專利名稱：等離子顯示屏的老化處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示屏的老化處理方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示屏(下文簡稱為“PDP”)是一種大屏幕、薄型、重量輕，圖像清晰辨認(rèn)方面較為優(yōu)異的顯示裝置。作為PDP的放電方式具有AC型和DC型，至于電極結(jié)構(gòu)具有3電極面放電型和相向放電型。而且，當(dāng)前出于適合高清晰、而且容易制造的考慮，AC型且3電極面放電型的PDP成為主流。
這種PDP通常是相向配置的正面面板和背面面板兩者間形成為數(shù)眾多的放電單元這種PDP。正面面板構(gòu)成為，正面一側(cè)的玻璃基板上形成多個由掃描電極和維持電極所組成的顯示電極，形成電介質(zhì)層以便覆蓋該顯示電極，在該電介質(zhì)層上形成保護(hù)層。而背面面板構(gòu)成為，背面一側(cè)的玻璃基板上在與顯示電極相正交的方向上形成多個地址電極，形成電介質(zhì)層以便覆蓋該地址電極，在該電介質(zhì)層上與地址電極相平行形成多個隔壁，而電介質(zhì)層表面和隔壁側(cè)面均形成熒光體層。放電單元形成于顯示電極和地址電極兩者立體交叉的部分。
制造PDP時，首先在玻璃基板上形成掃描電極、維持電極等來制作正面面板，而且在玻璃基板上形成地址電極等來制作背面面板。接著，使正面面板和背面面板相向設(shè)置為掃描電極及維持電極和數(shù)據(jù)電極兩者正交，并進(jìn)行以氣密方式使周圍緊密接合這種所謂的密封。此后，通過將放電氣體封入內(nèi)部放電空間來完成PDP組裝。
如上所述剛完成組裝的PDP，通常使PDP整面均勻點(diǎn)亮所需的電壓(下文簡稱為“工作電壓”)較高，放電本身也不穩(wěn)定。因此，PDP的制造工序中，通過進(jìn)行老化處理來使工作電壓降低，同時使各放電單元的放電特性均勻而且穩(wěn)定。
作為PDP的老化處理方法，可采取對掃描電極和維持電極分別長時間加上相位相反的矩形脈沖的方法。而且，為了縮短老化處理時間，還提出一種在掃描電極和維持電極兩者間發(fā)生放電的同時在掃描電極和地址電極兩者間也積極發(fā)生放電的方法(參照例如日本特開2002-231141號公報)。具體來說，是對例如掃描電極和維持電極加上相位相反的矩形脈沖，同時對地址電極也加上與維持電極所加上的矩形脈沖同相的電壓波形等。
但上述老化處理方法中，老化處理完成之前即工作電壓降低并且使放電穩(wěn)定之前，也需要10小時左右。若進(jìn)行如此長時間的老化處理，電力消耗便會龐大，而成為PDP制造時運(yùn)營成本增加的主要原因之一。而且，老化處理工序涉及較長時間，所以存在工廠占地面積增大、或者是空調(diào)設(shè)備等制造時環(huán)境維持所需的設(shè)備增加這種問題。因而很清楚，隨著今后PDP大屏幕化、產(chǎn)量增加，這些問題將更加突出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是要解決上述問題，其目的在于提供一種能縮短老化處理時間，電力功效高的PDP老化處理方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的PDP老化處理方法，其特征在于，具有第1老化處理期間以及第2老化處理期間，所述第1老化處理期間中，對掃描電極、維持電極、以及地址電極中至少其中之一加上電壓，該電壓對加上電壓使得掃描電極相對于維持電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理；所述第2老化處理期間中，對掃描電極、維持電極、以及地址電極中至少其中之一加上電壓，該電壓對加上電壓使得維持電極相對于掃描電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理。


圖1為示出本發(fā)明實施方式中等離子顯示屏一部分的立體圖。
圖2為示出本發(fā)明實施方式中對等離子顯示屏進(jìn)行老化處理時的概要構(gòu)成的框圖。
圖3A為示出本發(fā)明實施方式1中老化處理時對掃描電極加上的電壓波形的波形圖。
圖3B為示出本發(fā)明實施方式1中老化處理時對維持電極加上的電壓波形的波形圖。
圖3C為示出本發(fā)明實施方式1中老化處理時對地址電極加上的電壓波形的波形圖。
