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等離子顯示板的制作方法

文檔序號(hào):2928628閱讀:198來源:國知局
專利名稱:等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種等離子顯示板(Plasma Display Panel),具體地說是一種能抑 制虛擬區(qū)域中放電發(fā)生的等離子顯示板。
背景技術(shù)
通常,等離子顯示板中,在由障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)形成的熒光體層的同 時(shí)形成多個(gè)電極(Electrode)。
通過這種電極向放電串提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
貝!J,放電串內(nèi)通過供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生放電。在此,在放電串內(nèi)通過驅(qū)動(dòng)信 號(hào)放電時(shí),充入放電串內(nèi)的放電氣體會(huì)產(chǎn)生真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays),這種真空紫外線激發(fā)形成在放電串內(nèi)的熒光體,產(chǎn)生可見光。通過這種可 見光,在等離子顯示板的畫面上顯示影像。
同時(shí),傳統(tǒng)的等離子顯示板上存在在虛擬區(qū)域(Dummy Area)中發(fā)生放電的問 題。因此,存在虛擬區(qū)域發(fā)生的放電產(chǎn)生的光釋放到外部而惡化對(duì)比度(Contrast) 特性的同時(shí)惡化影像畫質(zhì)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題,本發(fā)明的目的是提供一種通過改善虛擬區(qū)域中放電串排 列,抑制虛擬區(qū)域中放電發(fā)生的等離子顯示板。 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的
一種等離子顯示板,包括形成了并排的第1電極和第2電極的前面基板和;與前 面基板對(duì)置配置的后面基板及,在顯示前面基板和后面基板之間影像的有效區(qū)域 (Active Area)劃分有效放電串,在配置在有效區(qū)域外廓的虛擬區(qū)域(DummyArea)中 劃分進(jìn)行路徑與有效放電串不同的虛擬放電串的障壁。
而且,有效放電串當(dāng)中至少一個(gè)放電串的大小與虛擬放電串中至少一個(gè)的大小 實(shí)際相同。
而且,在與前面基板上部虛擬區(qū)域?qū)?yīng)的位置上可以再形成黑色層 (BlackLayer)。
而且,有效放電串的進(jìn)行路徑和虛擬放電串的進(jìn)行路徑可以并排。 實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的又一種等離子顯示板,包括形成了并排的第l電極和 第2電極的前面基板和,與前面基板對(duì)置配置的后面基板及,在顯示前面基板和后 面基板之間影像的有效區(qū)域(ActiveArea)中劃分有效放電串的有效障壁和,在配置 在有效區(qū)域外廓的虛擬區(qū)域(DuramyArea)中,包括遮擋第1電極和第2電極之間的部
分區(qū)域的虛擬障壁。
而且,虛擬障壁的寬度可以是50微米以上500微米以下。
如上所述,本發(fā)明的等離子顯示板通過不同設(shè)置形成在虛擬區(qū)域的虛擬放電串 的進(jìn)行路徑和形成在有效區(qū)域的有效放電串的進(jìn)行路徑,具有防止虛擬區(qū)域中產(chǎn)生 放電,由此可以防止對(duì)比度特性的降低,具有防止所顯現(xiàn)的影像畫質(zhì)惡化的效果。


圖1為介紹本發(fā)明 一實(shí)例的等離子顯示板結(jié)構(gòu)一例的圖片。 圖2為介紹第1電極或第2電極當(dāng)中至少一個(gè)為多個(gè)層的一例的圖片。 圖3為介紹第1電極或第2電極當(dāng)中至少一個(gè)為單層的一例的圖片。 圖4為介紹虛擬區(qū)域和有效區(qū)域的圖片。 圖5為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中放電串的圖片。 圖6a至圖6b是介紹有效放電串和虛擬放電串中電極配置的圖片。 圖7為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中的放電開始電壓的圖片。 圖8為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中放電串的另一例的圖片。 圖9a至圖9b為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中放電串的又一個(gè)實(shí)例的圖片。 圖10為介紹形成在與虛擬區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的黑色層的圖片。 圖ll為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)的影像幀(Frame)的 圖片。
