專利名稱：低阻抗等離子體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁控濺射，更特別但非限定性地，涉及利用低阻抗等離子體的磁控濺射。本發(fā)明的具體實(shí)施方式
可包括帶或不帶旋轉(zhuǎn)目標(biāo)的低阻抗交流雙圓柱磁控濺射 等離子體放電的使用，這些裝置的使用和在非反應(yīng)性和反應(yīng)性過(guò)程中的控制(帶有或不帶 有反饋等離子體過(guò)程控制)，以及非交流濺射應(yīng)用例如射頻、直流和直流脈沖。
背景技術(shù)：
有這樣一個(gè)工業(yè)真空涂層和處理技術(shù)領(lǐng)域，該涂層和處理技術(shù)目前建立在不能被 偏置的基板濺射基礎(chǔ)上，所述基板例如玻璃或塑料零件。目前的一些涂層技術(shù)通過(guò)雙磁控 濺射(Dual Magnetron Sputtering, DMS)進(jìn)行，以便避免“陽(yáng)極消失”效應(yīng)。例如，在BOC Group Inc.公司的國(guó)際公布號(hào)為WO 96/34124的專利申請(qǐng)中，DMS雙 磁控濺射源(等離子體設(shè)備)不斷交替電氣極性，從而使得，當(dāng)一個(gè)偏向負(fù)性(變成濺射陰 極)時(shí)，另一個(gè)偏向正性(變成陽(yáng)極)，反之亦然。典型的電壓和電流變化類型是交流(AC) 模式。這種過(guò)程操作被稱為交流雙磁控濺射(DMS-AC)操作或者簡(jiǎn)單DMS。這樣，由于相同 濺射源在變成陽(yáng)極之前經(jīng)過(guò)一個(gè)濺射周期，因此陽(yáng)極表面可變成清潔的導(dǎo)體表面。在許多現(xiàn)有的應(yīng)用中，靶具有圓柱形的幾何形狀。所述靶通常繞中央圓柱軸旋轉(zhuǎn)， 這促使電子依相對(duì)低阻抗路徑通過(guò)等離子體。在DMS-AC操作過(guò)程中，放電穩(wěn)定性具有很多 影響。通常DMS用于直列式連續(xù)生產(chǎn)，其中，當(dāng)基板通過(guò)等離子體/沉積區(qū)域時(shí)，該基板被噴 涂。交流電源將需要響應(yīng)，以便維持程序設(shè)定點(diǎn)。如果等離子體突然消失，則必須進(jìn)行快速 再點(diǎn)火，否則移動(dòng)基板容易產(chǎn)生缺陷噴涂情況。為了進(jìn)行所述再點(diǎn)火，等離子體點(diǎn)火阻抗必 須為合適的較低值。在有些情況發(fā)生時(shí)，必須進(jìn)行已知方案，從而使放電得以維持以及進(jìn)行 再點(diǎn)火。通常這意味著以下的一項(xiàng)或多項(xiàng)受到限制兩個(gè)(濺射)源之間的距離；(濺射) 源與待噴涂或處理的基板之間的距離；進(jìn)行噴涂和再點(diǎn)火操作所需的最小氣壓；最大磁場(chǎng) 強(qiáng)度。DMS上的AC操作的其中一個(gè)效應(yīng)是兩個(gè)源之間的電子傳遞引起了有益于所述過(guò) 程的電離。在已知的系統(tǒng)中，現(xiàn)有情形中的電流是非常散的，且大多數(shù)電子沒(méi)有被導(dǎo)向到將 提供最佳陽(yáng)極表面的主清潔區(qū)域。這會(huì)引起導(dǎo)致涂層質(zhì)量缺陷的微弧(micro-arcing)。此 外，兩個(gè)源之間的磁相互作用可能傾向于帶來(lái)主噴涂流與離子流之間的一些分離，這會(huì)影 響涂層質(zhì)量。本發(fā)明采用了不對(duì)稱磁控濺射技術(shù)，該技術(shù)參見(jiàn)Gencoa Ltd公司的英國(guó)專利申請(qǐng) 9821496. 8，在該申請(qǐng)中，每個(gè)單獨(dú)設(shè)備的磁場(chǎng)均被建構(gòu)為不對(duì)稱式，構(gòu)成不對(duì)稱磁陣列，使 等離子體流的方向相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)磁控濺射設(shè)備發(fā)生改變。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的包括例如通過(guò)提供低等離子體阻抗放電，改進(jìn)DMS的操作和性能；使電子傳遞集中到較窄的體積中，以提高DMS操作的電離成效；將電子導(dǎo)向有效的電力清 潔陽(yáng)極和/或提高涂層性能，例如涂層密度。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種磁控濺射設(shè)備，該設(shè)備包括用于在管狀靶附近 產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁陣列，所述管狀靶至少部分包圍著該磁陣列、并充當(dāng)陰極；陽(yáng)極；所述磁陣列 被設(shè)置為產(chǎn)生相對(duì)于入射到基板的法向角的不對(duì)稱等離子體分布；以及磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置，該 磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置用于增強(qiáng)磁場(chǎng)，以產(chǎn)生供電子從陰極流向陽(yáng)極的相對(duì)較低阻抗的路徑。本發(fā)明的可能的優(yōu)點(diǎn)包括能夠使用更強(qiáng)的磁場(chǎng)；由于等離子體點(diǎn)火阻抗較低， 因此能夠提供很高的離子流密度操作；為帶有磁導(dǎo)活性或鈍態(tài)陽(yáng)極的單磁控濺射提供了穩(wěn) 定的低阻抗放電。所述磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置可包括用于在第二管狀靶附近產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁陣列。