專利名稱：薄膜形成裝置和方法,以及使用該裝置的電子零件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在基片上形成薄膜的薄膜形成裝置。特別地，本發(fā)明涉及一種具有多個薄膜形成室，即膜形成室的薄膜形成裝置的裝置結(jié)構(gòu)，并涉及一種使用該裝置的薄膜形成方法。本發(fā)明還涉及一種使用該裝置來生產(chǎn)薄膜電子零件如磁頭或磁存儲媒體的電子零件制造方法。
背景技術(shù)：
通常，薄膜形成于真空室中。從而在薄膜形成過程中，需要采取一系列步驟將基片置于真空室中，抽空真空室，在將真空室的內(nèi)壓減至一預(yù)定壓力后開始薄膜形成過程，在薄膜形成后使真空室和大氣相通，并取出基片。因此，在需要形成多種薄膜并且各薄膜使用獨立的裝置形成的情況下，抽空真空室和使真空室與大氣相通或其它實際上不會有助于薄膜形成的這類步驟會占用較多時間，從而導(dǎo)致生產(chǎn)效率的降低。
為此，人們設(shè)計了一種廣泛應(yīng)用的裝置，使得僅用于放入或取出基片的部分與大氣連通，并且將基片依次地輸送給多個真空室，這些真空室始終都處于真空下從而形成薄膜。更確切地說，使用一種所謂多室型的裝置，在其中心部放置一用于保持和輸送基片等的基片輸送裝置，并且將膜形成室和一基片供給和取出室基本呈放射狀放置以包圍該(基片輸送)裝置。
在上述(多室型)裝置中，呈一圓形放置的多個膜形成室和基片供給和取出室具有一一對應(yīng)的基本呈放射狀放置的托架座(carrier holder)，和驅(qū)動這些托架座的驅(qū)動單元。在基片供給和取出室中的由托架座保持的基片同托架座一起被托架座驅(qū)動單元輸送至相鄰的膜形成室，在該室中進行預(yù)定的薄膜形成(處理)。當預(yù)定的薄膜形成(處理)一結(jié)束，該基片同托架座一起被輸送到相鄰的膜形成室，在該室中進行下一個薄膜形成(處理)。在后續(xù)的步驟中，在各膜形成室中依次在基片上形成薄膜。
有些種類的膜可能需要一段長時間才能形成，例如，形成較大厚度的薄膜或在低的膜形成率下形成薄膜時會花費很多的時間。這種情況下，可使用下面的結(jié)構(gòu)在多個膜形成室中形成相同的薄膜，從而適當?shù)鼐中纬奢^小厚度的薄膜的時間和形成較大厚度的薄膜的時間，或以低的膜形成率形成薄膜的時間和以高的膜形成率形成薄膜的時間，從而使生產(chǎn)效率不下降。
此外，在該結(jié)構(gòu)中，基片持續(xù)地暴露在等離子體下從而因等離子體的輻射熱等而易于提高其溫度。因此，如果基片的耐熱性低時，需要在膜形成期間暫時中止膜形成，如停止放電以冷卻該基片。這時，這樣一種結(jié)構(gòu)被作為保持生產(chǎn)效率不下降的方法，即其中基片不暴露在等離子體下的一些膜形成室專用于冷卻。
通過在基片上形成多個薄膜而得到的電子零件的一個例子是一種記錄媒體，即一種所謂的光盤如具有雙層結(jié)構(gòu)的DVD-R。通過在基片上堆疊多個層如反射層，記錄層，和保護層而構(gòu)成光盤。在實際的生產(chǎn)過程中，上述膜在相應(yīng)的膜形成室中通過一種所謂濺射的工藝而依次堆疊在由樹脂如聚碳酸酯制成的基片上。在該膜結(jié)構(gòu)中，例如，保護層是由一種以較低的膜形成率形成的氧化膜組成的。此外，該保護層還應(yīng)該厚度較大。為此目的，該保護層通過多個膜形成室而形成。
如上所述，要形成的薄膜的種類越多或者要形成的氧化膜或類似物的厚度越大，膜形成室的數(shù)目就越多。但是，隨著膜形成室的數(shù)目增加，整個裝置的外部尺寸擴大，同時從該裝置中心部延伸至各膜形成室的托架座的長度也增加。這就意味著托架座的重量增加。因此難以很好地滿足對托架座驅(qū)動機構(gòu)所要求的條件，如扭矩或停止位置的精確性，這使得恐怕連該裝置本身都難以制造出來。但是，在DVD-R等的生產(chǎn)過程中，必需的膜形成室的數(shù)目將會越來越多地增加。
