專利名稱：發(fā)光二極管、背光模塊及液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管、背光模塊及液晶顯示裝置，且特別是涉及一種電極為光柵的發(fā)光二極管、背光模塊及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體科技的進(jìn)步，發(fā)光二極管已被大量使用，以提供電子裝置所需的光源，例如交通號志、大型看板、掃描器、液晶顯示裝置等。一般常見的發(fā)光二極管屬于一種半導(dǎo)體元件，其材料通常是使用III-V族元素如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等。發(fā)光二極管的發(fā)光原理是將電能轉(zhuǎn)換為光，也就是對上述的化合物半導(dǎo)體施加電流，通過電子、空穴的結(jié)合而將能量以光的型態(tài)釋放出來，進(jìn)而達(dá)到發(fā)光的效果。由于發(fā)光二極管具有反應(yīng)速度快(約為10_9秒)、體積小、用電省、污染低(不含水銀)、可靠度高、適合量產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，因此有以發(fā)光二極管取代傳統(tǒng)的日光燈與白熾燈泡的趨勢。然而，當(dāng)發(fā)光二極管應(yīng)用于需要極化光源的光學(xué)系統(tǒng)中(例如液晶顯示裝置)，則必須在光學(xué)系統(tǒng)中加入極化轉(zhuǎn)換構(gòu)件，使得發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光源通過極化轉(zhuǎn)換構(gòu)件產(chǎn)生具有特定極化方向的光。圖1為已知的一種液晶顯示裝置的示意圖。液晶顯示裝置100 包括背光模塊110、多個偏振片120以及液晶顯示面板130。背光模塊110所產(chǎn)生的光，并不具有特別的極化態(tài)，而是包含P極化與S極化所結(jié)合的光，因此需要藉助偏振片120以得到極化光源。但是，偏振片120不僅使整體液晶顯示裝置100的成本增加，且在經(jīng)極化轉(zhuǎn)換時， 極化方向平行偏振片120穿透軸的光能穿透偏振片120，而極化方向垂直偏振片120的穿透軸的光則會被偏振片120所吸收，故僅會有部分的光通過偏振片120而擋住大部分的光。 因此，使得背光模塊110的光源利用率偏低，也因而造成液晶顯示裝置100的能源使用效率不高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管，用以產(chǎn)生具有單一偏振方向的光源。本發(fā)明另提供一種背光模塊，用以提供單一偏振的光源。本發(fā)明又提供一種液晶顯示裝置，具有優(yōu)選的光利用率。本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管，包括半導(dǎo)體層、第一電極以及第二電極。半導(dǎo)體層包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中發(fā)光層位于第一型摻雜半導(dǎo)體層與第二型摻雜半導(dǎo)體層之間。第一電極電性連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層，第二電極電性連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層。第二電極為光柵，適于讓具有第一偏振方向的光通過，且適于反射具有第二偏振方向的光。其中，第一偏振方向垂直于第二偏振方向。在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)光二極管還包括基板。第一型摻雜半導(dǎo)體層位于基板上， 發(fā)光層位于第一型摻雜半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，第二型摻雜半導(dǎo)體層位于發(fā)光層上。第一電極位于第一型摻雜半導(dǎo)體層未配置發(fā)光層的區(qū)域上，而第二電極位于第二型摻雜半導(dǎo)體層上。此外，上述的基板的材料例如包括藍(lán)寶石。另外，上述的基板例如具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的發(fā)光層具有表面粗化結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵(InGaN)，適于發(fā)出波長為625 630納米(nanometer，nm)的紅光，此時該第二電極的光柵間距小于390納米。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為 530 535納米的綠光，此時該第二電極的光柵間距小于290納米。