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磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:2949208閱讀:161來源:國知局
專利名稱:磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
眾所周知,磁控管是一種安裝在微波爐或照明用具等設(shè)備中,能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化成微波這樣的高頻能量的裝置。
如圖1、2所示,磁軛1由上部磁軛1a與下部磁軛1b連接而成,大致呈“口”字形,該磁軛1的內(nèi)部裝有圓筒形狀的陽極筒體(cylinder)2,該陽極筒體2的內(nèi)部有若干個葉片(vane)3朝向軸心方向呈放射狀排列,這些葉片3形成了共同諧振器,因此可以激勵出高頻成分。上述葉片3的前端分別連接著內(nèi)側(cè)均壓環(huán)4和外側(cè)均壓環(huán)5,該內(nèi)側(cè)均壓環(huán)4和外側(cè)均壓環(huán)5可以分別與上述葉片3的上、下部分交替著實現(xiàn)接續(xù),該陽極筒體2和葉片3就組成了陽極部(ANODE)。
另外,上述陽極筒體2的中心軸上裝有纏繞成螺旋形狀的燈絲(filament)7,該燈絲7與葉片3的前端之間相距一定的間隔,因而形成了一定的作用空間6。該燈絲7由鎢和氧化釷的混合物制成,它構(gòu)成了陰極部(CATHODE),能夠在驅(qū)動電流的作用下被加熱,從而釋放出熱電子。
另外,上述燈絲7的上端裝有上部密封件(top sealed)8,它可以防止釋放出來的熱電子向上方放射;上述燈絲7的下端裝有下部密封件(endsealed)9,它可以防止釋放出來的熱電子向下方放射。上述下部密封件9的中心形成了貫通孔,貫通孔內(nèi)有用鉬材料制成的傳感器導(dǎo)線(sensor lead)10插入其中,并且上述傳感器導(dǎo)線10固定連接在上部密封件8的底面上。下部密封件9的底面上設(shè)有的有旁側(cè)導(dǎo)線(side lead)11的上端固定連接在其上面,這個旁側(cè)導(dǎo)線11與上述傳感器導(dǎo)線10相距一定的間隔,也是用鉬材料制成的。
另外,上述陽極筒體2的上下開口部分上連接著用磁性材料制成、呈漏斗形狀的上部磁極13和下部磁極14;上述上部磁極13的上端和下部磁極14的下端分別通過釬焊法(brazing)連接著圓筒形狀的A-密封件15和F-密封件16;上述A-密封件l5的上端通過釬焊法連接著用來向外部輸出高頻振蕩的A-陶瓷體(ceramic)17,上述F-密封件16的下端通過釬焊法連接著用來隔熱的F-陶瓷體(ceramic)18。上述A-陶瓷體17的上端通過釬焊法連接著排氣管19,并且為了將上述陽極筒體2的內(nèi)部密封成真空狀態(tài),上述排氣管19的上端被截斷并封合了起來。
另外,上述A-密封件15的內(nèi)部裝有天線(antenna)20,該天線20用來輸出共同諧振器內(nèi)所產(chǎn)生的高頻振蕩。該天線20的下端接續(xù)在葉片3上,而上端則固定在上述排氣管19的內(nèi)側(cè)頂部。
此外,上述陽極筒體2的上方和下方分別連接著上部磁鐵21和下部磁鐵22,并且上述上部磁鐵21和下部磁鐵22與磁軛1的內(nèi)表面相接觸,因此它們可以與上、下部磁極13、14一起形成磁場。
另外,上述磁軛1的下方連接著呈盒子(box)形狀的濾波器盒(filterbox)26,該濾波器盒26的內(nèi)部裝有一對扼流圈(choke coil)27,這一對扼流圈27能夠使向輸入部逆流的高頻噪聲(noise)衰減。另外,上述一對扼流圈27的一端與一對F-導(dǎo)線28的下端保持電連接,其中該一對F-導(dǎo)線28可以插入連接在上述F-陶瓷體18上形成的貫通孔內(nèi)。
插入連接到上述F-陶瓷體18的貫通孔內(nèi)的F-導(dǎo)線28的上端分別連接在一對圓盤(disk)29的底面上,該一對圓盤29安裝在F-陶瓷體18的上部,并且上述一對圓盤29的頂部分別連接上述傳感器導(dǎo)線10和旁側(cè)導(dǎo)線11的下端。
