專(zhuān)利名稱(chēng)：具有紋理表面的流動(dòng)形成的室組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種制造用于基f反處理室的組件的方法，特別是有關(guān)于以流動(dòng) 形成制造具有紋理表面的組件的方法。
背景技術(shù)：
在處理如半導(dǎo)體晶片M示器等^S41時(shí)，將一141置于一處理室內(nèi)并暴露于 一能量化氣體中以便在基板上沉積或蝕刻材料。在此處理過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生處理殘 余物且可能沉積于處理室的內(nèi)表面上。舉例而言，在賊鍍沉積制程中，由一把材 '減鍍出來(lái)以沉積在一基板上的材料亦會(huì)沉積在處理室中的其它組件表面上，例如 沉積環(huán)、陰蔽環(huán)、室壁內(nèi)襯及聚焦環(huán)。在后續(xù)處理循環(huán)中，所沉積的處理殘余物 可能自處理室表面r剝離」而掉落并污染J41。為了減少基f反受處理殘余物的污 染，可使處理室中的組件表面具有紋理。將處理殘余物吸附至紋理表面且可抑制 處理殘余物剝落并避免污染處理室中的基板。傳統(tǒng)上，在多重步驟制程中制造具有紋理表面的組件。在第一制程步驟中， 制iti且件的外型或整體結(jié)構(gòu)，舉例而言，可將一塊金屬利用計(jì)算才A4史字控制(CNC) 切削成所需結(jié)構(gòu)。之后，利用一第二制程處理在切削后的組件上形成紋理表面。 舉例而言，表面紋理加工處理可包4舌研磨、J朱噴沙或纟炮光、或上述處理的組合。 在一情形中，名欠形成紋理表面，可通過(guò)將一電i茲能光束導(dǎo)向組件的一表面上，以 形成可良好吸附處理沉積物的凹陷及突起。此一表面的其中 一實(shí)施例為 LavacoatTM表面，其可見(jiàn)于，如Popiolkowski等人擁有的美國(guó)專(zhuān)利公告案 2003-0173526號(hào)(2003年9月18日/>^， 2002年3月13日申請(qǐng))；以及 Popiolkowski等人擁有的美國(guó)專(zhuān)利案6,812,471號(hào)(2004年"月2日核準(zhǔn))，此 處將二文獻(xiàn)整體納入本文中作為參照。LavacoatTM表面至少包含凹陷及突起，其 可供處理殘余物吸附至該處，以^更在基材處理過(guò)程中減^J^反的污染。然而，用來(lái)制造紋理組件的傳統(tǒng)制程通常很昂貴，因?yàn)樾枰嘀刂瞥滩襟E才 能形成該組件及其纟丈理表面。制造成本阻撓了纟丈理組件的大量實(shí)作，即便該組件4才是供了許多處理上的優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)制造制程的成本至少部份肇因于在這些制程中所 用的復(fù)雜的多步驟制程程序，以及昂貴的制造設(shè)備。舉例而言，組件制造4M成， 例如產(chǎn)生電磁能光束的儀器，非常昂貴且可能大幅增加該紋理組件的制造成本。當(dāng)用于整修表面紋理組件的洗凈制程在數(shù)個(gè)洗凈循環(huán)后腐蝕該組件時(shí)，組件 的制造時(shí)間及成本則成為更進(jìn)一步的問(wèn)題。
一旦殘余物已累積在紋理組件上時(shí)， 通常會(huì)執(zhí)行一洗凈處理以移除殘余物，并整修該組件以供重新使用。舉例而言，以至少包含竭酸(HN03)或氟化氫(HF)的溶液重復(fù)洗凈紋理組件終將腐蝕組件的 紋理表面，而通常需要以新制成的組件來(lái)取代該腐蝕組件。因此，制造新統(tǒng)理表 面組件的成本會(huì)不利地增加4喿作處理室的相關(guān)成本。因此，需要提出一種制造具有玟理的處理室組件的方法，其相較于傳統(tǒng)制造 制程更為廉價(jià)且有效率。更需要提出一具有可供處理殘余物良好吸附的紋理表面 的組件。


