本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著光電與半導(dǎo)體技術(shù)的演進(jìn)，也帶動了平板顯示器(Flat Panel Display)的蓬勃發(fā)展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性，已被應(yīng)用于生產(chǎn)生活的各個方面。

液晶顯示器通常包括相對設(shè)置的液晶面板和背光模塊，其中背光模塊提供顯示光線給液晶面板，以使液晶面板顯示畫面。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，對于液晶面板的各種需求也在增加，高穿透率、低功耗、成像質(zhì)量佳成為人們對液晶面板的要求。為了滿足這些要求，設(shè)計出了具有由紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍(lán)色(B)像素和白色(W)像素組成的一個像素組的液晶面板。

然而，與RGB液晶面板相比，WRGB液晶面板在顯示純色畫面或彩色畫面時，在相同的背景顯示畫面下，其純色亮度比較低，畫面出現(xiàn)失真，嚴(yán)重影響畫面的光學(xué)品味。在設(shè)計過程中，一般通過增加RGB像素的面積占比，以降低WRGB液晶面板顯示的彩色畫面的失真度，提升彩色畫面的光學(xué)品味。這里，將RGB像素的面積占比與W像素的面積占比設(shè)計為不同的方式稱為像素非對稱設(shè)計方式。由于RGB像素與W像素采用像素非對稱設(shè)計的方式設(shè)計，因此RGB像素的存儲電容與W像素的存儲電容存在差異，這樣因存儲電容的差異引起的饋通(Feed through)電壓差異、串?dāng)_(Crosstalk)、閃爍(Flicker)等問題均會顯現(xiàn)出來。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種采用像素非對稱設(shè)計的前提下使各個像素的饋通電壓接近或者相等的陣列基板及顯示面板。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種陣列基板，其包括陣列排布的多個像素區(qū)域組，每個像素區(qū)域組包括第一像素區(qū)域和第二像素區(qū)域，所述第一像素區(qū)域中設(shè)置有第一像素，所述第二像素區(qū)域中設(shè)置有第一場效應(yīng)晶體管、第二場效應(yīng)晶體管和第二像素，所述第一像素的面積與所述第二像素的面積不相同，所述第一像素與所述第一場效應(yīng)晶體管連接，所述第二像素與所述第二場效應(yīng)晶體管連接，通過調(diào)節(jié)所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第一像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。

可選地，通過增加所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第一像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。

可選地，通過增加所述第一場效應(yīng)晶體管的源極或漏極的面積，以增加所述第一場效應(yīng)晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。

可選地，通過增加所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極的面積，以增加所述第一場效應(yīng)晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第一場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。

可選地，每個像素區(qū)域組還包括位于所述第一像素區(qū)域之上的第三像素區(qū)域以及位于所述第二像素區(qū)域之上的第四像素區(qū)域，所述第三像素區(qū)域中設(shè)置有第三像素，所述第四像素區(qū)域中設(shè)置有第四像素，所述第一像素、所述第三像素以及所述第四像素的面積相同，所述第二像素區(qū)域中還設(shè)置有第三場效應(yīng)晶體管和第四場效應(yīng)晶體管，所述第三像素與所述第三場效應(yīng)晶體管連接，所述第四像素與所述第四場效應(yīng)晶體管連接，通過分別調(diào)節(jié)所述第三場效應(yīng)晶體管和所述第四場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第三像素的饋通電壓和所述第四像素的饋通電壓分別與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。

可選地，通過增加所述第三場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第三像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小，并且通過增加所述第四場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第四像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。

可選地，通過增加所述第三場效應(yīng)晶體管的源極或漏極的面積，以增加所述第三場效應(yīng)晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第三場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容；并且通過增加所述第四場效應(yīng)晶體管的源極或漏極的面積，以增加所述第四場效應(yīng)晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第四場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。

可選地，通過增加所述第三場效應(yīng)晶體管的柵極的面積，以增加所述第三場效應(yīng)晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第三場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容；并且通過增加所述第四場效應(yīng)晶體管的柵極的面積，以增加所述第四場效應(yīng)晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第四場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。

可選地，所述第二像素為白色像素，所述第一像素選自紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的任一種，所述第三像素選自紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的任一種，所述第四像素選自紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的任一種，并且所述第一像素、所述第三像素和所述第四像素的像素顏色各不相同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種具有上述陣列基板的顯示面板。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明通過使各像素的饋通電壓接近或者相等，以改善顯示畫面的閃爍(Flicker)現(xiàn)象，并且能夠提高公共電壓所能容忍的電壓范圍(Com Margin)，降低產(chǎn)品的不良。