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的半導(dǎo)體層的材料包括氮化鎵(GaN)，適于發(fā)出波長為 450 470納米的藍(lán)光，此時該第二電極的光柵間距小于255納米。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的第一電極與第二電極的材料包括金屬。在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)光二極管還包括封裝標(biāo)示，用以顯示第一偏振方向或第二偏振方向。本發(fā)明另提出一種背光模塊，包括光學(xué)板以及多個上述的發(fā)光二極管。光學(xué)板具有入光面及出光面，這些發(fā)光二極管配置在入光面旁。在本發(fā)明的實(shí)施例的背光模塊中，上述的光學(xué)板為導(dǎo)光板，且入光面鄰接于出光面。在本發(fā)明的實(shí)施例的背光模塊中，上述的光學(xué)板為擴(kuò)散板，且入光面與出光面相對。本發(fā)明又提供一種液晶顯示裝置，包括上述的背光模塊以及液晶顯示面板。液晶顯示面板配置于出光面上。在本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置中，還包括第一偏振片，配置在液晶顯示面板上，且遠(yuǎn)離背光模塊。在本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置中，還包括第二偏振片，配置在該液晶顯示面板及該背光模塊之間。本發(fā)明采用電極為光柵的發(fā)光二極管，因此可通過光柵的特性，使發(fā)光二極管產(chǎn)生具有單一偏振方向的光源，而此發(fā)光二極管可應(yīng)用于背光模塊。通過在液晶顯示裝置中使用此背光模塊，得以大幅提升光源的使用效率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖， 作詳細(xì)說明如下。


圖1為已知的一種液晶顯示裝置的示意圖。圖2A為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B為圖2A的發(fā)光二極管于發(fā)光時的示意圖。圖3A為本發(fā)明的實(shí)施例的背光模塊的示意圖。圖;3B為圖3A的背光模塊的局部俯視圖。圖3C為本發(fā)明的另一實(shí)施例的背光模塊的剖面圖。圖4為本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的示意圖。附圖標(biāo)記說明
100 液晶顯示裝置110 背光模塊120 偏振片130 液晶顯示面板200 發(fā)光二極管210 基板220 半導(dǎo)體層222 第一型摻雜半導(dǎo)體層224:發(fā)光層226 第二型摻雜半導(dǎo)體層230:第一電極M0:第二電極250 導(dǎo)線260 封裝標(biāo)示300、300，背光模塊310,310'光學(xué)板312,312'入光面314,314'出光面320 框架400 液晶顯示裝置410 液晶顯示面板420 第一偏振片430 第二偏振片440 夕卜框L 光線Lp 具有第一偏振方向的光線Ls 具有第二偏振方向的光線P:第一偏振方向Re 再發(fā)光Rs, Rs'散射光S:第二偏振方向T 光柵間距
具體實(shí)施例方式圖2A為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖2A，發(fā)光二極管200 包括基板210、半導(dǎo)體層220、第一電極230以及第二電極M0?；?10材料可以為藍(lán)寶石、碳化硅、硅、砷化鎵或氮化鋁，本發(fā)明并不對其做限定。半導(dǎo)體層220包括第一型摻雜半導(dǎo)體層222、發(fā)光層2M以及第二型摻雜半導(dǎo)體層 226。第一型摻雜半導(dǎo)體層222設(shè)置于基板210上，發(fā)光層2M設(shè)置于第一型摻雜半導(dǎo)體層 222的部分區(qū)域上，且位于第一型摻雜半導(dǎo)體層222與第二型摻雜半導(dǎo)體層2 之間，而第二型摻雜半導(dǎo)體層2 設(shè)置于發(fā)光層222上。第一電極230設(shè)置于第一型摻雜半導(dǎo)體層222未配置發(fā)光層224的區(qū)域上，并電性連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層222。第二電極240設(shè)置于第二型摻雜半導(dǎo)體層2 上，并電性連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層226。其中，第二電極240制作成光柵。第一電極230與第二電極240的材料可以為鋁、鉬或其它導(dǎo)電材料。傳統(tǒng)的發(fā)光二極管為避免金屬遮掉發(fā)光二極管所發(fā)出的光，意即為提升出光量， 故無法使用一般金屬而采用透明電極(氧化銦錫，Indium Tin Oxide, IT0)；然而透明電極的電阻過大，所以需以較大的電壓驅(qū)動發(fā)光二極管。