目前情況下，基片的供給和取出在單獨一個室中進行，剩余的室都被用作膜形成室，因此，提供必需的膜形成室數(shù)目而不使全部室數(shù)目增加。但是，最主要優(yōu)選地是使用單獨的室來進給基片和取出基片?？紤]到基片的耐熱性，可以優(yōu)選在多個膜形成室的下游設(shè)置一用于冷卻基片的室。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情形而提出的，其目的是使膜形成裝置中的室的數(shù)目可以容易地增加，并提供一種提高其生產(chǎn)效率的膜形成裝置。
為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明，一種用于在基片表面形成薄膜的薄膜形成裝置包括多個真空室，每個真空室均具有多個薄膜形成室和一用于保持該基片并在薄膜形成室之間輸送該基片的輸送系統(tǒng)，該真空室設(shè)置在彼此不同的平面內(nèi)；以及一用于在多個真空室之間將基片傳遞給該輸送系統(tǒng)的基片傳遞機構(gòu)，其特征在于，該基片傳遞機構(gòu)放置在一用于使所述多個真空室互相連通的傳遞室中。
此外，為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明，一種用于在基片表面形成薄膜的薄膜形成裝置包括在多個平面的每一個平面內(nèi)的薄膜形成室；一基片供給室；一基片傳遞室，所述薄膜形成室、基片供給室和基片傳遞室設(shè)置成基本呈一圓形；以及多個設(shè)置成基本呈放射狀朝向各個室并且可旋轉(zhuǎn)地圍繞一徑向中心的基片保持件，其特征在于，各自設(shè)置在所述多個平面的每一個平面內(nèi)的所述基片傳遞室互相連通，并且所述基片在所述基片傳遞室中的不同平面內(nèi)的基片保持件之間被傳遞。
應(yīng)當指出，在上述薄膜形成裝置中，基片優(yōu)選地與一覆蓋所述基片表面的一部分的掩模形成一體，并且由所述輸送系統(tǒng)保持。此外，該薄膜形成裝置優(yōu)選地包括一用于在基片上進行除薄膜形成之外的處理的處理室。
此外，為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明，一種用于在基片上形成薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，該方法包括以下步驟將基片供給和保持在一能將基片輸送到形成在同一平面內(nèi)的一組膜形成室的輸送系統(tǒng)上；通過所述輸送系統(tǒng)將基片輸送到設(shè)置在所述平面上的一組膜形成室，并使基片相繼通過所述一組膜形成室的膜形成室以便在基片上形成薄膜；通過一位于與所述膜形成室相連的一真空室中的基片傳遞機構(gòu)將基片供給和保持在另一輸送系統(tǒng)上，該系統(tǒng)能將基片輸送到形成在不同于所述平面的另一平面上的另一組膜形成室；以及通過另一輸送系統(tǒng)將基片輸送到設(shè)置在另一平面上的另一組膜形成室，并依次地使基片通過另一組膜形成室的膜形成室以便在基片上形成另一薄膜。
應(yīng)當指出，在上述方法中，基片優(yōu)選地與一覆蓋該基片表面的一部分的掩模形成一體，并由所述輸送系統(tǒng)、另一輸送系統(tǒng)和基片傳遞機構(gòu)所保持。此外，優(yōu)選地該一組膜形成室和另一組膜形成室包括一不進行膜形成的處理室，并且所述基片在被輸送時通過該處理室。
此外，為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明，一種用于在電子零件的一預(yù)定表面上形成薄膜的電子零件制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟將電子零件供給并保持在一能將電子零件輸送到在同一平面上的一組膜形成室的輸送系統(tǒng)上；通過所述輸送系統(tǒng)將電子零件輸送到設(shè)置在所述平面上的一組膜形成室，并且使電子零件依次地通過所述一組膜形成室的膜形成室以便在電子零件的預(yù)定表面上形成薄膜；通過一位于與所述膜形成室相連的一真空室中的電子零件傳遞機構(gòu)將電子零件供給和保持在另一輸送系統(tǒng)上，該系統(tǒng)能將電子零件輸送到形成在不同于所述平面的另一同平面上的另一組膜形成室；以及通過另一輸送系統(tǒng)將電子零件輸送到設(shè)置在另一平面上的另一組膜形成室，并且使電子零件依次地通過該另一組膜形成室的膜形成室以便在電子零件的預(yù)定表面上形成另一薄膜。