電源裝置可連接至所述靶和陽(yáng)極，該電源裝置能夠產(chǎn)生和維持等離子體，該等離 子體包括從所述靶除去的物質(zhì)，能夠產(chǎn)生和維持包括從所述靶除去的物質(zhì)的等離子體的所 述電源裝置與兩個(gè)靶相連。單獨(dú)的電源裝置與每一個(gè)靶相連。兩個(gè)靶可連接至一個(gè)共同 的電源裝置。所述電源裝置可將交流電流、直流電流、脈沖電流、射頻和/或HIPIMS(High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射)施加至一個(gè)或兩個(gè)靶。所述 電源裝置可連接至兩個(gè)靶，且極性交替改變，從而使每個(gè)靶在做陽(yáng)極和做陰極之間交替變 化。所述磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置可包括其中一個(gè)磁陣列，該磁陣列為不對(duì)稱磁陣列。所述不對(duì)稱磁陣列的設(shè)置可產(chǎn)生非均勻/扭曲磁場(chǎng)分布，該磁場(chǎng)分布包括一個(gè)或 多個(gè)1)相對(duì)較高阻抗的區(qū)域，該區(qū)域可作為等離子體陷阱，從而約束一些負(fù)責(zé)濺射到 靶表面上的等離子體；和2)相對(duì)較低阻抗的區(qū)域，該區(qū)域可作為低阻抗路徑，或者電子通道，用于從陰極到 陽(yáng)極的電子傳遞。通過(guò)提供包括相對(duì)較高阻抗和相對(duì)較低阻抗的區(qū)域的磁場(chǎng)分布，整體磁場(chǎng)可以提 高濺射效應(yīng)和/或促使電子相對(duì)不受拘束地從陰極通過(guò)基板表面流到陽(yáng)極。已知的磁控濺射設(shè)備不能提供這種磁場(chǎng)分布，因?yàn)闆](méi)有提供供電子通過(guò)的低阻抗 路徑。在已知的磁控濺射設(shè)備中，電子必須通過(guò)具有相對(duì)較高阻抗的區(qū)域。但對(duì)于相同/ 相當(dāng)材料和處理?xiàng)l件，本發(fā)明能夠提供阻抗值比已知磁控濺射設(shè)備低5-50%的電子通道。所述或每個(gè)不對(duì)稱磁陣列可包括一個(gè)或多個(gè)安裝在安裝板上的磁體，磁場(chǎng)的不對(duì) 稱性通過(guò)以下一項(xiàng)或多項(xiàng)條件獲得磁體的位置關(guān)于磁陣列的軸線呈不對(duì)稱分布；所述磁 體具有不同的尺寸或強(qiáng)度；存在破壞兩個(gè)或多個(gè)磁體之間相互作用的對(duì)稱性的鐵磁性或非 鐵磁性材料；以及，所述安裝板具有不對(duì)稱的形狀。所述不對(duì)稱磁陣列可包括中央磁體和一對(duì)外部磁體，該一對(duì)外部磁體位于所述中 央磁體的相對(duì)兩側(cè)、并與該中央磁體分開一段距離。所述不對(duì)稱磁陣列包括一排中央磁體 和兩排外部磁體，該兩排外部磁體位于所述一排中央磁體的相對(duì)兩側(cè)且與所述一排中央磁 體分開一段距離。所述安裝板可包括鐵磁板和/或其它鐵磁元件。所述或每個(gè)不對(duì)稱磁陣列可產(chǎn)生包括一個(gè)或多個(gè)等離子體陷阱的磁場(chǎng)分布，所述一個(gè)或多個(gè)等離子體陷阱適于約束濺射到靶表面上的部分等離子體。至少一個(gè)等離子體陷阱可位于緊鄰至少一個(gè)磁場(chǎng)通道的位置，和/或位于一對(duì)磁 場(chǎng)通道之間。所述或每個(gè)管狀靶可以是可旋轉(zhuǎn)的，例如，可繞其縱向軸旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)可在任何方向 上、連續(xù)或斷續(xù)和/或可逆地進(jìn)行。使用時(shí)，任何一個(gè)磁裝置均可移動(dòng)。所述等離子體陷阱可用于濺射清潔所述靶的表面。所述管狀靶可連續(xù)旋轉(zhuǎn)，從而 使其經(jīng)過(guò)濺射清潔的部分連續(xù)地移入磁場(chǎng)通道附近，以提供理想條件的陽(yáng)極/陰極表面?？稍O(shè)置用于在所述靶和基板附近提供可控氣氛的裝置，該可控氣氛可包括局部真空?？煽貧夥湛砂ㄐ∮趌mbar (毫巴)的總壓力，和/或惰性氣體(例如氬氣)，和/ 或反應(yīng)性氣體(例如烴、有機(jī)金屬、金屬_無(wú)機(jī)配合物、氧氣、氮?dú)夂?或水蒸氣)?？稍O(shè)有陽(yáng)極覆蓋物。所述磁陣列們可以是基本相同的，且關(guān)于所述雙磁控濺射設(shè)備的主軸不對(duì)稱設(shè) 置；彼此不同的，且關(guān)于所述雙磁控濺射設(shè)備的主軸對(duì)稱設(shè)置；彼此不同的，且關(guān)于所述雙 磁控濺射設(shè)備的主軸不對(duì)稱設(shè)置；和/或基本相同的，且關(guān)于所述雙磁控濺射設(shè)備的主軸 對(duì)稱設(shè)置?？梢赃x擇性地設(shè)置相對(duì)于所述靶和/或地面電偏置所述基板的電偏置裝置，該電 偏置裝置可將直流電流、交流電流、脈沖電流和射頻偏置施加到所述基板上。所述或每個(gè)磁陣列的不對(duì)稱軸與所述基板的表面非正交。所述磁控濺射設(shè)備可包括真空沉積系統(tǒng)、玻璃鍍膜設(shè)備系統(tǒng)、韋伯(Web)鍍膜沉 積系統(tǒng)的一部分。本發(fā)明的第二個(gè)方面提供了一種磁控濺射方法，該方法利用上述設(shè)備得以實(shí)施。 所述方法可用于對(duì)塑料、玻璃、陶瓷、金屬或半導(dǎo)體基板進(jìn)行磁控濺射。本發(fā)明的第三個(gè)方面提供上述方法或設(shè)備形成的涂層或者處理結(jié)果。根據(jù)本發(fā)明的第四個(gè)方面，提供一種非常低阻抗的交流雙圓柱磁控濺射等離子體 設(shè)備。本發(fā)明可使用旋轉(zhuǎn)或靜態(tài)靶。磁陣列也可以是靜態(tài)的或活動(dòng)的。