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場(chǎng)致發(fā)射顯示器及其制造方法

文檔序號(hào):2921456閱讀:205來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):場(chǎng)致發(fā)射顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)致發(fā)射顯示器及其制造方法,尤其涉及一種包括一個(gè)網(wǎng)狀柵和一個(gè)聚焦電極的場(chǎng)致發(fā)射顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)
場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)是由形成真空室的前基底和后基底構(gòu)成的裝置。前基底包括陽(yáng)極和在其內(nèi)側(cè)上的熒光體。后基底包括陰極和在其內(nèi)側(cè)上的發(fā)射器。發(fā)射器發(fā)射的電子對(duì)著陽(yáng)極并激勵(lì)熒光體,從而發(fā)出預(yù)定的光。場(chǎng)致發(fā)射顯示器可以用在汽車(chē)的儀表盤(pán)上。
圖1是常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖。
參照?qǐng)D1,常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器基本包括前基底5和后基底1,插在它們之間的隔板8將它們分開(kāi)一預(yù)定間距。后基底1具有包括位于其內(nèi)側(cè)上的陰極2、絕緣體3和柵極4的堆疊結(jié)構(gòu)。陰極2上的絕緣體3中形成有許多孔,用于發(fā)射電子的微尖發(fā)射器2′形成于陰極2上,通過(guò)這些孔暴露在外。與所述孔對(duì)應(yīng)的開(kāi)口4′形成在柵極圖案中,以允許吸引從發(fā)射器2′向陽(yáng)極6發(fā)射的電子。前基底5包括位于其與后基底相對(duì)的內(nèi)側(cè)上的陽(yáng)極6。熒光體7涂在陽(yáng)極6上。陽(yáng)極6可以形成條紋圖案或作為單個(gè)元件覆蓋前基底的整個(gè)內(nèi)表面。在這樣的顯示器結(jié)構(gòu)中,發(fā)射器2′發(fā)射的電子激勵(lì)熒光體7,從而發(fā)光。
在發(fā)射電子期間,可能會(huì)在限定于兩基底之間的空間中發(fā)生電弧放電。盡管不知道電弧放電的確切原因,但可以相信的是,電弧放電是當(dāng)去除板內(nèi)部產(chǎn)生的氣體時(shí),由大量氣體瞬間電離(雪崩現(xiàn)象)的放電現(xiàn)象引起的。
電弧放電可能引起陽(yáng)極和柵極之間的短路。因此,在柵極上施加了一個(gè)高電壓,就會(huì)損壞柵極氧化物和電阻層。隨著陽(yáng)極電壓的增加,這種現(xiàn)象會(huì)變得更嚴(yán)重。特別是,使用大于1KV的陽(yáng)極電壓更容易引起電弧放電。因此,在具有通過(guò)隔板實(shí)現(xiàn)陰極和陽(yáng)極的簡(jiǎn)單支撐結(jié)構(gòu)的常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器中,獲得在高電壓的情況下穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)的高亮度場(chǎng)致發(fā)射顯示器是不可能的。
圖2示出了韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2001-0081496中公開(kāi)的用于防止上述電弧放電的常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器。
參照?qǐng)D2,如同圖1,場(chǎng)致發(fā)射顯示器包括前基底15和后基底11、插在兩基底之間的隔板18、條形陰極12、絕緣體13、條形柵極14、以及通過(guò)形成于絕緣體13中的孔暴露在外的發(fā)射器12′。前基底15包括陽(yáng)極16和在其內(nèi)側(cè)上的熒光體17。如前所述,陽(yáng)極16可以形成條紋圖案,或作為單個(gè)層圖案形成在前基底的整個(gè)內(nèi)表面上。
場(chǎng)致發(fā)射顯示器進(jìn)一步包括形成在柵極和陽(yáng)極之間作為預(yù)防起弧裝置的網(wǎng)狀柵19,用于控制發(fā)射器12′發(fā)射的電子。
在這樣的場(chǎng)致發(fā)射顯示器結(jié)構(gòu)中,即使施加了-100-300V的電壓,柵極邊緣處的電場(chǎng)也會(huì)減弱,從而防止了電弧放電。此外,即使發(fā)生了起弧現(xiàn)象,電弧離子也會(huì)在引起陰極損壞之前在網(wǎng)狀柵中被捕獲,然后通過(guò)接地引出線(xiàn)流出,從而防止了機(jī)械損壞和電氣損壞。
圖3是說(shuō)明形成圖2的網(wǎng)狀柵的過(guò)程的示意性截面圖。
參照?qǐng)D3,網(wǎng)狀柵19設(shè)置在前基底15上。隔板28用于維持網(wǎng)狀柵19和前基底15之間的間距。隔板28的突起插入網(wǎng)狀柵19上形成的通孔中。玻璃托23用于支撐隔板28的兩端。電極22和網(wǎng)狀柵19通過(guò)導(dǎo)電膠24互連。因此,電壓可以施加到電極22和網(wǎng)狀柵19上。
