簡(jiǎn)稱光伏效應(yīng)。
目前占據(jù)太陽能電池絕大部分市場(chǎng)的是硅太陽能電池,其轉(zhuǎn)換效率是各 種太陽能電池中最高的,技術(shù)也最為成熟,其制造技術(shù)一直代表著整個(gè)太陽 能電池工業(yè)的制造技術(shù)水平。太陽能電池制備工藝中最重要的就是在保持低 成本的情況下盡可能地提高轉(zhuǎn)換效率。所謂轉(zhuǎn)換效率通常定義為最大輸出功 率與入射太陽能功率之比,轉(zhuǎn)換效率的高低取決于制造太陽能電池的光電材 料及其質(zhì)量、制造工藝、結(jié)構(gòu)和表面抗反射層介質(zhì)的特性等。提高太陽能電 池轉(zhuǎn)換效率的方法之一是讓器件能夠吸收更多的光,使得有更多的光子轉(zhuǎn)化 成光生載流子,即電子、空穴對(duì),從而提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率。其中,對(duì) 太陽能電池的表面進(jìn)行粗糙化處理是一種可以提高太陽能電池光吸收能力的 有效方法。
表面粗糙化處理是對(duì)晶片表面進(jìn)行一定的處理,使其表面形成一系列有 規(guī)則或無規(guī)則的高低不同和大小不同的表面形狀。經(jīng)過粗糙化處理的晶片表
面的受光面積增加,可以增加晶片表面對(duì)入射光的吸收,并提高器件的光電 轉(zhuǎn)換效率。
現(xiàn)有的硅太陽能電池的表面粗糙化有多種方法,如化學(xué)腐蝕法、干法刻 蝕法、研磨法及圖形法等,其中,利用化學(xué)腐蝕的各向異性,對(duì)硅片表面進(jìn) 行粗糙化的方法方便、快捷且成本低,成為應(yīng)用最廣的一種方法。到目前為 止,在硅太陽能電池工業(yè)中常用的化學(xué)腐蝕劑有兩類, 一類是無機(jī)腐蝕液,
常用的是加熱到80-90。C的氫氧化鐘(KOH)、異丙醇(C2H50H)和去離子水 (H20)的混合液,但在80-90。C的高溫下,該腐蝕液具有很強(qiáng)的揮發(fā)性,造成生 產(chǎn)的各批次間腐蝕結(jié)果的一致性較差。另一類是有機(jī)腐蝕液,常用的是 EPW(乙二胺、鄰苯二酸和水)腐蝕液,該腐蝕液的配方、腐蝕溫度、時(shí)間要嚴(yán) 格控制,否則易產(chǎn)生不易去除的白色反應(yīng)生成物,成品率較低,此外,因其 一般要工作在沸點(diǎn),鼓泡很大,腐蝕后硅片的表面均勻性較差,重復(fù)性不好。
圖2為使用氫氧化鉀腐蝕液處理后的硅片剖面示意圖,如圖2所示,其表 面形成了較為尖銳的無序金字塔狀凸起絨面201,這種凸起能提高硅表面的光 吸收率,增加電池的轉(zhuǎn)換效率。但是實(shí)驗(yàn)證實(shí),具有均勻的凹坑的硅片表面 對(duì)光的吸收能力更強(qiáng),且因其表面沒有尖銳的凸起,對(duì)后續(xù)工藝的進(jìn)行更為 有利,故而具有該種表面的硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率會(huì)更高。
申請(qǐng)?zhí)枮?0817396.8的中國專利公開了 一種采用新的腐蝕液制造粗糙的 多晶硅表面的工藝方法,該腐蝕液主要包括了氬氟酸(HF)、硝酸(HNCb) 和濃硫酸(H2S04),采用該工藝方法后,在多晶硅的表面形成了凹坑的形貌, 提高了其對(duì)光的吸收能力。但是采用該腐蝕液仍存在著兩個(gè)問題 一是采用 該腐蝕液會(huì)產(chǎn)生較多有毒的NOx產(chǎn)物,造成環(huán)境的污染;二是使用該腐蝕液進(jìn) 行的腐蝕是一種發(fā)熱較為嚴(yán)重的反應(yīng),腐蝕液溫度會(huì)隨著反應(yīng)的進(jìn)行迅速上 升,造成工藝不穩(wěn)定,重復(fù)性較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了 一種硅片表面的處理方法,該方法利用新的混合液對(duì)硅片 表面進(jìn)行處理,使硅片表面的光吸收率增大,提高了硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效 率,并有效改善了現(xiàn)有硅表面粗糙化處理時(shí)出現(xiàn)的腐蝕不均勻、重復(fù)性不好, 易對(duì)環(huán)境造成污染等問題。