參照闡明本發(fā)明實(shí)施例的敘述內(nèi)容、所附申請(qǐng)專(zhuān)利范圍以及圖式可進(jìn)一步了 解本發(fā)明的上述特征、態(tài)樣、及優(yōu)點(diǎn)。然而，可以理解，這些特征的每一個(gè)通常 皆可用于本發(fā)明中，而不僅限于特定圖式中所繪示的情況，且本發(fā)明包括這些特 征的任意組合，其中圖式如下圖1A為部份側(cè)視剖面圖，繪示一種用以執(zhí)行一流動(dòng)形成制程的裝置的具體 實(shí)施例；圖1B為圖1A的裝置在流動(dòng)形成制程中處于不同位置時(shí)的另一^L圖； 圖2為部份側(cè)視剖面圖，繪示通過(guò)流動(dòng)形成制程所形成具紋理內(nèi)表面的組件； 圖3為部份前視剖面圖，繪示一用于流動(dòng)形成制程中具紋理表面的心軸具體 實(shí)施例；圖4為一部4分側(cè)面圖式，繪示一利用流動(dòng)形成制程所形成的屏蔽具體實(shí)施例；以及圖5為一部4分側(cè)面剖面圖，繪示具有一或多個(gè)流動(dòng)形成組件的處理室的具體 實(shí)施例。主要組件符號(hào)說(shuō)明20 內(nèi)表面22組件24預(yù)型體26心軸28紋理表面30a倒像特征30b突起34圖案36組件壁40第一端42尾座44縱軸46加壓裝置48壓力滾輪50外表面52裝置56軸承58表面圖案60浮凸突起60凹陷62交互的^62凹陷64 凹陷66轉(zhuǎn)角64相對(duì)應(yīng)^^70空心內(nèi)部區(qū)賴(lài)104絲105表面106處理室109處理區(qū)112氣體運(yùn)送系統(tǒng)114_&^反支撐件116氣體能量化器118外罩壁120屏蔽122排氣裝置124賊鍍輩&#125輔邊緣126蓋環(huán)128沉積環(huán)130支撐環(huán)132絕緣環(huán)134上表面135氣體通電線(xiàn)圈137線(xiàn)圈支撐件139處理套組141 夾合屏蔽164側(cè)壁166下壁168頂壁170電極172電源供應(yīng)174氣體來(lái)源176導(dǎo)管178閥180氣體分配器182氣體出口 186排氣導(dǎo)管 190排氣泵184排氣埠 188節(jié)流閥 192 電源供應(yīng)194控制器具體實(shí)施方式
基板處理室至少包含可用以在能量化氣體中處理基板的多個(gè)組件。所述組件 其中 一或多個(gè)包含一紋理表面，使得在基板處理過(guò)程中產(chǎn)生的處理沉積物能夠吸 附至該組件表面，以減j氐處理的基板受處理沉積物的污染。吸附至處理室組件的 故理表面的處理沉積物可包括^^金屬沉積物，例如包含下列至少 一個(gè)的沉積物 鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鋁、銅、鎢及氮化鴒。所選處理室組件22的紋理表面20以及組件本身的外型是通過(guò)一種適用于紋 理表面組件的流動(dòng)形成裝置及制程來(lái)形成的，例如，圖1A及1B中所示的裝置與 制程。該流動(dòng)形成裝置對(duì)預(yù)型體24施加壓力，以便將該預(yù)型體的材料塑性變形并 流過(guò)心軸26，以提供組件22所需的整體外型?？梢佬枰獊?lái)調(diào)整心軸26,以便在 與心軸26接觸的預(yù)型體24的表面20上形成一預(yù)定紋理圖案。舉例而言，心軸 26可能包含一故理表面28。在所施加的壓力下，組件材料的塑性變形可才莫塑該 預(yù)型體24的表面20,以符合心軸表面28的紋理，因此可將至少一部份的心軸表 面圖案轉(zhuǎn)移至最終處理室組件22上。通過(guò)提供一種特制成用以創(chuàng)造所需表面紋理 圖案34的心軸26,流動(dòng)形成制程可有效并重復(fù)形成不僅具有所需整體外型且具 有所需表面纟丈理圖案34的組件22。預(yù)型體24具有預(yù)先選4奪的尺寸及外型，該外型可形成所需要的最終組件22。 適用于一流動(dòng)形成制程的預(yù)型體外型可以是，例如圓錐形、圓柱形、似管狀及其 它形狀，其可在心軸26上;^塑并順形。傳統(tǒng)上，預(yù)型體具有圓形對(duì)稱(chēng)的軸，該軸 和心軸26的對(duì)稱(chēng)軸對(duì)齊。預(yù)型體24的壁36制造得夠厚，因而在經(jīng)過(guò)流動(dòng)形成 制程所造成的塑性變形后，組件22的壁能夠得到理想的最終厚度。