上述濾波器盒26的側(cè)壁上裝有電容器(capacitor)31,上述電容器31的內(nèi)側(cè)末端與上述扼流圈27保持電連接,該扼流圈27內(nèi)沿長度方向插入著鐵氧體磁芯(ferrite)32,這個鐵氧體磁芯32用來吸收低頻噪聲。
上述磁軛1的內(nèi)表面與陽極筒體2的外表面之間裝有冷卻片41,上述A-陶瓷體17的上方裝有用來保護(hù)排氣管19的封合部的天線罩(antenna cap)42。
上述A-密封件15的內(nèi)側(cè)結(jié)合有用于減弱不必要高頻成份的屏蔽件43,如圖3所示,該屏蔽件43與圓筒形狀的A-密封件15的垂直折曲部15a結(jié)合,使兩者保持一定的間隙G。該屏蔽件43的上端部水平折曲的凸緣部43a焊接結(jié)合在A-密封件15向上折曲的A-陶瓷焊接部15b的下側(cè)。
圖中未說明標(biāo)號51為密封墊,52為密封環(huán)。
具有上述結(jié)構(gòu)的普通的磁控管是這樣工作的,首先外部電源可以通過F導(dǎo)線28接通至傳感器導(dǎo)線10和旁側(cè)導(dǎo)線11,從而形成由F-導(dǎo)線28、傳感器導(dǎo)線10、燈絲7、上部密封件8、下部密封件9、旁側(cè)導(dǎo)線11、圓盤29構(gòu)成的閉路電路,使驅(qū)動電流接通到燈絲7上。在這樣接通的驅(qū)動電流的作用下,燈絲7會被加熱,從而釋放出熱電子,這些釋放出的熱電子形成電子群。
另外,在通過旁側(cè)導(dǎo)線11接通到陽極部的驅(qū)動電壓的作用下,作用空間6內(nèi)會產(chǎn)生強電場,由上部磁鐵21和下部磁鐵22所產(chǎn)生的磁通量(flux)沿著下部磁極14被引向作用空間6,然后穿過作用空間6伸向上部磁極13,從而在作用空間6內(nèi)形成強磁場。
從高溫的燈絲7表面釋放到作用空間6內(nèi)的熱電子在作用空間6內(nèi)的強電場的作用下,會流向葉片3,并且在前進(jìn)的過程中,會在強磁場的垂直作用力的作用下,做螺旋形運動,最后到達(dá)葉片3。
像這樣通過電子的運動而形成的電子群會以高頻振蕩頻率的倍數(shù)的倒數(shù)分之一的周期對葉片3產(chǎn)生干擾,在這種干擾的作用下,在方向相對的葉片3之間的空間即諧振器內(nèi)就會有電容(capacitance)成分和電感(inductance)成分在電路上構(gòu)成并聯(lián)諧振電路,其中上述電容成分指的是作用在葉片3之間的靜電容量的電容成分,電感成分指的是由上述方向相對的葉片3和將葉片連接起來的陽極筒體2構(gòu)成的電感成分。這樣一來,就會從葉片3上激勵出高頻振蕩,并且高頻振蕩的諧振頻率通過以下算式即f=12πLC]]>得出。這樣激勵出的高頻振蕩可以通過天線20向外部發(fā)射,從而使食物中的水分子每秒產(chǎn)生24億5千萬次振動,這樣一來,就可以通過水分子振動所產(chǎn)生的摩擦熱量來烹調(diào)食物。
當(dāng)通過上述方式產(chǎn)生高頻能量時,向輸入部泄漏的電磁波噪聲可以被安裝在磁軛1下方的濾波器盒26切斷,這樣就可以防止這些電磁波噪聲向外部泄漏;而向輸出部泄漏的電磁波噪聲則會被安裝在A-密封件上端外面的密封墊(gasket)51切斷。
但是,具有上述結(jié)構(gòu)的磁控管存在如下問題。在A-密封件15的內(nèi)側(cè)焊接屏蔽件43時,因屏蔽件43的游動,有時會偏離正確的位置,導(dǎo)致屏蔽件43和A-密封件15的垂直折曲部15a間的間隙G不能保持一定的間距,使各產(chǎn)品的高頻衰減特性偏差很大。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺點,本發(fā)明提供一種磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu),焊接屏蔽件與A-密封件的垂直折曲部時,使接屏蔽件與A-密封件的垂直折曲部始終保持一定的間隙,進(jìn)而可以維持穩(wěn)定的電磁特征(EMI)。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu),其A-密封件的內(nèi)側(cè)結(jié)合有屏蔽件,其特征是上述屏蔽件的上端部向水平方向折曲形成凸緣部,該凸緣部的端部,向垂直方向折曲形成有垂直掛接部,該垂直掛接部用于防止以插入方式把垂直掛接部結(jié)合到A-密封件的A-陶瓷焊接部內(nèi)側(cè)時,產(chǎn)生游動。
