本發(fā)明涉及一種等離子體切割裝置，其可以利用等離子體割炬特別地用于同時進行等離子體切割，并且特別地用于同時在切割邊緣處形成倒角或同時熱處理。本發(fā)明同樣地涉及耐磨部件在等離子體割炬裝置中的用途。

背景技術(shù)：

等離子體切割用于切割金屬。等離子體割炬用于這方面。在機械切割中，它們可以通過導向系統(tǒng)(例如，CNC)導向，所述導向系統(tǒng)由xy坐標切割機械或工業(yè)機器人控制。

等離子體割炬一般來說包括炬軸和炬頭。用于操作等離子體割炬所需要的介質(zhì)的連接件位于炬軸中，所述介質(zhì)例如氣體(等離子氣體)、功率(切割功率)、冷卻(冷卻介質(zhì)、冷卻水)、點火電壓和/或?qū)ьl電流。這樣的連接件還可以組合，例如，在一個連接件中的功率和冷卻介質(zhì)。這些連接件連接至軟管，軟管可被組合以形成所謂的軟管包。用于切換氣體的螺線管閥門還可以容納在炬軸中。這些連接件、軟管和部件需要一定的體積，該體積確定等離子體炬軸的尺寸。這樣的軸通常配置成具有特定外直徑的圓柱形狀，由此，確定了構(gòu)造尺寸。從等離子體割炬的端部或尖端開始，在這方面選擇了圓形外部形狀，例如可從圖1a至圖1c看到。在這方面，圓形的外直徑取決于出于用于功率的電線的目的所需要的橫截面和取決于用于氣體體積流和冷卻水流的軟管線的橫截面，并且因此還取決于等離子體割炬的功率。該直徑在50mm至60mm的范圍內(nèi)，其中，切割電流范圍從200A至600A，并且與此相關(guān)的功率范圍為25kW至120kW。

所描述的構(gòu)造形狀具有缺點，特別是當多個等離子體割炬將盡可能靠近彼此地操作和/或相對于彼此或相對于工件表面而傾斜地使用時具有缺點。

當特別深的切口被引入到材料中時，還同樣地有缺點，該切口比可作為最大值通過等離子體割炬來切割的最大材料厚度更深。

一種應用是在金屬板處切割出倒角，在切割成形后焊接金屬板時需要倒角。取決于金屬板厚度和取決于焊接方法，對于此，有不同的倒角形狀或焊接縫標準(DIN EN ISO 9692-1)。對于特定應用(DY縫、Y縫)，在金屬板邊緣處需要多個倒角。相對于金屬板的上邊緣不同傾斜的多個等離子體割炬在此同時可以切割并可以形成倒角。這被稱為多倒角切割。還可以利用同一個等離子體割炬，一個接一個地切割各個倒角。在此較長的切割時間是不利的，這因為一個接一個地執(zhí)行各個切割，并且這樣的風險是非常大的：在切口和待切割的部件所需的幾何形狀之間發(fā)生的金屬板的變形或移位不再能達到。

通過常規(guī)的等離子體割炬，多倒角切割是不可行的，或僅僅不完全可行。特別是當多個等離子體割炬布置成靠近彼此、和/或相對彼此或相對于工件表面而傾斜地使用時。

當?shù)入x子體割炬彼此平行地操作時，可以實現(xiàn)的離開噴嘴的等離子體射流之間的最小間隔等于等離子體炬軸的外徑加等離子體炬軸之間的安全間隔，其例如可以等于1mm至5mm。

已知等離子體割炬，其可以用于切割倒角。在這方面，在等離子體離開的噴嘴區(qū)域中的某一長度上，炬頭的外徑在其寬度上逐漸減小。因此實現(xiàn)了削尖的構(gòu)造形狀，并且倒角切口的形成通過限制因此變得可行。然而，由于等離子體炬軸的圓柱圓形形狀具有對應的外徑而有這樣的缺點：由于小的間隔，多個等離子體割炬不能樞轉(zhuǎn)經(jīng)過彼此。因此在一次切割期間，不能利用多個等離子體炬同時形成特別地可變的倒角角度。然而，在該方面，等離子體割炬的指向待切割的工件的尖端或噴嘴孔應當盡可能彼此靠近地定位，然而，這被等離子體割炬樞轉(zhuǎn)運動時等離子體炬軸的直徑限制。這些缺點還在以下的情況下使用多個等離子體割炬時出現(xiàn)：當它們被同時使用并且彼此靠近以用于不同的熱機械加工時，其中不同的熱機械加工例如沿著待形成的切口一個接一個地執(zhí)行。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的是改善在使用多個等離子體割炬時的條件和制造精度，所述多個等離子體割炬同時并彼此靠近地操作。

根據(jù)本發(fā)明，該目的是通過具有權(quán)利要求1的特征的等離子體割炬實現(xiàn)。權(quán)利要求15涉及耐磨部件的用途。利用在從屬權(quán)利要求中指定的特征，可以實現(xiàn)本發(fā)明的有利實施方式和進一步的改進。

在根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬裝置中，存在至少一個等離子體割炬，所述等離子體割炬由炬本體、電極和具有噴嘴孔的噴嘴形成。在這方面，所述等離子體割炬的外輪廓存在于相對于縱軸的橫截面中，所述縱軸垂直通過所述噴嘴孔和炬本體而定位，其中，在延伸通過所述噴嘴的所述噴嘴孔的中心的所述縱軸和所述外輪廓的徑向外緣之間、在至少一個軸向方向上觀察到最小間隔c，其最大值對應于延伸通過所述噴嘴的所述噴嘴孔的中心的中心縱軸和所述外輪廓AK的徑向外緣之間的最大間距d的長度的3/4。然而，所述最小間隔c的最大值還可以對應于所述外輪廓AK的外緣的兩點之間的最大距離b的長度的3/8，所述外緣的兩點之間的虛擬的直的連接線延伸通過所述中心縱軸M1，M2，M3，所述中心縱軸M1，M2，M3延伸通過所述噴嘴4的所述噴嘴孔4.1的中心。

外輪廓因此不相對于延伸通過噴嘴孔的中心的縱軸旋轉(zhuǎn)對稱。

在有利的實施方式中，沿著公共軸線應當觀察到在兩個相反的方向上的最小間隔c，最小間隔c被從延伸通過所述噴嘴的所述噴嘴孔的中心的所述縱軸開始導向直到所述外輪廓的徑向外緣。由此，可以將相應的等離子體割炬布置在以這樣的方式形成的等離子體割炬的相對設(shè)置的兩側(cè)并且在同時操作中非常鄰近其布置，在該兩側(cè)處觀察到最小間隔。

有這樣的可能性：至少一個最小間隔c在等離子體割炬的整個長度上觀察到或不會超過范圍。以這樣的形式，等離子體割炬可以在平行布置中彼此非常靠近地布置而操作。

然而，最小間隔c應當在所述噴嘴、所述噴嘴蓋、噴嘴保護蓋并且可選擇地噴嘴保護蓋保持架的整個長度上觀察到或不會超出范圍。

最小間隔c還可以在長度l上觀察到，所述長度l對應于在觀察到最小間隔c的區(qū)域中的等離子體割炬的最大寬度b(外輪廓AK的外緣的兩點之間的最大間隔，其虛擬直的連接線延伸通過中心縱軸M1，M2，M3或與中心縱軸M1，M2，M3相交，所述中心縱軸M1，M2，M3延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心)的至少1.4倍。因此，例如，可以觀察到長度l具有50mm的最大寬度b(b＝25mm)或98mm的長度l具有70mm的最大寬度b(b＝35mm)。