舉例而言，預(yù) 型體壁36的厚度比組件壁厚度多出一計(jì)算量，舉例而言，至少5%，以達(dá)到最終 組件22的壁的理想最終厚度。預(yù)型體24是由具有相對(duì)較高a性的金屬所制成， 其可在壓力下塑性變形，且M上不^St成金屬破裂或裂痕。合適的金屬可至少包含，如下列至少一個(gè)鋁、銅、不銹鋼、鈦、及相關(guān)合金。形成預(yù)型體24的方 法可包括深壓成型、沖壓成型、CNC切削、壓型加工、以及習(xí)知技藝人士已知的 其它金屬外型制造方法。在流動(dòng)形成制程中，預(yù)型體24至少包含一內(nèi)表面20，其可貼附至少一部份 心軸26的玟理表面28,且可放置于心軸26的表面28上。心軸26為流動(dòng)形成 裝置52的一組件，該流動(dòng)形成裝置52至少包含適用于組件22的流動(dòng)形成的其 它部份。預(yù)型體24的第一端40可能是封閉或半封閉端，其可由一軸承56和/或 尾座42握持，該軸承56和/或尾座42能夠施加一液壓以便將預(yù)型體24保持在 適當(dāng)位置。心軸26通常會(huì)繞其縱軸44旋轉(zhuǎn)，舉例而言，通過(guò)一馬達(dá)(此處未顯 示)來(lái)同步旋轉(zhuǎn)心軸26與預(yù)型體24?？蓪⒁患訅貉b置46,例如壓力滾輪48, 作用于預(yù)型體24的外表面50上，以將預(yù)型體材料塑性變形并沿著心軸26的表 面28軸向流動(dòng)。在所示具體實(shí)施例中，壓力滾輪48朝向預(yù)型體24的第一端40移動(dòng)，以將 預(yù)型體材料朝向遠(yuǎn)離預(yù)型體24的第一端40的方向按壓而在心軸26上移動(dòng)。施 加高于其屈服強(qiáng)度的壓力下，壓縮并塑形該預(yù)型體材料，以沿著心軸26的表面 28軸向流動(dòng)該材料。因此，壓力滾輪48通過(guò)沿著心軸26流動(dòng)該預(yù)型體材料，以 減低預(yù)型體24的壁36的厚度并延長(zhǎng)預(yù)型體24的壁36的長(zhǎng)度。施加至外表面 50的壓力夠高足以塑性變形并流動(dòng)該預(yù)型體材料，且基本上不^St成材料破裂或 裂痕。所施加壓力會(huì)隨著正在形成的材料特性而改變。心軸及滾輪相距一界定距 離而作配置，該距離可為恒定距離或可變距離，以建立該完成部份的內(nèi)及外表面 間的關(guān)系。在一種態(tài)樣中，壓力滾輪48可至少包含外型為圓形的滾輪，其適合通 過(guò)一馬達(dá)(此處未顯示)以與心軸26的S走轉(zhuǎn)方向平行或反平4于的方向來(lái)旋轉(zhuǎn)，且 因此可在預(yù)型體24的外表面50上施加一徑向力。壓力滾輪48亦可至少包含一 前斜邊54，其可在預(yù)型體24的外表面50上施加一軸向力，以驅(qū)使預(yù)型體材料于 軸向方向上經(jīng)過(guò)心軸26的表面28。在一態(tài)樣中，在預(yù)型體24的外圍上間隔放置 數(shù)個(gè)壓力滾輪48，且所述壓力滾輪48亦可軸向及徑向M^目間隔，以便在預(yù)型體 外表面50的數(shù)個(gè)不同區(qū)域上施加壓力。該用于流動(dòng)形成制程的心軸26可才艮據(jù)意愿加以調(diào)整以4是供最終流動(dòng)形成組 件22所需的蒼體外型a面紋理圖案34。舉例而言，心軸26可至少包含適用于組件壁36的所需長(zhǎng)度的軸長(zhǎng)。心軸26亦可視需要而包含紋理表面28,其適合形 成一組件22的內(nèi)表面20所需的表面紋理圖案34。舉例而言，心軸26可至少包 含一紋理表面28，其具有一心軸表面圖案58,該圖案為處理室組件22所需的表 面紋理圖案34的倒傳減鏡像。形成于組件22的表面20上的表面纟丈理圖案34為 在流動(dòng)形成制程過(guò)程中施加壓力所產(chǎn)生的結(jié)果，該壓力將預(yù)型體材料按壓于心軸 表面28上，使得組件22的內(nèi)表面基本上呈現(xiàn)心軸表面28的輪廓。