圖12為介紹本發(fā)明 一實(shí)例的等離子顯示板操作一例的圖片。
圖13a至圖13b為介紹上斜信號(hào)或第2下斜信號(hào)的另一形式的圖片。
圖14為介紹維持信號(hào)的另一種類型的圖片。
附圖中標(biāo)記說明
101 :前面基板102:第l電極
103 :第2電極104:上部電介質(zhì)層
105 :保護(hù)層111:后面基板
112,112a, 112b :障壁113:第3電極
114 :熒光體層115:下部電介質(zhì)層。
具體實(shí)施例方式
以下,參照附圖片具體介紹本發(fā)明。 圖l為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板結(jié)構(gòu)一例的圖片。
在此,圖l中將介紹本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板有效區(qū)域(Active Area), 之后更具體介紹虛擬區(qū)域(Dummy Area)。
分析圖l,則本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板可以由形成了并排的第1電極(Y) 102,和第2電極(Z) 103的前面基板101和,形成了與前述第1電極(Y) 102,及第2 電極(Z) 103交叉的第3電極(X) 113的后面基板111接合而成。
形成在前面基板101上的電極,例如第1電極(Y) 102,和第2電極(Z) 103可以 在放電空間,即在有效放電串(Cell)引起放電的同時(shí)維持有效放電串的放電。
這種形成了第1電極(Y) 102,和第2電極(Z) 103的前面基板101上部可以設(shè)覆 蓋第1電極(Y) 102,和B2電極(Z) 103的電介MJ^倒如上部蟲介質(zhì)層104。
這種上部電介質(zhì)層104限制第1電極(Y) 102,及第2電極(Z) 103的放電電流, 可以使第1電極(Y) 102,和第2電極(Z) 103,之間絕緣。
這種上部電介質(zhì)層104上面可以形成簡(jiǎn)化放電條件的保護(hù)層105。這種保護(hù)層 105可以采用將氧化鎂(MgO)等材料蒸鍍?cè)谏喜侩娊橘|(zhì)層104上部的方法形成。
同時(shí),后面基板lll上形成了電極,例如第3電極(X) 113,這種形成第3電極(X) 113的后面基板111上部可以設(shè)置覆蓋第3電極(X) 113的電介質(zhì)層,例如下部電介質(zhì) 層115。
這種下部電介質(zhì)層115可以使第3電極(X) 113絕緣。
這種下部電介質(zhì)層115的上部可以形成劃分放電空間即有效放電串的條形(Stri peType),井形(WellType),三角形(DeltaType),蜂窩形等障壁112。因此,可以 在面基板101和后面基板lll之間形成紅色(Red:R),綠色(Green:G),藍(lán)色(Blue:B) 等有效放電串。
而且,紅色(R),綠色(G),藍(lán)色(B)有效放電串之外,也可以再形成白色 (Whi t e: W)或黃色(Yel low: Y)有效放電串。
同時(shí),本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板中的紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)有效 放電串的間距(Pitch)可以實(shí)際相同,但是為了調(diào)整紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)有 效放電串中的色溫,也可以不同設(shè)置紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)有效放電串的間 距。
此時(shí),可以根據(jù)紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)有效放電串不同設(shè)置所有間距, 也可以將紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)有效放電串當(dāng)中的一個(gè)以上的有效放電串的 間距設(shè)的與其他有效放電串間距不同。例如,可以設(shè)為紅色(R)有效放電串的間距 最小,綠色(G)及藍(lán)色(B)有效放電串的間距大于紅色(R)有效放電串的間距。 在此,綠色(G)有效放電串的間距可以與藍(lán)色(B)有效放電串的間距實(shí)際相同或 不同。
而且,本發(fā)明的等離子顯示板不僅可以采用圖1所示的障壁112結(jié)構(gòu)也可以采取 多種形狀的障壁結(jié)構(gòu)。例如,可以采用障壁112包括第l障壁112b和第2障壁112a, 其中第l障壁112b的高度與第2障壁112a高度互不相同的差等型障壁結(jié)構(gòu),在第l障 壁112b或第2障壁112a當(dāng)中的一個(gè)以上的障壁上形成可作為排氣通道的頻道的 (Channel)的頻道型障壁結(jié)構(gòu),在第l障壁112b或第2障壁112a當(dāng)中的一個(gè)以上障壁 上形成槽(Hollow)的槽形障壁結(jié)構(gòu)。