在一個實施方式中有這樣的可能性：所述噴嘴孔的中心偏心地布置在所述外輪廓內(nèi)。否則在這種情況下，等離子體割炬的所有元件或非常多的元件(例如，軸、噴嘴、噴嘴保持架等)具有旋轉(zhuǎn)對稱的橫截面，然而最小間隔c在一側(cè)處觀察到。

有利的是，觀察到最小間隔c的最大值為所述最大間隔b的1/3、優(yōu)選最大值為所述最大間隔b的1/4并且特別優(yōu)選地最大值為所述最大間隔b的1/6。

有利的是，觀察到最小間隔c的最大值為所述最大間距d的2/3、優(yōu)選最大值為所述最大間距d的1/2并且特別優(yōu)選地最大值為所述最大間距d的1/3。

在最大值為120°的至少一個角度范圍α、優(yōu)選地最大值為70°的至少一個角度范圍α中可以觀察到圍繞所述縱軸開始的最小間隔c。由此，觀察到最小間隔c的所處的周向表面更大，并且相鄰彼此布置且彼此平行布置的等離子體炬切割器因此可以靠近彼此而布置和操作。

有這樣的可能性：所述外輪廓具有在所述外輪廓的兩點之間的在噴嘴孔的徑向上定向煩人至少一個最大間隔b，并且所述外輪廓的兩點之間的虛擬的直的連接線在以下的角度范圍中與延伸通過所述噴嘴的所述噴嘴孔的中心的虛擬縱軸相交：所述角度范圍相對于最小間隔c的虛擬連接線或者相對于所述最小間隔c的在60°的最小角度βmin和120°的最大角度βmax之間的所述角度范圍α的一半處的虛擬連接線圍繞所述噴嘴孔的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的；或所述外輪廓具有在所述噴嘴孔的徑向上定向的至少一個最大間距d，所述至少一個最大間距d在延伸通過所述噴嘴的所述噴嘴孔的中心的中心縱軸和所述外輪廓AK的徑向外緣之間。

可以觀察到最小間隔c的最大值為20mm、優(yōu)選地最大值為15mm并且特別優(yōu)選地最大值為12.5mm。

所述外輪廓可以具有圓形、多邊形、曲線形、半圓形、卵形或橢圓形狀或者以上幾者的組合。多邊形外輪廓的拐角可以為圓角。

在靠近所述等離子體炬操作的至少另一等離子體炬的方向上，應當在等離子體炬處觀察到外輪廓的至少一個最小間隔c。

對于彼此靠近且同時操作的多個等離子體割炬，42mm的最大間隔z1、z2、有利地為32mm、并且特別有利地為27mm的最大間隔z1、z2應當在相應的靠近彼此布置的等離子體割炬的所述噴嘴的噴嘴孔的虛擬延伸的縱軸之間觀察到。等離子體割炬還可以布置成使其縱軸在等離子體切割期間相對于組件表面的垂線而傾斜在45°和135°之間的范圍內(nèi)的角度。

因此利用根據(jù)本發(fā)明的裝置，多個等離子體割炬可以同時且彼此非?？拷夭僮?，然而，有足夠的結(jié)構(gòu)空間可用于容納操作所需的組件。

在本發(fā)明中，外輪廓AK的外緣的兩點之間的最大間隔b與外輪廓AK的外緣的兩點之間的最小間隔b之間的比不應當大于4，其相應的虛擬連接線延伸通過中心縱軸(M1，M2，M3)，所述中心縱軸(M1，M2，M3)延伸通過噴嘴(4)的噴嘴孔(4.1)的中心。

特別是，具有更大厚度的工件還可以利用根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬裝置來切割。在這方面，為此目的所需至少200A的電流和具有至少2mm的直徑的噴嘴開口可以毫無疑問地使用。氧氣或包含氧氣的氣體混合物可以用作等離子氣體。電極包括高熔點金屬(例如，鉿、鎢及其合金)的發(fā)射嵌件并且電極保持架包括具有良好導熱性的材料，例如，銅、銀及其合金。

等離子體炬的耐磨部件可以為液冷的，所述耐磨部件例如電極、噴嘴、噴嘴蓋和/或噴嘴保護蓋。

根據(jù)本發(fā)明的裝置的多個等離子體割炬可以通過導向系統(tǒng)移動或通過至少一個工業(yè)機器人移動，以用于形成切口。

附圖說明

在下文中，參考示例更詳盡地描述本發(fā)明。與單個示例相關(guān)的特征不限于相應的示例。在本發(fā)明中，這些特征可以變化最大的形式彼此組合。附圖中：

圖1a為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬的側(cè)視圖；

圖1b為具有等離子炬尖端的視圖的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬；

圖1c為具有等離子炬端部的視圖的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體炬切割器；

圖2a為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的側(cè)視圖；

圖2b為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的側(cè)視圖；

圖2c為具有等離子體炬尖端的視圖的根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬；

圖2d為具有等離子體炬尖端的視圖的根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例；

圖2e為具有等離子體炬端部的視圖的根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例；

圖3a為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的側(cè)視圖；

圖3b為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的側(cè)視圖；

圖3c為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的等離子體炬尖端的視圖；

圖3d為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的等離子體炬尖端的視圖；

圖3e為根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的示例的等離子體炬端部的視圖；

圖4a至圖4h為等離子體割炬的從等離子體炬尖端觀察的外輪廓的實施方式；

圖5a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖5b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖5c為根據(jù)圖5a的噴嘴尖端的視圖；

圖6a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖6b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖6c為根據(jù)圖6a的噴嘴尖端的視圖；

圖7a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖7b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖7c為根據(jù)圖7a的噴嘴尖端的視圖；

圖8a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖8b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的裝置的截面圖；

圖8c為根據(jù)圖8a的噴嘴保護蓋尖端的視圖；

圖9a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴的截面圖；

圖9b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴的截面圖；

圖9c為噴嘴尖端的視圖；

圖9d為與噴嘴尖端相對的端部的視圖；

圖10a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴蓋的截面圖；

圖10b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴蓋的截面圖；

圖10c為噴嘴蓋尖端的視圖；

圖10d為與噴嘴蓋尖端相對的端部的視圖；

圖11a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的具有噴嘴蓋和氣體通道的裝置的截面圖；

圖11b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的具有噴嘴蓋和氣體通道的裝置的截面圖；

圖11c為裝置的噴嘴蓋尖端的視圖；

圖11d為裝置的與噴嘴蓋尖端相對的端部的視圖；

圖12a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴保護蓋的截面圖；

圖12b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴保護蓋的截面圖；

圖12c為噴嘴保護蓋尖端的視圖；

圖12d為與噴嘴保護蓋尖端相對的端部的視圖；

圖13a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴保護蓋保持架的截面圖；

圖13b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的噴嘴保護蓋保持架的截面圖；

圖13c為噴嘴保護蓋保持架尖端的視圖；

圖13d為與噴嘴保護蓋保持架尖端相對的端部的視圖；

圖14a為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的具有噴嘴保護蓋和噴嘴保護蓋保持架的裝置的截面圖；