舉例而言， 對(duì)于包含浮凸突起60a及凹陷60b的心軸表面28，可將預(yù)型體材料按壓并流動(dòng) 至心軸表面28中的凹陷60b內(nèi)，以在組件22的表面上形成包含突起30b在內(nèi)的 相對(duì)應(yīng)倒像特征30包含的，如圖2中所示般。該預(yù)型體材料亦可沿著心軸表面 28上的突起60a流動(dòng)，以在組件表面20中形成包含凹陷30a的相對(duì)應(yīng)倒像特征 30?？筛鶕?jù)所需的表面紋理圖案34來(lái)選擇提供于心軸表面28的特征60，且其 可包含例如突起60a及凹陷60b，所述^60a及凹陷60b包含下列至少一個(gè) 卩f^、孑L洞、波紋(ridge)、凹槽、^J且件表面20可能需要的其它特征。在一態(tài)樣 中，心軸26甚至包含在該心軸表面28 —區(qū)域內(nèi)的突起60a及凹陷60b的尺寸與 分布(spacing)不同于該心軸表面28 —不同區(qū)域中突起60a及凹陷60b的尺寸及 分布。在心軸26上流動(dòng)形成組件22允許形成具有預(yù)定尺寸及，外型的組件22 的表面20,且可在該組件22的表面上同時(shí)形成一所需的表面紋理圖案34，因此 提供了 一種有效且改良的處理室組件22制造方式。在一態(tài)樣中，通過(guò)在一具有交錯(cuò)的突起62a及凹陷62b的心軸26上流動(dòng)形 成一組件22以提供一種改良的表面紋理圖案34，該心軸例如圖3中所示。該交 錯(cuò)的突起62a及凹陷62b在組件22的表面20中形成一倒像表面故理圖案34， 該倒像表面紋理圖案34包含相對(duì)應(yīng)突起64a及凹陷64b,以允許將J^f反104處 理過(guò)程中產(chǎn)生的處理殘余物吸附至紋理組件22的表面20，以減低殘余物造成的 J41104污染。心軸表面28中的突起62a可至少包含，舉例而言，墩丘或l^i, 其高度由心軸表面28的一平均表面高度/ 測(cè)量起，至少約為0.005至0.050英 寸。突起62a在其二分之一高度處的寬度可介于約0.07至0.070英寸間。心軸表 面28的凹陷62b的深度包含低于該平均表面高度/ 至少約0.005至0.050英寸， 且凹陷62b在其二分之一深度處的寬度介于約0.002至0.130英寸間。在流動(dòng)形 成組件22的表面20中形成的突起64b及凹陷64a的尺寸^上對(duì)應(yīng)于心軸突起62a及凹陷62b的尺寸。在一態(tài)樣中，紋理表面28至少包含一基本上欠缺銳角及銳邊的表面橫切面， 例如圖3中所示者。該正弦曲線(xiàn)橫切面至少包含一類(lèi)似正弦波的橫切面輪廓，且 具有根據(jù)所需的組件特性而選出的正弦曲線(xiàn)橫切面的波長(zhǎng)及振幅。該正弦曲線(xiàn)橫 切面提供一種平滑變化的表面并具有交錯(cuò)的突起62a及凹陷62b以增進(jìn)吸附處理 殘余物，并減低沉積殘余物可能因尖銳或突然表面轉(zhuǎn)換而發(fā)生的裂痕或斷裂。合 適的正弦曲線(xiàn)表面橫切面中，相鄰?fù)黄?2a間的波峰至波峰距離介于約0.015至 0.180英寸，JLA振幅介于約0.005至0.050英寸。在一態(tài)樣中，心軸表面28至 少包含一第一正弦曲線(xiàn)橫切面與一第二正弦曲線(xiàn)橫切面，該第一正弦曲線(xiàn)橫切面 圍繞包覆著至少一部份的該心軸26的軸44，如圖3中所示，該第二正弦曲線(xiàn)橫 切面沿著該心軸26的軸44縱向延伸，如圖1中所示。在理想的情形中，紋理表 面28基本上現(xiàn)欠缺銳角66以及銳邊，且取而代的的是其基本上包含圓角66及 圓邊。亦可特制地i殳計(jì)心軸26,用以形成復(fù)雜JL&本上非線(xiàn)性的表面紋理圖案34, 以便在基板104的處理中提供改良的結(jié)果。此種復(fù)雜的表面圖案使得在流動(dòng)形成 制程之后，難以自心軸26移除該流動(dòng)形成組件22。舉例而言，對(duì)于不允許組件 22由心軸26滑動(dòng)或扭轉(zhuǎn)的表面圖案34,自心軸26移開(kāi)組件22就非常具有挑戰(zhàn) 性。此種本身不易將組件22由心軸26扭轉(zhuǎn)或滑動(dòng)的表面圖案34是包含交錯(cuò)突 起64b及凹陷64a的表面圖案34,因?yàn)樾妮SAI且件突起62a、 64b可鎖定至心軸 及組件凹陷62b、 64a中。 