在此,如果是差等型障壁結(jié)構(gòu),則第l障壁112b或第2障壁112a當(dāng)中第l障壁 112b的高度可以低于第2障壁112a高度。同時(shí),如果是頻道型障壁結(jié)構(gòu)或槽型障壁 結(jié)構(gòu),則可以在第l障壁112b上形成頻道或槽。
同時(shí),雖然顯示和介紹了在本發(fā)明的一實(shí)例的等離子顯示板中紅色(R),綠色 (G)及藍(lán)色(B)有效放電串分別排列在同一線上,但是也可以采用其他形狀排列在同 一個(gè)線上,但是也可以以其他形象排列。例如,也可以采取紅色(R),綠色(G)及藍(lán) 色(B)有效放電串按三角形形象排列的三角(Delta)型排列。而且,有效放電串的形 狀也可以采用四角形之外的五角形,六角形等多種多角形狀。
而且,圖1中只顯示障壁112形成在后面基板111的例子,但是障壁112可以形成 在前面基板101或后面基板111當(dāng)中的任一個(gè)基板上。
在此,由障壁112劃分的有效放電串內(nèi)可以充入一定的放電氣體。
同時(shí),由障壁112劃分的有效放電串內(nèi)可以形成尋址放電時(shí)釋放顯示圖象的可 見光的熒光體層114。例如,可以形成紅色(Red:R),綠色(Green:G),藍(lán)色(Blue:B) 熒光體層。
而且,除了紅色(R),綠色(G),藍(lán)色(B)熒光體之外也可以再形成白色 (Whi t e: W)及/或黃色(Ye 11 ow: Y)熒光體層。
而且,紅色(R),綠色(G),藍(lán)色(B)有效放電串的熒光體層114厚度(Width)可 以實(shí)際相同或一個(gè)以上的厚度不同。例如,紅色(R),綠色(G)及藍(lán)色(B)有效放電 串當(dāng)中至少一個(gè)有效放電串的熒光體層114厚度與其他有效放電串不同時(shí),綠色(G) 或藍(lán)色(B)有效放電串的熒光體層114厚度可以比紅色(R)有效放電串的熒光體層l14 厚度更厚。在此,綠色(G)有效放電串的熒光體層114厚度可以與藍(lán)色(B)有效放電 串的熒光體層114厚度實(shí)際相同或不同。
同時(shí),以上不過是顯示和介紹了本發(fā)明所述的等離子顯示板一例,在此指明本
發(fā)明并不限于具有以上結(jié)構(gòu)的等離子顯示板。例如,以上介紹中只顯示編號(hào)104的 上部電介質(zhì)層及編號(hào)115的下部電介質(zhì)層分別為一個(gè)層(Layer)的例子,但是這種上 部電介質(zhì)層及下部電介質(zhì)層當(dāng)中 一個(gè)以上的電介質(zhì)層可以由多個(gè)層組成。
同時(shí),為了防止編號(hào)112的障壁引起的外部光線反射,可以在障壁112上部再設(shè)
吸收外部光線的黑色層(圖中未顯示)。
而且,也可以在與障壁112對(duì)應(yīng)的前面基板101特定位置上再設(shè)黑色層(圖中未
顯示)。
而且,形成在后面基板111上的第3電極113的寬度或厚度可以為一定值,有效 放電串內(nèi)部的寬度或厚度也可以與有效放電串外部寬度或厚度不同。例如,有效放 電串內(nèi)部的寬或厚度可以比有效放電串外部更寬或更厚。
如此,可以靈活變更本發(fā)明實(shí)例中的等離子顯示板結(jié)構(gòu)。 圖2為介紹第1電極或第2電極當(dāng)中至少一個(gè)為多個(gè)層的一例的圖片。 分析圖2,則第1電極102或第2電極103當(dāng)中至少一個(gè)電極可以由多個(gè)層例如兩 個(gè)層(Layer)組成。
例如,如果考慮光透過率及電導(dǎo)度,則為了將有效放電串內(nèi)產(chǎn)生光釋放到外部 的同時(shí)確保驅(qū)動(dòng)效率,第1電極102和第2電極103至少一個(gè)電極可以包括由包含不透 明的銀(Ag)材質(zhì)的總線電極102b, 103b和,包含透明的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide :IT0)材質(zhì)的透明電極102a, 103a。
如此第l電極102和第2電極103包括透明電極102a, 103a,則放電串內(nèi)產(chǎn)生的可 見光釋放到等離子顯示板的外部時(shí)能有效釋放。
同時(shí),若第l電極102和第2電極103包括總線電極102b, 103b,則第1電極102和 第2電極103只包括透明電極102a, 103a時(shí),透明電極102a, 103a的電導(dǎo)度相對(duì)低一 些,會(huì)降低驅(qū)動(dòng)效率,因此可以補(bǔ)償可能降低驅(qū)動(dòng)效率的透明電極102a, 103a的低 電導(dǎo)度。
第l電極102和第2電極103包括總線電極102b, 103b時(shí),為了防止總線電極
102b, 103b引起的外光反射,可以在透明電極102a, 103a和總線電極102b, 103b的