圖3D為示出本發(fā)明實施方式1中老化處理時對地址電極加上的電壓波形的波形圖。
圖3E為示出本發(fā)明實施方式1中老化處理時對地址電極加上的電壓波形的波形圖。
圖3F為示出本發(fā)明實施方式1中老化處理時對地址電極加上的電壓波形的波形圖。
圖4A示出的為本發(fā)明實施方式中老化處理中地址放電開始電壓的變化。
圖4B示出的為本發(fā)明實施方式中老化處理中維持放電開始電壓的變化。
圖5A示出的為為了加到掃描電極上而由老化處理裝置輸出的電壓波形。
圖5B示出的為為了加到維持電極上而由老化處理裝置輸出的電壓波形。
圖5C示出的為加到掃描電極的端子部上的電壓波形。
圖5D示出的為加到維持電極的端子部上的電壓波形。
圖5E示出的為用光敏傳感器檢測老化處理時放電單元其放電發(fā)光的發(fā)光波形。
圖6A示出的為對掃描電極加上正電壓后壁電荷的配置。
圖6B示出的為掃描電極-地址電極間感應(yīng)放電的情形。
圖6C示出的為掃描電極-維持電極間感應(yīng)放電并成為自行消除放電的情形。
圖6D示出的為壁電荷存在于掃描電極和維持電極上外側(cè)區(qū)域的情形。
圖7A為示出本發(fā)明實施方式2中老化處理時掃描電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖7B為示出本發(fā)明實施方式2中老化處理時維持電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖7C為示出本發(fā)明實施方式2中老化處理時地址電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖7D為示出本發(fā)明實施方式2中老化處理時地址電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8A為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時掃描電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8B為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時維持電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8C為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時地址電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8D為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時維持電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8E為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時掃描電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8F為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時維持電極所加上的電壓波形的波形圖。
圖8G為示出本發(fā)明實施方式3中老化處理時掃描電極所加上的電壓波形的波形圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的等離子顯示屏的老化處理方法，對于具有掃描電極和維持電極和地址電極的等離子顯示屏，至少對掃描電極和維持電極加上電壓進(jìn)行老化處理放電，其特征在于，具有第1老化處理期間以及第2老化處理期間，所述第1老化處理期間中，對掃描電極、維持電極、以及地址電極中至少其中之一加上電壓，該電壓對加上電壓使得掃描電極相對于維持電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理；所述第2老化處理期間中，對掃描電極、維持電極、以及地址電極中至少其中之一加上電壓，該電壓對加上電壓使得維持電極相對于掃描電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理。
而且，本發(fā)明也可以使第2老化處理期間比第1老化處理期間短。
下面參照

本發(fā)明一實施方式。
(實施方式1)圖1為示出本發(fā)明實施方式1中PDP一部分的立體圖。
