專利名稱：等離子顯示裝置及其中的等離子顯示板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示裝置及其中的等離子顯示板的制造方法。
技術背景通常，等離子顯示板由形成在上部基板與下部基板之間的障壁組成一個單位串，各串內 充入了氖(Ne)，氦(He)，或氖及氦的混合氣體(Ne+He)等主放電氣體和少量氮(Xe)的惰性氣體。 通過高頻電壓放電時，惰性氣體產生真空紫外線(Vacuum Ultra violet rays),使形成在障壁之 間的熒光體發(fā)光，從而顯現圖像。因這種等離子顯示板可具有輕薄的結構，因此作為第二代 顯示裝置備受注目?；宓南虏炕逯胁荒軐市纬煞烹姶膮^(qū)域形成熒光體層時，存在降低基板外廓部分 的影像畫質的問題。 發(fā)明內容發(fā)明目的本發(fā)明為了解決上述問題，旨在提供簡單正確調整與下部基板之間的校直 (alignment)操作，從而形成熒光體層的等離子顯示板的制造方法。本發(fā)明的另一目的是提供采用上述等離子顯示板的等離子顯示裝置。技術方案為解決上述技術問題，本發(fā)明的等離子顯示裝置，包括上部基板、形成在 上部基板的多個第1電極及第2電極、與上部基板面對配置的下部基板，和為了劃分形成在 下部基板的多個第3電極及放電串而設在下部基板上的障壁；形成在上述基板最外圍的最外 圍障壁的下端寬度與上端寬度的比率，要比形成在上述基板的內部的內部障壁的下端寬度與 上端寬度比率大。其中，所述最外圍障壁的下端寬度是上端寬度的1.1倍至1.8倍。 其中，所述內部障壁的下端寬度為上端寬度的l倍至l.l倍。 其中，所述最外圍障壁的下端寬度是所述內部障壁的下端寬度的1.1倍至1.8倍。 其中，所述內部障壁的上端寬度是所述最外圍障壁的上端寬度的1.1倍至1.8倍。 為解決上述技術問題的本發(fā)明的又一個等離子顯示裝置，包括上部基板、形成在上述 上部基板的多個第1電極及第2電極、與上述上部基板面對配置的下部基板，和為了劃分形 成在上述下部基板的多個第3電極及放電串而設在上述下部基板上的障壁；形成在上述基板 的最外圍的最外圍障壁的傾斜面傾斜度，要比形成在上述基板內部的內部障壁的傾斜面傾斜 度小。其中，所述最外圍障壁的傾斜面傾斜度是40度至80度。其中，所述最外圍障壁的傾斜面和所述基板的下部基板之間形成的角度為40度至80度。
其中，所述內部障壁的傾斜面傾斜度是81度至90度。為解決上述技術問題的本發(fā)明的等離子顯示板的制造方法包括向形成多個障壁的基板 照射光，檢測從上述基板反射的光的階段；利用上述檢測后的反射光，檢測上述障壁位置的 階段；及利用上述檢測的障壁位置，在通過上述障壁劃分的放電串上形成熒光體層的階段。其中，所述障壁位置檢測階段是利用上述檢測的反射光，檢測形成在上述基板的最外圍 的最外圍障壁的位置。有益效果具有如上組成的本發(fā)明的等離子顯示板制造方法及采用其的等離子顯示裝置， 根據形成在下部基板的障壁位置設置熒光體層，可以減少熒光體形成誤差，可以實時排列下 部基板，從而提高基板制造操作容易性及效率。尤其在利用多倒角工藝制造基板時，很容易 補償下部基板的歪斜。


圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板結構的一個實例的斜視圖。 圖2為顯示等離子顯示板電極配置的一個實例的斷面圖。圖3為顯示將一個幀(&ame)分為多個子字段(subfield)時分驅動等離子顯示板的一個實例 的時序圖。圖4為顯示驅動等離子顯示板的驅動信號的一個實例的時序圖。 圖5為介紹本發(fā)明的等離子顯示板制造方法的一個實例的圖片。 圖6及圖7為顯示本發(fā)明的等離子顯示板障壁結構的實例的斷面圖。 圖8至圖10為介紹采用障壁的校直(alignment)方法的實例的圖片。 圖11為顯示采用多倒角工藝的等離子顯示板的制造方法的實例的圖片。