一般而言，表面圖案34若未包含延伸至組件22至少 一端40的線(xiàn)性或螺旋凹陷30a，則將其自心軸26上移除時(shí)都可能面臨挑戰(zhàn)。在 一態(tài)樣中，借著使心軸26可至少部份可折迭，而適用于制造此種復(fù)雜表面圖案， 4吏卩得在流動(dòng)形成制程后，可輕易自心軸26上移除組件22。舉例而言，心軸26 可至少包含一空心內(nèi)部區(qū)段70,在流動(dòng)形成制程之后，可將心軸26的部份折迭 于該空心內(nèi)部區(qū),殳70中，以提供一種較小的心軸圓周并改善由心軸26移除組件 22的簡(jiǎn)易性。舉例而言，可將心軸26鉸接或以其它方式建構(gòu)，而4吏得心軸可在 其本身上收折。在又一態(tài)樣中，心軸26的表面28上的突起60a,例如正弦曲線(xiàn) 橫切面狄62a，能夠在流動(dòng)形成之后，將其收回至心軸的空心內(nèi)部區(qū)段70中， 以便由心軸表面28 「松脫」組件22。因此，該改良的心軸26得以在組件22上形成實(shí)質(zhì)欠缺沿著內(nèi)組件22的內(nèi)表面20長(zhǎng)度延伸的線(xiàn)性或螺旋凹陷的復(fù)雜表面 圖案34,且不限于實(shí)質(zhì)線(xiàn)形或螺旋的表面圖案。在另一態(tài)樣中，可通過(guò)一種適當(dāng)熱源加熱該組件，而將該流動(dòng)形成組件22 自心軸26移除。組件22的膨脹至足以使得其內(nèi)表面20脫離心軸26上的突起 64b與凹陷64a的高度，而呈解開(kāi)狀態(tài)，而得以由心軸26移除組件22。所需的 熱量隨著心軸26上突起64b及凹陷64a的深度以Ai且件材料的熱脹是數(shù)而不同。圖4繪示一種由流動(dòng)形成制程所制造的組件22的實(shí)施例。組件22至少包含 一屏蔽120，舉例而言其適用于一沉積室106。由一預(yù)型體24形成組件22,預(yù) 型體24至少包含圓柱形側(cè)壁36，可在流動(dòng)形成制程中將圓柱形側(cè)壁36按壓至所 需的屏蔽壁長(zhǎng)度M度。具有屏蔽120的組件22的內(nèi)表面20包含所需的表面紋 理圖案34(此處未顯示)，以供處理殘余物吸附至該處以減^^j"已處理基板104 的污染。因此，該流動(dòng)形成方法能夠在一單一處理步驟中，提供具有所需的整體 外型及表面紋理的組件22，因而提供了 一種更有效率且可重復(fù)形成組件22的方 式。將由流動(dòng)形成方法所形成的不同態(tài)樣的具紋理表面20組件22用于一基板處 理室106中，圖5中顯示了勤反處理室的示范性實(shí)施例。處理室106為一多處理 室平臺(tái)(此處未顯示)的一部份，多處理室平臺(tái)具有由一積4成手臂機(jī)構(gòu)互相連結(jié) 的處理室所構(gòu)成的群集設(shè)備， 一機(jī)械手臂機(jī)構(gòu)可在所述處理室106的間輸送J^反 104a。在所示的實(shí)施例中，處理室106至少包含一賊鍍沉積室，亦稱(chēng)為一種物理 氣相沉積或PVD處理室，其能夠?qū)⒉牧腺\鍍沉積于一基板104a上，例如下列的 一或更多個(gè)材料鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈥、銅、鎢、及氮化鴒、及鉛等。處理 室106至少包含外罩壁118其可圈圍出一處理區(qū)109且外罩壁118包括多個(gè)側(cè) 壁164、 一下壁166及一頂壁168?？稍谒鰝?cè)壁164及頂壁168間放置一支撐 環(huán)130,以支撐頂壁168。其它處理室壁可包括一或多個(gè)屏蔽120以便將外罩壁 118與賊鍍環(huán)境隔絕開(kāi)來(lái)。處理室106至少包含一基板支撐件114，以支撐'減鍍沉積室106中的J4反。 !41支撐件114可電子漂浮或可包含一電極170,其可由例如RF電源供應(yīng)等電 源供應(yīng)172進(jìn)行偏壓?；逯渭?14亦可支撐其它晶片104例如一可移動(dòng)擋片 (shutter disc)104b，當(dāng)J^反104a不存在時(shí)，其可保護(hù)支撐件114的上表面134。