PDP1的正面面板2通過在玻璃基板這種平滑、透明而且具有絕緣性的基板3上形成多個由其間設(shè)置放電間隙所配置的掃描電極4和維持電極5所組成的顯示電極6，并形成電介質(zhì)層7以便覆蓋該顯示電極6，再在該電介質(zhì)層7上形成保護(hù)層8來構(gòu)成。作為基板3來說，可以用例如浮法平板玻璃。掃描電極4可以由寬度較寬的透明電極4a和該透明電極4a上形成的寬度較窄的導(dǎo)電條電極4b所構(gòu)成，維持電極5也同樣可由寬度較寬的透明電極5a和該透明電極5a上形成的寬度較窄的導(dǎo)電條電極5b所構(gòu)成。透明電極4a、5a由銦錫氧化物(ITO)等形成，而導(dǎo)電條電極4b、5b由鉻/銅/鉻(Cr/Cu/Cr)的層疊體、銀(Ag)等形成。作為電介質(zhì)層7來說，可用低熔點(diǎn)玻璃材料等構(gòu)成。而且，保護(hù)層8以保護(hù)電介質(zhì)層7免受等離子損傷這種目的形成，作為其材料可用例如氧化鎂(MgO)。
背面面板9在例如玻璃基板這種具有絕緣性的基板10上形成多個地址電極11，并且形成電介質(zhì)層12以便覆蓋該地址電極11。而且，該電介質(zhì)層12上設(shè)置與地址電極11平行的隔壁13，以便地址電極11位于相鄰隔壁13間。另外，相鄰隔壁13間的電介質(zhì)層12上分別依次設(shè)置按紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)各色發(fā)光的熒光體層14R、14G、14B。
而且，正面面板2和背面面板9相向配置為顯示電極6和地址電極11兩者正交并形成放電空間15。放電空間15中以例如66500Pa(500Torr)左右的壓力封入例如氖氣和氙氣的混合氣體作為放電氣體。構(gòu)成顯示電極6的掃描電極4以及維持電極5和地址電極11的交叉部形成有放電單元16，該放電單元16構(gòu)成單位發(fā)光區(qū)域。而且，由分別形成熒光體層14R、14G、14B的相鄰3個放電單元16構(gòu)成1個像素。
作為PDP1的驅(qū)動方法，采用一種將圖像信號的1場期間分成具有亮度權(quán)重的多個子場，以放電單元發(fā)生用以各子場按與亮度權(quán)重相對應(yīng)的次數(shù)進(jìn)行顯示的維持放電，而且通過對發(fā)生放電的子場進(jìn)行組合來顯示圖像信號灰度的方法。
各子場由初始化期間、寫入期間、維持期間所構(gòu)成。初始化期間進(jìn)行的是用來使后續(xù)的寫入期間中的地址放電變得容易的初始化放電。寫入期間進(jìn)行掃描電極4和地址電極11間發(fā)生的地址放電，用以對點(diǎn)亮的放電單元進(jìn)行選擇。維持期間對掃描電極4和維持電極5交替加上維持脈沖，對寫入期間所選定的放電單元發(fā)生維持放電規(guī)定時間。各子場的維持脈沖數(shù)，與子場的亮度權(quán)重相對應(yīng)設(shè)定，通過利用維持放電使熒光體層14R、14G、14B發(fā)光進(jìn)行顯示，并控制各子場的發(fā)光、不發(fā)光，來顯示中間灰度。
下面說明PDP1的制造方法。
首先，在基板3上形成掃描電極4、維持電極5、電介質(zhì)層7、以及保護(hù)層8制作正面面板2，再在基板10上形成地址電極11、電介質(zhì)層12、隔壁13、以及熒光體層14R、14G、14B制作背面面板9。然后，使正面面板2和背面面板9相向設(shè)置為掃描電極4以及維持電極5和地址電極11相正交，并用玻璃料進(jìn)行以氣密方式使周圍緊密接合這種所謂的密封。此后，通過將放電氣體封入內(nèi)部的放電空間來完成PDP1的組裝。
這里，PDP1組裝后不久，使PDP1整面均勻點(diǎn)亮所需的電壓即工作電壓較高，而且放電本身也不穩(wěn)定。其中的原因可認(rèn)為是由于保護(hù)層8的表面吸附著H2O、CO2、碳?xì)湎禋怏w等雜質(zhì)氣體的緣故。
因此，通過在PDP1組裝后設(shè)有老化處理工序，利用伴隨老化處理放電的濺射來消除這些吸附氣體，從而降低工作電壓，使放電特性均勻而且穩(wěn)定。
下面說明本發(fā)明一實施方式的PDP的老化處理方法。
圖2為示出對PDP1進(jìn)行老化處理時的概要構(gòu)成的框圖。老化處理工序中，用短路電極17使各個掃描電極4(X1、X2、…、Xn)短路，用短路電極18使各個維持電極5(Y1、Y2、…、Yn)短路，用短路電極19使各個地址電極11(A1、A2、…、Am)短路。而且，使各個短路電極17、短路電極18、以及短路電極19與老化處理裝置20連接，以便對掃描電極4、維持電極5、以及地址電極11提供電壓和電流。