附圖說明

通過結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預(yù)期應(yīng)用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號在附圖中始終表示相同的器件。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶顯示器包括：液晶面板1和背光模塊2。液晶面板1包括：彩色濾光片基板(或稱CF基板)10、陣列基板(或稱Array基板)20以及液晶層30，其中液晶層30中具有若干液晶分子。

背光模塊2設(shè)置在液晶面板1的陣列基板20的背向彩色濾光片基板10的一側(cè)。背光模塊2向液晶面板1提供顯示光線，以使液晶面板1顯示畫面(或稱影像)。

以下對根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板20進(jìn)行詳細(xì)說明。圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖2，根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板20包括：多條掃描線210、多條數(shù)據(jù)線220、第一像素231、第二像素232、第三像素233、第四像素234、第一場效應(yīng)晶體管241、第二場效應(yīng)晶體管242、第三場效應(yīng)晶體管243和第四場效應(yīng)晶體管244。

多條掃描線210和多條數(shù)據(jù)線220相互絕緣交錯，以限定出多個像素區(qū)域。在本實施例中，將上下左右四個像素區(qū)域定義為一個像素區(qū)域組。在每個像素區(qū)域組中，左上的像素區(qū)域被定義為第三像素區(qū)域PX3，右上的像素區(qū)域被定義為第四像素區(qū)域PX4，左下的像素區(qū)域被定義為第一像素區(qū)域PX1，右下的像素區(qū)域被定義為第二像素區(qū)域PX2，但本發(fā)明并不限制于此。

在根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板20中，多個像素區(qū)域組陣列排布。在圖2中，示出了一個像素區(qū)域組內(nèi)的具體結(jié)構(gòu)，應(yīng)當(dāng)理解的是，其它的像素區(qū)域組與圖2所示的像素區(qū)域組的結(jié)構(gòu)相同。

在本實施例中，采用像素非對稱設(shè)計的方式設(shè)計像素。具體地，在第一像素區(qū)域PX1中設(shè)置有第一像素231，在第二像素區(qū)域PX2中設(shè)置有第二像素232，在第三像素區(qū)域PX3中設(shè)置有第三像素233，在第四像素區(qū)域PX4中設(shè)置有第四像素234。在第二像素區(qū)域PX2中還設(shè)置有第一場效應(yīng)晶體管241、第二場效應(yīng)晶體管242、第三場效應(yīng)晶體管243和第四場效應(yīng)晶體管244。

在本實施例中，第一像素231、第三像素233以及第四像素234具有相同的面積，且這三者與第二像素232的面積不相同。具體地，這三個像素(第一像素231、第三像素233以及第四像素234)的面積大于第二像素232的面積。對應(yīng)地，第一場效應(yīng)晶體管241、第三場效應(yīng)晶體管243和第四場效應(yīng)晶體管244具有相同的結(jié)構(gòu)，且均與第二場效應(yīng)晶體管242的結(jié)構(gòu)不同。

每個像素(即第一像素231、第二像素232、第三像素233、第四像素234)均包括并聯(lián)的液晶電容器和存儲電容器(這二者未示出)。由于采用了像素非對稱設(shè)計，即第二像素232的面積小于其它三個像素的面積，這樣第二像素232和其他三個像素的饋通(Feed Through)電壓不同。

像素的饋通電壓表示為：其中ΔV表示饋通電壓，C_GS表示與像素連接的場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容，C_LC表示像素的液晶電容器的液晶電容，C_ST表示像素的存儲電容器的存儲電容，V_GH表示提供給與像素連接的場效應(yīng)晶體管的柵極的高電平電壓，V_GL表示提供給與像素連接的場效應(yīng)晶體管的柵極的低電平電壓。

由于第二像素232和其他三個像素的饋通(Feed Through)電壓不同，因此第二像素232與其它三個像素的最佳公共電壓不同，這樣就會引起顯示閃爍(Flicker)現(xiàn)象，并且與像素對稱設(shè)計相比公共電壓所能容忍的電壓范圍(Com Margin)會偏小，從而引發(fā)產(chǎn)品的不良。

由上面的饋通電壓表示式可知，通過調(diào)節(jié)場效應(yīng)晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容(這里，場效應(yīng)晶體管的源極和漏極是可以互換使用的)，以使其它三個像素(第一像素、第三像素、第四像素)的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓接近或相等，即使其它三個像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小或為0，從而使第二像素232與其它三個像素的最佳公共電壓接近或相等，這樣就會改善顯示閃爍(Flicker)現(xiàn)象，并且能夠提高Com Margin，降低產(chǎn)品的不良。

