專利名稱：磁控管的電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁控管(magnetron)，特別是涉及一種磁控管的電容器，該電容器具有優(yōu)良的耐壓和優(yōu)良的電容量，從而提高了噪音屏蔽效率，并且允許降低電容器中絕緣填充物的填充量、同時(shí)減小了電容器的尺寸。
背景技術(shù)：
通常，磁控管應(yīng)用于微波爐、等離子體照明器件、干燥機(jī)和其它高頻系統(tǒng)。在磁控管中，熱電子在通電后被發(fā)射至陰極，并且通過(guò)電磁場(chǎng)產(chǎn)生微波。接著，微波輸出以作為加熱目標(biāo)物的熱源。
傳統(tǒng)的磁控管參考圖1至圖4進(jìn)行描述。
下面將參考圖1描述磁控管的總體結(jié)構(gòu)。
磁控管通常包括高頻發(fā)生器，其用于通過(guò)施加的電壓產(chǎn)生微波；輸出部分，其用于發(fā)射從高頻發(fā)生器產(chǎn)生的微波；和輸入部分，其用于向高頻發(fā)生器施加電壓。
磁控管的高頻發(fā)生器包括上板形軛架11a和下板型軛架11b、陽(yáng)極圓筒12、散熱片13、上磁極14a和下磁極14b、A-形密封件15a、F-形密封件15b、陶瓷芯柱16、磁鐵17a和17b、葉片21和陰極22。
陽(yáng)極圓筒12位于上軛架11a和下軛架11b之間所限定的內(nèi)部空間之中。
各散熱片13的一端與陽(yáng)極圓筒12相連接，另一端與上軛架板11a或下軛架板11b相連接。散熱片13用于將熱量從陽(yáng)極圓筒12耗散至上軛架11a和下軛架11b。
上磁極14a和下磁極14b分別設(shè)置到陽(yáng)極圓筒12的上端和下端。A-形密封件15a裝配為環(huán)繞上磁極14a的外表面，F(xiàn)-形密封件15b裝配為環(huán)繞下磁極14b的外表面。磁鐵17a和17b分別裝配到上磁極和下磁極的外表面。
上磁極14a和下磁極14b、A-形密封件15a和F-形密封件15b、以及磁鐵17a和17b分別對(duì)稱地裝配到陽(yáng)極圓筒12的上端和下端。
F-形密封件15b的下端開(kāi)口，陶瓷芯柱16裝配到那里。陶瓷芯柱16貫穿有外部連接導(dǎo)線25，其與中心導(dǎo)線23和側(cè)導(dǎo)線24相連接。
陽(yáng)極圓筒12、A-形密封件15a、F-形密封件15b、和陶瓷芯柱16閉合成產(chǎn)生微波的空間。
陽(yáng)極圓筒12具有裝配于其內(nèi)的葉片21，并且在葉片21的中心形成有產(chǎn)生微波的腔21a。葉片的腔21a中裝配有陰極22，中心導(dǎo)線23插入于陰極22之中。此時(shí)，葉片21作為正電極，而陰極22作為負(fù)電極。通過(guò)葉片和陰極的相互作用產(chǎn)生微波。
磁控管的輸出部分包括天線饋線31、A-形陶瓷件32、和天線帽33。
天線饋線31與葉片21相連接，并且A-形陶瓷件32位于A-形密封件15a的上端和天線帽33之間。因此，從葉片21的腔21a和陰極22產(chǎn)生的微波由天線饋線31引導(dǎo)，接著通過(guò)A-形陶瓷件32發(fā)射到外部。
磁控管的輸入部分包括濾波盒40、電容器50和扼流線圈60。
濾波盒40固定在高頻發(fā)生器的下端。電容器50固定在濾波盒40上，同時(shí)與扼流線圈60相連接，扼流線圈60與外部連接導(dǎo)線25連接并位于濾波盒40內(nèi)部。
為了與扼流線圈60、外部連接導(dǎo)線25和扼流線圈60之間的耦接部分、以及外部連接導(dǎo)線25絕緣，濾波盒40隔開(kāi)一預(yù)定間隔。而且，濾波盒40由諸如鋼板等導(dǎo)電材料制成，以防止微波泄漏到外部。
電容器50將參考圖2進(jìn)行描述。