圖1A是本發(fā)明的膜形成裝置的縱剖視圖。
圖1B示出本發(fā)明的膜形成裝置，并且是一基片傳遞室的橫斷面圖；圖1C示出本發(fā)明的膜形成裝置，并且是該基片傳遞室的橫斷面圖；圖2是圖1A的一基片傳遞機構(gòu)(圖中的部分“A”)的放大視圖；圖3A是圖1A的第一真空室的示意性俯視圖；
圖3B是圖1A的第二真空室的示意性俯視圖；以及圖4是基片、掩模和保持該基片和掩模的托架的示意性剖視圖。
具體實施例方式
下面，將參照附圖對根據(jù)本發(fā)明一實施例的膜形成裝置進行說明。圖1A是本發(fā)明的膜形成裝置的縱剖視圖，而圖1B和1C是該裝置的局部橫斷面圖。圖2是圖1A的一基片傳遞機構(gòu)(圖中的部分“A”)的放大視圖。圖3A和圖3B分別是圖1A的第一真空室和第二真空室的示意性俯視圖。
該膜形成裝置由設(shè)置在上層(upper stage)的一第一真空室101和設(shè)置在下層(lower stage)的一第二真空室201組成。設(shè)置在上層的該第一真空室101在同一平面內(nèi)包括位于真空室中心的一第一托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105，多個呈放射狀與該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)相連的用于該第一真空室的托架座107，一組包括第一膜形成室111至第七膜形成室117的膜形成室，以及一在同一平面內(nèi)的基片供給室118。該第一真空室與一傳遞室60相連，而該傳遞室60與第二真空室201相連。
與第一真空室101和第二真空室102一樣，傳遞室60也保持真空。此外，該托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105與位于真空室外并適于使該機構(gòu)旋轉(zhuǎn)的一第一電動機121相連。每個托架座107均用做基片保持件，并和托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105一起組成一基片輸送機構(gòu)。
與第一真空室101類似，放置在下層——該下層位于與上層的平面不同的平面內(nèi)——的第二真空室201包括一位于該真空室中心的第二托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)205，多個呈放射狀與該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)相連的用于該第二真空室的托架座207，一組包括第八膜形成室211至第十四膜形成室217的膜形成室，以及一基片取出室218。該第二真空室與傳遞室60相連，而該傳遞室與第一真空室相連。每個托架座207均用做基片保持件，并且和托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)205一起組成一基片輸送機構(gòu)。此外，該托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)205與位于該真空室外并適于使該機構(gòu)旋轉(zhuǎn)的一第二電動機221相連。
應(yīng)該指出，該第一膜形成室111至第七膜形成室117和該第八膜形成室211至第十四膜形成室217均設(shè)置有多種結(jié)構(gòu)如一用于將放電空間限制在一靶(target)附近的一特定區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)，即所謂的接地屏蔽；一用于防止濺射顆粒過量地附著在裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，即所謂的防附著屏蔽；一用于引入與放電有關(guān)的氬氣等的引入系統(tǒng)；一用于給一電極提供電壓以便引起放電的電壓供給系統(tǒng)；和一抽真空系統(tǒng)。但是，這些結(jié)構(gòu)不是直接與本發(fā)明相關(guān)，故在此略去其圖示和說明。