如此一來使得發(fā)光二極管的溫度上升， 又因發(fā)光二極管的溫度上升則其發(fā)光亮度則會下降，并且部分的能量以熱能的形式損耗。本發(fā)明因?qū)⒌诙姌O240圖案化為光柵狀，所以第二電極240可以使用一般金屬， 使得發(fā)光二極管200所發(fā)出的光可由光柵狀的第二電極240出光而不會被金屬所遮蔽掉， 因此可以選擇不透明但阻值較低的金屬作為第二電極240使用，如此一來發(fā)光二極管200 可以以較小的電壓驅(qū)動，以降低發(fā)光二極管200操作時的溫度，并進(jìn)一步的提升發(fā)光二極管200的發(fā)光亮度。再進(jìn)一步地說明，在本實(shí)施例中，發(fā)光二極管200還包括連接于第一電極230與第二電極MO的導(dǎo)線250。經(jīng)由導(dǎo)線250施加電壓于第一電極230與第二電極MO，以驅(qū)動第一型摻雜半導(dǎo)體層222與第二型摻雜半導(dǎo)體層2 分別產(chǎn)生電子與空穴。同時，通過電子與空穴的移動并于發(fā)光層224中結(jié)合而發(fā)光。圖2B為圖2A的發(fā)光二極管于發(fā)光時的示意圖。請參考圖2B，發(fā)光層2M所發(fā)出的光線L并不具有單一偏振方向，而是可分成第一偏振方向P (例如P極化光)與第二偏振方向S (例如S極化光)，且其中第一偏振方向P垂直于第二偏振方向S。通過以光柵的形式呈現(xiàn)的第二電極MO的作用，使得光線L中具有第一偏振方向 P的光線Lp通過，而光線L中具有第二偏振方向S的光線Ls則被反射。在本實(shí)施例中，當(dāng)具有第二偏振方向S的光線Ls經(jīng)光柵反射后遇到發(fā)光層224，便會產(chǎn)生散射光Rs。此散射光Rs的偏振方向不再相同于原本的光線Ls，而是同時具有第一偏振方向P與第二偏振方向 S，因此光線Rs入射到光柵時，光線Rs中具有第一偏振方向P的部分光線則可穿透光柵，提升極化光的出光率。另外，可在發(fā)光層2M上設(shè)計表面粗化結(jié)構(gòu)(未繪示)以加強(qiáng)散射的效率。因?yàn)楣鈻诺牟牧蠟榻饘伲詽M足極化分光的入射角角度范圍較大。再者，自第二電極240反射至發(fā)光層224的光線Ls亦可被發(fā)光層2M所吸收，并再發(fā)出同時具有第一偏振方向P與第二偏振方向S的再發(fā)光Re。另一方面，光線Ls亦會穿透發(fā)光層2M入射至第一型摻雜半導(dǎo)體層222或基板 210。當(dāng)光線Ls遇到第一型摻雜半導(dǎo)體層222或基板210時會產(chǎn)生散射光Rs’，而散射光 Rs’的偏振方向不再相同于原本的光線Ls，而是同時具有第一偏振方向P與第二偏振方向 S，光線Rs’向上穿過發(fā)光層2M而入射至光柵，此時光線Rs’中具有第一偏振方向P的部分光線則可穿透光柵，提升極化光的出光率。另外，可在第一型摻雜半導(dǎo)體層222或基板210 上設(shè)計有表面粗化結(jié)構(gòu)(未繪示)以加強(qiáng)散射效果。在本實(shí)施例中，由于第二電極240為光柵，因此可設(shè)定其光柵間距T而調(diào)整繞射出光的階數(shù)，以依需求而使出光集中為0階的正向出光或是控制在所需要的出光角度的范圍內(nèi)。例如當(dāng)半導(dǎo)體層220材料為氮化銦鎵(InGaN)，則適合發(fā)出波長為625 630納米(nanometer, nm)的紅光，此時光柵間距T需小于390納米；當(dāng)半導(dǎo)體層220材料為氮化銦鎵(InGaN)，則適合發(fā)出波長為530 535納米的綠光，此時光柵間距T需小于290納米；當(dāng)半導(dǎo)體層220材料為氮化鎵(GaN)，則適合發(fā)出波長為450 470納米的藍(lán)光，此時光柵間距T需小于255納米。以此方式，即可調(diào)整通過第二電極MO的光線以0階繞射光為主。圖3A為本發(fā)明的實(shí)施例的背光模塊的示意圖，圖:3B為圖3A的背光模塊的局部俯視圖。請同時參考圖3A及圖;3B，背光模塊300包括光學(xué)板310以及多個如圖2A所示的發(fā)光二極管200。選擇性地，本實(shí)施例的背光模塊300還包括框架320。光學(xué)板310具有入光面312及出光面314，而這些發(fā)光二極管200則配置在入光面312旁。在本實(shí)施例中，背光模塊300為直下式背光模塊，發(fā)光二極管200配置框架320上并位于光學(xué)板310的下方。光學(xué)板310為擴(kuò)散板，其入光面312與出光面314相對，用以均勻化發(fā)光二極管200所提供的正向光源。圖3C為本發(fā)明的另一實(shí)施例的背光模塊的剖面圖。請參考圖3C，本實(shí)施例的背光模塊300’為側(cè)面入光式背光模塊，包括光學(xué)板310’、多個如圖2A所示的發(fā)光二極管200。 