圖3示出的為本發(fā)明實施方式1中對掃描電極4、維持電極5、以及地址電極11加上的電壓波形，示出老化處理裝置20輸出的電壓波形。圖3A、圖3B為各個掃描電極4、維持電極5所加上的電壓波形，以周期T交替加上所具有的電壓Vs的波峰值至少為工作電壓或以上的矩形脈沖。而圖3C、圖3D示出地址電極11所加上的電壓波形，圖3C為老化處理期間(進(jìn)行老化處理的期間)的前半期間所用的情形，圖3D為老化處理期間的后半期間所用的情形。前半期間如圖3C所示，相對于對掃描電極4加上矩形脈沖的時刻延遲時間td1對地址電極11加上以時間tw1為脈沖寬度、具有電壓Vd1的波峰值的負(fù)極性矩形脈沖。而后半期間如圖3D所示，相對于對維持電極5加上矩形脈沖的時刻延遲時間td2對地址電極11加上以時間tw2為脈沖寬度、具有電壓Vd2的波峰值的負(fù)極性矩形脈沖。這里，對地址電極11加上圖3C的電壓波形的期間為第1老化處理期間，對地址電極11加上圖3D的電壓波形的期間為第2老化處理期間。
下面用圖3所示的電壓波形說明對PDP1進(jìn)行老化處理的結(jié)果。這里，用像素數(shù)量1028×768(即m＝1028×3、n＝768)、對角尺寸42吋的PDP1進(jìn)行老化處理。對于圖3所示的電壓波形參數(shù)，作為實施例1進(jìn)行如下設(shè)定。
(實施例1)設(shè)定電壓Vs＝230V、周期T＝25μs、電壓Vd1＝電壓Vd2＝-100V、時間td1＝時間td2＝1～3μs、時間tw1＝時間tw2＝1.5～3μs，對于時間td1、時間td2、時間tw1、時間tw2來說則固定于各自數(shù)值范圍內(nèi)的數(shù)值。而且，將從老化處理開始經(jīng)過3小時的時間作為第1老化處理期間，對地址電極11加上圖3C所示的電壓波形。另外，將從老化處理開始經(jīng)過3小時或以上的時間作為第2老化處理期間，對地址電極11加上圖3D所示的電壓波形。
另一方面，用與上述PDP相同規(guī)格的PDP作為對比例，并對電壓波形參數(shù)進(jìn)行如下設(shè)定。
(對比例1)設(shè)定電壓Vs＝230、周期T＝25μs，但地址電極11并不加上矩形脈沖，而是使地址電極11接地，即加上0V進(jìn)行老化處理。
對于上述實施例1和對比例1，圖4給出經(jīng)過老化處理時的結(jié)果。圖4A、圖4B分別示出地址放電開始電壓、維持放電開始電壓相對于老化處理時間的變化，用實線示出實施例1的結(jié)果，用虛線示出對比例1的結(jié)果。而且，圖4A、圖4B中還示出實際進(jìn)行圖像顯示時各電極所加上的電壓(下文簡稱為“工作設(shè)定電壓”)。這里，所說的地址放電開始電壓是指掃描電極4和地址電極11兩者間所發(fā)生放電的放電開始電壓，所說的維持放電開始電壓是指掃描電極4和維持電極5兩者間所發(fā)生放電的放電開始電壓，不論何種放電開始電壓在設(shè)計圖像顯示用驅(qū)動波形方面都是相當(dāng)重要的參數(shù)。
如圖4所示，地址放電開始電壓和維持放電開始電壓隨著老化處理時間的經(jīng)過而有所降低。而且，地址放電開始電壓和維持放電開始電壓各自降低到規(guī)定的工作設(shè)定電壓或以下并且趨于穩(wěn)定的話，便判斷為老化處理工序結(jié)束。
老化處理結(jié)果如圖4所示，實施例1中示出，地址放電開始電壓從老化處理開始后不久便急速降低在第1老化處理期間中基本上穩(wěn)定，在第2老化處理期間中緩慢降低。另外，維持放電開始電壓在第1老化處理期間中從老化處理開始后不久便劇降進(jìn)而穩(wěn)定，但停留于比工作設(shè)定電壓大的電壓。而且，第2老化處理期間中維持放電開始電壓再度劇減，并穩(wěn)定于工作設(shè)定電壓或以下。所以，實施例1中可以說大約用6小時老化處理便可結(jié)束。
而對比例1中，老化處理開始后即便經(jīng)過12小時，不論何種放電開始電壓都未停止下降，而且也不穩(wěn)定，所以處于難說老化處理結(jié)束這種狀態(tài)。
這樣，按照本實施方式的老化處理方法，顯然可縮短老化處理時間，可進(jìn)行電力功效高的老化處理。
能夠利用本實施方式的PDP老化處理方法來縮短老化處理時間的原因，可考慮如下。