此外，本實施例的目的是在一盤狀基片上形成薄膜，該基片的前后表面上具有基本呈圓柱狀的突起部。然后，需要確保在它的外周向部分內(nèi)有一無膜形成區(qū)域。因此，該基片連同一掩模一起由一稱為托架的夾具(jig)保持以確保(形成)該無膜形成區(qū)域并在該膜形成裝置中與托架一起被輸送。圖4是托架以及由托架保持的基片和掩模的示意性橫截面圖。
如圖4所示，在一基本呈盤狀的基片10的前后表面上分別具有基本呈圓柱狀的突起部9和11。托架21上具有一凹部23，其中接納基片后表面上的突起部11，并且一球塞(ball plunger)24沿垂直于該突起部軸線的方向設(shè)置并圍繞該軸線旋轉(zhuǎn)。當托架21保持基片10時，基片后表面上的突起部11插入凹部23中并被固定和保持在作為內(nèi)支持件基片固定裝置的球塞24上。
這時，球塞24被一彈簧25的偏壓力的作用支承以使得第二突起部11和凹部23同軸。掩模15包括一其內(nèi)徑大于基片的外徑的環(huán)狀掩模主體17，和一用于覆蓋基片10的周向邊緣的掩模凸緣16，該掩模凸緣16從該掩模主體的一個端面朝內(nèi)周向一側(cè)突出。托架的一掩模接納部26上放有一磁體(未示出)，并且通過磁體產(chǎn)生的磁力將掩模15固定和保持在掩模接納部26上，使其與該接納部緊密接觸。
通過用磁體使掩模15與托架21緊密接觸，可將基片10的后表面保持在一基本呈圓形的平的表面上并與該表面緊密接觸，該表面被限定為托架的一基片接納部22。此外，基片10由于膜形成過程中等離子體的輻射熱等而被加熱，并且朝一定方向熱膨脹而變形，從而增加其中心部和該基片接納部22之間的間隙。托架21通過從彈簧25傳至球塞24的壓緊力將該后表面上的突出物11固定和安裝到凹部23中。從而抑制該變形。
分別設(shè)置在第一真空室101和第二真空室201中的多個托架座107和207具有對用于保持該托架的托架接納表面109和209施加磁力的磁體(未示出)，該接納表面109和209分別限定在該托架座的前端部。該磁力使掩模15和托架21可以被保持在托架接納表面109和209上的預(yù)定位置內(nèi)?；?0被夾緊在掩模15和托架21上。掩模15和托架21則固定在托架座107和207上，以便基片也同樣地固定在托架座107和207上。此外，托架座107和207分別在其后端部與托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105和205相連接。
在第一真空室101中的托架座107由第一托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105通過驅(qū)動力驅(qū)動旋轉(zhuǎn)，該驅(qū)動力從第一電動機121傳遞至第一托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105，從而托架座107從基片供給室118移動到膜形成室111至117，并進一步移動到基片傳遞室60。在第二真空室201中的托架座207由第二托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)205通過驅(qū)動力驅(qū)動旋轉(zhuǎn)，該驅(qū)動力從第二電動機221傳遞至第二托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)205，從而托架座207從基片傳遞室60移動到膜形成室211至217，并進一步移動到基片取出室218。