圖14b為側(cè)視根據(jù)本發(fā)明的具有噴嘴保護蓋和噴嘴保護蓋保持架的裝置的截面圖；

圖14c為噴嘴保護蓋尖端的視圖；

圖14d為與噴嘴保護蓋尖端相對的端部的視圖；

圖15a至圖15d為噴嘴保護蓋8的外輪廓的實施方式以及具有噴嘴保護蓋8和噴嘴保護蓋保持架9的裝置的實施方式；

圖16a至圖16d為具有兩個等離子體割炬的裝置；以及

圖17a至圖17d為具有三個等離子體割炬的裝置。

具體實施方式

圖1a至圖1c示出用于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的機械等離子體切割的等離子體割炬。等離子體割炬1基本上包括等離子體炬頭1.10和等離子體炬軸1.20，其中，等離子體炬頭1.10和等離子體炬軸1.20還可以形成為一個組件。耐磨部件(在此部分未顯示)(例如，電極、噴嘴、氣體通道)被緊固在等離子體炬頭1.10中。顯示了噴嘴蓋5和噴嘴4的在等離子體炬尖端1.25處伸出噴嘴蓋5的孔的尖端。用于電流和電壓的電線的連接件以及用于氣體和冷卻介質(zhì)的軟管(同樣地在此未顯示)例如位于等離子體炬軸中。圖1a顯示該等離子體割炬的側(cè)視圖，圖1b顯示等離子體炬尖端1.25的視圖，以及圖1c顯示等離子體炬端部1.35的視圖。在這方面，等離子體割炬1的位置(在該位置處，等離子體射流離開噴嘴4的噴嘴孔4.1)在這方面被稱為等離子體炬尖端1.25。在圖1b和圖1c中，顯示等離子體割炬1的具有直徑e(作為示例，這里為50mm)的外輪廓AK的圓形形狀，其從前部或從后部可見。為清楚起見，不顯示軟管和線；它們在等離子體炬端部1.35處被引導出等離子體炬軸1.20。

圖2a至圖2e顯示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的變型。等離子體割炬1基本上包括等離子體炬頭1.10和等離子體炬軸1.20，其中，等離子體炬頭1.10和等離子體炬軸1.20還可以形成為一個部件。耐磨部件(此處部分未顯示)(例如，電極、噴嘴、氣體通道)被緊固在等離子體炬頭中。顯示了噴嘴蓋5和噴嘴4的在等離子體炬尖端1.25處伸出噴嘴蓋5的孔的尖端。噴嘴蓋5具有朝向等離子體炬尖端以角γ5逐漸減小的截面。用于電流和電壓的電線的連接件以及用于氣體和冷卻介質(zhì)的軟管(同樣地在此未顯示)例如位于等離子體炬軸中。圖2a和圖2b顯示了該等離子體割炬1的側(cè)視圖，這兩個側(cè)視圖之間圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對彼此旋轉(zhuǎn)了90°。圖2c和圖2d顯示了等離子體炬尖端1.25的視圖，而圖2e顯示等離子體炬端部1.35的視圖。在這方面，等離子體割炬1的位置(在該位置處，等離子體射流離開噴嘴4的噴嘴孔4.1)在這方面被稱為等離子體炬尖端1.25。為清楚起見，不顯示軟管和線；它們在等離子體炬端部1.35處被引導出等離子體炬軸1.20。對于等離子體炬尖端1.25和/或等離子體炬端部1.35可見的外輪廓由AK標注。外輪廓AK非圓形，并且橫截面不圍繞縱軸M1旋轉(zhuǎn)對稱。

在圖2c和圖2d中，可以識別噴嘴蓋5和具有噴嘴孔4.1的噴嘴4的尖端?？v軸M1為虛擬中心線，其被垂直導向通過噴嘴孔4.1。

在圖2c中，最小的間隔c(在此，在左邊，作為示例，尺寸為14mm)顯示在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間。該最小間隔c在角度范圍α上延伸，這里作為示例為67°。在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的相對于虛擬連接線(該虛擬連接線位于最小間隔c的角度范圍α的一半(α/2)處)圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右邊偏移旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中，在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間示出沿著噴嘴孔4.1的徑向?qū)虻牡淖畲箝g距d(在此，在右邊，作為示例，尺寸為35mm)。

同樣地顯示了外輪廓AK的兩點之間的、沿著噴嘴孔4.1的徑向定向的最小間隔a(在此，作為示例為2*c)，在此作為示例該最小間隔a為28mm，外輪廓AK的兩點的直的虛擬連接線虛擬通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心而延伸并且與縱軸M1相交。該最小間隔a在角度范圍α上延伸，在此該角度范圍α作為示例為67°。在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的相對于虛擬連接線(該虛擬連接線位于最小間隔a的角度范圍α的一半(α/2)處)圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右邊偏移旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中，在外輪廓AK的兩點之間觀察到在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最大間隔b(在此作為示例，尺寸為70mm)，外輪廓AK的兩點之間的直的虛擬連接線與延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1相交。

由α表示的區(qū)域顯示在圖2中的左邊，其也同樣地存在(如圖2d所示)于等離子體割炬的相對設(shè)置的右側(cè)并且同樣地以這樣的方式設(shè)定尺寸。60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的角度區(qū)域可以同樣地朝向左邊或右邊偏移，這同樣地顯示在圖2d中。

相較于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬(圖1a至圖1c)，由于該構(gòu)造形狀，因而通過可比較的大于200A的切割電流的機械加工是可行的，并且多個等離子體割炬可以彼此靠近地以噴嘴孔之間盡可能小的間隔來布置。

圖3a至圖3d顯示了根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬1的另一構(gòu)造形狀，其首先與圖2a至圖2d中所示的不同在于，沒有這樣的角度區(qū)域α：其中最小的間隔c和最小的間隔a存在于該區(qū)域中。恰好相應的一個間隔c和恰好相應的一個間隔a在此存在于等離子體割炬1的左側(cè)處(如圖3c所示)和右側(cè)處(如圖3d所示)。

圖3a和圖3b顯示了該等離子體割炬的側(cè)視圖，其圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。圖3c和圖3d顯示了等離子體炬尖端1.25的視圖，而圖3e顯示了與等離子體炬尖端1.25相對布置的等離子體炬端部1.35的視圖。在這方面，等離子體割炬1的位置(在該位置處，等離子體射流離開噴嘴4的噴嘴孔4.1)被稱為等離子體炬尖端1.25。為清楚起見，不顯示軟管和線；它們在等離子體炬端部1.35處被引導出等離子體炬軸1.20。對于等離子體炬尖端1.25和/或等離子體炬端部1.35可見的外輪廓由AK標注。外輪廓AK非圓形/不圍繞縱軸M1旋轉(zhuǎn)對稱。