具體實施方式
下面結合具體實施例和附圖進一步對本發(fā)明進行說明。圖1為顯示本發(fā)明的等離子顯示板結構的一個實例的斜視圖。如圖1所示，等離子顯示板包括形成在上部基板10上的作為維持電極對的掃描電極11 及維持電極12，和形成在下部基板20上的尋址電極22。上述維持電極對(ll， 12)包括由銦錫氧化物(Indium-Tin-0xide; ITO)組成的透明電極(lla， 12a)和總線電極(llb， 12b)。上述總線電極(llb， 12b)可以采用銀(Ag)，鉻(Cr)等的金屬或鉻/ 銅/鉻(Cr/CWCr)的層積型或鉻/鋁/鉻(Cr/Al/Cr)的層積型形成的總線電極(llb， 12b)。此時，總 線電極(llb, 12b)形成在透明電極(lla， 12a)上，起到減少電阻較髙的透明電極(lla, 12a)引 起的電壓下降的作用。同時，本發(fā)明的一實例中，維持電極對(ll， 12)不僅可以采取層壓透明電極(lla， 12a)和 總線電極(llb, 12b)的結構，也可以沒有透明電極(lla， 12a)只由總線電極(llb， 12b)組成。 這種結構不使用透明電極(lla, 12a)，因此具有可以降低基板制造單價的優(yōu)點.用于這種結構 的總線電極(llb， 12b)除了以上列舉的材料之外也可以采用感光性材料等多種材料。掃描電極ll及維持電極12的透明電極(lla， 12a)和總線電極(llb， llc)之間排列了具 有吸收上部基板10的外部產生的外部光線，降低反射的遮光作用的功能和提高上部基板10 的色飽和度(Purity)及對比度的功能的黑色矩陣15(BlackMatrix， BM)。本發(fā)明的一實例的黑色矩陣15形成在上部基板10上，可以由形成在與障壁21重疊位置 的第1黑色矩陣15和形成在透明電極(lla， 12a)和總線電極(llb， 12b)之間的第2黑色矩陣(llc， 12c)組成。在此，第1黑色矩陣15和被稱為黑色層或黑色電極層的第2黑色矩陣(llc， 12c) 可以在形成過程中同時形成后物理連接，也可以不同時形成，不進行物理連接。而且，通過物理連接形成時，第l黑色矩陣15和第2黑色矩陣(llc, 12c)由相同材質形 成，物性分解形成時可以由不同材質形成。并排形成掃描電極11和維持電極12的上部基板10層壓了上部電介質層13和保護膜14。 上部電介質層13上積累通過放電產生的荷電粒子，可以實行保護維持電極對(ll， 12)的功能。 保護膜14保護上部電介質層13，防止其受到氣體放電時產生的荷電粒子的濺射的影響，提 高2次電子的釋放效率。而且，尋址電極22與掃描電極11及維持電極12交叉形成。形成尋址電極22的下部基 板20上形成下部電介質層23和障壁21 。而且，下部電介質層23和障壁21表面上形成熒光體層。障壁21由縱向障壁21a和橫向 障壁21b呈封閉形，物理劃分放電串，防止通過放電產生的紫外線和可見光泄露到鄰接的放 電串上。本發(fā)明的一實例不僅可以采用圖1所示的障壁21結構，也可以釆用多種形狀的障壁21。 例如，可以采用縱向障壁21a和橫向障壁21b高度不同的差等型障壁結構，縱向障壁21a或 橫向障壁21b當中至少一個障壁上形成可以作為排氣通道的頻道(Channel)的頻道型障壁結 構，縱向障壁21a或橫向障壁21b當中的至少一個以上的障壁上形成槽(Hollow)的槽型障壁結 構。在此，若是差等型障壁結構，則最好橫向障壁21b高度更高，若是頻道型障壁結構或槽 形障壁結構，則最好在橫向障壁21b上形成頻道或槽。 '同時，本發(fā)明的一實例中顯示了介紹了R， G及B放電串分別排列到相同線上的情況， 但是也可以采用其他形狀排列。例如，也可以釆用R，G及B放電串以三角形排列的三角(Delta) 型排列。而且，放電串的形狀不僅可以采用四角形，也可以采用五角形、六角形等多種多角 形狀。而且，上述熒光體層通過氣體放電時產生的紫外線而發(fā)光，產生紅色(R)、綠色(G)或藍