本發(fā)明提供了一種硅片表面的處理方法,包括步驟
配制含有硝酸鉀、氫氟化氨和硫酸的混合液;
將硅片浸入所述混合液中; 取出硅片。
其中,所述混合液中各組份的配制量比例分別為5%至30y。的氟化氬氨, 1%至20%的硝酸鉀以及50%至95。/。的好u酸。
其中,當(dāng)所述混合液的溫度升高達(dá)到3至10°C時(shí),浸入時(shí)間達(dá)到30秒至 30分鐘后,取出硅片。
需要進(jìn)行多批硅片的表面處理時(shí),可在該混合液中再加入微量的硝酸鉀 和氫氟化氨后,浸入新的硅片進(jìn)行表面處理。
其中,所述微量硝酸鉀和氫氟化氨為其對(duì)應(yīng)的初始配制量的5%至20%。
本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的另一種硅表面處理方法,包括步驟 配制混合液;
將硅片浸入所述混合液中; 檢測(cè)混合液的溫度;
當(dāng)混合液的溫升達(dá)到特定值時(shí),取出硅片。
其中,所述混合液包含硝酸鉀、氫氟化氨和硫酸;其各組份的配制量比 例分別為5%至30%的氟化氫氨,1%至20%的硝酸鉀以及50%至95%的硫酸。 其中,所述溫升達(dá)到特定值指溫升達(dá)3至10°C。
需要進(jìn)行多批硅片的表面處理時(shí),可在該混合液中再加入微量的硝酸鉀 和氫氟化氨后,浸入新的硅片進(jìn)行表面處理。
其中,所述微量硝酸鉀和氫氟化氨為其對(duì)應(yīng)的初始配制量的5%至20%。 與現(xiàn)有4支術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的硅片表面的處理方法,提供了一種新的混合液,該混合液包含 氫氟化氨、硝酸鉀和硫酸。利用該混合液對(duì)硅表面進(jìn)行粗糙化處理,使硅表 面形成一種具有均勻凹坑的絨面,該絨面與普通的具有尖銳外形的金字塔表 面相比,光吸收能力更強(qiáng),可以更有效地提高硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明硅片表面的處理方法,在實(shí)現(xiàn)硅片表面粗糙化的同時(shí),也去除了 硅片從硅錠上切割下來時(shí)在其表面所形成的切割損傷層,故而不用專門進(jìn)行 損傷層的去除操作,簡(jiǎn)化了工藝步驟,節(jié)約了生產(chǎn)成本。
本發(fā)明硅片表面的處理方法,利用對(duì)混合液溫升的監(jiān)控較為準(zhǔn)確地控制
同,進(jìn)一步提高了生產(chǎn)的重復(fù)性和一致性。
本發(fā)明硅片表面的處理方法,分別用KN03和NH4HF2代替了現(xiàn)有腐蝕液 中的HN03和HF,明顯減少了有毒的產(chǎn)物NOx,解決了環(huán)境污染的問題;另 外,這一替換還減輕了 HN03、 HF組成的腐蝕液中的發(fā)熱現(xiàn)象,有效改善了 硅片表面粗糙化的均勻性和重復(fù)性,適合應(yīng)用于大規(guī)模的生產(chǎn)。
本發(fā)明硅片表面的處理方法可適用于單晶硅、多晶硅等多種硅材料,具 有通用性強(qiáng)的特點(diǎn)。