在圖3c和圖3d中，可以識別噴嘴蓋5和具有噴嘴孔4.1的噴嘴4的尖端?？v軸M1為虛擬中心線，其垂直延伸通過噴嘴孔4.1。

在圖3c中，最小的間隔c(在此，作為示例尺寸為12mm)在左側(cè)顯示在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間。在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的相對于虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右偏移旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中，示出了在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最大間距d(在此，在右邊，作為示例，尺寸為35mm)，其在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間延伸。

同樣地顯示了外輪廓AK的兩點之間的、在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔a，在此作為示例該最小間隔a為28mm，其直的虛擬連接線與延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的虛擬縱軸M1相交。在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的相對于虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右偏移旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中，沿著噴嘴孔4.1的徑向定向的最大間隔b(在此作為示例，在右邊，尺寸為70mm)顯示在外輪廓AK的兩點之間，外輪廓AK的兩點的直的虛擬連接線與延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1相交。

在圖3d中，最小間隔c(在此，作為示例尺寸為12mm)在右側(cè)顯示在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間。在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的相對于最小間隔c的虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向左偏移旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中，示出了沿著噴嘴孔4.1的徑向定向的最大間距d(在此，作為示例，在左邊并且為35mm)，其在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間延伸。

同樣地顯示了在外輪廓AK的兩點之間的、在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔a，在此作為示例該最小間隔a為28mm，其直的虛擬連接線與虛擬延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1相交。在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間的相對于最小間隔a的虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向左偏移旋轉(zhuǎn)的區(qū)域中，沿著噴嘴孔4.1的徑向定向的最大間隔b(在此作為示例，在左邊并且尺寸為70mm)顯示在外輪廓AK的兩點之間，其直的虛擬連接線與延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1相交。

圖4a至圖4h顯示了從等離子體炬尖端1.25觀察的根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬的不同實施方式。在這方面，作為示例，指示了最小間隔c和最小間隔a以及最大間距d和最大間隔b。圖4a、圖4b、圖4c、圖4f和圖4f顯示了多個示例，其中，有一個或多個角度區(qū)域α，在該角度區(qū)域中觀察到最小間隔c和最小間隔a。在圖4a和圖4b中，α＝67°；在圖4c中，α＝23°；在圖4f中，α為96°；并且在圖4g中，α＝33°。

在圖4a、圖4b、圖4c和圖4g中，除了所示出的在噴嘴孔4.1的左邊的角度范圍α，還有在噴嘴孔4.1的右邊的同樣大的第二角度范圍α。為了更清楚起見，并未顯示在噴嘴孔4.1的左邊的角度范圍α，但是可以從圖2c和圖2d的觀察中推導出來。

在圖4f中角度范圍α僅僅在噴嘴孔4.1的左邊，同時恰好一個最小間隔c，但是在噴嘴孔的右邊沒有觀察到角度范圍α。

在圖4d中在噴嘴孔4.1的左邊和右邊各觀察到恰好一個相應的最小間隔c。角度范圍α不存在或等于0°。

在圖4e中僅僅觀察到噴嘴孔4.1的左邊的最小間隔c。

作為示例，在圖4e、圖4f、圖4g和圖4h中示出同樣的非對稱的實施方式。

作為示例，圖5a至圖5c顯示了一種這樣的裝置：其包括電極2、噴嘴4和設(shè)置在電極2和噴嘴4之間的氣體通道3。圖5a和圖5b顯示等離子體割炬1的側(cè)視的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對于彼此旋轉(zhuǎn)90°。

等離子氣體PG流動通過氣體通道3的孔3.1而進入到電極2和噴嘴4之間的內(nèi)部空間4.2之間，并且離開噴嘴孔4.1。

噴嘴4被緊固至噴嘴保持架6。噴嘴4具有在朝向噴嘴孔4.1的方向上朝向噴嘴尖端以角γ4成圓錐形地逐漸減小的部分，在此作為示例，角γ4為48°。

電極2為直接地液體冷卻的；這意味著其通過接觸而直接接觸冷卻液體，冷卻液體在最簡單的情況下為水。冷卻液體流動通過冷卻管10進入到電極2的內(nèi)部空間中(冷卻劑供給WV1)并且重新返回通過冷卻管10和電極2之間的中間空間(冷卻劑返回WR1)。在此，電極2由發(fā)射插入件2.2和電極保持架2.1構(gòu)成。發(fā)射插入件2.2包括高熔點材料(例如，鉿、鎢或其合金)；并且電極保持架2.1由具有良好導熱性的材料(例如，銅、銀或其合金)形成。這確保了電極2的有效冷卻。

圖5c顯示了具有噴嘴孔4.1的噴嘴尖端的視圖。如果該裝置安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。在此，從噴嘴孔4.1的方向顯示了該裝置的外輪廓AK4，其與根據(jù)圖9c的噴嘴4的外輪廓AK4相同。

在噴嘴孔4.1的上方和下方觀察到在噴嘴孔4.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c4。這意味著，在該裝置的示例中，在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK4之間觀察到恰好兩個在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔c4。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，該裝置的外輪廓AK被配置成最小間隔c4在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，該裝置在一個方向上僅僅具有一個在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔c4。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4h的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK4在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK4之間具有至少一個最大間距d4，最大間距d4在以下的角度范圍中沿著噴嘴孔4.1的徑向定向，該角度范圍是在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c4的虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c4等于12mm，并且作為示例，最大間距d4等于19mm。最小間隔c4因此比最大間距d4的2/3小。

在此，噴嘴孔具有2.4mm的最小直徑d4.1并且適于通過至少200A的電流或甚至大于250A的電流切割。

作為示例，圖6a至圖6c顯示了一種這樣的裝置：其包括電極2、噴嘴4、布置在電極2和噴嘴4之間的氣體通道3、以及噴嘴蓋5。圖6a和圖6b顯示等離子體割炬1的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，其圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。該設(shè)計和功能對應于圖5a至圖5c中所描述的示例的設(shè)計和功能，從而可以省略詳盡的描述。相同的元件標注相同的附圖標記。

噴嘴4的外表面具有在朝向噴嘴孔4.1的方向上朝向噴嘴尖端以角γ4成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ4為80°。

噴嘴蓋5的外表面具有在噴嘴蓋孔5.1的方向上朝向噴嘴蓋尖端以角γ5成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ5為48°。

圖6c顯示了具有噴嘴孔4.1的噴嘴尖端和具有噴嘴蓋孔5.1的噴嘴蓋尖端的視圖。如果該裝置安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。在此，從噴嘴蓋孔5.1的方向上顯示了該裝置的外輪廓AK5，其與根據(jù)圖10c的噴嘴蓋5的外輪廓相同。

由于在該示例性裝置中，噴嘴孔4.1的中心和噴嘴蓋孔5.1的中心重合，故僅僅提及噴嘴孔4.1的中心和縱軸M1。

在噴嘴孔4.1的上方和下方觀察到在噴嘴孔4.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c5。這意味著，在該裝置的示例中，在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK5之間觀察到恰好兩個在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔c5。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，該裝置的外輪廓AK被配置成最小間隔c5在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，在該裝置中，在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓之間觀察到恰好一個沿著噴嘴孔4.1的徑向定向的最小間隔c5。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4j的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK5在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK5之間具有至少一個最大間距d5，最大間距d5在以下的角度范圍中在噴嘴孔4.1的徑向上定向：該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c5的虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)。示出了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c5等于12mm，并且作為示例，最大間距d5等于19mm。最小間隔c5因此比最大間距d5的2/3小。