選擇性地，本實(shí)施例的背光模塊300還包括框架320。光學(xué)板310’為導(dǎo)光板，具有入光面 312’及出光面314’，且入光面312’與出光面314’相鄰，而發(fā)光二極管200則配置在入光面312’旁，以提供側(cè)面入光的光源。請再參考圖3B，發(fā)光二極管200還包括封裝標(biāo)示沈0，用以顯示發(fā)光二極管200所提供的光線的偏振方向或是顯示發(fā)光二極管200所提供的光線的偏振方向的垂直方向，以利后續(xù)工藝得以調(diào)整所有發(fā)光二極管200使其所提供的光線的偏振方向能一致。當(dāng)發(fā)光二極管200作為顯示器的背光源使用時，顯示器可以省略下偏振片僅用上偏振片即可，并使此封裝標(biāo)示260與顯示器的上偏振片的穿透軸方向一致或垂直，意即所有發(fā)光二極管200 所發(fā)出的極化光能與上偏振片的穿透軸的方向一致或垂直，提升光源使用效率。當(dāng)然顯示器亦可不省略下偏振片，所有發(fā)光二極管200所發(fā)出的極化光能與上偏振片的穿透軸的方向一致或垂直，以提升顯示器的對比。在本實(shí)施例中，背光模塊300因采用發(fā)光二極管200 而能提供單一偏振方向的光源。此外，通過調(diào)整發(fā)光二極管200的尺寸規(guī)格，還可控制發(fā)光二極管200的出光方向而使背光模塊300所提供的光源的出光方向更為集中，以提高出光效率。圖4為本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的示意圖。請參考圖4，液晶顯示裝置400 包括背光模塊300’以及液晶顯示面板410。在本實(shí)施例中，液晶顯示裝置400所應(yīng)用的背光模塊300’為側(cè)面入光式背光模塊，而液晶顯示面板410配置在背光模塊300’的出光面 314，上。在本實(shí)施例中，液晶顯示裝置400還包括第一偏振片420以及外框440，其中第一偏振片420配置在液晶顯示面板410上且遠(yuǎn)離背光模塊300’，并由外框440將背光模塊 300’、液晶顯示面板410及第一偏振片420予以固定組裝。當(dāng)背光模塊300’應(yīng)用于液晶顯示裝置400時，由于背光模塊300’出光效率的提高而使得液晶顯示裝置400能夠具有良好的顯示效果。在本實(shí)施例中，液晶顯示裝置400還包括第二偏振片430，配置在液晶顯示面板 410及背光模塊300’之間，用以確保傳遞至液晶顯示面板410的光具有單一偏振方向。綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管利用將電極設(shè)計為光柵結(jié)構(gòu)，除了能提升電流散布效應(yīng)，還可通過光柵的作用而產(chǎn)生具有單一偏振方向的光源。此外，也能配合不同波長的光而調(diào)整光柵間距，以控制繞射出光的階數(shù)而集中出光方向或是適當(dāng)?shù)叵拗瞥龉饨嵌?。除此之外，被設(shè)計為光柵形式的電極所反射的光線在遇到發(fā)光層或基板時皆會被破壞其原本的偏振方向，而重新產(chǎn)生具有兩種偏振方向的散射光，因而可讓具有其中一種偏振方向的光線穿透設(shè)計為光柵形式的電極而被利用。另外，發(fā)光層吸收被電極所反射的光線后，亦可重新產(chǎn)生具有兩種偏振方向的光線。通過上述機(jī)制，得以讓發(fā)光二極管所產(chǎn)生的光線徹底被利用。因此，無論是應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光二極管于背光模塊，或是組裝此背光模塊于液晶顯示裝置，皆能因發(fā)光二極管的上述功效而得以改善背光模塊所提供的光線的被利用率， 進(jìn)而提升液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括半導(dǎo)體層，包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層之間；第一電極，電性連接于該第一型摻雜半導(dǎo)體層；以及第二電極，電性連接于該第二型摻雜半導(dǎo)體層，且該第二電極為光柵，適于讓具有第一偏振方向的光通過，且適于反射具有第二偏振方向的光，其中該第一偏振方向垂直于該第二偏振方向。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括基板，其中該第一型摻雜半導(dǎo)體層位于該基板上，該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，該第二型摻雜半導(dǎo)體層位于該發(fā)光層上，該第一電極位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層未配置該發(fā)光層的區(qū)域上，而該第二電極位于該第二型摻雜半導(dǎo)體層上。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中該基板的材料包括藍(lán)寶石。