圖1為太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2為使用KOH腐蝕液處理后的硅片剖面示意圖 圖3為采用本發(fā)明硅片表面的處理方法處理后的硅片剖面示意圖; 圖4為采用本發(fā)明方法與采用現(xiàn)有KOH溶液方法形成的硅片表面的反射 率比較圖5為本發(fā)明第二具體實(shí)施例的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖 對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。
本發(fā)明的硅片表面處理方法,使用了具有新配方的混合液對(duì)硅片表面進(jìn) 行處理,既可以去除硅片表面的損傷層,又可以使硅片表面形成絨面,提高 了器件效率。本發(fā)明中的混合液中包含氫氟化氨(NH4HF2)、硝酸鉀(KN03) 和硫酸(H2S04),本發(fā)明中將混合液中各組份在初次配制時(shí)所用量稱為配制 量,各組份配制量的摩爾比為1%到20%的KN03, 5°/。到30°/。的NH4HF2, 以及50%到95%的濃硫酸,且通常采用的濃硫酸的濃度在90%至98%之間。
本發(fā)明中的混合液采用了酸性較低的氫氟化氨和硝酸鉀作為硅片表面處 理中的活性劑和氧化劑,降低了對(duì)表面損傷層下的硅體材料的腐蝕速率,提 高了反應(yīng)的穩(wěn)定性。 一方面有利于形成突起較為平緩的帶腐蝕坑的硅表面, 另一方面還減輕了酸腐蝕液發(fā)熱較為嚴(yán)重的現(xiàn)象,改善了硅表面粗糙化的均 勻性及重復(fù)性。此外,采用氫氟化氨和硝酸鉀還可以減少硅片腐蝕過程中產(chǎn) 生的有毒產(chǎn)物NOx,減輕對(duì)周圍環(huán)境的危害。本發(fā)明配制的混合液中采用的
濃硫酸,可以使該混合液具有較高的粘度,既能快速去除硅片表面的損傷層, 又能使反應(yīng)進(jìn)行得較為穩(wěn)定,可以在保持快速腐蝕的同時(shí),在硅片表面形成 形貌較為均勻 一 致的絨面。
所示,經(jīng)過本發(fā)明的表面處理方法處理后,在硅片表面形成了均勻的,凸起 較為平緩的腐蝕坑絨面301。該絨面不僅使得硅片表面的反射率有所降低,增
強(qiáng)了對(duì)光的吸收能力;而且與圖2中所示的現(xiàn)有的KOH腐蝕液處理后在硅表 面形成的具有尖銳外形的金字塔絨面相比,其具有的均勻凹坑的表面也更有 利于后續(xù)工藝,如光刻、沉積等的進(jìn)行,而這些工藝質(zhì)量的提高,也可以進(jìn) 一步提高器件的效率。
圖4為采用本發(fā)明方法與采用現(xiàn)有KOH溶液方法形成的硅片表面的反射 率比較圖。如圖4所示,401指的是采用傳統(tǒng)的KOH溶液處理后的硅片表面 的反射譜,402指的是采用本發(fā)明方法處理后的硅片表面的反射語,可以看出, 經(jīng)本發(fā)明方法處理后的硅片表面反射率明顯要低于前者,下降了約10%左右, 經(jīng)本發(fā)明處理后的硅片對(duì)光的吸收量會(huì)更大,可以獲得更高的器件光電轉(zhuǎn)換 效率。
因?yàn)楣杵怯晒桢V切割而成的,在切割硅錠的過程中,硅片表面會(huì)形成 一層厚度不均勻的損傷層,這層損傷層的厚度在20微米左右,是半導(dǎo)體電子 和空穴的復(fù)合源,在太陽能電池制備前,應(yīng)先去除該損傷層。本發(fā)明的硅片 表面處理方法,可以在實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面進(jìn)行粗糙化處理形成絨面的同時(shí),快速 去除硅片的表面切割損傷層,不需要專門的去除損傷層的步驟,簡(jiǎn)化了工藝, 降低了生產(chǎn)成本。另外,因?yàn)楣杵砻娴那懈顡p傷層內(nèi)缺陷較多,本發(fā)明的 混合液在與硅片表面的損傷層之間發(fā)生反應(yīng)時(shí)速率較快,而與硅體材料的反 應(yīng)速率則相對(duì)較慢,即當(dāng)硅片表面的損傷層被去除后,混合液會(huì)以較慢的反 應(yīng)速率利用硅體材料腐蝕時(shí)的各向異性,對(duì)硅片表面進(jìn)行較為穩(wěn)定的粗糙化 處理,確保硅片表面最終形成較為平緩、均勻的凹坑絨面。