首先說明如對比例1那樣將地址電極11接地進(jìn)行老化處理的情況。圖5A、圖5B示出老化處理時為了加到掃描電極4、維持電極5上而由老化處理裝置20輸出的電壓波形。具體來說，圖5A、圖5B的電壓波形分別與圖3A、圖3B的電壓波形相同。另外，圖5C、圖5D分別示出將PDP1的掃描電極4短路的短路電極17中端子部的電壓波形、將維持電極5短路的短路電極18中端子部的電壓波形。這樣，即便是老化處理裝置20所輸出的電壓波形為矩形脈沖，PDP1的掃描電極4和維持電極5實際加上的電壓波形也如圖5C、圖5D所示疊加有瞬變響應(yīng)(ringing)。該瞬變響應(yīng)因連接老化處理裝置20和短路電極17、18的布線等所具有的雜散電感和PDP1的電容兩者諧振而發(fā)生。另外，為了調(diào)整瞬變響應(yīng)的大小，有時除了布線的雜散電感以外還插入線圈或鐵氧體磁芯。不論何種情形，對于如圖5A、圖5B所示矩形脈沖交替成為上升沿的波形，通常都無法避免各電極實際加上的電壓波形上疊加上面所述的瞬變響應(yīng)。
另外，圖5E示意性圖示的是用光敏傳感器檢測老化處理時放電單元其放電發(fā)光的發(fā)光波形，各次發(fā)光與各次放電相對應(yīng)。其中，這里所用的光敏傳感器為對放電激勵的Xe原子所發(fā)出的紅外光(波長820nm～830nm)進(jìn)行監(jiān)測的器件，為了避免檢測熒光體層14R、14G、14B的發(fā)光，使用的是紅外區(qū)域靈敏度高的光敏傳感器。圖5E所示的較大的老化處理放電(1)、(3)為掃描電極4和維持電極5兩者間的電壓增加時所發(fā)生的放電。該老化處理放電(1)、(3)后續(xù)的較小的放電(2)、(4)顯然為掃描電極4和維持電極5兩者間電壓達(dá)到最大后因瞬變響應(yīng)所造成的電壓反復(fù)振蕩時刻所發(fā)生的放電，而所謂的老化處理放電(1)、(3)是指加上相反極性電壓所發(fā)生的自行消除放電。
圖6為自行消除放電其發(fā)生機(jī)理的說明圖，示意性圖示的是各電極上積累的壁電荷的行為。另外，圖6中省去了電介質(zhì)層等若干構(gòu)成部件。圖6A示出的為掃描電極4加上正電壓進(jìn)而較大的老化處理放電(1)結(jié)束后不久的壁電荷配置，掃描電極4一側(cè)積累有負(fù)電荷，而維持電極5一側(cè)則積累有正電荷。然后，掃描電極4因瞬變響應(yīng)而發(fā)生電位下降的情況下，該電位下降的大小即便是不足以直接發(fā)生掃描電極4-維持電極5間的放電這種程度，也可如圖6B所示誘發(fā)放電開始電壓較低的掃描電極4-地址電極11間的放電。于是，掃描電極4-地址電極11間發(fā)生的放電為起動點(diǎn)火放電，掃描電極4-維持電極5間的放電開始電壓實際降低，所以可如圖6C所示誘發(fā)掃描電極4-維持電極5間的放電，而成為自行消除放電(2)。圖6D示出的為自行消除放電(2)結(jié)束后的壁電荷配置。這樣，各電極上積累的壁電荷其數(shù)量隨自行消除放電(2)減少，因而為了發(fā)生下一老化處理放電(3)需要從外部施加大電壓。此外，如圖6D所示，壁電荷并非處于放電間隙一側(cè)，而是存在于掃描電極4和維持電極5上的外側(cè)區(qū)域。因而，下一老化處理放電時由正離子濺射的區(qū)域也會偏向存在該壁電荷的電極的外側(cè)區(qū)域，所以無法均勻濺射各電極上的保護(hù)層8的表面。
自行消除放電(4)也同樣，在維持電極5因瞬變響應(yīng)而發(fā)生電位下降的情況下，該電位下降的大小即便是不足以直接發(fā)生掃描電極4維持電極5間的放電這種程度，也可誘發(fā)放電開始電壓較低的維持電極5-地址電極11間的放電。于是，維持電極5-地址電極11間發(fā)生的放電為起動點(diǎn)火放電，掃描電極4-維持電極5間的放電開始電壓實際降低，可誘發(fā)掃描電極4-維持電極5間的放電，而成為自行消除放電(4)。
具體來說，自行消除放電顯然并非在掃描電極4-維持電極5之間直接放電，而是一度在掃描電極4-地址電極11之間或是維持電極5地址電極11之間開始放電，并利用該放電的起動點(diǎn)火作用在掃描電極4-維持電極5之間所發(fā)生的放電。