在此，噴嘴孔具有2.4mm的最小直徑d4.1并且適于通過至少200A的電流或甚至大于250A的電流切割。

作為示例，圖7a至圖7c顯示了一種這樣的裝置：其包括電極2、噴嘴4、布置在電極2和噴嘴4之間的氣體通道3、噴嘴蓋5、噴嘴保護蓋8、以及布置在噴嘴蓋5和噴嘴保護蓋8之間的氣體通道7。圖7a和圖7b顯示等離子體割炬1的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對于彼此旋轉(zhuǎn)90°。

等離子氣體PG流動通過氣體通道3的孔3.1而進入到電極2和噴嘴4之間的空間4.2中，并且離開噴嘴孔4.1，并且之后離開噴嘴保護蓋孔8.1。

輔助氣體SG流動通過氣體通道7的孔7.1而進入到噴嘴蓋5和噴嘴保護蓋8之間的空間8.2中，并且離開噴嘴保護蓋孔8.1。

借助于噴嘴蓋5，噴嘴4被緊固至噴嘴保持架6。

在此，作為示例，噴嘴保護蓋8被緊固至噴嘴蓋5。還可以的是，噴嘴保護蓋8被緊固至炬本體10.1、緊固至噴嘴保持架6或緊固至等離子體割炬1的另一部件。一般來說，發(fā)生這樣的緊固：其允許噴嘴保護蓋8相對于噴嘴4的電絕緣。

噴嘴4的外表面具有在朝向噴嘴孔4.1的方向上朝向噴嘴尖端以角γ4成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ4為80°。

噴嘴蓋5的外表面具有在噴嘴蓋孔5.1的方向上朝向噴嘴蓋尖端以角γ5成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ5為100°。

噴嘴保護蓋8的外表面具有在噴嘴保護蓋孔8.1的方向上朝向噴嘴保護蓋尖端以角γ8成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ8為100°。

在其它方面，在該示例中的實施方式對應于圖5a至圖5c所示的示例和圖6a至圖6c中所示的示例。

圖7c顯示了具有噴嘴保護蓋孔8.1的噴嘴保護蓋尖端和在其中可見的具有噴嘴孔4.1的噴嘴尖端。如果該裝置安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。在此，從噴嘴保護蓋孔8.1的方向顯示了該裝置的外輪廓AK8，其與圖12c的噴嘴保護蓋8的外輪廓AK8相同。

由于在該示例性裝置中，噴嘴孔4.1的中心和噴嘴蓋孔5.1的中心以及與噴嘴保護蓋孔8.1的中心重合，故僅僅提及噴嘴孔4.1的中心且縱軸M1。

在噴嘴孔4.1的上方和下方觀察到沿著噴嘴孔4.1的徑向定向的相應的恰好一個最小間隔c8。這意味著，在該裝置的示例中，在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK8之間觀察到恰好兩個在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔c8。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，該裝置的外輪廓被配置成最小間隔c8在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，在一個方向上僅僅觀察到在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔c8。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4j的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK8具有在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK8之間的至少一個最大間距d8，最大間距d8在以下的角度范圍中在噴嘴孔4.1的徑向上定向，該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c8的虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c8等于14mm，并且作為示例，最大間距d8等于19mm。最小間隔c8因此比最大間距d8的3/4小。

在此，噴嘴孔4.1具有2.4mm的最小直徑d4.1并且適于通過至少200A的電流或甚至大于250A的電流切割。

作為示例，圖8a至圖8c顯示了一種這樣的裝置：其包括電極2、噴嘴4、布置在電極2和噴嘴4之間的氣體通道3、噴嘴蓋5、噴嘴保護蓋8、和布置在噴嘴蓋5和噴嘴保護蓋8之間的氣體通道7、以及噴嘴保護蓋保持架9。

與圖7a至圖7c的不同在于，噴嘴保護蓋8由噴嘴保護蓋保持架9保持。類似于圖7a至圖7c的噴嘴保護蓋8，噴嘴保護蓋保持架9被緊固至噴嘴蓋5或緊固至炬本體10、緊固至噴嘴保持架6、或緊固至等離子體割炬1的另一部件。

圖8a和圖8b顯示等離子體割炬1的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對于彼此旋轉(zhuǎn)90°。

圖8c顯示了具有噴嘴保護蓋孔8.1的噴嘴保護蓋尖端和在其中可見的具有噴嘴孔4.1的噴嘴尖端。如果該裝置安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。在此，從噴嘴保護蓋孔8.1的方向顯示了該裝置的外輪廓AK9，其與圖13c的噴嘴保護蓋保持架9的外輪廓和圖14c的裝置相同。

對圖7a至圖7c進行的其它方面的陳述也可以應用，但是不同是，噴嘴保護蓋保持架9的外輪廓AK9取代了噴嘴保護蓋8的外輪廓AK8。這還與這樣的事實相關(guān)：最小間隔c9取代了最小間隔c8，并且最大間距d9取代了最大間距d8。

圖9a至圖9d顯示了根據(jù)本發(fā)明的噴嘴4，其安裝在根據(jù)圖5a至圖5c的裝置中。圖9a和圖9b顯示噴嘴4的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，它們之間圍繞延伸通過噴嘴孔4.1的縱軸M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。噴嘴4具有在噴嘴孔4.1的方向上朝向噴嘴尖端以角γ4成圓錐形地逐漸減小的部分，在此作為示例，角γ4為48°。

圖9c顯示噴嘴尖端的視圖，其中可以識別噴嘴4的噴嘴孔4.1和外輪廓AK4。如果噴嘴4安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。

在噴嘴孔4.1的上方和下方觀察到相應的在噴嘴孔4.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c4。這意味著，在該示例中，該裝置具有在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK4之間的恰好兩個在噴嘴孔4.1的徑向上定向的最小間隔c4。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，外輪廓AK4被配置成最小間隔c4在最大120°的角度范圍α中延伸，或優(yōu)選地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，噴嘴4觀察到在噴嘴孔4.1的徑向上定向的恰好一個最小間隔c4。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4j的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK4在延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK4之間具有至少一個最大間距d4，最大間距d4在以下的角度范圍中在噴嘴孔4.1的徑向上定向：該角度范圍是在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c4的虛擬連接線圍繞噴嘴孔4.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c4等于12mm，并且作為示例，最大間距d4等于19mm。最小間隔c4因此比最大間距d4的2/3小。

圖9d顯示噴嘴4的與噴嘴尖端和噴嘴孔4.1相對的端部的、與圖9c相對的視圖。

噴嘴4的外輪廓AK4非圓形/圍繞縱軸M1非旋轉(zhuǎn)對稱。

在此，噴嘴孔具有2.4mm的最小直徑d4.1并且適于通過至少200A的電流或甚至大于250A的電流切割。

圖10a至圖10d顯示了根據(jù)本發(fā)明的噴嘴蓋5，其安裝在根據(jù)圖6a至圖6c的裝置中。圖10a和圖10b顯示噴嘴蓋5的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴蓋孔5.1的縱軸M1相對于彼此旋轉(zhuǎn)90°。噴嘴蓋5具有在噴嘴蓋孔5.1的方向上朝向噴嘴蓋尖端以角γ5成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ5為48°。