磁陣列的運(yùn)動(dòng)可 在任何方向上進(jìn)行，可以是線性運(yùn)動(dòng)、往復(fù)運(yùn)動(dòng)或擺動(dòng)的簡(jiǎn)單或復(fù)雜結(jié)合。磁陣列運(yùn)動(dòng)也可 以是掃描式的。本發(fā)明還可涉及這些設(shè)備的使用與在非反應(yīng)性和反應(yīng)性過(guò)程中的控制(具有或 不具有反饋等離子體過(guò)程控制)。本發(fā)明還涉及非交流濺射應(yīng)用如射頻、直流、直流脈沖電 源、復(fù)雜功率波形或高強(qiáng)度脈沖電源，如用于單個(gè)或多個(gè)等離子體源的HIPIMS技術(shù)。本發(fā)明還提供磁場(chǎng)等離子體通道，該通道主要、但非排他性地穿過(guò)兩臺(tái)等離子體 設(shè)備。該等離子體通道的位置可相對(duì)于所述基板變化。在本發(fā)明中，所述不對(duì)稱磁陣列可設(shè)計(jì)并操作于雙圓柱靶內(nèi)。當(dāng)在兩個(gè)獨(dú)立(濺 射)源之間使用電流電源時(shí)，放電的阻抗可比標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)大大降低。另外，靶與基板之間的距 離減小，且等離子體密度和源效率相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)DMS操作有所提高。此外，當(dāng)靶旋轉(zhuǎn)時(shí)，電子 被磁場(chǎng)導(dǎo)向的方式使得這些電子被引導(dǎo)到非常清潔的高導(dǎo)電性表面，不像在標(biāo)準(zhǔn)DMS中，
7電子很難到達(dá)那些清潔區(qū)域，從而使阻抗增加、等離子體約束降低。另外，本發(fā)明的更高的 等離子體約束有助于降低和/或防止涂層被來(lái)自周圍沉積物的其它成分污染。此外，可以 控制等離子體與基板之間的相互作用，以便控制具體的涂層沉積需求，例如對(duì)每個(gè)沉積的 原子進(jìn)行離子轟擊。本發(fā)明還涉及這些設(shè)備在反應(yīng)性和非反應(yīng)性環(huán)境下的使用，例如通過(guò)在氬氣和氧 氣氛中進(jìn)行濺射而沉積來(lái)自硅靶的SiOx。在反應(yīng)性濺射中，本發(fā)明的較高的等離子體密度 可提供更高反應(yīng)性的等離子體種類，從而可獲得更穩(wěn)定、更致密的涂層。本發(fā)明還可涉及圓柱靶的旋轉(zhuǎn)速度，該旋轉(zhuǎn)速度可從零(靜態(tài))到任何轉(zhuǎn)速，且可 以是不變的、復(fù)雜或可變的。本發(fā)明還可涉及這些設(shè)備在不同于交流的功率模式下的應(yīng)用。本發(fā)明的磁等離子 體約束可通過(guò)相對(duì)于噴涂流選擇性地引導(dǎo)離子流以及通過(guò)防止由于涂層上的寄生電流或 經(jīng)過(guò)涂層的返回電流造成的損害來(lái)提高操作模式中的性能、穩(wěn)定性和涂層質(zhì)量。這些現(xiàn)象 可以產(chǎn)生非均勻性和涂層質(zhì)量損害。通過(guò)引導(dǎo)等離子體電荷，本發(fā)明可提高噴涂產(chǎn)品操作 禾口最終質(zhì)量。本發(fā)明可涉及非平衡和/或平衡的磁陣列。相鄰的源和設(shè)備之間的磁極性可以相同或相反。本發(fā)明還可涉及相對(duì)于(不同于平行或垂直的)基板運(yùn)動(dòng)為傾斜或成角度的陣 列。本發(fā)明還可涉及具有圓形或直線形擺動(dòng)運(yùn)動(dòng)或其結(jié)合的陣列。本發(fā)明還可涉及單個(gè)陰極上的簡(jiǎn)單或多重跑道結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還可涉及與惰性或活性陽(yáng)極一起使用的單個(gè)源。可通過(guò)磁導(dǎo)引來(lái)增強(qiáng)陽(yáng)極 效應(yīng)。所述陽(yáng)極可以被濺射到，也可以不被濺射到。所述陽(yáng)極可以是隱藏式或非隱藏式構(gòu) 造。所述陽(yáng)極可獨(dú)立承受來(lái)自地電位的偏置。本發(fā)明還可涉及受到偏置或不受偏置的基板。 本發(fā)明可涉及任何磁控濺射應(yīng)用，如網(wǎng)、玻璃、顯示器、裝飾物和涂布機(jī)。


還可通過(guò)示例、結(jié)合附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明，其中圖1為現(xiàn)有技術(shù)的雙圓柱磁控濺射設(shè)備的橫截面示意圖；圖2為展示圖1中的雙圓柱磁控濺射設(shè)備的磁場(chǎng)的示意圖；圖3為展示圖2中的雙圓柱磁控濺射設(shè)備的功率模式和電子傳遞的示意圖；圖4為一系列已知磁陣列的橫截面示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的雙圓柱磁控濺射設(shè)備的橫截面示意圖；圖6是展示圖5的雙圓柱磁控濺射設(shè)備的磁場(chǎng)、功率模式和電子傳遞的示意圖；圖7是展示圖5的雙圓柱磁控濺射設(shè)備的磁場(chǎng)的示意圖；圖8是圖5的不對(duì)稱雙圓柱磁控濺射設(shè)備的第一種變型的橫截面示意圖；圖9是圖5的不對(duì)稱雙圓柱磁控濺射設(shè)備的第二種變型的磁場(chǎng)橫截面圖；圖10是圖5的不對(duì)稱雙圓柱磁控濺射設(shè)備的第三種變型的磁場(chǎng)橫截面圖；圖11是包括單陰極而不是雙陰極的圖5的不對(duì)稱雙圓柱磁控濺射設(shè)備的第四種變型的橫截面示意圖；圖12是包括單陰極而不是雙陰極的圖5的不對(duì)稱雙圓柱磁控濺射設(shè)備的第五種 變型的橫截面示意圖；圖13是具有被引導(dǎo)到陽(yáng)極的等離子體的、根據(jù)本發(fā)明的不對(duì)稱單圓柱陰極的磁 場(chǎng)線分布示意圖。