電容器50包括固定地插入到濾波盒40中的絕緣箱51，裝配在絕緣箱51一端的絕緣底板(base)52，插入到絕緣底板52中的兩個(gè)中心導(dǎo)體53，在絕緣箱51內(nèi)環(huán)繞中心導(dǎo)體53的介電材料54，填充在絕緣箱51內(nèi)的絕緣填料55，以及接地板56，其裝配在絕緣箱51的一端并接地至濾波盒40。
中心導(dǎo)體53和介電材料54固定在絕緣箱51中后，絕緣箱填充絕緣填料55，并且絕緣填料55固化(cure)一預(yù)定時(shí)段(大約10小時(shí))。絕緣填料55包含環(huán)氧樹(shù)脂。
構(gòu)成電容器的介電構(gòu)件將參考圖3和圖4進(jìn)行描述。
介電構(gòu)件54設(shè)置于中心導(dǎo)體53的外表面和絕緣箱51之間，以互相面對(duì)。介電構(gòu)件54包含鈦酸鋇，BaTiO3。
各介電構(gòu)件54基本形成為半圓形，并且在其內(nèi)外表面上分別形成有內(nèi)電極54a和外電極54b。這里，內(nèi)電極54a和外電極54b均形成為半圓形。
內(nèi)電極54a和外電極54b通過(guò)在電極的表面上鍍一種諸如銀等具有良好導(dǎo)電性的材料而形成。這里，內(nèi)電極54a接觸桿形的中心導(dǎo)體53，且外電極54b與接地板56連接。介電構(gòu)件54具有預(yù)定的耐壓和電容量。
為了以減小的尺寸制造具有較高電容量的電容器，有利地是增大介電構(gòu)件54的耐壓和電容量。這里，介電構(gòu)件54的耐壓和電容量與介電構(gòu)件的介電常數(shù)ε、內(nèi)電極54a和外電極54b的有效表面積、以及中心導(dǎo)體53的線徑(wire diameter)成正比，而與內(nèi)電極和外電極之間的距離成反比。這里，介電常數(shù)ε由介電材料確定，有效表面積由各電極的高度和寬度確定，并且中心導(dǎo)體的線徑由內(nèi)電極的半徑a確定。
介電構(gòu)件54的電容量根據(jù)其形狀而改變。另外，當(dāng)介電構(gòu)件具有較高的耐壓時(shí)，通過(guò)降低內(nèi)電極54a和外電極54b之間的距離，可以制造出尺寸較小且具有大電容量的電容器。
同時(shí)，接地板56延伸至絕緣箱51的外部，并接地至濾波盒40。因此，內(nèi)電極54a、外電極54b、以及介電構(gòu)件54均接地，并且通過(guò)接地板56反復(fù)充電和放電。
上述構(gòu)造的磁控管的操作描述如下當(dāng)向磁控管通電時(shí)，一預(yù)定的電壓提供到電容器50的中心導(dǎo)體53。此時(shí)，介電構(gòu)件54具有預(yù)定的耐壓和電容量。
介電構(gòu)件54通過(guò)接地板56執(zhí)行充電和放電，并且穩(wěn)定施加到電容器的過(guò)電壓電涌。電容器通過(guò)外部連接導(dǎo)線25將穩(wěn)定后的電壓提供至導(dǎo)線23和24。并且，通過(guò)電容器50和扼流線圈60之間的相互作用產(chǎn)生直流電，從而屏蔽噪音。
電子從陰極22發(fā)射至葉片21，以便從葉片的腔中產(chǎn)生微波。接著，微波被通過(guò)與葉片21相連接的天線饋線31引導(dǎo)至外部，并且通過(guò)A-形陶瓷件輻射。
然而，用于傳統(tǒng)磁控管的電容器具有以下的問(wèn)題首先，雖然為了增大介電構(gòu)件的有效表面積而將介電構(gòu)件形成為半圓形，但是與內(nèi)電極的表面積相比較，外電極形成為具有不必要的過(guò)大表面積。即，與外電極的有效表面積相比，該外電極具有不必要的過(guò)大表面積。這樣，電容器的尺寸、特別是寬度W增大，填充絕緣箱內(nèi)所需的環(huán)氧樹(shù)脂的量過(guò)度增加，由此增大了固化環(huán)氧樹(shù)脂的時(shí)間。因此，存在制造產(chǎn)品的時(shí)間延長(zhǎng)、產(chǎn)品的價(jià)格增大、以及電容器的尺寸增大等問(wèn)題。