本發(fā)明的硅片表面處理方法也可以用于對(duì)已去除過表面切割損傷層的硅 片的單純的表面粗糙化處理,只需對(duì)處理時(shí)的條件,如時(shí)間,需要略作調(diào)整即可。
本發(fā)明的第 一 具體實(shí)施例介紹了對(duì) 一批硅片進(jìn)行表面處理的過程。因?yàn)?br> 本發(fā)明的表面處理是通過化學(xué)腐蝕的方法實(shí)現(xiàn)的,首先要進(jìn)行的是本發(fā)明中
的混合液的配制,本實(shí)施例中混合液的具體配制方法為加入濃度在90%到 98%之間,如為95%的濃硫酸(H2S04)溶液10L到20L,如為15L;然后在 其內(nèi)加入硝酸鉀(KN03) 0.5到3kg,如為2kg,加入氫氟化氨(NH4HF2) 1 到6kg,如為3kg。待該混合液配制完成并充分混合后,將要進(jìn)行表面處理的 硅片浸入該混合液中。本實(shí)施例中,該硅片沒有進(jìn)行過去除表面損傷層的操 作,要利用本混合液同時(shí)實(shí)現(xiàn)表面損傷層的去除及表面粗糙化的處理。
本混合液在對(duì)硅片進(jìn)行處理時(shí)會(huì)有微量的發(fā)熱,且發(fā)熱量與腐蝕量相對(duì) 應(yīng)。當(dāng)要處理的硅片數(shù)量一定,表面進(jìn)行處理的程度也一定時(shí),需要腐蝕的 總量也就確定了,這時(shí),可以利用發(fā)熱量與腐蝕量之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,通過監(jiān) 控混合液的發(fā)熱量(表現(xiàn)為混合液的溫升),來控制硅片表面的處理情況。
具體操作時(shí),可以根據(jù)混合液的配制量和要處理的硅片數(shù)確定當(dāng)所有硅 片處理到適當(dāng)程度時(shí),混合液溫度的上升范圍,實(shí)驗(yàn)證實(shí),對(duì)于本實(shí)施例中 的混合液配制量,在對(duì)5-30片硅片同時(shí)進(jìn)行處理時(shí),當(dāng)混合液的溫升達(dá)到3 至IO('C,如為5。C時(shí),不僅硅片表面的損傷層可以完全去除,硅片的表面也 達(dá)到了合適的粗糙度。
之后,將硅片取出,并清洗干凈,完成對(duì)該批硅片的表面處理。
本實(shí)施例中是利用對(duì)混合液溫升的監(jiān)控完成對(duì)處理程度的控制,在本發(fā) 明的其它實(shí)施例中,還可以通過對(duì)硅片浸入時(shí)間的監(jiān)控完成對(duì)處理程度的控 制。 一般在浸入時(shí)間達(dá)到30秒到30分鐘之間,如為IO分鐘時(shí),也可以得到 粗糙度較為合適的硅表面。但是利用浸入時(shí)間對(duì)處理過程進(jìn)行控制不是很準(zhǔn) 確,因?yàn)榛旌弦号渲茣r(shí)間的長(zhǎng)短,使用次數(shù)的多少,當(dāng)前混合液的溫度等多 個(gè)因素都可能會(huì)影響到腐蝕的速率,可能會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)時(shí)批與批之間的處理程 度略有差別,重復(fù)性不如采用監(jiān)控混合液溫升的方法好。
本發(fā)明的第二具體實(shí)施例詳細(xì)介紹了多批硅片循環(huán)進(jìn)行表面處理的過程。
圖5為本發(fā)明第二具體實(shí)施例的流程示意圖。如圖5所示,首先配制進(jìn) 行化學(xué)腐蝕的混合液(S501 )。本實(shí)施例中配制方法如下加入濃度在卯%到 98%之間,如為95%的濃硫酸(H2S04)溶液20L到50L,如為30L;然后在 其內(nèi)加入硝酸鉀(KN03) 1到5kg,如為3kg;加入氫氟化氨(NH4HF2) 2