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中該基板具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該發(fā)光層具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為625 630納米的紅光，此時該第二電極的光柵間距小于390納米。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為530 535納米的綠光，此時該第二電極的光柵間距小于290納米。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該半導(dǎo)體層的材料包括氮化鎵，適于發(fā)出波長為450 470納米的藍(lán)光，此時該第二電極的光柵間距小于255納米。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該第一電極與該第二電極的材料包括金屬。
10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括封裝標(biāo)示，用以顯示該第一偏振方向或該第二偏振方向。
11.一種背光模塊，包括光學(xué)板，具有入光面及出光面；以及多個發(fā)光二極管，配置在該入光面旁，且各該發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體層，包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層之間；第一電極，電性連接于該第一型摻雜半導(dǎo)體層；以及第二電極，電性連接于該第二型摻雜半導(dǎo)體層，且該第二電極為光柵，適于讓具有第一偏振方向的光通過，且適于反射具有第二偏振方向的光，其中該第一偏振方向垂直于該第二偏振方向。
12.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中該光學(xué)板為導(dǎo)光板，且該入光面鄰接于該出光面。
13.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中該光學(xué)板為擴(kuò)散板，且該入光面與該出光面相對。
14.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中各該發(fā)光二極管還包括基板，各該第一型摻雜半導(dǎo)體層位于各該基板上，各該發(fā)光層位于各該第一型摻雜半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上，各該第二型摻雜半導(dǎo)體層位于各該發(fā)光層上，各該第一電極位于各該第一型摻雜半導(dǎo)體層未配置各該發(fā)光層的區(qū)域上，而各該第二電極位于各該第二型摻雜半導(dǎo)體層上。
15.如權(quán)利要求14所述的背光模塊，其中該多個基板的材料包括藍(lán)寶石。
16.如權(quán)利要求14所述的背光模塊，其中各該基板具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中各該發(fā)光層具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中各該半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為625 630納米的紅光，此時該第二電極的光柵間距小于390納米。
19.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中各該半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為530 535納米的綠光，此時該第二電極的光柵間距小于290納米。
20.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中各該半導(dǎo)體層的材料包括氮化鎵，適于發(fā)出波長為450 470納米的藍(lán)光，此時該第二電極的光柵間距小于255納米。
21.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中該多個第一電極與該多個第二電極的材料包括金屬。
22.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其中各該發(fā)光二極管還包括封裝標(biāo)示，用以顯示該第一偏振方向或該第二偏振方向。