這樣，自行消除放電便屬于消除老化處理放電(1)、(3)在保護(hù)層8表面上積累的壁電荷這種放電，故而由此得名，但無論電力功耗如何畢竟為較小電壓變化下所發(fā)生的放電，所以老化處理其濺射效果小。而且，該自行消除放電使壁電荷消除或減小，所以后續(xù)的老化處理放電(1)、(3)難以發(fā)生，老化處理效率低。此外很清楚，自行消除放電的強(qiáng)度在很大程度上取決于放電單元的特性，容易發(fā)生自行消除放電的放電單元其老化處理難以進(jìn)行，對各個放電單元進(jìn)行充分的老化處理便需要更長的老化處理時間。另外，圖5所示的給出放電(1)～(4)發(fā)生時刻的時刻t1～t4分別與圖3所示的時刻t1～t4相同。
下面說明如實施例1那樣對地址電極11加上圖3C所示的矩形脈沖進(jìn)行老化處理的情況。如上所述，通過瞬變響應(yīng)對掃描電極4加上在負(fù)方向上變化的電壓來發(fā)生自行消除放電(2)。因而很清楚，該時刻即圖3、圖5中時間t2的時刻，對地址電極11也加上負(fù)電壓的話，便可抑制掃描電極4-地址電極11之間的放電，因此可以抑制自行消除放電(2)的發(fā)生。此時抑制的是伴隨與掃描電極4所加上的電壓增加、維持電極5所加上的電壓減少連同發(fā)生的老化處理放電而發(fā)生的自行消除放電，即加上電壓使得掃描電極4相對于維持電極5成為高電壓側(cè)時的自行消除放電(2)。實際上，一旦對地址電極11加上圖3C所示的電壓波形，自行消除放電(2)其強(qiáng)度便減少為1/2或以下。因此，可突出后續(xù)的放電、即所加上電壓使得掃描電極4相對于維持電極5為低電壓時的老化處理放電。此時的老化處理放電中，利用放電空間內(nèi)朝向掃描電極4一側(cè)的正離子濺射掃描電極4一側(cè)的保護(hù)層8。因而，掃描電極4一側(cè)的老化處理相對于維持電極5一側(cè)加速，如圖4所示，在降低地址放電開始電壓方面可認(rèn)為相當(dāng)有效。而且認(rèn)為，對于維持放電開始電壓來說，通過濺射掃描電極4一側(cè)的保護(hù)層8雖有稍許降低，但由于維持電極5一側(cè)保護(hù)層8的濺射較弱，所以并沒有充分降低。
對地址電極11加上圖3D所示的矩形脈沖進(jìn)行老化處理的情況，與圖3C的情況相反，所抑制的是伴隨與維持電極5所加上的電壓增加、掃描電極4所加上的電壓減少連同發(fā)生的老化處理放電而發(fā)生的自行消除放電、即加上電壓使得維持電極5相對于掃描電極4成為高電壓側(cè)時的自行消除放電(4)。實際上，一旦對地址電極11加上圖3D所示的電壓波形，自行消除放電(4)其強(qiáng)度便減少為1/2或以下。這種情況，與圖3C的情況相反，維持電極5一側(cè)的老化處理相對于掃描電極4一側(cè)加速?？烧J(rèn)為，第1老化處理期間中掃描電極4一側(cè)的保護(hù)層8已經(jīng)過濺射，因而通過加上圖3D的矩形脈沖從而濺射維持電極5一側(cè)的保護(hù)層8，維持放電開始電壓急劇減少，并且使工作設(shè)定電壓下降。
如上所述，掃描電極4或維持電極5的外加電壓上升并超過瞬變響應(yīng)波形的最大值以后但發(fā)生自行消除放電之前，可以通過對地址電極11加上圖3C、圖3D所示的矩形脈沖，來抑制自行消除放電。
另外，上述實施例中設(shè)定電壓Vd1＝電壓Vd2、時間td1＝時間td2、時間tw1＝時間tw2，但地址電極11所加上的矩形脈沖并不限于此。舉例來說，掃描電極4成為高電壓側(cè)時的瞬變響應(yīng)波形和維持電極5成為高電壓側(cè)時的瞬變響應(yīng)波形兩者不同的情況下，最好將各自的參數(shù)設(shè)定為合適值，使得自行消除放電為最小。而且，電壓Vs也與維持放電開始電壓的變化相符隨著老化處理時間的經(jīng)過而減少的話，便更加有效。
而且，上述實施例中，老化處理期間的前半期間對地址電極11加上圖3C的電壓波形，而老化處理期間的后半期間則加上圖3D的電壓波形。但也可以老化處理期間的前半期間對地址電極11加上圖3D的電壓波形，而老化處理期間的后半期間則加上圖3C的電壓波形，這時也可得到與上述相同的效果。
此外，根據(jù)圖4A和圖4B的比較可很容易設(shè)想，其中維持放電開始電壓比地址放電開始電壓更為迅速地降低并變得穩(wěn)定，所以也可以使第2老化處理期間比第1老化處理期間短，來謀求進(jìn)一步縮短老化處理時間。
另外，AC型PDP1的各電極為電介質(zhì)層所包圍，并與放電空間絕緣，因而直流分量對于放電本身并沒有任何貢獻(xiàn)。所以，包括自行消除放電其發(fā)生時刻在內(nèi)的規(guī)定期間對地址電極11加上負(fù)電壓，和該規(guī)定期間以外的期間對地址電極11加上正電壓兩者可提供相同的效果。因此，將地址電極11所加上的電壓波形設(shè)定為圖3E所示的電壓波形來替代圖3C所示的電壓波形，設(shè)定為圖3F所示的電壓波形來替代圖3D所示的電壓波形的情況下，也可以獲得相同的效果。