色(B)當中的任一個可見光。在此，設在上部/下部基板(10， 20)和障壁21之間的放電空間中 注入引起放電的He+Xe, Ne+Xe及He+Ne+Xe等惰性混合氣體。圖2為顯示等離子顯示板的電極配置的一實例的圖片，如圖2所示組成等離子顯示板的 多個放電串最好以矩陣形式配置。多個放電串分別設在掃描電極線(Y1至Ym)、維持電極線 (Zl至Zm)及尋址電極線(Xl至Xn)的交叉部上。掃描電極線(Yl至Ym)可以依次或同時驅動， 維持電極線(Z1至Zm)可以同時驅動。尋址電極線(X1至Xn)可以分為奇數線和偶數線驅動或 依次驅動。圖2所示的電極配置不過是本發(fā)明的等離子顯示板的電極配置的一實例。因此，本發(fā)明 并不限于圖2所示的等離子顯示板的電極配置及驅動方式。例如，也可以釆用上述掃描電極 線(Y1至Ym)當中2個掃描電極線同時被掃描的雙掃描(dualscan)方式。而且，上述尋址電極 線(X1至Xn)也可以在基板的中心部分分割為上下部分進行驅動。圖3是通過時序圖顯示將一個幀(frame)分為多個子字段，進行時分驅動的方法的一實例 的圖片。單位幀為實現時分色調顯示，可以分為一定個數例如8個子字段(SF1， ...， SF8)。而 且，各子字段(SF1， ...， SF8)分為重置區(qū)間(圖中未顯示)、尋址區(qū)間(A1， ...， A8)及維持區(qū)間 (Sl，…，S8)。在此，可以在多個子字段當中的至少一個字段省略重置區(qū)間。例如，重置區(qū)間只在最初 的子字段或只在最初的子字段和整個子字段當中的中間部分的子字段中。各尋址區(qū)間(A1， ...， A8)中，向尋址電極(X)施加顯示數據信號，依次施加各掃描電極(Y) 相應的掃描脈沖。各維持區(qū)間(S1， ...， S8)中，向掃描電極(Y)和維持電極(Z)交互施加維持脈沖，在尋址區(qū) 間(A1， ...， A8)形成壁電荷的各放電串中引起維持放電。等離子顯示板的亮度與單位幀中所占的維持放電區(qū)間(S1， ...， S8)內的維持放電脈沖個數 成比例。形成1個圖像的一個幀以8個子字段和256色調體現時，各子字段中可以依次按照 1， 2， 4， 8, 16, 32, 64， 128比率分配不同的維持脈沖個數.若要得到133色調的亮度，則 在子字段1區(qū)間，子字段3區(qū)間及子字段8區(qū)間內尋找各串后維持放電即可。分配到各子字段的維持放電數可以根據APC(AutomaticPowerControl)階段的子字段加權 值可變設定。即，圖3中舉例介紹了將一個幀分為8個子字段的例子，但是可以根據設計規(guī) 格靈活變更形成一個幀的子字段的數量。例如，可以將一個幀分為12或16子字段等8個以 上子字段，驅動等離子顯示板。而且，分配到各子字段的維持放電數可以考慮Y特征或基板特性，進行多種變更。例如， 可以將分配到子字段4的色調度從8降到6，將分配到子字段6的色調度從32提高到34。圖4為通過時序圖顯示分割的上述一個子字段中，驅動等離子顯示板的驅動信號的一個 實例的圖片。上述子字段包括在各掃描電極(Y)上形成正極性壁電荷，在各維持電極(Z)上形成負極 性壁電荷的預復位(prereset)區(qū)間，利用在預復位區(qū)間形成的壁電荷分布，初始化所有畫面的 放電串的重置(reset)區(qū)間，選擇放電串的尋址(address)區(qū)間及維持所選放電串的維持(sustain) 區(qū)間。