具體實(shí)施例方式在圖1中，磁控濺射設(shè)備100包括基本平坦的基板3，該基板3用于在下方線性移 動(dòng)一對(duì)圓柱形靶2a、2b。每個(gè)靶2a、2b包圍著一個(gè)磁陣列，該磁陣列在所述靶2a、2b和基板 3的附近形成磁場(chǎng)。每個(gè)磁陣列包括基本平坦的支撐件4，該支撐件4上粘附著具有不同尺 寸、形狀和強(qiáng)度的磁體6。可以通過(guò)恰當(dāng)?shù)剡x擇磁體類型、極性、強(qiáng)度和/或幾何形狀來(lái)控制 形成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度和分布。所述磁陣列和靶彼此隔開，且它們的縱向軸互相平行。每個(gè)磁陣列均關(guān)于次對(duì)稱 軸11對(duì)稱，該次對(duì)稱軸11垂直于基板表面3。此外，所述磁陣列關(guān)于主對(duì)稱軸12對(duì)稱設(shè) 置，該主對(duì)稱軸12也垂直于基板平面3。一個(gè)典型的(磁)陣列由一排中央磁體5和圍繞著該排中央磁體5的外部磁體排 6a和6組成。軸11通常垂直于基板運(yùn)動(dòng)和/或位置3?；?接受從圓柱形靶2 (2a-2b) 以反應(yīng)性或非反應(yīng)性模式噴出的涂層材料。另外所述設(shè)備可用作等離子體處理機(jī)，其中，基 板3接受等離子體處理，但不必沉積涂層。圖2利用磁場(chǎng)線103示意性地展示了磁場(chǎng)分布，沿磁場(chǎng)線103的每個(gè)點(diǎn)處的磁場(chǎng) 強(qiáng)度均為特定值。磁控濺射設(shè)備100包括外殼102，該外殼102具有平的底板104，該底板 上面向上直立延伸著側(cè)壁106。兩個(gè)側(cè)壁106上設(shè)有開口 108，基板3可通過(guò)該開口 108插 入。側(cè)壁106的上邊緣110終止于T形凸緣112中，平的上壁114密封粘附至所述凸緣112。 底壁104、側(cè)壁106和上壁114均為鐵磁體，因此提供了磁場(chǎng)路徑，如一些位于這些壁內(nèi)的磁 場(chǎng)線103所示。基板3的下方由滾筒116和刷子118支撐，刷子118還可用于偏置所述基板3。如圖所示，室102內(nèi)設(shè)有基本為L(zhǎng)形截面的內(nèi)壁120，該內(nèi)壁120包括基本豎直的 平坦側(cè)壁部分122和向內(nèi)折疊的底壁部分124，該底壁部分124從所述側(cè)壁部分的下緣伸出 并與該下緣成直角。所述底壁部分124的下側(cè)面平行于所述基板3的頂面并與該頂面彼此 隔開。在圖2中，磁場(chǎng)線界定了等離子體區(qū)域。通常圓柱形磁控管位于低壓氣氛7中?？?近每個(gè)靶2的主等離子體區(qū)域8a用于形成磁控濺射效應(yīng)。通常，待處理的基板以流線式過(guò) 程(in-line process)持續(xù)行進(jìn)，使該基板暴露于等離子體流區(qū)域9a中。過(guò)度暴露于等離 子體流中會(huì)損害或改變(基板的)性能。在通常情況下，例如當(dāng)基板3為玻璃或塑料網(wǎng)時(shí)， 非均勻性和基板損害將限制設(shè)備的最大運(yùn)行功率。所述設(shè)備的設(shè)置產(chǎn)生不規(guī)則的等離子體 區(qū)域如9e，這通常導(dǎo)致形成高阻抗屏障。圖3為圖2的磁控濺射設(shè)備100的放大圖，該圖示意性地展示了靶2a、2b是怎樣 連接至交流電源128的。從而靶2a和2b的電極性可以交替改變。在圖3中，當(dāng)循環(huán)中的某一特定時(shí)間，靶2a主要偏向負(fù)性18時(shí)，靶2b將偏向正性19。這樣，源2a發(fā)射電子20，該電子20向著靶2b上的陽(yáng)極表面行進(jìn)。由于磁場(chǎng)構(gòu)成了阻 止電流通過(guò)的保護(hù)罩，所述電子20將主要被引導(dǎo)到靶2b的特定表面上。這些表面將鄰近 磁控等離子體陷阱24a，并遠(yuǎn)離磁控等離子體陷阱24b。在理想情形下，需要清潔陽(yáng)極表面， 以便接收電流。為此，最佳旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)將是唯一的、如21a和21b所示?，F(xiàn)有技術(shù)中沒(méi)有注意 到這種情況。當(dāng)旋轉(zhuǎn)不按圖示方式進(jìn)行時(shí)，靶材料上將會(huì)產(chǎn)生弧，這會(huì)導(dǎo)致涂層表面3上的 缺陷。圖4示意性地展示了各種已知的磁陣列。在每種情形下，一排中央磁體5的兩側(cè) 均排列著兩排外部磁體6，所有磁體5、6均粘附在基本平坦的支撐件4的表面上。圖4a和4b是已知的對(duì)稱磁陣列，其中，中央磁體5大致位于中心的次對(duì)稱軸11上。這種類型的外部磁體6a和6b的幾何形狀和位置關(guān)于同一次對(duì)稱軸11基本相同。通 常、但非排他性地，磁體安裝在鐵磁板4上，該鐵磁板4的材料和幾何形狀可以有很多種。圖4c、4d、4e、4f和4g展示了不同結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱陣列。在一個(gè)不對(duì)稱陣列中，次軸 11不再是對(duì)稱軸?？赏ㄟ^(guò)不同方式獲得不對(duì)稱效果，例如使中央磁體5處于偏心位置，如圖 4c和圖4g所示。如圖4d所示的不對(duì)稱可通過(guò)使位于一側(cè)的一排外部磁體6c與位于另一 側(cè)的一排外部磁體6a的尺寸不同來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖4e所示的不對(duì)稱可通過(guò)將鐵磁性和/或非 鐵磁性材料IOa引入到中央磁體5和外部磁體6之間(如圖4f)或外部磁體6和基板4之 間(圖4e)來(lái)實(shí)現(xiàn)。