到8kg,如為5kg,組成了本發(fā)明中的混合液。待將該混合液充分混合后,完 成對(duì)混合液的配制和準(zhǔn)備工作。
然后,將硅片浸入配制好的混合液中,對(duì)硅片進(jìn)行表面處理(S502 )。 本實(shí)施例中可以將至少一個(gè)硅片,如為20片硅片,同時(shí)放入該混合液中進(jìn)行 處理。假設(shè)該硅片未經(jīng)過表面損傷層的去除,要同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅表面損傷層的去 除及硅表面的粗糙化。本實(shí)施例同樣可以通過監(jiān)控混合液的溫升情況來控制 硅片表面的粗糙化程度。實(shí)驗(yàn)證實(shí),對(duì)10到30片,如20片硅片同時(shí)進(jìn)行處 理時(shí),當(dāng)本實(shí)施例中的混合液的溫度升高3到10。C之間,如為5。C時(shí),硅表 面的粗糙度情況最為合適。當(dāng)監(jiān)控到混合液的溫升達(dá)到這一特定值時(shí),將硅 片取出,并清洗干凈(S503 )。
接著,為彌補(bǔ)腐蝕所造成的混合液的消耗,需要向混合液中補(bǔ)入微量的 硝酸鉀和氫氟化氨(S504),以確保下一批硅片的表面粗糙化能正常進(jìn)行。 其中,補(bǔ)入的硝酸鉀和氫氟化氨的量可以是最初配制混合液時(shí)所用配制量的 5%到20%之間,如為10%。本實(shí)施例中硝酸鉀的補(bǔ)充量在0.1到0.5kg之間, 如為0.25kg;氬氟化氨的補(bǔ)充量在0.2到0.8kg之間,如為0.5kg。
再接著,就可以對(duì)下一批硅片進(jìn)行處理,處理時(shí)同樣可以利用混合液的 溫升對(duì)硅片表面的粗糙化處理情況進(jìn)行監(jiān)控,當(dāng)混合液的溫度升高3到10。C 之間,如為5°C時(shí),取出這一批硅片。然后,再補(bǔ)入與前一次相同量的硝酸 鉀和氫氟化氨,為新的一批硅片的表面處理作好準(zhǔn)備。
在如此循環(huán)往復(fù)中,混合液的溫度也會(huì)隨著每次硅片的處理而升高。經(jīng) 過多批硅片的連續(xù)處理后,混合液的溫度可能會(huì)升至過高,造成不穩(wěn)定,故 而需要對(duì)混合液的溫度進(jìn)行判斷(S505 )。若經(jīng)測(cè)試發(fā)現(xiàn)混合液的溫度已升至 較高,如70到100"C之間,假定為9(TC時(shí),需要停止對(duì)硅片的處理,等待混 合液降溫后再重新開始進(jìn)行對(duì)硅片的循環(huán)處理(S506);若測(cè)試后發(fā)現(xiàn)混合液 的溫度仍較低,則可以在更換新的硅片后(S507 ),繼續(xù)進(jìn)行循環(huán)處理。
本實(shí)施例中仍然利用對(duì)混合液溫升的監(jiān)控來完成對(duì)硅片表面處理程度的 控制,在本發(fā)明的其它實(shí)施例中,也可以通過硅片浸入時(shí)間的監(jiān)控完成對(duì)處 理程度的控制。 一般在浸入時(shí)間達(dá)到30秒到30分鐘之間,如為IO分鐘時(shí), 也可以得到粗糙度較為合適的硅表面。但是因?yàn)槭菍?duì)多批硅片輪流進(jìn)行處理, 每批處理后,不僅混合液的溫度會(huì)有所上升,混合液各組份的含量也會(huì)略有
不同,這就造成批與批間的腐蝕速率發(fā)生了變化。故而,隨著硅片處理批次 的增加,可能會(huì)需要對(duì)腐蝕時(shí)間進(jìn)行修正,如每次腐蝕時(shí)間增加或減少5秒 到5分鐘等,使得操作較為復(fù)雜。