如圖2所示，基片傳遞室60內(nèi)設(shè)有一基片傳遞機構(gòu)30。該基片傳遞機構(gòu)30具有一實際上保持基片10等的頭部50，一用于使頭部50接近/遠離分別位于托架座107和207頂端/前端的托架接納表面109和209的頭部驅(qū)動氣缸51，和一用于在第一真空室101和第二真空室201之間往復(fù)移動該頭部50和該頭部驅(qū)動氣缸51的垂直運動氣缸52。該頭部50具有一用于夾持基片前表面上的突起部9的作為基片保持件的卡盤軸(chuck shaft)31，一磁體35，一與磁體35相連接并具有一其中插入該卡盤軸31的卡盤軸通孔41的磁體臂36，和一用于驅(qū)動該磁體臂36的磁體氣缸37。
通過磁體氣缸37驅(qū)動磁體臂，磁體35能在下述兩個位置之間移動其位置，即離掩模接納表面33最近的位置和最遠的位置。在離掩模接納表面33最近的位置，磁體35對掩模15施加的磁力大于托架座107和207和托架21對掩模15施加的磁力。因此，掩模15與托架21相分離并被吸引到頭部50的掩模接納表面33上。當磁體35位于離掩模接納表面33最遠的位置時，磁體35對掩模15施加的磁力比托架座107和207內(nèi)的磁體對掩模15施加的磁力弱。然后，掩模15和基片10一起被吸引和固定在托架21上。
卡盤軸31具有一其直徑朝該掩模接納表面33一側(cè)的一端增加的圓錐形端部，并且在軸向上形成一孔32，圍繞該孔32以規(guī)則的間隔形成狹縫(slit)。在掩模接納表面33一側(cè)上的該卡盤軸通孔41的開口處形成對應(yīng)于卡盤軸31的圓錐形端部的一錐形部分42。磁體氣缸37驅(qū)動磁體臂36將磁體35放置在離掩模接納表面33最近的位置，同時，錐形部分42使得卡盤軸31的圓錐形端部滑入其中，然后卡盤軸頂端的狹縫關(guān)閉以夾緊插入孔32中的部件。
下面將說明在實際的膜形成步驟中的裝置的操作。為膜形成而準備的基片10和掩模15由一基片供給機械手(未示出)傳遞給基片供給室118中的托架座107，同時如上所述(該基片和掩模)由托架21保持。如上所述，托架座107保持掩模15、托架21，以及夾緊在該掩模和托架上的為膜形成而準備的基片10。
在這種情況下，托架座107由托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105驅(qū)動旋轉(zhuǎn)以便將為膜形成而準備的基片10或類似物輸送到與其相鄰的第一膜形成室111。在實踐中，每一個沒有進行膜形成的膜形成室111至117僅構(gòu)成真空室101的一休息室(recess)。在旋轉(zhuǎn)到面對第一膜形成室111的位置并停止在該位置以后，托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105將托架座107移向第一膜形成室111。
當托架座的外周邊部分接觸到一膜形成室的內(nèi)壁111a時，托架座107的運動停止。因此，基片10、掩模15和托架21形成第一膜形成室111的內(nèi)壁，使在膜形成室中形成薄膜。在形成薄膜后，托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)105使托架座107縮回，而托架座107準備再次旋轉(zhuǎn)。在基片10上形成預(yù)定厚度的薄膜后，托架座旋轉(zhuǎn)至與其相鄰的第二膜形成室112。
將基片10從第一膜形成室111輸送至第七膜形成室117，以便在其上形成多個薄膜。其后基片10由基片傳遞室60中的基片傳遞機構(gòu)30的頭部50接納。這時，頭部50在上層的第一真空室101的傳遞室60中面向靜止的托架座107而定位。驅(qū)動頭部驅(qū)動氣缸51使得頭部50接近托架座107，并當基片前表面上的突起部9裝入卡盤軸31頂端的孔32中時，根據(jù)一接觸傳感器(未示出)的感測信號(sensing signal)而暫停該接近運動。
這里，通過磁體氣缸37將頭部50的磁體臂36移動到掩模接納表面33。掩模15被吸向磁體35，并且?guī)缀跬瑫r，卡盤軸31夾緊基片突起部9。通過這些操作，實現(xiàn)了將基片10和掩模15從托架座107傳遞至頭部50。接著，頭部驅(qū)動氣缸51使頭部50遠離托架座107。該頭部離開該座足夠遠之后，向下移動到這樣一個位置，該位置使得托架座207面對在下層上的第二真空室201中的頭部50。