在參照?qǐng)D2、3描述的常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器中,將網(wǎng)狀柵相對(duì)于前基底的陽(yáng)極對(duì)齊并通過(guò)焙燒固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。然后,將由此獲得的所得結(jié)構(gòu)相對(duì)于后基底的陰極對(duì)齊。然而,由于在焙燒過(guò)程中金屬材料和玻璃材料的熱膨脹系數(shù)不同,很難實(shí)現(xiàn)網(wǎng)狀柵和后基底陰極之間的適當(dāng)對(duì)齊。因此,發(fā)射器發(fā)射的電子就與臨近所需發(fā)射區(qū)域的熒光體發(fā)生碰撞,由此降低了色純度。同樣,當(dāng)脈沖電壓和DC電壓分別施加到柵極和網(wǎng)狀柵上時(shí),在僅是網(wǎng)狀柵的邊緣由隔板固定的顯示器結(jié)構(gòu)中可能發(fā)生由于網(wǎng)狀柵的振動(dòng)而引起的噪聲現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種改進(jìn)的場(chǎng)致發(fā)射顯示器。
本發(fā)明還提供一種場(chǎng)致發(fā)射顯示器,即使當(dāng)施加高電壓時(shí),它也能夠預(yù)防電弧放電。
本發(fā)明還提供一種場(chǎng)致發(fā)射顯示器的制造方法,即使當(dāng)施加高電壓時(shí),也能夠預(yù)防電弧放電。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種場(chǎng)致發(fā)射顯示器,包括第一基底;形成在所述第一基底上的電子發(fā)射組件;在距離所述第一基底一個(gè)預(yù)定距離處的第二基底,所述第一和第二基底形成一個(gè)真空空間;和形成在所述第二基底上的發(fā)光組件,所述發(fā)光組件由所述電子發(fā)射組件發(fā)射的電子照亮;設(shè)在所述電子發(fā)射組件上方的網(wǎng)狀柵。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面,所述網(wǎng)狀柵由金屬構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,所述網(wǎng)狀柵由不銹鋼、不脹合金和鐵鎳合金中的一種構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,鐵鎳合金包含2.0~10.0wt%的Cr。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,鐵鎳合金包含40.0~44.0wt%的Ni。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,鐵鎳合金包含0.2~0.4wt%的Mn、0.7wt%或更少的C以及0.3wt%或更少的Si。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,所述網(wǎng)狀柵的熱膨脹系數(shù)在9.0×10-6/℃到10.0×10-6/℃范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,電子發(fā)射組件由陰極和柵極、電子發(fā)射源組成。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,柵極形成在陰極的上側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,柵極形成在陰極的下側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,在所述電子發(fā)射組件和所述網(wǎng)狀柵之間設(shè)有中間物質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,所述中間物質(zhì)是絕緣材料。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,其中所述中間物質(zhì)是電阻材料。
根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)方面,其中在網(wǎng)狀柵上進(jìn)一步形成有聚焦電極。
根據(jù)本發(fā)明再一個(gè)方面,提供一種場(chǎng)致發(fā)射顯示器,包括第一基底;形成在所述第一基底上的電子發(fā)射組件;在距離所述第一基底一個(gè)預(yù)定距離處設(shè)置的第二基底,所述第一和第二基底形成一個(gè)真空組件;形成在所述第二基底上的發(fā)光組件,所述發(fā)光組件由所述電子發(fā)射組件發(fā)射的電子照亮;設(shè)在所述電子發(fā)射組件上方的網(wǎng)狀柵;其中所述網(wǎng)狀柵通過(guò)玻璃料與所述電子發(fā)射組件粘接。


本發(fā)明前述的和其它的特征和優(yōu)點(diǎn),將通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述而變得更加清楚,附圖如下圖1是一常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖;圖2是另一常規(guī)場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖;圖3是圖2的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的局部透視圖;圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖;圖5是圖4的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的網(wǎng)狀柵的局部透視圖;圖6是說(shuō)明在圖4的場(chǎng)致發(fā)射顯示器中隔板的插入情況的局部透視圖;圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射顯示器制造過(guò)程的流程圖;和圖8是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下,將參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的包括網(wǎng)狀柵的場(chǎng)致發(fā)射顯示器及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖。