之間再配備黑色層(BlackLayer) 210, 221。
以下,圖3為介紹第1電極或第2電極當(dāng)中至少一個(gè)為單層的一例的圖片。 分析圖3,則第1電極(Y) 102,及第2電極(Z) 103,是單層(One Layer)。例
如,第1電極(Y) 102,及第2電極(Z) 103可以是上述圖2中編號(hào)102a或103a的透明
電極的(ITO"Less)電極。
這種第1電極(Y) 102,或第2電極(Z) 103,當(dāng)中至少一個(gè)電極包含實(shí)際透明的 電導(dǎo)性金屬材質(zhì)。例如,可以包括銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(A1)等電導(dǎo)性好且透明的材 質(zhì),例如可以包含價(jià)格比銦錫氧化物(ITO)低廉的材質(zhì)。
同時(shí),第1電極(Y) 102或第2電極(Z) 103當(dāng)中至少一個(gè)電極的顏色比圖1中的 編號(hào)104的上部電介質(zhì)層更暗。
如此,第1電極(Y) 102或第2電極(Z) 103當(dāng)中至少一個(gè)電極為單層時(shí),制造工 序比上述圖2簡(jiǎn)單。例如,在上述圖2中的第1電極(Y) 102和第2電極(Z) 103的制造 工序中,在制造透明電極102a, 103a后再制造總線電極102b, 103b。但是圖3中是 單層結(jié)構(gòu),因此通過一次工序就可以制造第1電極(Y) 102和第2電極(Z) 103。
而且,如圖3所示,若以單層制造第1電極(Y) 102和第2電極(Z) 103,則簡(jiǎn)化 制造工序的同時(shí),可以不采用價(jià)格相對(duì)高的銦錫氧化物(ITO)等透明材質(zhì),因此可 以降低制造單價(jià)。
而且,可以在第1電極(Y) 102及第2電極(Z) 103和前面基板101之間增設(shè)防止 前面基板101變色,并具有比第1電極(Y) 102或第2電極(Z) 103當(dāng)中的至少一個(gè)電 極更暗顏色的黑色層(BlackLayer) 300a, 300b。即,前面基板101和第1電極(Y) 102或第2電極(Z) 103直接接觸時(shí),前面基板101與第1電極(Y) 102或第2電極(Z) 103直接接觸的一定區(qū)域會(huì)發(fā)生變色為黃色系的遷移(Migration)現(xiàn)象。黑色層 300a, 300b通過防止這種遷移現(xiàn)象,從而防止前面基板101的變色。
這個(gè)黑色層300a, 300b可以包含具有實(shí)質(zhì)性暗色系顏色的黑色材質(zhì),例如銣 (Rb)。
如此,若在前面基板101和第1電極(Y) 102及第2電極(Z) 103之間設(shè)置黑色層 300a, 300b,則即使第1電極(Y) 102和第2電極(Z) 103由高反射率材質(zhì)組成,也可 以防止反射光的產(chǎn)生。
以下,圖4為介紹虛擬區(qū)域和有效區(qū)域的圖片。
分析圖4,則等離子顯示板可以包含顯示影像的有效區(qū)域410,不對(duì)影像顯示作 貢獻(xiàn)的虛擬區(qū)域400。在此,己通過以上圖1至圖3具體介紹了有效區(qū)域,因此不再 重復(fù)介紹。
虛擬區(qū)域400可以設(shè)在有效區(qū)域410周圍。而且,為了確保有效區(qū)域410的結(jié)構(gòu) 穩(wěn)定性或有效區(qū)域中的操作穩(wěn)定性,可以形成虛擬區(qū)域400。 圖5為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中放電串的圖片。
分析圖5,則障壁500可以在顯示前面基板(圖中未顯示)和后面基板(圖中未顯示)之間影像的有效區(qū)域410中劃分有效放電串(R, G, B),在配置在有效區(qū)域外廓 的虛擬區(qū)域400中劃分進(jìn)行路徑與有效放電串(R, G, B)不同的虛擬放電串(D)。 即,有效放電串(R, G, B)和虛擬放電串(D)的進(jìn)行路徑互不相同?;?,有效放電串 的進(jìn)行路徑和虛擬放電串的進(jìn)行路徑可以并排。
在此,有效放電串顯示為紅色(R)有效放電串,綠色(G)有效放電串,藍(lán)色(B) 有效放電串,其余顯示為虛擬放電串(D)。
而且,可以將劃分有效放電串(R, G, B)的障壁500稱為有效障壁,可以將劃分 虛擬放電串(D)的障壁500稱為虛擬障壁。
圖6a至圖6b是介紹有效放電串和虛擬放電串中電極配置的圖片。
首先,分析圖6,則因虛擬放電串610進(jìn)行路徑與有效放電串600進(jìn)行路徑的不 同,虛擬放電串610內(nèi)的電極配置與有效放電串600內(nèi)電極配置也會(huì)不同。
例如,如圖6a所示,有效放電串600內(nèi)第l電極(Ya, Yb)和第2電極(Za, Zb)可 以一同配置,虛擬放電串610內(nèi)則只配置一種電極例如第2電極(Za, Zb)。
以下,分析圖6b,則因虛擬放電串610進(jìn)行路徑和有效放電串600進(jìn)行路徑不 同,可以在配置在有效區(qū)域外廓的虛擬區(qū)域(DummyArea)中遮擋第l電極620和第2電 極630之間的部分區(qū)域。