其次，為了增大電容器的耐壓和電容量，中心導(dǎo)體的線徑也增大了。然而，為了增大中心導(dǎo)體的線徑，中心導(dǎo)體的直徑必須大幅度增大。這樣，制造中心導(dǎo)體的成本增大，從而中心導(dǎo)體和電容器的尺寸以及環(huán)氧樹(shù)脂的填充量都增大。
再次，由于介電構(gòu)件為半圓形，當(dāng)增大內(nèi)電極和外電極之間的距離b-a時(shí)，介電構(gòu)件的外部直徑顯著增大。因此，由于介電構(gòu)件的尺寸顯著增大，所以電容器的尺寸和環(huán)氧樹(shù)脂的填充量也增大。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種磁控管，其充分消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)所造成的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種磁控管的電容器，設(shè)計(jì)為具有良好的耐壓和電容量，并且具有較小的尺寸和較小的環(huán)氧樹(shù)脂填充量，從而縮短采用該磁控管的產(chǎn)品的制造時(shí)間。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在以下的描述中闡述，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，部分地通過(guò)對(duì)以下描述的研究而變得清楚或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而可被了解。通過(guò)說(shuō)明書(shū)、其權(quán)利要求書(shū)以及附圖所具體示出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)并達(dá)到本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為達(dá)到這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且依照本發(fā)明的意圖，如在此具體實(shí)施和廣泛描述的，本發(fā)明提供一種磁控管的電容器，包括兩個(gè)中心導(dǎo)體，其設(shè)置在接地板內(nèi)并且與扼流線圈相連接；和兩個(gè)介電構(gòu)件，其分別設(shè)置在該中心導(dǎo)體的外側(cè)，以相互面對(duì)，每個(gè)介電構(gòu)件包括設(shè)置在其內(nèi)表面的內(nèi)電極和設(shè)置在其外表面的外電極，以使該內(nèi)電極與相關(guān)聯(lián)的中心導(dǎo)體相連接并且該外電極與該接地板相連接，其中該介電構(gòu)件的兩側(cè)面延長(zhǎng)線之間限定的會(huì)聚角小于180°，每一側(cè)面形成于該內(nèi)電極和外電極的對(duì)應(yīng)端之間。
優(yōu)選地，該會(huì)聚角為65°～80°。
該介電構(gòu)件的內(nèi)電極可以為圓形或?yàn)槠矫嫘?。而且，該介電?gòu)件的外電極可以為圓形或?yàn)槠矫嫘巍?br> 優(yōu)選地，每個(gè)中心導(dǎo)體與介電構(gòu)件的內(nèi)電極相對(duì)應(yīng)，并且具有比該內(nèi)電極大的擴(kuò)張部件。例如，擴(kuò)張部件可以為圓形或?yàn)槠矫嫘巍?br> 在本發(fā)明的另一方案中，提供一種磁控管的電容器，包括兩個(gè)中心導(dǎo)體，其設(shè)置在接地板內(nèi)，并且與扼流線圈相連接，每個(gè)中心導(dǎo)體在其預(yù)定部分形成有直徑比該中心導(dǎo)體的直徑大的擴(kuò)張部件；和兩個(gè)介電構(gòu)件，其分別設(shè)置在該中心導(dǎo)體的外側(cè)，以相互面對(duì)。每個(gè)該介電構(gòu)件包括設(shè)置在其內(nèi)表面的內(nèi)電極和設(shè)置在其外表面的外電極，以使該內(nèi)電極與相關(guān)聯(lián)的中心導(dǎo)體的擴(kuò)張部件相連接并且該外電極與該接地板相連接。