甚至可以通過(guò)這種方式來(lái)獲得不對(duì)稱性，如圖4f所示，將磁體基本對(duì) 稱排列，但是引入一些鐵磁性元素10b，這些鐵磁性元素IOb會(huì)打破中央磁體5與一排或兩 排外部磁體6a和6b相互之間的對(duì)稱性。另外，在圖4g中，不對(duì)稱性通過(guò)鐵磁支撐板4b的 不同幾何形狀設(shè)計(jì)來(lái)獲得。非排他性地，可通過(guò)以上方式的任意組合來(lái)獲得不對(duì)稱陣列。圖5類似于圖1，兩圖中相同的附圖標(biāo)記代表相同的技術(shù)特征。圖1中的設(shè)置與圖 5中設(shè)置的不同之處在于，在圖5中，磁陣列1是不對(duì)稱的，因此次軸11不再是對(duì)稱軸。特 別地，每個(gè)磁陣列的支撐板4均包括斜切邊緣130，且每個(gè)磁陣列的中央磁體5均相對(duì)于外 部磁體6a、6b偏心安裝。需注意到，斜切邊緣130與偏心的中央磁體5分別位于次軸11的 相對(duì)兩側(cè)。不過(guò)，所述磁陣列相對(duì)于主軸12對(duì)稱，該主軸12是靶2的對(duì)稱軸。圖6類似于圖3，兩圖中相同的附圖標(biāo)記代表相同的技術(shù)特征。圖6中的設(shè)置與圖 3中設(shè)置的不同之處在于，磁陣列不關(guān)于次軸11對(duì)稱。提供不對(duì)稱磁陣列的主要功效是與 圖2和3中的磁場(chǎng)線103相比，圖6中的磁場(chǎng)線103是扭曲的。特別地，磁場(chǎng)線103不是全 部向著主軸12旋轉(zhuǎn)，這意味著不繞單個(gè)磁陣列循環(huán)，相反地，一些磁場(chǎng)線103a延伸于兩個(gè) 磁陣列之間。這有效地形成了 “磁通道” 132和屏障23，該磁通道132和屏障23引導(dǎo)電子 沿低阻抗路徑從陰極游向陽(yáng)極。在圖6中，當(dāng)靶2a主要偏向負(fù)性18時(shí)，靶2b將偏向正性19。這樣，源2a發(fā)射電 子20，該電子20沿路徑22向著靶2b上的陽(yáng)極表面行進(jìn)。由于磁場(chǎng)通道的形成，電子20將 很容易地主要被引導(dǎo)到特定表面24a和24c上。磁場(chǎng)形成了屏障23，該屏障23限制電子逃 逸到通道外。所有這些表面均靠近磁控等離子體陷阱，該磁控等離子體陷阱是理想條件的 陽(yáng)極表面，因?yàn)樵撽?yáng)極表面在濺射循環(huán)中被噴濺清潔過(guò)。這種不對(duì)稱陣列使得靶2a和2b 可在任何方向上旋轉(zhuǎn)，而不會(huì)影響到基板上的涂層性能。圖7所示的設(shè)置與圖6基本相同，磁場(chǎng)線103界定了等離子體區(qū)域。通常圓柱形 磁控管位于低壓氣氛7內(nèi)。靠近每個(gè)靶2的負(fù)責(zé)形成濺射效應(yīng)的主等離子體區(qū)域8b相對(duì)于單個(gè)磁控管(或次軸11)不對(duì)稱。通常，待處理的基板以流線式過(guò)程持續(xù)行進(jìn)，從而使基板3暴露于等離子體流區(qū)域9b中，該等離子體流區(qū)域9b中具有從靶2a到2b的通道，反之 亦然。在圖8所示情形中，該圖中的設(shè)置類似于圖5所示的實(shí)施例，磁陣列Ia和Ib的次 軸11與基板3的平面是非正交的。通常，靶2a和2b之間的主對(duì)稱軸12與陣列Ia和Ib 的對(duì)稱軸是同一根軸，但這不是必要的。在圖9中，圖示實(shí)施例的不對(duì)稱磁陣列的次軸11與基板3成一直角。磁場(chǎng)線103 界定了等離子體區(qū)域。通常，圓柱形磁控管位于低壓氣氛7中。靠近每個(gè)靶2a和2b的負(fù) 責(zé)形成濺射效應(yīng)的主等離子體區(qū)域8b相對(duì)于每一單個(gè)磁控管的次軸11不對(duì)稱。通常，待 處理的基板以流線式過(guò)程持續(xù)行進(jìn)，從而使基板3暴露于等離子體流區(qū)域9a中。區(qū)域9a 中的等離子體與基板3相互作用，在基板3上提供自偏置和離子轟擊角。交流模式中，電流 需要從靶2a行進(jìn)到靶2b，反之亦然。在這種結(jié)構(gòu)中，電子將被鄰近的磁場(chǎng)線引導(dǎo)到區(qū)域9c 中，這也是一條低阻抗路徑。與現(xiàn)有技術(shù)中的狀態(tài)相比，在本實(shí)施例的設(shè)計(jì)中，不存在圖2 中的高阻抗不規(guī)則等離子體區(qū)域如9e。在圖10中，本實(shí)施例的不對(duì)稱磁陣列的次軸11與基板3不成直角。本實(shí)施例中 的單個(gè)磁陣列與圖9中相同，但是相對(duì)于基板傾斜設(shè)置。磁場(chǎng)線103以相似方式界定等離 子體區(qū)域8、9。通常，圓柱形磁控管被設(shè)置在低壓氣氛7中。靠近每個(gè)靶2a和2b的負(fù)責(zé)形 成濺射效應(yīng)的主等離子體區(qū)域8b相對(duì)于每一單個(gè)磁控管的次軸11不對(duì)稱。通常，待處理 的基板以流線式過(guò)程持續(xù)行進(jìn)，從而使基板3暴露于等離子體流區(qū)域9b中。區(qū)域9b中的 等離子體與基板3相互作用，在基板3上提供自偏置和離子轟擊角。陣列之間角度的變化 在基板3上提供了不同的自偏置角，從而提供了不同的離子轟擊角。在圖9中，等離子體區(qū)域9b是用于靶2a與2b之間交流電流的主要的低阻抗等離 子體通道。角度的改變將使用于不同類型的噴涂或等離子體處理的沉積過(guò)程中的離子轟擊 得到優(yōu)化，因?yàn)椴煌牟牧闲枰煌霓Z擊角。在圖9所示的結(jié)構(gòu)中，沒(méi)有像圖2所示現(xiàn)有 技術(shù)例子中那樣的不規(guī)則、高阻抗的等離子體區(qū)域9e。圖11展示了根據(jù)本發(fā)明的磁控濺射設(shè)備100的一種不同結(jié)構(gòu)，所述設(shè)備100包括 與輔助陽(yáng)極13彼此隔開的圓柱形磁控管。所述圓柱形磁控管和輔助陽(yáng)極13均位于待噴涂 的基板3的上方，該基板3在所述磁控管的下方移動(dòng)，并撞擊等離子體區(qū)域％。