圖10c顯示噴嘴蓋尖端的視圖，其中可以看到噴嘴蓋5的噴嘴蓋孔5.1和外輪廓AK5。如果該噴嘴蓋5安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。

在噴嘴蓋孔5.1的上方和下方觀察到在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c5。這意味著，在該示例中，在延伸通過噴嘴蓋5的噴嘴蓋孔5.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK5之間觀察到恰好兩個在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的最小間隔c5。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，外輪廓被配置成最小間隔c5在最大120°的角度范圍α中觀察到，或更好地在最大70°的角度范圍α中觀察到。同樣可以的是，噴嘴蓋5在一個方向上具有在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的恰好一個最小間隔c5。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4h和圖15a至15d中類似推導出。

外輪廓AK5在延伸通過噴嘴蓋5的噴嘴蓋孔5.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK5之間具有至少一個在以下的角度范圍中在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的最大間距d5：該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c5的虛擬連接線圍繞噴嘴蓋孔5.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c5等于12mm，并且作為示例，最大間距d5等于19mm。最小間隔c5因此比最大間距d5的2/3小。

圖10d顯示噴嘴蓋5的與噴嘴蓋尖端和噴嘴蓋孔5.1相對的端部的、與圖10c相對的視圖。

噴嘴蓋5的外輪廓AK5非圓形/圍繞縱軸M1非旋轉(zhuǎn)對稱。

圖11a至圖11d顯示了根據(jù)本發(fā)明的具有噴嘴蓋5和氣體通道7的裝置，其可以安裝在根據(jù)圖7a至圖7c的裝置和圖8a至圖8c的裝置中。圖11a和圖11b顯示噴嘴蓋5的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴蓋孔5.1的縱軸M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。噴嘴蓋5具有在噴嘴蓋孔5.1的方向上朝向噴嘴蓋尖端以角γ5成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ5為100°。

圖11c顯示噴嘴蓋尖端的視圖，其中可以看到噴嘴蓋5的噴嘴蓋孔5.1和外輪廓AK5。如果該噴嘴蓋5安裝在等離子體割炬1中，則如圖7a至圖7c和圖8a至圖8c所示，其將布置在等離子體炬尖端1.25的方向上的噴嘴保護蓋8后方。

在噴嘴蓋孔5.1的上方和下方觀察到在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c5。這意味著，在該示例中，該布置具有在延伸通過噴嘴蓋5的噴嘴蓋孔5.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK5之間的恰好兩個在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的最小間隔c5。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，外輪廓AK5被配置成最小間隔c5在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，噴嘴蓋5在一個方向上具有在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的恰好一個最小間隔c5。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4h的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK5具有在延伸通過噴嘴蓋5的噴嘴蓋孔5.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK5之間的在以下角度范圍中在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的至少一個最大間距d5：該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c5的虛擬連接線圍繞噴嘴蓋孔5.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c5等于13mm，并且作為示例，最大間距d5等于19mm。最小間隔c5因此比最大間距d5的3/4小。

圖11d顯示噴嘴蓋5的與噴嘴蓋尖端和噴嘴蓋孔5.1相對的端部的、與圖11c相對的視圖。

噴嘴蓋5的外輪廓AK5非圓形/圍繞縱軸M1非旋轉(zhuǎn)對稱。

圖12a至圖12d顯示了根據(jù)本發(fā)明的噴嘴保護蓋8，其安裝在根據(jù)圖7a至圖7c的裝置中。圖12a和圖12b顯示噴嘴保護蓋8的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴保護蓋孔8.1的中心線M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。噴嘴保護蓋8具有在噴嘴保護蓋孔8.1的方向上朝向噴嘴保護蓋尖端以角γ8成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ8為100°。

圖12c顯示噴嘴保護蓋尖端的視圖，其中可以識別噴嘴保護蓋8的噴嘴保護蓋孔8.1和外輪廓AK8。如果該噴嘴保護蓋8安裝在等離子體割炬1中，則其將對應于等離子體炬尖端1.25。

在噴嘴保護蓋孔8.1的左側(cè)和右側(cè)觀察到在噴嘴保護蓋孔8.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c8。這意味著，在該布置的示例中，在延伸通過噴嘴保護蓋8的噴嘴保護蓋孔8.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK8之間觀察到在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的恰好兩個最小間隔c8。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，外輪廓AK8被配置成最小間隔c8在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，噴嘴保護蓋8在噴嘴保護蓋孔8.1的徑向上定向的方向上具有恰好一個最小間隔c8。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4j的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK8具有在延伸通過噴嘴保護蓋8的噴嘴保護蓋孔8.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK8之間的在以下的角度范圍中在噴嘴蓋孔5.1的徑向上定向的至少一個最大間距d8：該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c8的虛擬連接線圍繞噴嘴保護蓋孔8.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c8等于14mm，并且作為示例，最大間距d8等于19mm。最小間隔c8因此比最大間距d8的3/4小。

圖12d顯示與噴嘴保護蓋8的與噴嘴保護蓋尖端和噴嘴保護蓋孔8.1相對的端部的、與圖12c相對的視圖。

噴嘴保護蓋8的外輪廓AK8非圓形/圍繞縱軸M1非旋轉(zhuǎn)對稱。

圖13a至圖13d顯示了具有噴嘴保護蓋保持架9的實施方式，其可以安裝在根據(jù)圖8a至圖8c的布置中。圖13a和圖13b顯示噴嘴保護蓋保持架9的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴保護蓋保持架孔9.1的中心線M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。噴嘴保護蓋保持架9具有在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的方向上朝向噴嘴保護蓋保持架尖端以角γ9成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ9為48°。

圖13c顯示噴嘴保護蓋保持架尖端的視圖，其中可以識別噴嘴保護蓋保持架9的噴嘴保護蓋保持架孔9.1和外輪廓AK9。如果該噴嘴保護蓋保持架9安裝在等離子體割炬1中，則如圖8a至圖8c所示，其可以設(shè)置在等離子體炬尖端1.25的方向上的噴嘴保護蓋8后方。

在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的上方和下方觀察到在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c9。這意味著，在該示例中，該布置在兩個方向上具有在延伸通過噴嘴保護蓋保持架9的噴嘴保護蓋保持架孔9.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK9之間的在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的徑向上定向的恰好兩個最小間隔c9。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，外輪廓AK9被配置成最小間隔c9在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，在噴嘴保護蓋保持架9處，在一個方向上觀察到在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的徑向上定向的恰好一個最小間隔c9。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4j的示例和圖15a至15d的示例中推導出。

外輪廓AK9具有在延伸通過噴嘴保護蓋保持架9的噴嘴保護蓋保持架孔9.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK9之間的在以下的角度范圍中在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的徑向上定向的至少一個最大間距d9：該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c9的虛擬連接線圍繞噴嘴保護蓋保持架孔9.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c9等于14mm，并且作為示例，最大間距d9等于19mm。最小間隔c9因此比最大間距d9的3/4小。