由上述可知，第一像素231、第三像素233和第四像素234的面積相同，并且第一場效應(yīng)晶體管241、第三場效應(yīng)晶體管243和第四場效應(yīng)晶體管244具有相同的結(jié)構(gòu)，因此以下僅以第一場效應(yīng)晶體管241以及第一像素231為例進(jìn)行說明。

繼續(xù)參照圖2，第一場效應(yīng)晶體管241包括：柵極G、形成于柵極G上的柵極絕緣層(未示出)、對應(yīng)于柵極G上方且形成于柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層(或稱有源層)Se、形成于半導(dǎo)體層Se及柵極絕緣層上的源極S和漏極D以及形成于源極S、漏極D、半導(dǎo)體層Se以及所述柵極絕緣層上的絕緣保護(hù)層(未示出)；其中第一像素231貫穿所述絕緣保護(hù)層與漏極D(或者源極S)連接接觸。

第二場效應(yīng)晶體管242也包括：柵極G、形成于柵極G上的柵極絕緣層(未示出)、對應(yīng)于柵極G上方且形成于柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層(或稱有源層)Se、形成于半導(dǎo)體層Se及柵極絕緣層上的源極S和漏極D以及形成于源極S、漏極D、半導(dǎo)體層Se以及所述柵極絕緣層上的絕緣保護(hù)層(未示出)；其中第二像素232貫穿所述絕緣保護(hù)層與漏極D(或者源極S)連接接觸。

然而，第一場效應(yīng)晶體管241與第二場效應(yīng)晶體管242不同的是：增加第一場效應(yīng)晶體管241的漏極D(或源極S)的面積，以增加第一場效晶體管241的漏極D(或源極S)與柵極G的交疊面積，從而增加第一場效應(yīng)晶體管241的柵極/漏極電容(或柵極/源極電容)，以使第一像素231的饋通電壓與所述第二像素232的饋通電壓的電壓差減小或為0。應(yīng)當(dāng)說明的是，增加第一場效應(yīng)晶體管241的柵極/漏極電容(或柵極/源極電容)的方式并不局限于此，其可以通過其他合適的方式來增加。

相對應(yīng)地，第三場效應(yīng)晶體管243和第四場效應(yīng)晶體管244的漏極D(或源極S)均與第一場效應(yīng)晶體管241的漏極D(或源極S)作相同的處理，從而使第三像素233的饋通電壓與所述第二像素232的饋通電壓的電壓差減小或為0，且使第四像素234的饋通電壓與所述第二像素232的饋通電壓的電壓差減小或為0。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

參照圖3，與圖2所示的陣列基板不同的是，增加第一場效應(yīng)晶體管241的柵極G的面積，以增加第一場效晶體管241的漏極D(或源極S)與柵極G的交疊面積，從而增加第一場效應(yīng)晶體管241的柵極/漏極電容(或柵極/源極電容)，以使第一像素231的饋通電壓與所述第二像素232的饋通電壓的電壓差減小或為0。應(yīng)當(dāng)說明的是，增加第一場效應(yīng)晶體管241的柵極/漏極電容(或柵極/源極電容)的方式并不局限于此，其可以通過其他合適的方式來增加。

相對應(yīng)地，第三場效應(yīng)晶體管243和第四場效應(yīng)晶體管244的柵極G均與第一場效應(yīng)晶體管241的柵極G作相同的處理，從而使第三像素233的饋通電壓與所述第二像素232的饋通電壓的電壓差減小或為0，且使第四像素234的饋通電壓與所述第二像素232的饋通電壓的電壓差減小或為0。

需要說明的是，在上述實施例中，第二像素232為白色(W)像素，第一像素231選自紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的任一種，第三像素233選自紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的任一種，第四像素233選自紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的任一種，并且第一像素231、第三像素233和第四像素234的像素顏色各不相同。

此外，第一場效應(yīng)晶體管241和/或第二場效應(yīng)晶體管242和/或第三場效應(yīng)晶體管243和/或第四場效應(yīng)晶體管244為薄膜場效應(yīng)晶體管，但本發(fā)明并不限制于此。

綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的各實施例，通過使各像素的饋通電壓接近或者相等，以改善顯示畫面的閃爍(Flicker)現(xiàn)象，并且能夠提高公共電壓所能容忍的電壓范圍(Com Margin)，降低產(chǎn)品的不良。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。