重置區(qū)間由創(chuàng)建(setup)區(qū)間及記憶(setdown)區(qū)間組成，上述創(chuàng)建區(qū)間中同時向所有掃描 電極施加上斜波(Ramp-up)，在所有放電串發(fā)生微細放電，由此生成壁電荷。上述記憶區(qū)間中， 向所有掃描電極(Y)同時施加從低于上述上斜波(Ramp-up)的峰值電壓的正極性電壓下降的下 斜波(Ramp-down)，在所有放電串中發(fā)生消除放電，由此消除通過創(chuàng)建放電生成的壁電荷及空 間電荷當中的不必要的電荷。在尋址區(qū)間內，依次向掃描電極施加負極性的掃描信號(scan)，與此同時向上述尋址電極 (X)施加與正極性數據信號(data)。通過上述掃描信號(scan)和數據信號(data)之間的電壓差和上 述重置區(qū)間內生成的壁電壓，發(fā)生尋址放電。同時，在上述記憶區(qū)間和尋址區(qū)間內，向上述 維持電極施加保持維持電壓的信號。上述維持區(qū)間內，向掃描電極和維持電極交替施加維持脈沖，在掃描電極和維持電極之 間，以面放電形式發(fā)生維持放電。圖4所示的驅動波形是驅動本發(fā)明的等離子顯示板的信號的第1實例，本發(fā)明并不限于 上述圖4所示的波形。例如，可以省略上述預重置區(qū)間，可以根據需要變更圖4所示的各驅 動信號的極性及電壓電平，在結束上述維持放電后向維持電極施加消除壁電荷的消除信號。 而且，也可以采用只向掃描電極(Y)和維持(Z)電極當中的任一個施加上述維持信號而引起維 持放電的單獨維持(single sustain)驅動。圖5為介紹本發(fā)明的等離子顯示板制造方法的一個實例的圖片。參照圖5，則在玻璃500上以此形成電極，電解質層及障壁。之后，檢測上述形成的障 壁位置后，檢測由障壁劃分的放電串所在的區(qū)域510后，對準上述檢測的區(qū)域510位置后， 形成熒光體層。作為上述檢測障壁位置的方法的一個實例，在形成障壁的玻璃500上照射光后，檢測通 過玻璃500反射的光后,利用檢測的光強度檢測設在最外圍的障壁位置。 圖6及圖7為顯示本發(fā)明的等離子顯示板障壁結構的實例的斷面圖。 如圖6及圖7所示，為了提高照射到最外圍障壁(610， 710)的光的反射率，并提高位置 測定的準確性，最好將最外圍障壁(610， 710)傾斜面傾斜度62設得比內部障壁(620， 720)的傾斜面傾斜度ei更緩。參照圖6，則通過將形成在下部基板600上的最外圍障壁610的下端寬度a設的比內部 障壁620的下端寬度c更大，使最外圍障壁610傾斜面傾斜度62比內部障壁620傾斜面傾斜 度91更小。為了根據照射光的光源位置，最大化光的反射率從而提高測定正確性，最外圍障壁610 傾斜面傾斜度62可以取40度至80度的值。而且，為了確?；宓拈_口率，內部障壁620的 傾斜面傾斜度ei可以采用大于最外圍障壁610的傾斜面傾斜度02的81度至90度的值。為了最大限度確?；彘_口率，為了使最外圍障壁610的傾斜面傾斜度02具有上述范圍 的值，最外圍障壁610的下端寬度a可以是上端寬度b的1.1倍至1.8倍。而且，圖6所示的障壁結構中，最外圍障壁610的下端寬度a可以是內部障壁620的下 端寬度c或上端寬度d的1.1倍至1,8倍，最外圍障壁610的上端寬度b可以具有與內部障壁 620的下端寬度c或上端寬度d相似的值。如圖6所示，隨著最外圍障壁610下端寬度的增加，將最外圍障壁610和與其鄰接的內 部障壁620之間的間隔d2，比互相鄰接的兩個內部障壁(620， 630)之間的間隔dl更小。參照圖7，若將形成在下部基板700上的最外圍障壁710的上端寬度b設的內部障壁720 的上端寬度d更小，就可以使最外圍障壁710的傾斜面傾斜度62小于內部障壁720的傾斜面 傾斜度ei。