23.一種液晶顯示裝置，包括背光模塊，包括光學(xué)板，具有入光面及出光面；以及多個發(fā)光二極管，配置在該入光面旁，且各該發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體層，包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中該發(fā)光層位于該第一型摻雜半導(dǎo)體層與該第二型摻雜半導(dǎo)體層之間；第一電極，電性連接于該第一型摻雜半導(dǎo)體層；以及第二電極，電性連接于該第二型摻雜半導(dǎo)體層，且該第二電極為光柵，適于讓具有第一偏振方向的光通過，且適于反射具有第二偏振方向的光，其中該第一偏振方向垂直于該第二偏振方向；以及液晶顯示面板，配置在該出光面上。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中該光學(xué)板為導(dǎo)光板，且該入光面鄰接于該出光面。
25.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中該光學(xué)板為擴(kuò)散板，且該入光面與該出光面相對。
26.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中各該發(fā)光二極管還包括基板，各該第一型摻雜半導(dǎo)體層位于該基板上，各該發(fā)光層位于各該第一型摻雜半導(dǎo)體層的部分區(qū)域上， 各該第二型摻雜半導(dǎo)體層位于各該發(fā)光層上，各該第一電極位于各該第一型摻雜半導(dǎo)體層未配置各該發(fā)光層的區(qū)域上，而各該第二電極位于各該第二型摻雜半導(dǎo)體層上。
27.如權(quán)利要求沈所述的液晶顯示裝置，其中該多個基板的材料包括藍(lán)寶石。
28.如權(quán)利要求沈所述的液晶顯示裝置，其中各該基板具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
29.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中各該發(fā)光層具有表面粗化結(jié)構(gòu)。
30.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中各該半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為625 630納米的紅光，此時該第二電極的光柵間距小于390納米。
31.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中各該半導(dǎo)體層的材料包括氮化銦鎵，適于發(fā)出波長為530 535納米的綠光，此時該第二電極的光柵間距小于290納米。
32.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中各該半導(dǎo)體層的材料包括氮化鎵，適于發(fā)出波長為450 470納米的藍(lán)光，此時該第二電極的光柵間距小于255納米。
33.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中該多個第一電極與該多個第二電極的材料包括金屬。
34.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，其中各該發(fā)光二極管還包括封裝標(biāo)示，用以顯示該第一偏振方向或該第二偏振方向。
35.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置，還包括第一偏振片，配置在該液晶顯示面板上，且遠(yuǎn)離該背光模塊。
36.如權(quán)利要求35所述的液晶顯示裝置，還包括第二偏振片，配置在該液晶顯示面板及該背光模塊之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管、背光模塊及液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包括背光模塊及液晶顯示面板。背光模塊包括光學(xué)板及多個發(fā)光二極管。發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體層、第一電極以及第二電極。半導(dǎo)體層包括第一型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型摻雜半導(dǎo)體層，其中發(fā)光層位于第一型摻雜半導(dǎo)體層與第二型摻雜半導(dǎo)體層之間。第一電極電性連接于第一型摻雜半導(dǎo)體層，第二電極電性連接于第二型摻雜半導(dǎo)體層，且第二電極為光柵，適于讓具有第一偏振方向的光通過，且適于反射具有第二偏振方向的光，其中第一偏振方向垂直于第二偏振方向。
文檔編號F21S8/00GK102263179SQ20101019482
公開日2011年11月30日 申請日期2010年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月31日
發(fā)明者廖元銊 申請人:奇美電子股份有限公司