(實施方式2)圖7示出的為本發(fā)明實施方式2中老化處理方法的電壓波形，與圖3所示的電壓波形相同，可以抑制自行消除放電并進(jìn)行高效的老化處理。圖7A和圖7B分別為掃描電極4和維持電極5所加上的電壓波形，圖7C、圖7D為地址電極11所加上的電壓波形。上述電壓波形為老化處理裝置20所輸出的電壓波形，而時刻t1～t4示出與圖3、圖5所示的時刻t1～t4相同的時刻。
圖7C所示的電壓波形，與圖3C情況相同，可以抑制伴隨與掃描電極4所加上的電壓增加、維持電極5所加上的電壓減少連同發(fā)生的老化處理放電而發(fā)生的自行消除放電，即加上電壓使得掃描電極4相對于維持電極5處于高電壓側(cè)時的自行消除放電。而圖7D所示的電壓波形，與圖3D情況相同，可以抑制伴隨與維持電極5所加上的電壓增加、掃描電極4所加上的電壓減少連同發(fā)生的老化處理放電而發(fā)生的自行消除放電，即加上電壓使得維持電極5相對于掃描電極4成為高電壓側(cè)時的自行消除放電。如圖7C、圖7D所示，通過與掃描電極4或維持電極5所加上的瞬變響應(yīng)波形的上升沿相符使地址電極11的電位升高，而電壓超過瞬變響應(yīng)波形的最大值接著下降時則使地址電極11的電位降低，來抑制自行消除放電。
接著，用圖7所示的電壓波形對PDP1進(jìn)行老化處理。這里也用與實施例1相同的PDP1進(jìn)行老化處理。而且，對于圖7所示的電壓波形參數(shù)進(jìn)行如下設(shè)定。
(實施例2)設(shè)定電壓Vs＝230V、周期T＝25μs、電壓Vd1＝電壓Vd2＝100V、時間td1＝時間td2＝0～1μs、時間tw1＝時間tw2＝1～3μs，對于時間td1、時間td2、時間tw1、時間tw2來說則固定于各自數(shù)值范圍內(nèi)的數(shù)值。而且，將從老化處理開始經(jīng)過3小時的時間作為第1老化處理期間，對地址電極11加上圖7C所示的電壓波形。另外，將從老化處理開始經(jīng)過3小時或以上的時間作為第2老化處理期間，對地址電極11加上圖7D所示的電壓波形。因此，可以確認(rèn)與圖4A、圖4B所示情形相同的地址放電開始電壓、維持放電開始電壓的降低。
另外，本實施方式中，掃描電極4成為高電壓側(cè)時的瞬變響應(yīng)波形和維持電極5成為高電壓側(cè)時的瞬變響應(yīng)波形兩者不同的情況下，最好將各自的參數(shù)設(shè)定為合適值，使得自行消除放電為最小。而且，電壓Vs也與維持放電開始電壓的變化相符隨著老化處理時間的經(jīng)過而減少的話，便更加有效。
(實施方式3)圖8示出的為本發(fā)明實施方式3中老化處理方法的電壓波形，示出瞬變響應(yīng)疊加前的電壓波形。而且，可以通過利用上述電壓波形，與圖3所示的電壓波形相同，來抑制自行消除放電并進(jìn)行高效的老化處理。
圖8A、圖8B、圖8C示出對伴隨加上電壓使得掃描電極相對于維持電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制的電壓波形，圖8A、圖8B、圖8C分別示出掃描電極4、維持電極5、地址電極11各自所加上的電壓波形。圖8A所示的電壓波形，在瞬變響應(yīng)疊加于施加在掃描電極4上的電壓波形的時段使電壓波形只增加電壓Vs2。可以通過增加該電壓Vs2來抑制瞬變響應(yīng)所造成的電位下降，并抑制自行消除放電。另外，此時一旦將維持電極5所加上的電壓波形作為圖8D的電壓波形來替代圖8B的電壓波形，便可以使維持電極5所加上的電壓波形因瞬變響應(yīng)而造成的電壓升高抑制電壓Vs3，并可以增加對自行消除放電的抑制效果。
圖8C、圖8E、圖8F示出對伴隨加上電壓使得維持電極相對于掃描電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制的電壓波形，圖8E、圖8F、圖8C分別示出掃描電極4、維持電極5、地址電極11各自所加上的電壓波形。圖8F所示的電壓波形，在瞬變響應(yīng)疊加于施加在維持電極5上的電壓波形的時段使電壓波形只增加電壓Vs2?？梢酝ㄟ^增加該電壓Vs2來抑制瞬變響應(yīng)所造成的電位下降，并抑制自行消除放電。另外，此時一旦將掃描電極4所加上的電壓波形作為圖8G的電壓波形來替代圖8E的電壓波形，便可以使掃描電極4所加上的電壓波形因瞬變響應(yīng)而造成的電壓升高抑制電壓Vs3，并可以增加對自行消除放電的抑制效果。