該擴(kuò)張部件可以為圓形或或?yàn)槠矫嫘巍?br> 應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的前述的概括描述以及以下的詳細(xì)描述均為示例性的和說(shuō)明性的，旨在提供對(duì)于所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。


所包含的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其并入并組成本申請(qǐng)的一部分。附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與文字描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為示出傳統(tǒng)磁控管的結(jié)構(gòu)圖；圖2為示出圖1中電容器的橫截面圖；圖3為示出圖1中電容器的立體圖；圖4為示出圖1中電容器的介電構(gòu)件的立體圖；圖5為示出依照本發(fā)明的電容器的一個(gè)實(shí)施例的立體圖；圖6為示出圖5的電容器的俯視圖；圖7為示出圖5的介電構(gòu)件的一個(gè)實(shí)例的立體圖；
圖8為示出圖5的介電構(gòu)件的另一實(shí)例的立體圖；以及圖9為示出圖5的中心導(dǎo)體的立體圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)描述本發(fā)明 的選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。在所有圖中，相同或類似的部件盡可能使 的附圖標(biāo)記。
本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例將參考圖1至圖5進(jìn)行描述。
本發(fā)明的磁控管的電容器100參考圖5和圖6進(jìn)行描述。在圖5中，絕緣箱和絕緣填充物與傳統(tǒng)的磁控管中的絕緣箱和絕緣填充物具有相同的結(jié)構(gòu)，所以未示出。
電容器100包括兩個(gè)中心導(dǎo)體120，其設(shè)置在接地板110內(nèi)部并且連接至扼流線圈；以及兩個(gè)介電構(gòu)件130，其分別設(shè)置在中心導(dǎo)體120的外側(cè)，以互相面對(duì)。各介電構(gòu)件130包括分別設(shè)置在其內(nèi)表面和外表面上的內(nèi)電極131和外電極132，以使內(nèi)電極131與相關(guān)聯(lián)的中心導(dǎo)體連接，且外電極132與接地板110連接。介電構(gòu)件130的兩側(cè)面延長(zhǎng)線之間限定的會(huì)聚角θ小于180°，其中介電材料130的每一側(cè)面形成于內(nèi)電極131和外電極132的對(duì)應(yīng)端之間。
接地板110裝配在絕緣箱51的一端(見(jiàn)圖2)，并接地至濾波盒40(見(jiàn)圖1)。接地板110具有基本為矩形的形狀，在其兩側(cè)開(kāi)口；并且具有法蘭(flange)111，其垂直于接地板110向外側(cè)延伸。法蘭111上形成有固定孔112，用于固定接地板110至濾波盒。
絕緣箱中填充有絕緣填充物，絕緣填充物填充了介電構(gòu)件130和絕緣箱上部空間之間的空間。絕緣填充物與傳統(tǒng)磁控管中的絕緣填充物相同。
各介電構(gòu)件130分別在其內(nèi)表面上和外表面上形成有內(nèi)電極131和外電極132。內(nèi)電極131和外電極132是通過(guò)在其表面上鍍諸如銀等具有良好導(dǎo)電性的材料而形成的。
介電構(gòu)件的第一實(shí)施例將參考圖7進(jìn)行描述。