此時，可以根據照射光的光源位置，最大限度加大光的反射率，提高測定的正確 性，最外圍障壁710的傾斜面傾斜度e2可以取40度至80度的值，最外圍障壁710的下端寬 度a可以是上端寬度b的1.1倍至1.8倍。圖6及圖7中，只有位于最外圍的一個障壁的傾斜面傾斜度及卞端寬度與上端寬度比率， 要比內部障壁小的例子為一個實例，介紹了本發(fā)明的等離子顯示裝置。但是，上述圖6及圖 7所示的最外圍障壁結構，可以適用于基板外圍的2個以上的障壁。圖8至圖10為介紹采用障壁的校直(alignment)方法的實例的圖片。形成包含外圍障壁830的多個障壁(830， 840， 850， 860)的下部基板800上，利用光源 810照射光。上述照射的光通過形成多個障壁(830， 840， 850， 860)及電極或電介質層的下部 基板800反射，光傳感器820檢測上述反射的光。圖9以圖表顯示通過光傳感器820檢測的反射光的光傳感器820輸出信號的例子。通過光傳感器820檢測的反射光強度，與上述反射光反射的地點的高度成比例。因此， 分析通過光傳感器820檢測的反射光強度，則可以得知包含反射光的各障壁(830， 840， 850， 860)的下部基板700各部分的高度。參照圖9，則光傳感器820輸出的反射光強度隨著障壁位置變化。因此，圖9所示的圖 表中，檢測與最外圍障壁對應部分中具有一定標準值(ref)的部分位置(X)，則可以檢測最^卜圍 障壁830 —定高度所對應部分的位置。參照圖IO,若將形成了最外圍障壁910包含在內的多個障壁(910， 920， 930， 940)的下
部基板或光源950，移動到圖示的方向的同時，采用上述圖9中介紹的方法連續(xù)檢測最外圍 障壁830 —定高度所對應部分的位置，檢測最外圍障壁830的位置變化。若根據采用上述方法檢測的最外圍障壁830位置變化，改變熒光體調制(dispensing)位置 的同時形成熒光體層，則實時根據放電串進行熒光體層的校直(alignment)。圖11為顯示利用多倒角工藝的等離子顯示板的制造方法的實例的圖片，多倒角工藝是利 用一個玻璃基板1000，制造2個以上基板(1010， 1020, 1030, 1040， 1050， 1060)的方法。圖11所示，利用多倒角工藝時，各基板下部基板可能歪斜。此時，利用上述圖5至圖IO所介紹的采用最外圍障壁位置檢測的校直方法時，可以對所 有基板(IOIO, 1020， 1030， 1040， 1050， 1060)簡單進行校直。以上以在基板的下部基板上形成熒光體層為例子，介紹了本發(fā)明的等離子顯示板的制造 方法，除此之外可以適用于根據障壁位置進行校直的所有制造過程。以上，對本發(fā)明的最佳實例進行了介紹，但是可以理解，在不脫離附加的申請范圍內所 定義的本發(fā)明精神及范圍的前提下，只要是具有本發(fā)明所屬技術領域內基礎知識的人士，就 可以對本發(fā)明進行多種變形變更后實施。因此，本發(fā)明今后的實例的變更也屬于本發(fā)明的技 術。
權利要求
1、一種等離子顯示裝置，包括上部基板、形成在上部基板的多個第1電極及第2電極、與上部基板面對配置的下部基板，和為了劃分形成在下部基板的多個第3電極及放電串而設在下部基板上的障壁，其特征在于形成在上述基板最外圍的最外圍障壁的下端寬度與上端寬度的比率，要比形成在上述基板的內部的內部障壁的下端寬度與上端寬度比率大。
2、 根據權利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述最外圍障壁的下端寬度是上 端寬度的U倍至1.8倍。
3、 根據權利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述內部障壁的下端寬度為上端寬度的1倍至1.1倍。