以上各實(shí)施例中處理的硅片是未經(jīng)過表面損傷層去除的,在本發(fā)明的其 它實(shí)施例中,還可以針對(duì)經(jīng)過表面損傷層處理的硅片,僅僅進(jìn)行表面粗糙化 的處理。此時(shí),只需要對(duì)所監(jiān)控的混合液的溫升或浸入時(shí)間略作調(diào)整即可, 如在較低的溫升3。C時(shí)就停止處理,取出硅片。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上,但其并不是用來限定本發(fā)明,任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),都可以做出可能的變動(dòng)和 修改,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種硅片表面的處理方法,其特征在于,包括步驟配制含有硝酸鉀、氫氟化氨和硫酸的混合液;將硅片浸入所述混合液中;取出硅片。
2、 如權(quán)利要求1所述的處理方法,其特征在于,所述混合液中各組份的 配制量比例分別為5°/。至30°/。的氟化氫氨,1%至20%的硝酸鉀以及50%至95%的硫酸。
3、 如權(quán)利要求2所述的處理方法,其特征在于當(dāng)所述混合液的溫度升 高達(dá)到3至10°C時(shí),取出硅片。
4、 如權(quán)利要求1所述的處理方法,其特征在于當(dāng)所述浸入時(shí)間達(dá)到30 秒至30分鐘后,取出硅片。
5、 如權(quán)利要求1或3或4所述的處理方法,其特征在于所述方法進(jìn)一 步包括在所述混合液中加入微量的硝酸鉀和氫氟化氨,浸入新的硅片。
6、 如權(quán)利要求5所述的處理方法,其特征在于所述微量為所述配制量 的5%至20%。
7、 一種硅表面處理方法,其特征在于,包括 配制混合液;將硅片浸入所述混合液中; 檢測(cè)混合液的溫度;當(dāng)混合液的溫升達(dá)到特定值時(shí),取出硅片。
8、 如權(quán)利要求7所述的處理方法,其特征在于所述混合液含有硝酸鉀、 氫氟化氨和硫酸。
9、 如權(quán)利要求8所述的處理方法,其特征在于,所述混合液中各組份的 配制量比例分別為5%至30%的氟化氫氨,1%至20%的硝酸鉀以及50%至95%的石克酸。
10、 如權(quán)利要求9所述的處理方法,其特征在于所述特定值為3至10°C。
11、 如權(quán)利要求7或10所述的處理方法,其特征在于所述方法進(jìn)一步 包括在所述混合液中加入微量的硝酸鉀和氫氟化氨,浸入新的硅片。
12、 如權(quán)利要求11所述的處理方法,其特征在于所述微量為所述配制 量的5%到20%。
全文摘要
公開了一種硅片表面的處理方法,該方法利用新的混合液對(duì)硅片表面進(jìn)行粗糙化處理,使硅片表面的反射率降低,同時(shí)也去除了硅片從硅錠上切割下來時(shí)在其表面所形成的切割損傷層,提高了硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,并有效地改善了現(xiàn)有硅片表面粗糙化處理時(shí)出現(xiàn)的腐蝕不均勻、重復(fù)性不好,易對(duì)環(huán)境造成污染等問題,另外本發(fā)明的處理方法還具有工藝簡(jiǎn)單,成本低的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23F1/24GK101106083SQ20061002878
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2006年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月10日
發(fā)明者彤 江, 蘇曉平 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
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