各介電構(gòu)件130的內(nèi)電極131和外電極132優(yōu)選為圓形?；蛘?，內(nèi)電極131和外電極132可為環(huán)形(circular)或橢圓形。這樣，當(dāng)介電構(gòu)件130的內(nèi)電極131和外電極132形成為具有圓形時(shí)，內(nèi)電極和外電極比其具有平面形狀時(shí)具有更大的有效表面積。特別是，當(dāng)內(nèi)電極131和外電極132形成為具有橢圓形時(shí)，與其為環(huán)形相比，電極的有效表面積進(jìn)一步增大。
更優(yōu)選地，介電構(gòu)件130的兩側(cè)面延長(zhǎng)線之間限定的會(huì)聚角θ約為65°～80°，其中介電材料130的每一側(cè)面形成于內(nèi)電極131和外電極132的對(duì)應(yīng)端之間。與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，該會(huì)聚角能夠顯著降低介電構(gòu)件130的寬度，并確保內(nèi)電極131和外電極132的有效表面積，從而允許得到理想的電容量和耐壓。
而且，盡管增大了介電構(gòu)件130的內(nèi)電極131和外電極132之間的距離，但介電構(gòu)件130的尺寸僅略微增大，因此電容器100的尺寸、特別是寬度并沒(méi)有顯著增大。因此，絕緣填充物的填充量沒(méi)有顯著增大。
介電構(gòu)件的第二實(shí)施例將參考圖8進(jìn)行描述。
優(yōu)選地，各介電構(gòu)件230的內(nèi)電極231和外電極232為平面形(flatshape)。因此，與如圖7所示的具有圓形的電極相比，內(nèi)電極231和外電極232必然降低有效表面積。但是相反，介電構(gòu)件230具有如下優(yōu)勢(shì)由于其允許電極被穩(wěn)定的構(gòu)造和處理，所以電極的質(zhì)量提高并且殘品率降低。
盡管未在圖中示出，以下描述介電構(gòu)件的改型。
各介電構(gòu)件的內(nèi)電極和外電極可分別為圓形和平面形。這樣，內(nèi)電極可比外電極具有更大的有效表面積。
各介電構(gòu)件的內(nèi)電極和外電極可分別為平面形和圓形。這樣，外電極可比內(nèi)電極具有更大的有效表面積，并且可以降低介電構(gòu)件的寬度。
中心導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)將參考圖9進(jìn)行描述。
各中心導(dǎo)體120與介電構(gòu)件130的內(nèi)電極131相接觸，并且具有直徑比中心導(dǎo)體的直徑大的擴(kuò)張部件(enlarged portion)121。利用該擴(kuò)張部件121，中心導(dǎo)體120的線徑增大而不會(huì)增大中心導(dǎo)體120的直徑，從而允許增大電容器100的電容量。優(yōu)選地，該擴(kuò)張部件121的面積略大于內(nèi)電極131的面積。
理想地，該擴(kuò)張部件121裝配為緊密接觸介電構(gòu)件130的內(nèi)電極131。例如，當(dāng)內(nèi)電極131為如圖7所示的圓形時(shí)，理想地，該擴(kuò)張部件121也具有如圖9所示的圓形。另一方面，當(dāng)內(nèi)電極231具有如圖8所示的平面形時(shí)，理想地，該擴(kuò)張部件12也為平面形。
依照本發(fā)明的如上述構(gòu)造的電容器的操作將在以下描述。
為了從磁控管產(chǎn)生具有預(yù)定頻率的微波，磁控管必須被施加一預(yù)定的電壓。通常，向磁控管施加20千伏(kV)的電壓。
這時(shí)，施加到介電構(gòu)件130的最大電場(chǎng)E可由E＝V/ln(b/a)確定，電容器100的電容量C可由C＝2πεL/ln(b/a)確定；其中，a表示從介電構(gòu)件的中心到內(nèi)電極131的距離，b表示從介電構(gòu)件的中心到外電極132的距離，L表示介電構(gòu)件的高度。