ii在操作時(shí)，經(jīng)由位于處理室106的一側(cè)壁164中的一基板栽入口 (此處未顯示) 將基板104a引入處理室106中，并將基板104a放置于支撐件114上。在輸送 基敗104a進(jìn)出處理室106的過(guò)程中，可由支撐升降伸縮裝置來(lái)抬高或低該支撐 件114,且可利用一升降指部組件(此處未顯示)將1^反抬高或降低至支撐件114 上。支撐件114亦可包含一或多個(gè)環(huán)，例如一蓋環(huán)126或沉積環(huán)128,其可覆蓋 支撐件114的上表面134的至少一部份，以抑制支撐件114的腐蝕。在一態(tài)樣中， 沉積環(huán)128至少部份環(huán)繞該基板104a,以保護(hù)支撐件114未#^板104a所覆蓋 住的部份。蓋環(huán)126環(huán)繞并覆蓋至少一部份的沉積環(huán)128,且可減低粒子在沉積 環(huán)128及下方支撐件114 二者上的沉積。經(jīng)由一氣體運(yùn)送系統(tǒng)112將一處理氣體，例如一'減鍍氣體，導(dǎo)入處理室106 中，氣體運(yùn)送系統(tǒng)112包括一處理氣體供應(yīng)，其包含一或多個(gè)氣體來(lái)源174，所 述氣體來(lái)源174個(gè)別可饋送至一導(dǎo)管176,該導(dǎo)管176具有一氣體流動(dòng)控制閥 178，例如一質(zhì)量流動(dòng)控制器，以便在其中傳送一設(shè)定流動(dòng)速率的氣體。導(dǎo)管176 可將氣體饋送至一混合歧管(此處未顯示)，氣體可在其中混合以形成一所需的處理氣體組成。該混合歧管可饋送氣體至一氣體分配器180其在處理室106中具 有一或多個(gè)氣體出口 182。該處理氣體可包含一惰性氣體，例如氬或氙，其能夠 積極沖擊一單&#并自革&#濺鍍出#&#材料。處理氣體可亦至少包含一反應(yīng)性氣體， 例如下列的一或更多個(gè)含氧氣體及一含氮?dú)怏w，其能夠和賊鍍的材料反應(yīng)，以 便在基板104a上形成一膜層。可經(jīng)由一排氣裝置122將使用過(guò)的處理氣體及副 產(chǎn)品由處理室106排出，該排氣裝置包括一或多個(gè)排氣埠184其可接收使用過(guò)的 處理氣體并將該4吏用過(guò)的氣體傳送到一排氣導(dǎo)管186，其中有一節(jié)流閥188用以 控制處理室106中氣體的壓力。排氣導(dǎo)管186可饋入一或多個(gè)排氣泵190。傳統(tǒng) 上，將處理室106中的賊鍍氣體的壓力設(shè)定為低于大氣壓程度。賊鍍處理室106至少更包含一濺鍍耙材124,把材124面對(duì)基板104a的一 表面105且至少包含將賊鍍至^S^反104a上的材料，材料例如，下列至少一個(gè) 鉭、氮化鉭?？赏ㄟ^(guò)一環(huán)狀絕緣環(huán)132將耙材124與處理室106電性隔離開(kāi)來(lái)， 并該把材124是連4妄至一電源供應(yīng)192。把材124可至少包含一耙材背襯板，該 輩巴材背襯板具有暴露于處理室106中的一輩巴材邊緣125。賊鍍處理室106亦具有一屏蔽120以保護(hù)處理室106的一壁118不致接觸'減鍍的材料。屏蔽120可至 少包含一似壁圓柱形外型，其具有上方及下方屏蔽部份120a、 120b，可防護(hù)處 理室106的上方及下方區(qū)域。在圖4所示的實(shí)施例中，屏蔽120具有裝配至該支 撐環(huán)130的一上方部份120a以及裝配至蓋環(huán)126的下方部份120b。亦可提供一 夾合裝置屏蔽(clamp shield)141，其至少包含一夾環(huán)，以便將上方及下方屏蔽部 份120a、 b夾合在-"^。亦可利用替代性屏蔽組態(tài)，例如內(nèi)部及外部屏蔽。在一 態(tài)樣中，電源供應(yīng)192、耙材124A^蔽120的其中一者或多個(gè)可作為能夠能量 化該賊鍍氣體以自耙材124濺擊出材料的氣體能量化器116。相對(duì)于屏蔽120， 電源供應(yīng)192可施加一偏壓給耙材124。