例如,如(a)所示,在有效區(qū)域中,在通過有效障壁640劃分的空間所對(duì)應(yīng)的位 置上,第1電極620和第2電極630可以面對(duì)面配置。
相反,如(b)所示,在虛擬區(qū)域中,虛擬障壁650可以遮擋第1電極620和第2電 極630之間的部分區(qū)域。其中,虛擬障壁650寬度(W)可以設(shè)為50微米以上500微米以 下。
以下,圖7為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中的放電開始電壓的圖片。在此事先指 明,圖7中顯示了可以在第1電極和第2電極之間引起放電的放電開始電壓。
分析圖7,則在有效區(qū)域中,第1電極和第2電極之間的電壓大約為225V以上 時(shí),可以在第1電極和第2電極之間引起放電。g卩,放電開始電壓(FiringVoltage) 大約為225V。
相反,如以上圖6a所示,在虛擬區(qū)域中,虛擬放電串內(nèi)只配置兩個(gè)相同的電極 或,如圖6b中的(b)所示,虛擬障壁遮擋第1電極和第2電極之間的部分區(qū)域,因此 第l電極和第2電極之間電壓大約為400V以上時(shí),可以在第l電極和2電極之間發(fā)生放 電。即,放電開始電壓大約為400V。因此,在虛擬區(qū)域進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)發(fā)生放電的可能 性很低。
度(W)設(shè)為50微米以上500微米以下,則可以提高虛 擬區(qū)域中第1電極和第2電極之間的放電開始電壓,因此更加降低在虛擬區(qū)域進(jìn)行驅(qū) 動(dòng)時(shí)發(fā)生放電的可能性。
因此,抑制虛擬區(qū)域中發(fā)生放電,由此防止對(duì)比度(Contrast)特性惡化的同時(shí) 可以防止所體現(xiàn)的影像畫質(zhì)的惡化。
以下,圖8為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中放電串的另一例的圖片。
分析圖8,則以上介紹中只顯示了虛擬區(qū)域中虛擬放電串(D)的進(jìn)行路徑互不相 同的例子,但是至少一個(gè)虛擬放電串(D)進(jìn)行路徑可以與其他虛擬放電串(D)進(jìn)行路 徑不同。
例如,如圖8所示,每個(gè)虛擬放電串(D)的進(jìn)行路徑可以互不相同。 以下,圖9a至圖9b為介紹有效區(qū)域和虛擬區(qū)域中放電串的又一個(gè)實(shí)例的圖片。 首先分析圖9a,則有效區(qū)域中有效放電串900大小與虛擬區(qū)域中虛擬放電串910 大小可以互不相同。
例如,若假設(shè)有效放電串900的橫向長(zhǎng)度為第l長(zhǎng)度(dl),縱向長(zhǎng)度為第2長(zhǎng)度 (d2),則虛擬放電串910橫向長(zhǎng)度可以是比第l長(zhǎng)度(dl)更短的第3長(zhǎng)度(d3),或虛 擬放電串910縱向長(zhǎng)度可以是比第2長(zhǎng)度(d2)更短的第4長(zhǎng)度(d4)。
如此,若將虛擬放電串910大小設(shè)為小于有效放電串900大小,則可以更加提高 虛擬區(qū)域中第1電極和第2電極之間的放電開始電壓。
然后分析圖9b,則有效區(qū)域中有效放電串920橫向長(zhǎng)度(dl)可以比虛擬區(qū)域中 虛擬放電串930橫向長(zhǎng)度(d3)更短。其中,有效放電串920縱向長(zhǎng)度(d2)可以與虛擬 放電串930縱向長(zhǎng)度(d2)實(shí)際相同。
如此,可以將虛擬放電串930大小設(shè)為大于有效放電串920大小。
以下,圖10為介紹形成在與虛擬區(qū)域?qū)?yīng)的位置上的黑色層的圖片。 分析圖IO,則可以在前面基板1000的上部虛擬區(qū)域所對(duì)應(yīng)的的位置上再設(shè)黑色層 (BlackLayer) 1050。 g卩,在前面基板1000部分區(qū)域形成黑色層1050,使其遮擋虛 擬區(qū)域。
貝U,即使在虛擬區(qū)域發(fā)生放電,也可以防止虛擬區(qū)域產(chǎn)生的光線釋放到外部, 同時(shí)防止虛擬區(qū)域中發(fā)生反射光,由此可以更加提高對(duì)比度特性。
在此,沒有介紹的編號(hào)1010為后面基板,1020為密封層(Seal Layer), 1030 為障壁,1040為熒光體層。
以下,圖ll為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)的影像幀 (Frame)的圖片。
而且,圖12為介紹本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板操作一例的圖片。
首先分析圖ll,則本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)(Gray Level) 的影像幀分為發(fā)光次數(shù)互不相同的多個(gè)子字段。