暫停向下移動頭部50，其后頭部驅(qū)動氣缸51使頭部50在第二真空室201中接近托架座207。此時，未保持基片10和掩模15的托架21通過磁體(未示出)被吸引和保持在托架座207的托架接納表面209上。當在掩模后表面上的突起部11大致裝入托架21的凹部23中時，頭部停止接近。暫停接近也是根據(jù)接觸傳感器(未示出)的感測信號。在暫停接近后，磁體氣缸35使磁體臂36縮回以便將磁體35放置在離掩模接納表面33最遠的位置，同時釋放卡盤軸31對基片前表面上的突起部9的夾緊力。
第二真空室201中的托架座207具有與第一真空室101中的托架座107相同的結(jié)構(gòu)。因此，由頭部50施加在掩模15上的磁力減弱，從而位于托架座207上的磁體(未示出)的磁力使得掩模15和托架21可以夾緊將被吸引和保持在托架座207上的基片10。通過上述操作，在第一真空室101中在其上形成預(yù)定的薄膜的基片10在第二真空室201中由托架座207保持。
此后，第二托架座旋轉(zhuǎn)機構(gòu)205驅(qū)動旋轉(zhuǎn)托架座207，并且將基片10以從第八膜形成室211至第十四膜形成室217的順序輸送。從而在基片上形成預(yù)定的薄膜。將基片10和掩模15傳遞給第二托架座207的頭部50由各氣缸驅(qū)動從而離開該托架座207一定距離，并向上移動到面對第一真空室101中的托架座107的一個位置以接納下一個基片10。在頭部能夠接納下一個基片10的位置暫停該移動。在第十四膜形成室217中形成薄膜的步驟之后，將基片10和掩模15輸送至基片取出室218，其中一基片取出機械手(未示出)將基片傳遞到隨后的步驟中。
通過上述操作，可以制造出具有與采用常規(guī)的薄膜形成裝置得到的膜結(jié)構(gòu)相比更復(fù)雜的膜結(jié)構(gòu)的電子零件如DVD-R。而且，可以容易地增加(膜形成)室的數(shù)目，使得能在現(xiàn)有的膜結(jié)構(gòu)上形成較厚的膜。此外，一些膜形成室用作基片冷卻室，由此基片能在膜形成過程中被冷卻并得到具有較少的基片變形的產(chǎn)品。另外，基片的供給和取出可在單獨的室中進行，這提高了生產(chǎn)效率。與僅僅在兩維上增加室的數(shù)目的情況相比，本發(fā)明的裝置能顯著節(jié)省安裝空間并且能減少設(shè)備投資等。
應(yīng)當指出，在本實施例中，使用的是在其前后表面的中心部具有突起部的基片，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明適用于多種基片，如在中心部形成孔的基本呈盤狀的基片，以及單一的盤狀基片。此外，本發(fā)明適用于在電子零件的預(yù)定表面上形成多個薄膜的情況，并且可以是保持具有特定形狀的電子零件而不是基片的結(jié)構(gòu)。而且，用于驅(qū)動基片傳遞機構(gòu)中的多個部件的氣缸可由已知的驅(qū)動機構(gòu)如步進電動機代替。
此外，在本實施例中，將七個膜形成室、基片取出室和基片傳遞室設(shè)置在上層，并將七個膜形成室、基片供給室和基片傳遞室設(shè)置在下層的結(jié)構(gòu)作為一個特定的示例。但是，該膜形成室的數(shù)目、結(jié)構(gòu)和設(shè)置，以及層的數(shù)目并不限于本實施例。優(yōu)選將它們設(shè)置成適宜形成薄膜。本發(fā)明也適用于多種膜形成裝置，如濺射裝置，CVD裝置，以及蒸發(fā)器。
因此，可以實施本發(fā)明，從而膜形成裝置中室的數(shù)目可以容易地增加。此外，(本發(fā)明)能夠提供節(jié)省安裝空間和增加生產(chǎn)效率的膜形成裝置。
權(quán)利要求
1.一種用于在基片表面形成薄膜的薄膜形成裝置，包括多個真空室，每個所述真空室均具有多個薄膜形成室和一用于保持基片和在所述薄膜形成室之間輸送基片的輸送系統(tǒng)，所述真空室設(shè)置在彼此不同的平面內(nèi)；以及一用于在所述多個真空室之間將基片傳遞給所述輸送系統(tǒng)的基片傳遞機構(gòu)，其特征在于，所述基片傳遞機構(gòu)放置在一用于使所述多個真空室互相連通的傳遞室中。