所述圓柱形磁控管包括磁陣列，該磁陣列包括基本平坦的鐵磁性支撐板4。所述磁 陣列具有斜切邊緣130，且一排中央磁體5相對(duì)于兩排外部磁體6a、6b的中線呈偏心設(shè)置， 因此所述磁陣列是不對(duì)稱的。所述磁陣列位于管狀靶2的內(nèi)部，并被該管狀靶包圍住，所述 管狀靶2可繞其縱向軸旋轉(zhuǎn)，如箭頭21所示。輔助陽(yáng)極13包括箱型截面的金屬管136，該金屬管136與電源16的正極接線柱電 連接(或者接地)，以在濺射過(guò)程中吸引電子。所述金屬管136環(huán)繞著基本平坦的鐵磁性安 裝板4a，該安裝板4a的底面上粘附有磁體14，該磁體14使磁場(chǎng)線103發(fā)生偏轉(zhuǎn)，以產(chǎn)生整 體上不對(duì)稱的磁場(chǎng)。在圖11中，所述系統(tǒng)包括不對(duì)稱磁陣列1，該磁陣列1將使由于等離子體區(qū)域8b 而產(chǎn)生的靶2的濺射得以進(jìn)行。在本發(fā)明中，靶2主要作為陰極，其主要被偏置到負(fù)性16。 本發(fā)明不想對(duì)輔助陽(yáng)極13進(jìn)行噴濺，雖然在有些情形下這也是需要的。相對(duì)于靶2，陽(yáng)極13主要被偏置到正性15。陽(yáng)極13也可接地。區(qū)域9a將等離子體電子導(dǎo)向陽(yáng)極13。通過(guò) 磁陣列1與磁裝置14之間的相互作用，導(dǎo)向功能得以實(shí)現(xiàn)和/或得到提高。磁裝置14可 被埋入陽(yáng)極13結(jié)構(gòu)內(nèi)，或者可以位于2個(gè)完全分離的區(qū)域內(nèi)。磁裝置14可以是單個(gè)或多 個(gè)磁性器件。磁裝置14的性質(zhì)如位置、強(qiáng)度和方向是可變的。不同磁裝置之間的相互作用 讓區(qū)域9b可以界定與基板3的適當(dāng)?shù)南嗷プ饔谩ｊ?yáng)極13具有沿陰極2長(zhǎng)度上的不同偏置 電壓。陽(yáng)極13可以是單個(gè)，也可以是多個(gè)。陽(yáng)極13可被分割，從而使其不同區(qū)域受到不同 的偏置，從而可以沿陰極靶2獲得剪裁講究的均勻沉積和等離子體密度放電。圖12所示的本發(fā)明的實(shí)施例類似于圖11，除了在圖12中，還設(shè)置了構(gòu)成陽(yáng)極覆 蓋物的元件17。陽(yáng)極覆蓋物17有效地隱藏了陽(yáng)極13，使陽(yáng)極13免受沉積和/或污染，這 些沉積和/或污染可能會(huì)損害陽(yáng)極13的電性能。所述系統(tǒng)由不對(duì)稱磁陣列1組成，該不對(duì) 稱磁陣列1將使由于等離子體區(qū)域8b而產(chǎn)生的靶2的濺射得以進(jìn)行。在本發(fā)明中，靶2主 要作為陰極，其主要被偏置到負(fù)性16。本發(fā)明不想對(duì)輔助陽(yáng)極13進(jìn)行噴濺，雖然在有些情 形下這也是需要的。相對(duì)于靶2，陽(yáng)極13主要被偏置到正性15，或者也可接地。區(qū)域9a將 等離子體電子導(dǎo)向陽(yáng)極13。通過(guò)磁陣列1與磁裝置14之間的相互作用，導(dǎo)向功能得以實(shí) 現(xiàn)和/或得到提高。陽(yáng)極覆蓋物17的設(shè)計(jì)可以使得將等離子體電子導(dǎo)引通過(guò)區(qū)域9b的路 徑不被堵塞；從而使低阻抗路徑仍然得以保持。理想地，導(dǎo)向磁裝置14可被埋入陽(yáng)極13結(jié) 構(gòu)中，或者可以位于2個(gè)完全分離的區(qū)域內(nèi)。磁裝置14可以是單個(gè)或多個(gè)磁性器件。磁裝 置14的性質(zhì)如位置、強(qiáng)度和方向是可變的。不同磁裝置之間的相互作用讓區(qū)域9b可以界 定與基板3的適當(dāng)?shù)南嗷プ饔?。?yáng)極覆蓋物17也可被偏置到與陰極2、陽(yáng)極13和地面不同 的電位。陽(yáng)極覆蓋物17可相對(duì)于地面被偏置到正性或負(fù)性電位，也可被偏置到與地電位相 同的電位?？蓪㈥?yáng)極覆蓋物17沿陰極2和陽(yáng)極13長(zhǎng)度的不同部分偏置為不同的電位。陽(yáng) 極覆蓋物17的偏置電壓是可變的。最后，圖13更詳細(xì)地展示了圖12中的設(shè)置的磁場(chǎng)線103 。所述系統(tǒng)包括不對(duì)稱 磁陣列1，該磁陣列1將使由于等離子體區(qū)域8b而產(chǎn)生的靶2的濺射得以進(jìn)行。在本發(fā)明 中，靶2主要作為陰極，其主要被向偏置到負(fù)性16。本發(fā)明不想對(duì)輔助陽(yáng)極13進(jìn)行噴濺，雖 然在有些情形下這也是需要的。相對(duì)于靶2，陽(yáng)極13主要被偏置到正性15，或者也可接地。 區(qū)域9a將等離子體電子導(dǎo)向陽(yáng)極13。通過(guò)磁陣列1與磁裝置14之間的相互作用，導(dǎo)向功 能得以實(shí)現(xiàn)和/或得到提高。陽(yáng)極覆蓋物17的設(shè)計(jì)可以使得將等離子體電子導(dǎo)引通過(guò)區(qū) 域9b的路徑不被堵塞；從而使低阻抗路徑仍然得以保持。理想地，導(dǎo)向磁裝置14可被埋入 陽(yáng)極13結(jié)構(gòu)中，或者可以位于2個(gè)完全分離的區(qū)域內(nèi)。磁裝置14可以是單個(gè)或多個(gè)磁性 器件。磁裝置14的性質(zhì)如位置、強(qiáng)度和方向是可變的。不同磁裝置之間的相互作用讓區(qū)域 9b可以界定與基板3的適當(dāng)?shù)南嗷プ饔谩ｊ?yáng)極覆蓋物17也可被偏置到與陰極2、陽(yáng)極13 和地面不同的電位。陽(yáng)極覆蓋物17可相對(duì)于地面被偏置到正性或負(fù)性電位，也可被偏置到 與地電位相同的電位?？蓪㈥?yáng)極覆蓋物17沿陰極2和陽(yáng)極13長(zhǎng)度的不同部分偏置為不同 的電位。陽(yáng)極覆蓋物17的偏置電壓是可變的。