而且,雖然圖中未顯示,多個(gè)子字段中的至少一個(gè)以上的子字段可以再分為初 始化所有放電串的重置期間(Reset Period),選擇將要放電的放電串的尋址期間 (Address Period)及根據(jù)放電次數(shù)體現(xiàn)色調(diào)的維持期間(Sustain Period)。
例如,在以256色調(diào)顯示圖像時(shí)一個(gè)幀分為8個(gè)子字段(SF1至SF8), 8個(gè)子字段 (SF1至SF8)再分別分為重置期間,尋址期間及維持期間。
而且,可以通過調(diào)節(jié)提供給維持期間的維持信號(hào)個(gè)數(shù),設(shè)定相應(yīng)子字段的色調(diào) 加權(quán)值。S卩,可以利用維持期間為各個(gè)子字段設(shè)定一定的色調(diào)加權(quán)值。例如,可以 采用將第1子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為2°,將第2子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為2'的方法, 決定各子字段的色調(diào)加權(quán)值,從而使各個(gè)子字段的色調(diào)加權(quán)值以2n(但是,n=0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)的比率增加。如此,可以在各個(gè)子字段中根據(jù)色調(diào)加權(quán)值調(diào)節(jié) 在各個(gè)子字段的維持期間供應(yīng)的維持信號(hào)的個(gè)數(shù),從而體現(xiàn)多樣的影像色調(diào)。
本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示板為了顯示l秒的影像,比如為顯示l秒的影像,采 用多個(gè)幀。例如,為顯示l秒的影像,采用60個(gè)影像幀。此時(shí), 一個(gè)幀的長(zhǎng)度可以 是l/60秒,g卩16. 67ms。
其中,圖11只顯示和介紹了一個(gè)幀分為8個(gè)子字段的例子,但是可以與其不 同,可以多樣變更組成一個(gè)幀的子字段的個(gè)數(shù)。例如,可以由第1子字段到第12子 字段為止的12個(gè)子字段組成一個(gè)幀,也可以由10個(gè)子字段組成一個(gè)幀。
而且,在圖ll所示的一個(gè)影像幀內(nèi)各個(gè)子字段是按照色調(diào)加權(quán)值大小增加的順 序排列,但是也可以與其不同,按照色調(diào)加權(quán)值減少的順序排列,各個(gè)子字段也可 以與色調(diào)加權(quán)值無關(guān)地排列。
然后,分析圖12,則顯示了在如上述圖10中的影像幀包含的多個(gè)子字段任一個(gè) 子字段(Sub field)中,本發(fā)明一實(shí)例的等離子顯示裝板的操作的一例。
首先,可以在重置期間之前的預(yù)(Pre)重置期間向第l電極(Y)提供第l下斜 (Ramp-Down)信號(hào)。
同時(shí),可以在向第1電極(Y)提供第1下斜信號(hào)的期間內(nèi),向第2電極(Z)提供與 第l下斜信號(hào)相反極性方向的預(yù)(Pre)維持信號(hào)。 其中,向第1電極(Y)提供的第1下斜信號(hào)逐漸下降到第10電壓(V10)。
同時(shí),預(yù)維持信號(hào)實(shí)際穩(wěn)定維持預(yù)維持電壓(Vpz)。在此,預(yù)維持電壓(Vpz)最
好是在之后的維持期間內(nèi)提供的維持信號(hào)(SUS)的電壓,即與維持電壓(Vs)大致相同。
如此,在預(yù)重置期間向第1電極(Y)提供第1下斜信號(hào),與此同時(shí)向第2電極(Z) 提供預(yù)維持信號(hào),則在第l電極(Y)上積累一定極性的壁電荷(Wall Charge),在第2 電極(Z)上積累與第1電極(Y)相反極性的壁電荷。例如,在第1電極(Y)上積累陽性 (+)的壁電荷(Wa11 Charge),在第2電極(Z)上積累陰性(-)壁電荷。
由此,可以在之后的重置期間產(chǎn)生充分強(qiáng)度的創(chuàng)建放電,從而可以充分穩(wěn)定實(shí) 行初始化。
同時(shí),即使在重置期間內(nèi)向第l電極(Y)施加的上斜信號(hào)(Ramp-Up)的電壓變的 更小,也可以產(chǎn)生充分強(qiáng)度的創(chuàng)建放電。
出于確保驅(qū)動(dòng)時(shí)間的觀點(diǎn),可以在幀子字段當(dāng)中的最早時(shí)間排列的子字段中, 在重置期間之前包含預(yù)重置期間;或者可以在幀中的子字段的2個(gè)或3個(gè)子字段中, 在重置期間之前包含預(yù)重置期間。
或者,也可以在所有子字段省略這種預(yù)重置期間。
預(yù)重置期間之后,在進(jìn)行初始化的重置期間的創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi),可以向第 1電極(Y)施加與第l下斜信號(hào)相反極性的上斜(Ramp-Up)信號(hào)。
其中,上斜信號(hào)可以包括以第1傾斜度從第20電壓(V20)逐漸上升到第30電壓 (V30)的第l上斜信號(hào)和,以第2傾斜度從第30電壓(V30)上升到第40電壓(V40)的第2 上斜信號(hào)。