接著，用圖8所示的電壓波形進(jìn)行與實施例1相同的PDP1的老化處理。此時圖8所示的電壓波形參數(shù)進(jìn)行如下設(shè)定。
(實施例3)設(shè)定電壓Vs1＝190V～230V、電壓Vs2＝50V～120V、電壓Vs3＝0V～120V、時間td1＝1～3μs、時間tw1＝1.5～3μs、周期T＝25μs。而且，將從老化處理開始經(jīng)過3小時的時間作為第1老化處理期間，對各個電極加上圖8A、圖8B、圖8C所示的電壓波形。另外，將從老化處理開始經(jīng)過3小時或以上的時間作為第2老化處理期間，對各個電極加上圖8E、圖8F、圖8C所示的電壓波形。因此，可以確認(rèn)與圖4A、圖4B所示情形相同的地址放電開始電壓、維持放電開始電壓的降低。
另外，上述實施方式1、2中，加到地址電極11上的矩形脈沖其波峰值即電壓Vd1、Vd2的大小，需要設(shè)定為不超過加到掃描電極4和維持電極5上的電壓波形其波峰值即電壓Vs，以便避免對掃描電極4和維持電極5兩者間的放電帶來影響。
另外，上述實施方式1～3中將各電極所加上的電壓波形的頻率設(shè)定為40kHz，但也可以設(shè)定在數(shù)kHz～100kHz的范圍內(nèi)。此外，電壓波形的各參數(shù)值(電壓值、矩形脈沖的寬度等)符合PDP的結(jié)構(gòu)設(shè)定為最合適值為宜。
此外，實施方式2、3中也與實施方式1相同，維持放電開始電壓比地址放電開始電壓更為迅速地降低并變得穩(wěn)定，所以可以使第2老化處理期間比第1老化處理期間短，來謀求進(jìn)一步縮短老化處理時間。
按照本發(fā)明，可以縮短老化處理時間，可實現(xiàn)一種能夠進(jìn)行電力功效高的老化處理的PDP的老化處理方法。
工業(yè)實用性綜上所述，按照本發(fā)明，可縮短老化處理時間，進(jìn)行電力功效高的老化處理，對PDP進(jìn)行老化處理時相當(dāng)有用。
附圖中參照標(biāo)號一覽表1等離子顯示屏2正面面板4掃描電極5維持電極6顯示電極9背面面板11地址電極15放電空間20老化處理裝置
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示屏的老化處理方法，對于具有掃描電極和維持電極和地址電極的等離子顯示屏，至少對所述掃描電極和所述維持電極加上電壓進(jìn)行老化處理放電，其特征在于，具有第1老化處理期間以及第2老化處理期間，所述第1老化處理期間中，對所述掃描電極、所述維持電極、以及所述地址電極中至少其中之一加上電壓，該電壓對加上電壓使得所述掃描電極相對于所述維持電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理；所述第2老化處理期間中，對所述掃描電極、所述維持電極、以及所述地址電極中至少其中之一加上電壓，該電壓對加上電壓使得所述維持電極相對于所述掃描電極成為高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示屏的老化處理方法，其特征在于，第2老化處理期間比第1老化處理期間短。
全文摘要
本發(fā)明的等離子顯示屏的老化處理方法，其中具有第1老化處理期間以及第2老化處理期間，所述第1老化處理期間中，對掃描電極、維持電極、以及地址電極中至少其中之一加上電壓(Vd1)，該電壓(Vd1)對加上電壓使得掃描電極相對于維持電極處于高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理；所述第2老化處理期間中，對掃描電極、維持電極、以及地址電極中至少其中之一加上電壓(Vd2)，該電壓(Vd2)對加上電壓使得維持電極相對于掃描電極處于高電壓側(cè)時的老化處理放電所伴隨而發(fā)生的自行消除放電進(jìn)行抑制，而進(jìn)行老化處理。可以利用該老化處理方法來縮短老化處理期間，能夠進(jìn)行電力功效高的老化處理。
文檔編號H01J11/44GK1839457SQ200580000729
公開日2006年9月27日 申請日期2005年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月25日
發(fā)明者秋山浩二, 山內(nèi)成晃, 青木崇, 青砥宏治 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社