圖13d顯示噴嘴保護蓋保持架9的與噴嘴保護蓋保持架尖端和噴嘴保護蓋保持架孔9.1相對的端部的、與圖13c相對的視圖。

噴嘴保護蓋保持架9的外輪廓AK9非圓形/圍繞縱軸M1非旋轉(zhuǎn)對稱。

圖14a至圖14c顯示了根據(jù)本發(fā)明的具有噴嘴保護蓋保持架9和噴嘴保護蓋8的裝置，其可以安裝在根據(jù)圖8a至圖8c的裝置中。噴嘴保護蓋保持架9與圖13a至圖13c的噴嘴保護蓋保持架9相同。噴嘴保護蓋8具有噴嘴保護蓋孔8.1，縱軸M1延伸通過噴嘴保護蓋孔8.1的中心。噴嘴保護蓋保持架9具有噴嘴保護蓋保持架孔9.1，縱軸M1同樣延伸通過噴嘴保護蓋保持架孔9.1的中心。圖14a和圖14b顯示噴嘴保護蓋8和噴嘴保護蓋保持架9的裝置的側(cè)視圖的截面呈現(xiàn)，這兩個圖之間圍繞延伸通過噴嘴保護蓋孔8.1的縱軸M1相對于彼此而旋轉(zhuǎn)90°。噴嘴保護蓋保持架9具有在噴嘴保護蓋保持架孔9.1的方向上朝向噴嘴保護蓋保持架尖端以角γ9成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ9為48°。

噴嘴保護蓋8具有在噴嘴保護蓋孔8.1的方向上朝向噴嘴保護蓋尖端以角γ8成圓錐形地逐漸減小的截面，在此作為示例，角γ8為100°。

圖14c顯示噴嘴保護蓋尖端的視圖，其中可以識別噴嘴保護蓋孔8.1和噴嘴保護蓋保持架9的外輪廓AK9。如果具有噴嘴保護蓋8和噴嘴保護蓋保持架9的布置安裝到等離子體割炬1中，則如圖8a至圖8c所示，其將對應于等離子體炬尖端1.25。

在噴嘴保護蓋孔8.1的上方和下方觀察到在噴嘴保護蓋孔8.1的徑向上定向的相應的恰好一個最小間隔c9。這意味著，在該示例中，該布置具有在延伸通過噴嘴保護蓋8的噴嘴保護蓋孔8.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK9之間的在噴嘴保護蓋孔8.1的徑向上定向的恰好兩個最小間隔c9。

在該實施方式中，角度范圍α不存在或其等于0°。然而，還可以的是，外輪廓AK9被配置成最小間隔c9在最大120°的角度范圍α中延伸，或更好地在最大70°的角度范圍α中延伸。同樣可以的是，在具有噴嘴保護蓋8和噴嘴保護蓋保持架9的布置中，在一個方向上觀察到在噴嘴保護蓋孔8.1的徑向上定向的恰好一個最小間隔c9。在此，省略了圖片說明圖，然而，其可以從圖4a至圖4h的示例中推導出。

外輪廓AK9具有在延伸通過噴嘴保護蓋8的噴嘴保護蓋孔8.1的中心的縱軸M1和外輪廓AK8之間的在以下的角度范圍中在噴嘴保護蓋孔8.1的徑向上定向的至少一個最大間距d9：該角度范圍在60°的最小角度β_min和120°的最大角度β_max之間、相對于最小間隔c9的虛擬連接線圍繞噴嘴保護蓋孔8.1的軸向向右或向左旋轉(zhuǎn)形成的。顯示了向右旋轉(zhuǎn)β_min到β_max的角度范圍。

在此作為示例，最小間隔c9等于14mm，并且作為示例，最大間距d9等于19mm。最小間隔c9因此比最大間距d9的3/4小。

圖14d顯示噴嘴保護蓋保持架9的與噴嘴保護蓋8和噴嘴保護蓋保持架9及噴嘴保護蓋孔8.1的布置的尖端相對的端部的、與圖14c相對的視圖。

噴嘴保護蓋保持架9和噴嘴保護蓋8的的外輪廓AK9非圓形/非旋轉(zhuǎn)對稱。

圖15a至圖15d示出觀察到等離子體炬尖端1.25時根據(jù)本發(fā)明的等離子體炬耐磨部件的不同實施方式。

在此作為示例，噴嘴保護蓋顯示在圖15a和圖15c中。

噴嘴保護蓋8和噴嘴保護蓋保持架9的顯示在圖15b和圖15d中。

在這方面，作為示例，示出了最小間隔c以及最大間距d。在圖15a和圖15b中顯示了多個示例，其中，有多個角度范圍α，在該角度范圍α中觀察到最小間隔c。在圖4a和圖4b中，角度范圍α等于67°。除了在噴嘴保護蓋孔8.1上方所示的角度范圍α，完全相同尺寸的第二角度范圍α還存在于噴嘴保護蓋孔8.1的下方。出于清楚的目的，該角度范圍未顯示，但是可以從圖2c和圖2d的觀察中推斷出。

在圖15c和圖15d中，角度范圍α僅僅存在于噴嘴保護蓋孔8.1上方，同時觀察到恰好一個最小間隔c(未顯示)，但是在噴嘴孔下方，不存在角度范圍α。

作為示例，在圖15c和圖15d中同樣地顯示了不對稱的實施方式。

圖16a至16d顯示分別具有兩個根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬1.1和1.2的示意性的不同視圖。等離子體割炬切割具有厚度t的工件20。省略了離開噴嘴孔的等離子體射流的呈現(xiàn)，因為它們的方向?qū)陔x開噴嘴孔的縱軸M1和縱軸M2。

在這方面，其為圖3a至圖3d顯示的等離子體割炬1以及圖6a至圖6c顯示的根據(jù)該示例的。等離子體割炬相對于彼此而布置在觀察到最小間隔c的相應的側(cè)面處。因此，作為示例，它們在此相對于彼此而布置在平坦的側(cè)面處。它們所謂地橫向于進給方向v和形成的切口F1、F2和F3直立。因此可以將導向通過相應的噴嘴的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1和縱軸M2以彼此之間盡可能小的間隔布置。這相對于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬有這樣的優(yōu)點：離開兩個等離子體割炬的各自噴嘴孔的等離子體射流相對于彼此的間隔可被保持為小的，并且可以容納操作所需要的所有元件。小的間隔是特別有利的，這是由于在此例如同時利用兩個或三個等離子體割炬切割輪廓中、特別是在切割邊緣、圓形和非線性形狀中所形成的輪廓的更高精度。由于在作為示例所示的等離子體割炬(其中最小間隔c等于12mm)中使用根據(jù)圖6a至圖6c的布置，并且因此還使用根據(jù)圖10a至10c的噴嘴蓋5，因而在縱軸M1和縱軸M2之間觀察到的間隔z1可以僅等于25mm。然后，1mm的最小間隔z11在此可以在兩個等離子體割炬的外輪廓之間觀察到。

而且，在圖16a至圖16d中顯示縱軸M1和縱軸M2，以及由此等離子體割炬1.1和等離子體割炬1.2相對于彼此而傾斜角δ1。角度范圍可以在兩個方向上選擇從0°到60°。