權(quán)利要求
一種磁控濺射設(shè)備，包括用于在管狀靶附近產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁陣列，所述管狀靶至少部分包圍著該磁陣列、并充當(dāng)陰極；陽(yáng)極；所述磁陣列被設(shè)置為產(chǎn)生相對(duì)于入射到基板的法向角的不對(duì)稱等離子體分布；以及磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置，該磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置用于增強(qiáng)磁場(chǎng)，以產(chǎn)生供電子從陰極流向陽(yáng)極的相對(duì)較低阻抗的路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置還包括用于 在第二管狀靶附近產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于還包括連接至所述靶和陽(yáng)極的 電源裝置，該電源裝置能夠產(chǎn)生并維持含有從所述靶上除去的材料的等離子體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于能夠產(chǎn)生并維持含有從所述靶 上除去的材料的等離子體的電源裝置與兩個(gè)靶相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于單獨(dú)的電源裝置與每一個(gè)靶相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于兩個(gè)靶連接至一個(gè)共同的電源裝置。
7.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述電源裝置將交流 電流、直流電流、脈沖電流、射頻和/或高功率脈沖磁控濺射施加至一個(gè)或兩個(gè)靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-7中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述電源裝置連接 至兩個(gè)靶，且極性交替改變，從而使每個(gè)靶在做陽(yáng)極和做陰極之間交替變化。
9.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置包 括的其中一個(gè)磁陣列為不對(duì)稱磁陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述或每個(gè)不對(duì)稱磁陣列包括 一個(gè)或多個(gè)安裝在安裝板上的磁體，磁場(chǎng)的不對(duì)稱性通過(guò)以下條件中的一項(xiàng)或多項(xiàng)獲得 磁體的位置關(guān)于磁陣列的軸線不對(duì)稱；所述磁體具有不同的尺寸或強(qiáng)度；存在破壞兩個(gè)或 多個(gè)磁體之間相互作用的對(duì)稱性的鐵磁性或非鐵磁性材料；以及所述安裝板具有不對(duì)稱的 形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述不對(duì)稱磁陣列包括中央 磁體和一對(duì)外部磁體，該一對(duì)外部磁體位于所述中央磁體的相對(duì)兩側(cè)、并與該中央磁體彼 此隔開。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述不對(duì)稱磁陣列包括一排 中央磁體和兩排外部磁體，該兩排外部磁體位于所述一排中央磁體的相對(duì)兩側(cè)且與所述一 排中央磁體分開一段距離。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述安裝板包括鐵磁板 和/或其它鐵磁元件。
14.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述或每個(gè)不對(duì)稱 磁陣列產(chǎn)生包括等離子體陷阱的磁場(chǎng)分布，所述等離子體陷阱適于約束濺射到靶表面上的 部分等離子體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述或每個(gè)不對(duì)稱磁陣列產(chǎn) 生多個(gè)等離子體陷阱。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于至少一個(gè)等離子體陷阱可位 于緊鄰至少一個(gè)磁場(chǎng)通道的位置。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于包括位于一對(duì)磁場(chǎng)通道之間 的等離子體陷阱。
18.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述或每個(gè)管狀靶 是可旋轉(zhuǎn)的。
19.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述或每個(gè)管狀靶 可繞其縱向軸旋轉(zhuǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述旋轉(zhuǎn)可在任何方向上、連 續(xù)或斷續(xù)和/或可逆地進(jìn)行。
21.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于使用時(shí)，任何一個(gè)磁 裝置均是可移動(dòng)的。