在這個(gè)創(chuàng)建期間內(nèi),放電串內(nèi)通過上斜信號(hào)發(fā)生弱的暗放電(Dark Discharge),即創(chuàng)建放電。通過此創(chuàng)建放電,放電串內(nèi)將積累某一程度的壁電荷 (Wall Charge)。
在此,最好第2上斜信號(hào)的第2傾斜度比第1傾斜度更緩慢。
如此,若第2傾斜度比第1傾斜度更緩慢,則可以在產(chǎn)生創(chuàng)建放電之前為止相對(duì) 快速提高電壓,在發(fā)生創(chuàng)建放電期間內(nèi)則可以獲得相對(duì)緩慢上升電壓的效果,由此 可以降低創(chuàng)建放電引起的光的量。
由此,可以改善對(duì)比度(Contrast)特性。
在創(chuàng)建期間之后的記憶(Set-Down)期間內(nèi),可以在上斜信號(hào)之后,向第l電極 (Y)提供與這種上斜信號(hào)相反極性方向的第2下斜(Ramp-Down)信號(hào)。
其中,第2下斜信號(hào)最好從第20電壓(V20)逐漸下降到第50電壓(V50)。 由此,在放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電(EraseDischarge),即記憶放電。通過此記 憶放電,將在放電串內(nèi)均勻殘留可以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。
以下,圖13a至圖13b為介紹上斜信號(hào)或第2下斜信號(hào)的另一形式的圖片。 首先分析圖13a,則上斜信號(hào)采取急劇上升到第30電壓(V30)為止后,從第30電壓 (V30)開始逐漸上升到第40電壓(V40)的形式。
如此,上斜信號(hào)可以如圖12所示,以互不相同的傾斜度分為兩個(gè)階段逐漸上 升,也可以如圖13a所示,在一個(gè)階段逐漸上升,可以按照多樣的形式進(jìn)行變更。
然后分析圖13b,則第2下斜信號(hào)采取了從第30電壓(V30)開始逐漸下降電壓的 形式。
如此,第2下斜信號(hào)也可以改變電壓下降的時(shí)點(diǎn),因此可以以多樣的形式進(jìn)行 變更。
同時(shí),在重置期間之后的尋址期間內(nèi),可以向第1電極(Y)提供實(shí)際維持比第2 下斜信號(hào)高的第50電壓(V50)更高電壓的掃描偏置信號(hào)。
同時(shí),可以向所有第l電極(Y廣Yn)提供從掃描偏置信號(hào)下降掃描電壓(A Vy)的 掃描信號(hào)(Scan)。
例如,向多個(gè)第1電極(Y)當(dāng)中的第一個(gè)掃描電極(Y1)提供第一個(gè)掃描信號(hào) (Scanl),之后向第二個(gè)第l電極(Y2)提供第二個(gè)掃描信號(hào)(Scan2),向第n個(gè)第l電 極(Yn)提供第n個(gè)掃描信號(hào)(Scarm)。
同時(shí),掃描信號(hào)(Scan)的寬度可以按照子字段單位進(jìn)行變更。g卩,至少一個(gè)以 上的子字段中,掃描信號(hào)(Scan)的寬度可以與其他子字段中的掃描信號(hào)(Scan)寬度 不同。例如,在時(shí)間上位于后位的子字段中的掃描信號(hào)(Scan)寬度可以比在前面的 子字段中的掃描信號(hào)(Scan)寬度更小。而且,子字段排列順序的掃描信號(hào)(Scan)寬 度減少可以采用2.6微秒,2.3微秒,2. l微秒,1.9微秒等漸進(jìn)的方式,或采用2.6 微秒,2.3微秒,2.3微秒,2. l微秒......1.9微秒,1.9微秒等方式。
如此,向第l電極(Y)提供掃描信號(hào)(Scan)時(shí),可以與掃描信號(hào)對(duì)應(yīng),向第3電 極(X)提供上升數(shù)據(jù)電壓的大小(A Vd)的數(shù)據(jù)信號(hào)。
隨著這些掃描信號(hào)(Scan)和數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)信號(hào)的供應(yīng),掃描信號(hào)(Scan)的電 壓與數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓(Vd)之差將與,重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相 加,由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)電壓(Vd)的放電串內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。
在此,在尋址期間內(nèi),為了防止第2電極(Z)的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定,最 好向第2電極(Z)提供維持偏置信號(hào)。
在此,維持偏置信號(hào)最好穩(wěn)定維持小于在維持期間施加維持信號(hào)的電壓,大于 接地電平(GND)的電壓的維持偏置電壓(Vz)。