前述的磁控管屏蔽結(jié)構(gòu),其中垂直掛接部沿著上述凸緣部的端部,一體折曲而成。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1為傳統(tǒng)磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為圖1所示的磁控管縱斷面圖。
圖3為圖2所示的A部放大示意圖。
圖4為本發(fā)明具有屏蔽結(jié)構(gòu)的磁控管縱斷面圖。
圖5為圖4所示B部的放大示意圖。
圖6為本發(fā)明的屏蔽件示意圖。
圖中標(biāo)號說明15A-密封件 15a垂直折曲部15bA-陶瓷焊接部 43屏蔽件43a凸緣部100垂直掛接部具體實施方式
如圖4、5、6所示,本發(fā)明的磁控管基本結(jié)構(gòu)和作用與傳統(tǒng)技術(shù)相同,因此,對于相同部分使用相同標(biāo)號,并省略詳細(xì)說明。
本發(fā)明特點為,具有屏蔽件,屏蔽件位于上述A-密封件15的內(nèi)側(cè),用于削減不必要的高頻。
上述屏蔽件43與圓桶狀A(yù)-密封件15的垂直折曲部15a結(jié)合,并維持一定的間隙,該屏蔽件43的上端部一體形成有向水平方向折曲的與A密封件15的內(nèi)側(cè)面相結(jié)合的凸緣部43a,凸緣部43a的端部形成有垂直掛接部100,凸緣部的端部在上述屏蔽件的上端部向水平方向折曲而成,垂直掛接部向上垂直折曲而成,垂直掛接部用于防止以插入方式把垂直掛接部結(jié)合在A-密封件15的A-陶瓷焊接部15b內(nèi)側(cè)時的游動,A-陶瓷焊接部15b形成在A-密封件,向上折曲而成。
具有上述結(jié)構(gòu)的屏蔽件的磁控管來說,把屏蔽件43結(jié)合在A-密封件15時,以插入方式把把屏蔽件43結(jié)合在A-密封件15的內(nèi)側(cè),使形成在屏蔽件43上端部的垂直掛接部100插入到A-密封件15的A-陶瓷焊接部15b下側(cè)插入部,以此防止出現(xiàn)游動現(xiàn)象,此時,對A-密封件15和屏蔽件43的接觸部位,通過焊接進(jìn)行結(jié)合,進(jìn)而,使屏蔽件43和A-密封件15的垂直折曲部15a之間保持一定間隙(G)。
本發(fā)明具有如下效果本發(fā)明的磁控管的屏蔽件的凸緣部端部形成有向垂直方向折曲的垂直掛接部,把屏蔽件組裝在垂直掛接部時,使垂直掛接部插入到位于A-密封件A-陶瓷焊接部下側(cè)的插入部,進(jìn)而可以在防止其游動的狀態(tài)下,進(jìn)行結(jié)合,因此屏蔽件和A-密封件的垂直折曲部之間始終保持一定的間隙,進(jìn)而可以改善電磁特征(EMI)。
權(quán)利要求
1.一種磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu),其A-密封件的內(nèi)側(cè)結(jié)合有屏蔽件,其特征是上述屏蔽件的上端部向水平方向折曲形成凸緣部,該凸緣部的端部,向垂直方向折曲形成有垂直掛接部,該垂直掛接部用于防止以插入方式把垂直掛接部結(jié)合到A-密封件的A-陶瓷焊接部內(nèi)側(cè)時,產(chǎn)生游動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管屏蔽結(jié)構(gòu),其特征是上述垂直掛接部沿著上述凸緣部的端部,一體折曲而成。
全文摘要
一種磁控管的屏蔽結(jié)構(gòu),其A-密封件的內(nèi)側(cè)結(jié)合有屏蔽件,屏蔽件的上端部向水平方向折曲形成凸緣部,該凸緣部的端部,向垂直方向折曲形成有垂直掛接部,該垂直掛接部用于防止以插入方式把垂直掛接部結(jié)合到A-密封件的A-陶瓷焊接部內(nèi)側(cè)時,產(chǎn)生游動。本發(fā)明焊接屏蔽件與A-密封件的垂直折曲部時,使接屏蔽件與A-密封件的垂直折曲部始終保持一定的間隙,進(jìn)而可以維持穩(wěn)定的電磁特征。
文檔編號H01J23/02GK1797672SQ200410094038
公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月27日
發(fā)明者裵雙基 申請人:樂金電子(天津)電器有限公司、
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