這時(shí)，由于最大電場(chǎng)E克服絕緣性能，所以較低的最大電場(chǎng)E和較高的電容量C對(duì)于制造尺寸較小且電容量較大的電容器100是有利的。
通過(guò)向磁控管上提供20千伏的電壓進(jìn)行測(cè)試，所獲得的最大電場(chǎng)E、耐壓和電容量的結(jié)果如下。這里，本發(fā)明的介電構(gòu)件130在每個(gè)介電構(gòu)件130的兩側(cè)面延長(zhǎng)線之間限定的會(huì)聚角為72°，其中每一側(cè)面形成在內(nèi)電極131和外電極132的對(duì)應(yīng)端之間。
參考圖4，當(dāng)a＝1.45mm，b＝6.5mm，L＝5.0mm和V＝20kV時(shí)，傳統(tǒng)的各介電構(gòu)件54的最大電場(chǎng)E為9.0kV/mm。
參考圖7，當(dāng)a＝4.7mm，b＝9.0mm，L＝5.5mm和V＝20kV時(shí)，本發(fā)明的各介電構(gòu)件130的最大電場(chǎng)E為6.5kV/mm。
這樣，依照本發(fā)明可知，由于降低了作為絕緣破壞電壓的最大電場(chǎng)E，本發(fā)明的耐壓從9.0kV/mm到6.5kV/mm提升了2.5kV/mm，從而電容量增大。
而且，傳統(tǒng)的介電構(gòu)件54在內(nèi)電極54a和外電極54b之間的距離(a-b)為5.50mm，而本發(fā)明的介電構(gòu)件130在內(nèi)電極131和外電極132之間的距離(a-b)為4.3mm。因此，依照本發(fā)明，內(nèi)電極131和外電極132的尺寸減小，由此，電容器100的尺寸也能減小。并且，由于本發(fā)明的介電構(gòu)件130的寬度顯著降低，所以電容器100的尺寸進(jìn)一步減小。
用于典型的磁控管的高壓電容器100需要大約300～500pF的電容量。為了達(dá)到該電容量，介電構(gòu)件54的體積為630mm3，而本發(fā)明的介電構(gòu)件130的體積為500mm3，本發(fā)明的介電構(gòu)件130比傳統(tǒng)的介電構(gòu)件54的體積大約減小了21％。
從以上的描述中可知，本發(fā)明具有以下效果。
第一，依照本發(fā)明，由于通過(guò)降低外電極的實(shí)際表面積，介電構(gòu)件的寬度顯著的降低，所以在保持同等電容量的情況下電容器的尺寸和寬度可以減小。而且，即使內(nèi)電極和外電極之間的距離增大，介電構(gòu)件的尺寸也不會(huì)顯著的增大。
第二，耐壓和電容量增大，從而允許制造出尺寸小而電容量大的電容器。
第三，由于電容器的尺寸減小，所以絕緣填充物的填充量也降低。而且，絕緣填充物的固化時(shí)間縮短，從而縮短了制造時(shí)間。
第四，由于每個(gè)中心導(dǎo)體具有形成在其預(yù)定部分的擴(kuò)張部件和增大的線徑，所以與內(nèi)電極相接觸的中心導(dǎo)體的線徑能夠增大而無(wú)需增大中心導(dǎo)體的直徑。這樣，電容量可以進(jìn)一步增大。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變化和改型。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等效范圍內(nèi)的對(duì)于本發(fā)明的變化和改型。
權(quán)利要求
1.一種磁控管的電容器，包括兩個(gè)中心導(dǎo)體，其設(shè)置在接地板內(nèi)并且與扼流線圈相連接；和兩個(gè)介電構(gòu)件，其分別設(shè)置在所述中心導(dǎo)體的外側(cè)，以相互面對(duì)，每個(gè)介電構(gòu)件包括設(shè)置在其內(nèi)表面的內(nèi)電極和設(shè)置在其外表面的外電極，以使該內(nèi)電極與相關(guān)聯(lián)的中心導(dǎo)體相連接并且該外電極與該接地板相連接，其中該介電構(gòu)件的兩側(cè)面的延長(zhǎng)線之間限定的會(huì)聚角小于180°，每一側(cè)面形成于該內(nèi)電極和該外電極的對(duì)應(yīng)端之間。