22.根據(jù)權(quán)利要求13-21中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述等離子體陷 阱用于濺射清潔所述靶的表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求17-21中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述管狀靶可連 續(xù)旋轉(zhuǎn)，從而使其經(jīng)過(guò)濺射清潔的部分連續(xù)地移入磁場(chǎng)通道附近，以提供理想條件的陽(yáng)極/ 陰極表面。
24.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于還包括用于在所述 靶和基板附近提供可控氣氛的裝置。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述可控氣氛包括局部真空。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述可控氣氛包括小于1毫 巴的總壓力。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述可控氣氛包括惰性 氣體。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述惰性氣體包括氬氣。
29.根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述可控氣氛包括反應(yīng) 性氣體。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述反應(yīng)性氣體包括以下各 項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)烴、有機(jī)金屬、金屬-無(wú)機(jī)配合物、氧氣、氮?dú)夂退魵狻?br> 31.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于還包括陽(yáng)極覆蓋物。
32.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述磁陣列基本相 同，且關(guān)于雙磁控濺射設(shè)備的主軸不對(duì)稱設(shè)置。
33.根據(jù)權(quán)利要求1-31中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述磁陣列彼此 不同，且關(guān)于雙磁控濺射設(shè)備的主軸對(duì)稱設(shè)置。
34.根據(jù)權(quán)利要求1-31中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述磁陣列彼此 不同，且關(guān)于雙磁控濺射設(shè)備的主軸不對(duì)稱設(shè)置。
35.根據(jù)權(quán)利要求1-31中任一項(xiàng)所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述磁陣列基本相同，且關(guān)于雙磁控濺射設(shè)備的主軸對(duì)稱設(shè)置。
36.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于還包括相對(duì)于所述 靶和/或地面電偏置所述基板的電偏置裝置。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述電偏置裝置將直流電流、 交流電流、脈沖電流和射頻中的一個(gè)或多個(gè)偏置施加到所述基板上。
38.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于所述或每個(gè)磁陣列 的不對(duì)稱軸與所述基板的表面非正交。
39.根據(jù)前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于包括真空沉積系統(tǒng)、 玻璃鍍膜設(shè)備系統(tǒng)、韋伯鍍膜沉積系統(tǒng)的一部分。
40.用根據(jù)以上任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的設(shè)備來(lái)實(shí)施的磁控濺射方法。
41.權(quán)利要求40所述的磁控濺射方法，其特征在于用該磁控濺射方法對(duì)塑料、玻璃、 陶瓷、金屬或半導(dǎo)體基板進(jìn)行磁控濺射。
42.用前面任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法或設(shè)備形成的涂層或處理結(jié)果。
43.基本如前面文字描述和附圖所示的磁控濺射設(shè)備。
44.基本如前面文字描述和附圖所示的磁控濺射方法。
全文摘要
一種磁控濺射設(shè)備(100)，包括用于在管狀靶(2)附近產(chǎn)生磁場(chǎng)(103)的磁陣列，所述管狀靶至少部分包圍著該磁陣列、并充當(dāng)陰極(2a)；陽(yáng)極(2b)；所述磁陣列被設(shè)置為產(chǎn)生相對(duì)于入射到基板(3)的法向角的不對(duì)稱等離子體分布；以及磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置(1b)，該磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置用于增強(qiáng)磁場(chǎng)，以產(chǎn)生供電子從陰極(2a)流向陽(yáng)極(2b)的相對(duì)較低阻抗的路徑。
文檔編號(hào)H01J37/34GK101874283SQ200880112311
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2008年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月15日
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