之后,在顯示影像的維持期間內(nèi)向第1電極(Y)及/或第2電極(Z)當(dāng)中的一個(gè)以 上電極提供維持信號(hào)(SUS)。這種維持信號(hào)(SUS)最好具有A Vs電壓大小。
若提供這樣的維持信號(hào)(SUS),則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi) 壁電壓和維持信號(hào)(SUS)的維持電壓(Vs)相加而提供維持信號(hào)(SUS)時(shí),在第l電極 (Y)和第2電極(Z)之間產(chǎn)生維持放電即顯示放電。
以下,圖14為介紹維持信號(hào)的另一種類型的圖片。
分析圖14,則向第1電極(Y)或第2電極(Z)當(dāng)中的任一個(gè)電極交替供應(yīng)陽(+)性 維持信號(hào)和陰(-)性維持信號(hào)。
在向任一個(gè)電極提供陽性維持信號(hào)和陰性維持信號(hào)的期間內(nèi),可以向其余電極 例如第2電極(Z)提供偏置信號(hào)。
其中,偏置信號(hào)可以實(shí)際穩(wěn)定維持接地電平(GND)電壓。 如圖11所示,只向第1電極(Y)或第2電極(Z)當(dāng)中的任一個(gè)電極提供維持信號(hào)時(shí),只 需配備設(shè)有向第1電極(Y)或第2電極(Z)當(dāng)中的任一個(gè)電極提供維持信號(hào)的電路的一 個(gè)驅(qū)動(dòng)板。
由此,可以減少驅(qū)動(dòng)部的整體大小,從而降低制造單價(jià)。
本發(fā)明通過不同設(shè)置形成在虛擬區(qū)域的虛擬放電串的進(jìn)行路徑和形成在有效區(qū) 域的有效放電串的進(jìn)行路徑,具有防止虛擬區(qū)域中產(chǎn)生放電,由此可以防止對(duì)比度 特性的降低,并防止所顯現(xiàn)的影像畫質(zhì)的惡化的效果。
因此,上述的實(shí)施例僅僅是屬于舉例,本發(fā)明并不局限于舉例范圍。本發(fā)明的 范圍是通過權(quán)利要求范圍說明,從專利權(quán)利要求范圍的意義和范圍,或者等價(jià)概念 中所導(dǎo)出的所有變更或變形的形態(tài),均屬于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示板,其特征在于它包括形成了并排的第1電極和第2電極的前面基板;與前面基板對(duì)置配置的后面基板;及在顯示前面基板和后面基板之間影像有效區(qū)域劃分的有效放電串,在配置在有效區(qū)域外廓的虛擬區(qū)域中劃分進(jìn)行路徑與有效放電串不同的虛擬放電串的障壁。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示板,其特征在于上述有效放電串中至少 一個(gè)放電串的大小與上述虛擬放電串中至少一個(gè)的大小實(shí)際相同。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示板,其特征在于在與上述前面基板上部 的上述虛擬區(qū)域?qū)?yīng)的位置上形成有黑色層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子顯示板,其特征在于上述有效放電串的進(jìn)行 路徑和上述虛擬放電串的進(jìn)行路徑并排。
5、 一種等離子顯示板,其特征在于它包括形成了并排的第1電極和第2電極 的前面基板;與前面基板對(duì)置配置的后面基板;及在顯示前面基板和后面基板之間 影像的有效區(qū)域中劃分有效放電串的有效障壁和,在配置在有效區(qū)域外廓的虛擬區(qū) 域中,包括遮擋第1電極和第2電極之間的部分區(qū)域的虛擬障壁。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子顯示板,其特征在于上述虛擬障壁的寬度為 50微米以上500微米以下。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子顯示板包括形成了并排的第1電極和第2電極的前面基板和;與前面基板對(duì)置配置的后面基板及,在顯示前面基板和后面基板之間影像的有效區(qū)域(ActiveArea)劃分有效放電串,在配置在有效區(qū)域外廓的虛擬區(qū)域(Dummy Area)中劃分進(jìn)行路徑與有效放電串不同的虛擬放電串的障壁。本發(fā)明通過不同設(shè)置形成在虛擬區(qū)域的虛擬放電串的進(jìn)行路徑和形成在有效區(qū)域的有效放電串的進(jìn)行路徑,具有防止虛擬區(qū)域中產(chǎn)生放電,由此可以防止對(duì)比度特性的降低,并防止所顯現(xiàn)的影像畫質(zhì)的惡化的效果。
文檔編號(hào)H01J17/49GK101174531SQ20071014671
公開日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月15日
發(fā)明者黃泰羞 申請(qǐng)人:樂金電子(南京)等離子有限公司
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