4、 根據權利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述最外圍障壁的下端寬度是所 述內部障壁的下端寬度的U倍至1.8倍。
5、 根據權利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述內部障壁的上端寬度是所述 最外圍障壁的上端寬度的U倍至1.8倍。
6、 一種等離子顯示裝置，包括上部基板、形成在上述上部基板的多個第1電極及第2 電極、與上述上部基板面對配置的下部基板，和為了劃分形成在上述下部基板的多個第3電極及放電串而設在上述下部基板上的障壁，其特征在于形成在上述基板的最外圍的最外圍障壁的傾斜面傾斜度，要比形成在上述基板內部的內部障壁的傾斜面傾斜度小。
7、 根據權利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述最外圍障壁的傾斜面傾斜度 是40度至80度。
8、 根據權利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述最外圍障壁的傾斜面和所述 基板的下部基板之間形成的角度為40度至80度。
9、 根據權利要求6所述的等離子顯示裝置，其特征在于所述內部障壁的傾斜面傾斜度是 81度至90度。
10、 應用于權利要求1或6中所述的等離子顯示裝置中的等離子顯示板的制造方法，其 特征在于它包括向形成多個障壁的基板照射光，檢測從上述基板反射的光的階段；利用上 述檢測后的反射光，檢測上述障壁位置的階段；及利用上述檢測的障壁位置，在通過上述障 壁劃分的放電串上形成熒光體層的階段。
11、 根據權利要求10所述的應用于等離子顯示裝置中的等離子顯示板的制造方法，其特 征在于所述障壁位置檢測階段是利用上述檢測的反射光，檢測形成在上述基板的最外圍的最 外圍障壁的位置。
12、 根據權利要求10所述的應用于等離子顯示裝置中的等離子顯示板的制造方法，其特 征在于所述最外圍障壁的下端寬度與上端寬度比率，要比形成在上述基板的內部的內部障壁 的下端寬度與上端寬度比率大。
13、 根據權利要求10所述的應用于等離子顯示裝置中的等離子顯示板的制造方法，其特 征在于所述最外圍障壁的下端寬度是上端寬度的1.1倍至1.8倍。
14、 根據權利要求10所述的應用于等離子顯示裝置中的等離子顯示板的制造方法，其特 征在于所述最外圍障壁的傾斜面傾斜度，要比形成在上述基板的內部的內部障壁的傾斜面傾 斜度更小。
15、 根據權利要求IO所述的應用于等離子顯示裝置中的等離子顯示板的制造方法，其特 征在于所述最外圍障壁的傾斜面傾斜度是40度至80度。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示裝置及其中的等離子顯示板的制造方法。其基板制造方法以包括向形成多個障壁的基板照射光，檢測從基板反射的光的階段；利用檢測后的反射光，檢測障壁位置的階段；及利用檢測的障壁位置，在通過障壁劃分的放電串上形成熒光體層的階段為特征。根據本發(fā)明，制造等離子顯示板時，根據形成在下部基板的障壁位置設置熒光體層，可以減少熒光體形成誤差，可以實時排列下部基板，從而提高基板制造操作容易性及效率。尤其在利用多倒角工藝制造基板時，很容易補償下部基板的歪斜。
文檔編號H01J17/04GK101127289SQ20071014678
公開日2008年2月20日 申請日期2007年8月22日 優(yōu)先權日2006年11月30日
發(fā)明者千鉉太, 地天員, 文炳俊, 李賢偶, 蔣奉錫 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司