這是為用于制備焊縫的倒角的切割所需要的，其對于切割期間所產(chǎn)生的切割邊緣的不同角度來說是所需要的。對于此的示例尤其在DIN EN ISO 9692-2中闡述。所謂的Y縫的切割顯示在圖16b中。在這方面，具有寬度f1的切口F1并且之后具有寬度f2的傾斜切口F2通過幾乎垂直于工件20布置的等離子體割炬1.1來切割。然后，如圖16b中的工件20的右部分所示，結(jié)果是具有垂直邊t1的切割邊緣和切割邊緣的傾斜側(cè)面或倒角t2。

這樣的倒角的切割僅僅從10mm往前的工件厚度是有意義的，并且取決于應用還可以達50mm。合適的等離子體割炬可以切割的材料厚度取決于角δ1而明顯更大并且可以達1.5倍，即，15mm或75mm。在等離子體切割期間可以產(chǎn)生切割該材料厚度的電流達至少200A。然后，噴嘴4的噴嘴孔4.1具有至少1.7mm的直徑、更好地具有2.0mm至2.4mm的直徑。對于更大的材料厚度，通過更高的電流(例如，400A)以及更大的噴嘴孔的直徑(例如，具有大于3mm的直徑)進行切割。等離子體割炬及其構(gòu)造形狀因此必須適合于能夠可靠地傳輸電流并且同時能夠被盡可能彼此靠近地布置，以在切割期間實現(xiàn)盡可能高的待切割的工件的所需形狀的輪廓精度。如已經(jīng)在圖5a至圖8c中所示，這樣的等離子體割炬的至少一個耐磨部件可以為液冷的，該耐磨部件特別地為電極2、噴嘴4和/或噴嘴蓋5。

如圖1a至圖1c所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬具有圓形外輪廓，該輪廓在該電流范圍內(nèi)具有50mm的直徑，并且可以不像本發(fā)明中所使用的等離子體割炬一樣彼此那么靠近地布置。

在外輪廓AK和延伸通過噴嘴4的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1之間觀察到至少一個最小間隔c的至少一個虛擬連接線，該虛擬連接線從等離子體割炬相對于工件20的軸進給方向v傾斜一角度ε，角度ε最大30°，優(yōu)選最大15°、特別優(yōu)選最大5°，并且非常特別優(yōu)選與軸進給方向v平行定位。這顯示在圖16d和圖17d中。

圖17a至圖17d顯示了具有三個根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬1.1、1.2和1.3的布置的不同視圖。等離子體割炬切割具有厚度t的工件20。省略了離開噴嘴孔的等離子體射流的呈現(xiàn)，因為它們的方向?qū)陔x開噴嘴孔的縱軸M1、縱軸M2和縱軸M3。

在這方面，其為圖3a至圖3d顯示的等離子體割炬3，以及根據(jù)圖6a至圖6c顯示的根據(jù)該示例的布置。等離子體割炬1.1、1.2和1.3相對于彼此而布置在觀察到最小間隔c的相應的側(cè)面處。因此在此，它們在該側(cè)面處面向彼此對齊而布置，作為示例該側(cè)面是平坦的。它們例如垂直于軸向進給方向v和形成的切口F1、F2和F3對齊。因此可以將導向通過相應的噴嘴的噴嘴孔4.1的中心的縱軸M1、縱軸M2和M3盡可能彼此靠近地布置。這相對于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬有這樣的優(yōu)點：離開兩個等離子體割炬的各自噴嘴孔的等離子體射流相對于彼此的間隔可以是小的。小的間隔是特別有利的，這是由于在此例如同時利用三個等離子體割炬切割輪廓中、特別是在切割邊緣、圓形和非線性形狀中所形成的輪廓的更高精度。由于在作為示例所示的等離子體割炬1.1、1.2和1.3(其中最小間隔c為12mm)中使用根據(jù)圖6a至圖6c的布置，并且因此還使用根據(jù)圖10a至10c的噴嘴蓋5，因而必須在縱軸M1和縱軸M2之間觀察到的間隔z1和必須在縱軸M1和縱軸M3之間觀察到的間隔z2的每一者可以達25mm。然后，1mm的最小間隔z11和最小間隔z12在此可以在等離子體割炬1.1和等離子體割炬1.2之間的外輪廓AK之間以及等離子體割炬1.1和等離子體割炬1.3之間的外輪廓AK之間達到。等離子體割炬1.3和等離子體割炬1.2的縱軸M2和縱軸M3之間的最小間隔因此僅達到50mm。

而且，在圖17a至圖17d中顯示縱軸M1和縱軸M2、以及由此等離子體割炬1.1和等離子體割炬1.2可以相對于彼此而傾斜角δ1，并且顯示縱軸M1和縱軸M2、以及由此等離子體割炬1.1和等離子體割炬1.3相對于彼此而傾斜角δ2。角δ1和δ2的角度范圍可以在兩個方向上從0°達到60°。

這是用于制備焊縫的倒角的切割所需要的，其對于切割期間所產(chǎn)生的切割邊緣的不同角度來說是所需要的。對于此的示例尤其在DIN EN ISO 9692-2中闡述。所謂的DY縫的切割顯示在圖17b中。在這方面，具有寬度f3的傾斜切口F3通過這樣的等離子體割炬1.3形成：等離子體割炬1.3相對于等離子體割炬1.1傾斜角δ2。具有寬度f1的切口F1通過幾乎垂直于工件布置的等離子體割炬1.1形成，并且具有寬度f2的傾斜切口F2通過傾斜角δ1的等離子體割炬1.2形成。然后，如圖16b中的工件20的右部分所示，結(jié)果是具有垂直邊t1、上側(cè)面或倒角t2和下傾斜側(cè)面或倒角t3的切割邊緣(根據(jù)EN ISO 9692-2)。

這樣的倒角的切割僅僅從前方的16mm的工件厚度t是有意義的，并且取決于應用還可以達50mm。傾斜的等離子體割炬必須切割的材料厚度取決于角δ1和角δ2可以更大并且可以達1.5倍，即，24mm至75mm。在等離子體切割期間可以產(chǎn)生切割該材料厚度的電流達至少200A；然后，噴嘴4的噴嘴孔4.1具有至少1.7mm的直徑、更好地為2.0mm至2.4mm。對于更大的材料厚度，通過更高的電流(例如，400A)以及更大的噴嘴孔的直徑(例如，具有大于3mm的直徑)進行切割。等離子體割炬及其構(gòu)造形狀因此應當適合于能夠可靠地傳輸這樣的電流并且同時能夠被盡可能彼此靠近地布置，以在切割期間實現(xiàn)盡可能高的待切割的工件的所需形狀的輪廓精度。

如已經(jīng)在圖5a至圖8c中所示，這樣的等離子體割炬的至少一個耐磨部件可以為液冷的，該耐磨部件特別地為電極2、噴嘴4和/或噴嘴蓋5。

如圖1a至圖1c所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體割炬具有圓形外輪廓，該輪廓在該電流范圍內(nèi)具有50mm的直徑，并且在不背離待切割的所需輪廓或引起的質(zhì)量損失的情況下，可以不像根據(jù)本發(fā)明的等離子體割炬一樣彼此那么靠近地布置。