在處理室106中由所施加的電壓產(chǎn)生的 電場(chǎng)能夠能量化該賊鍍氣體以形成一電漿，該電漿能夠積極沖擊并撞擊l巴材124 以便將材料自爽材124賊鍍下來(lái)并轉(zhuǎn)移到基板104a上。具有電極170及支撐電 極電源供應(yīng)172的支撐件114亦可作為氣體能量化器116的一部份，其可能量化 由耙材124濺擊下來(lái)的離子化材料并使的加速朝向基板104a。此外，可提出一氣 體能量化線(xiàn)圈135，其是由一電源供應(yīng)192供電且是置于處理室106中，以提供 經(jīng)強(qiáng)化的能量化氣體棒l"生，例如改良的能量化氣體密度?？捎蛇B接至一屏蔽120 或處理室106中的另一壁的一線(xiàn)圏支撐件137來(lái)支撐氣體能量化線(xiàn)圈135?？捎梢豢刂破?94來(lái)控制處理室106，該控制器至少包含 一具有指令集的 程序代碼，用以操作處理室106的多個(gè)組件于該處理室106中處理該基板104a。 舉例而言，控制器194可至少包含一14反定位指令集，其可操作基板支撐件114 ;5^^反運(yùn)輸裝置的一或多個(gè)以將基板104a定位于處理室106中； 一氣體流動(dòng)控 制指令集，其可操作流動(dòng)控制閥178以設(shè)定'減鍍氣體流動(dòng)至處理室106; —?dú)怏w 壓力控制指令集，其可操作排氣節(jié)流閥188以維持處理室106中的一壓力； 一氣 體能量化器控制指令集，其可操作氣體能量化器116以設(shè)定一氣體能量化的電量 程度； 一溫度控制指令集，其可用于控制處理室106中的溫度；以及一處理監(jiān)控 指令集，其可用于監(jiān)控處理室106中的制程。具紋理表面20的處理室組件22可至少包含，例如，氣體運(yùn)送系統(tǒng)112、基 板支撐件114、處理套組139、氣體能量化器116、處理室外罩壁118M蔽120、 或處理室106的氣體排氣裝置122等不同工藝領(lǐng)域。舉例而言，具紋理表面20 的處理室組件22可包括一處理室外罩壁118、 一處理室屏蔽120、 一,巴材124、一輩e射邊緣125、 一處理套組139的一組件(例如一蓋環(huán)126及一沉積環(huán)128至 少一個(gè))、 一支撐環(huán)130、絕緣環(huán)132、 一線(xiàn)圏135、線(xiàn)圏支撐件137、擋片104b、 夾合屏蔽141、及一部份的14l支撐件114。舉例而言，具紋理表面的組件可包 括應(yīng)用材料公司的產(chǎn)品編號(hào)0020~50007 、 0020-50008 、 0020-50010 、 0020-50012、 0020-50013、 0020-48908、 0021—23852、 0020^8998、 0020—52149、 0020—51483、 002049977、 0020-52151、 0020~48999 、 0020^48042及0190~14818，來(lái)自Applied Materials, Santa Clara, California。 此組件清單僅為例示，且其它組件或來(lái)自其它類(lèi)型處理室的組件亦可具有紋理表 面；因此，本發(fā)明不應(yīng)限于所列或此處所示的組件。此處參照本發(fā)明的某些較佳具體實(shí)施例來(lái)描#發(fā)明；然而亦可能有其它實(shí) 施例。舉例而言，流動(dòng)形成組件可用于其它類(lèi)型的應(yīng)用中，例如，習(xí)知技藝人士 可輕易了解其可作為蝕刻室的組件。亦可利用其它的流動(dòng)形成裝置組態(tài)，且亦可 提出除了此處具體所述的圖案以外的心軸表面圖案。此外，習(xí)知技藝人士可輕易 了解到，亦可參照所述實(shí)施例的參lt來(lái)運(yùn)用和本文所述流動(dòng)形成方法等效的替代 性步驟。因而，權(quán)利要求的精神及范圍不應(yīng)限于此處所述的較佳具體實(shí)施例的描 述。
權(quán)利要求