2.一種用于在基片表面形成薄膜的薄膜形成裝置，包括在多個平面的每一個平面內(nèi)的薄膜形成室；一基片供給室；一基片傳遞室，所述薄膜形成室、基片供給室和基片傳遞室設(shè)置成基本呈一圓形；以及多個設(shè)置成基本呈放射狀朝向各個室并且可旋轉(zhuǎn)地圍繞一徑向中心的基片保持件，其特征在于，各自設(shè)置在所述多個平面的每一個平面內(nèi)的所述基片傳遞室互相連通，并且所述基片在所述基片傳遞室中的不同平面內(nèi)的基片保持件之間被傳遞。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的薄膜形成裝置，其特征在于，所述基片與一覆蓋所述基片表面的一部分的掩模形成一體，并且由所述輸送系統(tǒng)保持。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的薄膜形成裝置，其特征在于，所述裝置還包括一用于在基片上進行除薄膜形成之外的處理的處理室。
5.一種用于在基片上形成薄膜的薄膜形成方法，其特征在于，該方法包括以下步驟將基片供給和保持在一能將基片輸送到形成在同一平面內(nèi)的一組薄膜形成室的輸送系統(tǒng)上；通過所述輸送系統(tǒng)將基片輸送到設(shè)置在所述平面上的一組薄膜形成室，并使基片相繼通過所述一組薄膜形成室的薄膜形成室以便在基片上形成薄膜；通過一位于與所述薄膜形成室相連的一真空室中的基片傳遞機構(gòu)將基片供給和保持在另一輸送系統(tǒng)上，該系統(tǒng)能將基片輸送到形成在不同于所述平面的另一平面上的另一組薄膜形成室；以及通過另一輸送系統(tǒng)將基片輸送到設(shè)置在另一平面上的另一組薄膜形成室，并依次地使基片通過另一組薄膜形成室的薄膜形成室以便在基片上形成另一薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其特征在于，所述基片與一覆蓋該基片表面的一部分的掩模形成一體，并由所述輸送系統(tǒng)、另一輸送系統(tǒng)和基片傳遞機構(gòu)所保持。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其特征在于，所述一組薄膜形成室和另一組薄膜形成室包括一不進行薄膜形成的處理室，并且所述基片在被輸送時通過該處理室。
8.一種用于在電子零件的一預(yù)定表面上形成薄膜的電子零件制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟將電子零件供給并保持在一能將電子零件輸送到在同一平面上的一組薄膜形成室的輸送系統(tǒng)上；通過所述輸送系統(tǒng)將電子零件輸送到設(shè)置在所述平面上的一組薄膜形成室，并且使電子零件依次地通過所述一組薄膜形成室的薄膜形成室以便在電子零件的預(yù)定表面上形成薄膜；通過一位于與所述薄膜形成室相連的一真空室中的電子零件傳遞機構(gòu)將電子零件供給和保持在另一輸送系統(tǒng)上，該系統(tǒng)能將電子零件輸送到形成在不同于所述平面的另一同平面上的另一組薄膜形成室；以及通過另一輸送系統(tǒng)將電子零件輸送到設(shè)置在另一平面上的另一組薄膜形成室，并且使電子零件依次地通過該另一組薄膜形成室的薄膜形成室以便在電子零件的預(yù)定表面上形成另一薄膜。
全文摘要
一種膜形成裝置，其中具有多個膜形成室的真空室安裝在不同的平面內(nèi)并通過真空傳遞室彼此連通，并且基片通過設(shè)置在該傳遞室中的一基片傳遞機構(gòu)而在該真空室之間被傳遞。從而膜形成裝置中的室的數(shù)目可以容易地增加，并可節(jié)省安裝空間和提高生產(chǎn)效率。
文檔編號C23C14/04GK1646725SQ0380798
公開日2005年7月27日 申請日期2003年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月9日
發(fā)明者越川政人, 松井敏 申請人:Tdk株式會社