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一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”的同軸電纜的制作方法

文檔序號(hào):7079187閱讀:814來(lái)源:國(guó)知局
一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”的同軸電纜的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”的同軸電纜。目的是提供的同軸電纜應(yīng)具有高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”特性,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作方便容易。技術(shù)方案是:一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,包括在徑向由內(nèi)而外依次包覆的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體屏蔽層和護(hù)套;其特征在于所述外導(dǎo)體屏蔽層由徑向自?xún)?nèi)而外依次包覆的第一繞包鋁箔層、編織網(wǎng)以及第二繞包鋁箔層組成;所述第一繞包鋁箔層以及第二繞包鋁箔層均呈波紋狀固定在電纜上。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”的同軸電纜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種高屏蔽性能同軸電纜,廣泛應(yīng)用于通信領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002]在“光進(jìn)銅退”的形勢(shì)下,下一代廣播電視網(wǎng)絡(luò)中光纜將占據(jù)信號(hào)傳輸?shù)闹饕匚?。但是根?jù)我國(guó)現(xiàn)有的網(wǎng)絡(luò)狀況,下一代廣播電視網(wǎng)絡(luò)中有線電視光纜到樓是網(wǎng)絡(luò)雙向化的最佳選擇,而接入到戶(hù)仍將通過(guò)同軸電纜來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于傳輸段最后幾百米的視頻信號(hào)由光節(jié)點(diǎn)直接提供,中間不再需要放大器,因而對(duì)電纜的抗干擾特性提出更高要求,才能保證播放節(jié)目音像質(zhì)量。所以尋找一種行之有效的屏蔽結(jié)構(gòu)至為重要。
[0003]電纜屏蔽性能的優(yōu)劣常用屏蔽衰減和轉(zhuǎn)移阻抗等指標(biāo)來(lái)反映,外導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接影響屏蔽效果;管狀外導(dǎo)體結(jié)構(gòu)雖然具有良好的屏蔽性能,但不易彎曲,使用不方便。市場(chǎng)常用的金屬絲編織的外導(dǎo)體結(jié)構(gòu)柔軟,但易向外輻射電磁能,也易受外界電磁場(chǎng)的影響。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型目的是克服上述【背景技術(shù)】的不足,提供了一種同軸電纜的改進(jìn),該同軸電纜應(yīng)具有高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”特性,并且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作方便容易。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,包括在徑向由內(nèi)而外依次包覆的內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體屏蔽層和護(hù)套;其特征在于所述外導(dǎo)體屏蔽層由徑向自?xún)?nèi)而外依次包覆的第一繞包鋁箔層、編織網(wǎng)以及第二繞包鋁箔層組成;所述第一繞包鋁箔層以及第二繞包鋁箔層均呈波紋狀固定在電纜上。
[0006]所述第一繞包鋁箔層中的鋁箔為厚度20 μ的單面自粘鋁箔。
[0007]所述第二繞包鋁箔層中的鋁箔為厚度15 μ的雙面粘護(hù)鋁箔。
[0008]所述內(nèi)導(dǎo)體為無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體。
[0009]所述絕緣層為PE絕緣層。