1.一種制造用于一基板處理室的一組件的方法，該方法至少包含(a)提供一具有內(nèi)表面及外表面的預(yù)型體；(b)提供一具紋理表面的心軸，該紋理表面的紋理特征圖案至少包含多個(gè)循環(huán)且交錯(cuò)的突起及凹陷(c)將該預(yù)型體的內(nèi)表面和該心軸的紋理表面接觸；以及(d)施加一壓力至該預(yù)型體，該壓力夠高而足以塑性變形該預(yù)型體并導(dǎo)致該預(yù)型體的內(nèi)表面在心軸的紋理表面上流動(dòng)，以形成一具紋理內(nèi)表面的組件，該紋理內(nèi)表面包含一紋理特征圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的(d)步驟包含形成一具紋 理內(nèi)表面的組件，且該紋理內(nèi)表面欠缺沿著該紋理內(nèi)表面的長(zhǎng)度延伸的線(xiàn) 性或螺旋凹陷。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的(b)步驟包含提供一具有 交錯(cuò)突起與凹陷的圖案的心軸，所述突起與凹陷具有至少 一下列特征(i) 所述突起的高度約介于0.005至0.050英寸；(ii) 所述突起在二分之一高度處的寬度約介于0.007至0.070英寸；(iii) 所述凹陷的深度約介于0.005至0.050英寸；(iv) 所述凹陷在二分之一深度處的寬度約介于0.002至0.130英寸；以及(v )所述突起及凹陷構(gòu)成的圖案包含一正弦曲線(xiàn)橫切面。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的(b)步驟包含提供一心軸， 其具有至少一下列特征(i)一紋理表面，其包含多個(gè)紋理特征，所述紋理特征基本上不具有 4兌角及4兌邊；以及(ji)該心軸至少部份可折迭。
5. 如權(quán)利要奉1所述的方法，其中上述的(a)步驟包含提供一預(yù)型 體，其具有圓柱形側(cè)壁且該圓柱形側(cè)壁包含該內(nèi)表面及外表面。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中在上述(d)步驟中，通過(guò)加熱該 組件并使得該組件的內(nèi)表面膨脹超過(guò)該心軸的突起的高度，以便自該心軸 移除該組件。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的(d)步驟至少包含通過(guò)在
8. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中上述的預(yù)型體至少包含下列至少一 個(gè)鋁、銅、不銹鋼、鈦及前述材料的合金。
9. 一種如權(quán)利要求1所述方法所形成用于一基板處理室的組件，其中 該組件包含下列至少一個(gè) 一處理室外罩壁、 一處理室屏蔽、 一乾材、一 靶材邊緣、 一處理套組的一組件、 一蓋環(huán)、 一沉積環(huán)、 一支撐環(huán)、 一絕緣 環(huán)、 一線(xiàn)圈、 一線(xiàn)圈支撐件、 一擋片、 一夾合屏蔽及一基板支撐件。
全文摘要
一種制造用于基板處理室的組件的方法，其涉及提供一具有內(nèi)表面及外表面的預(yù)型體，及提供一心軸，該心軸具有一紋理表面且其紋理特征圖案至少包含突起及凹陷。該預(yù)型體組件的內(nèi)表面和心軸的紋理表面接觸，且對(duì)預(yù)型體的外表面施加一壓力。該壓力高到足以將該預(yù)型體塑性變形而覆蓋在心軸的紋理表面，以形成具紋理內(nèi)表面的組件，其紋理內(nèi)表面至少包含紋理特征的圖案，該紋理特征圖案的外型及尺寸是設(shè)計(jì)成可吸附基板處理中產(chǎn)生的處理殘余物。
文檔編號(hào)B21D53/00GK101263243SQ200680033049
公開(kāi)日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2006年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月9日
發(fā)明者A·韋斯希, J·F·薩莫斯, J·蒂勒, M·O·施韋策, S·E·阿布尼, S·迪克森 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料股份有限公司