2.如權(quán)利要求1所述的電容器，其中該會(huì)聚角為65°～80°。
3.如權(quán)利要求1所述的電容器，其中該內(nèi)電極為圓形。
4.如權(quán)利要求3所述的電容器，其中該外電極為圓形。
5.如權(quán)利要求3所述的電容器，其中該外電極為平面形。
6.如權(quán)利要求3所述的電容器，其中每個(gè)中心導(dǎo)體為圓形，以與該內(nèi)電極面對(duì)面的接觸，并且每個(gè)中心導(dǎo)體具有比該內(nèi)電極大的擴(kuò)張部件。
7.如權(quán)利要求1所述的電容器，其中該外電極為圓形。
8.如權(quán)利要求7所述的電容器，其中該內(nèi)電極為平面形。
9.如權(quán)利要求7所述的電容器，其中每個(gè)中心導(dǎo)體為平面形，以與該內(nèi)電極面對(duì)面的接觸，并且每個(gè)中心導(dǎo)體具有比該內(nèi)電極大的擴(kuò)張部件。
10.如權(quán)利要求1所述的電容器，其中該內(nèi)電極為平面形。
11.如權(quán)利要求10所述的電容器，其中該外電極為平面形。
12.如權(quán)利要求11所述的電容器，其中每個(gè)中心導(dǎo)體為平面形，以與該內(nèi)電極面對(duì)面的接觸，并且每個(gè)中心導(dǎo)體具有比該內(nèi)電極大的擴(kuò)張部件。
13.如權(quán)利要求1所述的電容器，其中該外電極為平面形。
14.如權(quán)利要求1所述的電容器，其中該接地板位于絕緣箱的一端，并且絕緣填充物位于該絕緣箱的另一端。
15.一種磁控管的電容器，包括兩個(gè)中心導(dǎo)體，其設(shè)置在接地板內(nèi)，并且與扼流線圈相連接，每個(gè)中心導(dǎo)體在其預(yù)定部分形成有擴(kuò)張部件，該擴(kuò)張部件的直徑比該中心導(dǎo)體的直徑大；和兩個(gè)介電構(gòu)件，其分別設(shè)置在該中心導(dǎo)體的外側(cè)，以相互面對(duì)，每個(gè)介電構(gòu)件包括設(shè)置在其內(nèi)表面的內(nèi)電極和設(shè)置在其外表面的外電極，以使該內(nèi)電極與相關(guān)聯(lián)的中心導(dǎo)體的擴(kuò)張部件相連接并且該外電極與該接地板相連接。
16.如權(quán)利要求15所述的電容器，其中該擴(kuò)張部件為圓形。
17.如權(quán)利要求15所述的電容器，其中該擴(kuò)張部件為平面形。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種磁控管的電容器。該電容器具有介電構(gòu)件，各介電構(gòu)件的兩側(cè)面的延長(zhǎng)線之間限定的會(huì)聚角小于180°，所述各介電構(gòu)件形成在介電構(gòu)件的內(nèi)電極和外電極的對(duì)應(yīng)端之間。該電容器尺寸小且電容量高，從而減小了制造時(shí)間。該電容器還具有中心導(dǎo)體，所述中心導(dǎo)體具有比內(nèi)電極大的擴(kuò)張部件，從而進(jìn)一步增加了電容量。
文檔編號(hào)H01G4/35GK1848360SQ20051009156
公開(kāi)日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2005年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月4日
發(fā)明者李鐘壽, 李容守, 白承源 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社