[0010]本實(shí)用新型有益效果是:物理發(fā)泡的PE絕緣層外的第一層包覆采用20 μ單面自粘鋁箔繞包,再包敷高質(zhì)量的合金絲編織網(wǎng),第二層包覆采用15 μ雙面粘護(hù)鋁箔繞包,而且第一繞包鋁箔層以及第二繞包鋁箔層均呈波紋狀;上述外導(dǎo)體屏蔽層的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)保證了電纜的高“屏蔽衰減”(此結(jié)構(gòu)可以使電纜的屏蔽衰減提高5dB)和低“轉(zhuǎn)移阻抗”(轉(zhuǎn)移阻抗:1.0MHz-30.0MHz彡2.6mohm/m),使同軸電纜的屏蔽性能得到大幅度提高,在
1.0MHZ-3000MHZ的頻率范圍內(nèi),屏蔽衰減可達(dá)85dB以上。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2是本實(shí)用新型中軋紋工序用的模具的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖3是本實(shí)用新型中軋紋工序用的模具的左視結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1所示的高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,其徑向由內(nèi)而外設(shè)置有內(nèi)導(dǎo)體1、絕緣層2、第一繞包鋁箔層3、編織網(wǎng)4、第二繞包鋁箔層5、護(hù)套6。
[0015]所述內(nèi)導(dǎo)體I采用電解無(wú)氧銅。
[0016]所述絕緣層2為物理發(fā)泡形成的PE絕緣層,可保證芯線的結(jié)構(gòu)性能穩(wěn)定。
[0017]所述第一繞包鋁箔層3采用20 μ厚度的鋁箔進(jìn)行繞包(即一定寬度的鋁箔帶在電纜外圓周面上螺旋狀環(huán)繞包覆,兩兩包覆層之間的搭蓋率在30% -50% )后形成繞包結(jié)構(gòu),保證了鋁箔包覆的緊密、無(wú)褶皺及鋁箔搭接彎曲無(wú)開(kāi)口,起到了高效的屏蔽作用。
[0018]所述編織網(wǎng)4采用高抗拉LHP-Y型鋁鎂合金絲(優(yōu)選:編織絲直徑0.14mm,編織角度50°,編織節(jié)距32mm),以有效提高電纜屏蔽效能。
[0019]所述第二層繞包鋁箔層5采用15 μ厚度的鋁箔繞包后形成繞包結(jié)構(gòu),與護(hù)套一起緊壓在編織網(wǎng)上??捎行p小信號(hào)傳輸時(shí)外導(dǎo)體直流電阻,改善了低頻區(qū)域的轉(zhuǎn)移阻抗性倉(cāng)泛。
[0020]第二層繞包鋁箔層完成后,后再通過(guò)軋紋工序,使得第二繞包鋁箔層(連同第一層繞包鋁箔層以及編織網(wǎng))均形成波紋狀結(jié)構(gòu)。
[0021]所述軋紋工序是將兩次繞包(或者每次繞包)后的電纜穿入轉(zhuǎn)動(dòng)的模具7(模具在軋制設(shè)備帶動(dòng)下繞自身軸線轉(zhuǎn)動(dòng))進(jìn)行軋制,由于鋁箔以及絕緣層具有一定的彈性變形能力,所以在模具內(nèi)表面的螺紋(一般是雙頭螺紋)作用下,被軋制成波浪形狀。該軋制設(shè)備和模具均為現(xiàn)有常規(guī)設(shè)備。
[0022]所述護(hù)套6可以根據(jù)使用環(huán)境的不同選擇合適的材料,推薦采用聚烯烴材料(制成聚烯烴護(hù)套)。
[0023]本實(shí)用新型所采用的全部材料均可外購(gòu)獲得。
【權(quán)利要求】
1.一種高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,包括在徑向由內(nèi)而外依次包覆的內(nèi)導(dǎo)體(I)、絕緣層(2)、外導(dǎo)體屏蔽層和護(hù)套(6);其特征在于所述外導(dǎo)體屏蔽層由徑向自?xún)?nèi)而外依次包覆的第一繞包鋁箔層(3)、編織網(wǎng)(4)以及第二繞包鋁箔層(5)組成;所述第一繞包鋁箔層以及第二繞包鋁箔層均呈波紋狀固定在電纜上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,其特征在于所述第一繞包鋁箔層中的鋁箔為厚度20 μ的單面自粘鋁箔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,其特征在于所述第二繞包鋁箔層中的鋁箔為厚度15 μ的雙面粘護(hù)鋁箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,其特征在于所述內(nèi)導(dǎo)體為無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高“屏蔽衰減”低“轉(zhuǎn)移阻抗”同軸電纜,其特征在于所述絕緣層為PE絕緣層。
【文檔編號(hào)】H01B11/00GK203982887SQ201420300426
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月6日
【發(fā)明者】何孫益, 楊黎波, 簡(jiǎn)裕利, 趙中 申請(qǐng)人:浙江萬(wàn)馬天屹通信線纜有限公司
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