參照?qǐng)D4,包括這個(gè)實(shí)施例的場(chǎng)致發(fā)射顯示器具有前基底41和后基底42的連接結(jié)構(gòu),該兩個(gè)基底彼此分開(kāi)一個(gè)預(yù)定間距,這樣,就在兩基底之間形成了一個(gè)真空空間。隔板43設(shè)置成用于維持前基底41和后基底42之間的間距。陰極55形成在后基底42的內(nèi)側(cè)。絕緣體45形成在陰極55上。絕緣體45中具有孔。用作電子發(fā)射源的發(fā)射器46通過(guò)這些孔暴露在外。
柵極47形成在絕緣體45上。柵極47具有與絕緣體45上的孔相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口,以允許吸引從發(fā)射器46向陽(yáng)極53發(fā)射的電子。陰極55、發(fā)射器和柵極47用作電子發(fā)射組件。在該示出的實(shí)施例中,可以理解的是,柵極46設(shè)置在陰極55的上面。
另一方面,在附圖中沒(méi)有示出的另一實(shí)施例中,柵極設(shè)置在陰極的下面。如果這樣的話(huà),必須確保柵極和陰極55之間絕緣。但是不需要在柵極上形成開(kāi)口。韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2002-16804公開(kāi)了具有形成在陰極下方的柵極的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的實(shí)例。
同時(shí),前基底41包括位于其內(nèi)側(cè)的陽(yáng)極53。陽(yáng)極53可以形成條紋圖案或作為形成在前基底41整個(gè)內(nèi)表面上的單層。如果陽(yáng)極53形成條紋圖案,從頂端看,陰極55和陽(yáng)極53彼此垂直相交。熒光體54涂在陽(yáng)極53上。熒光體54可能是紅色的、綠色的或藍(lán)色的。
網(wǎng)狀柵50形成于柵極47和陽(yáng)極53之間,用以控制發(fā)射器46發(fā)射的電子。網(wǎng)狀柵50設(shè)置在柵極47上。也就是說(shuō),網(wǎng)狀柵50包括下絕緣體49和上絕緣體51,它們分別形成于網(wǎng)狀柵50的下表面和上表面,以及網(wǎng)狀柵50設(shè)置在柵極47上。下絕緣體49可以替換成由電阻材料構(gòu)成的電阻層。此外,下絕緣體49和上絕緣體50都可以替換成電阻層。如圖所示,將網(wǎng)狀柵50借助玻璃料與柵極47粘接的方式固定。網(wǎng)狀柵50用于阻礙陽(yáng)極53的電場(chǎng)在陰極55電子發(fā)射過(guò)程中的作用,并用于加速發(fā)射出來(lái)的電子。在另一實(shí)施例(沒(méi)有示出)中,陰極設(shè)置在柵極的上方,網(wǎng)狀柵設(shè)置在陰極的上方。
聚焦電極52形成在上絕緣體51上,該上絕緣體又依次形成在網(wǎng)狀柵50的上表面。聚焦電極52用于提高電子束的聚焦性能。也就是說(shuō),聚焦電極52防止了由網(wǎng)狀柵50加速的電子的離散,并且為了實(shí)現(xiàn)電子與陽(yáng)極的碰撞,將被加速的電子聚焦在所關(guān)注的陽(yáng)極53上。
圖5是說(shuō)明網(wǎng)狀柵50和聚焦電極52布置情況的示意性分解的透視圖。
參照?qǐng)D5,上絕緣體51和下絕緣體49分別形成在網(wǎng)狀柵50的上表面和下表面。玻璃料48設(shè)置在下絕緣體49的下表面上,聚焦電極52設(shè)置在上絕緣體51的上表面上。
網(wǎng)狀柵50形成網(wǎng)狀,其由不銹鋼或不脹合金或SUS構(gòu)成。由于不脹合金和SUS具有小于普通不銹鋼的熱膨脹系數(shù),所以,有利于降低焙燒過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。網(wǎng)狀柵50還可以由鐵鎳合金構(gòu)成。由于鐵鎳合金具有比普通不銹鋼小得多的熱膨脹系數(shù),所以,非常有利于降低焙燒過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。此外,由于鐵鎳合金具有與玻璃相似的熱膨脹系數(shù),所以,當(dāng)將鐵鎳合金構(gòu)成的網(wǎng)狀柵固定在后基底上時(shí),網(wǎng)狀柵的熱膨脹系數(shù)就會(huì)有利地影響與陰極的對(duì)齊。
同時(shí),開(kāi)口56形成在網(wǎng)狀柵50中。每個(gè)開(kāi)口56與形成一個(gè)象素的紅、藍(lán)、綠熒光體之一相對(duì)應(yīng)。也就是說(shuō),如圖4所示,每個(gè)開(kāi)口56僅僅與一個(gè)熒光體54對(duì)應(yīng)。具體地,開(kāi)口56對(duì)應(yīng)于陰極55和陽(yáng)極53的交叉點(diǎn)形成。發(fā)射器46發(fā)射的電子穿過(guò)開(kāi)口56。
如圖5所示,下絕緣體49和上絕緣體51分別以不與開(kāi)口56重疊的方式形成在網(wǎng)狀柵50的下表面和上表面上。如圖5示明的,上絕緣體49和下絕緣體51都具有開(kāi)口。這些開(kāi)口沿陰極55的縱向延伸。聚焦電極52以與上絕緣體5 1同樣的形狀形成在上絕緣體51的上表面上。玻璃料48以與下絕緣體49同樣的形狀形成在下絕緣體49的下表面上。玻璃料48用于將網(wǎng)狀柵50維持在所處的位置。
通孔59也形成在網(wǎng)狀柵50中。圖4的隔板43插入通孔59中并維持前基底41和后基底42之間的間距。
圖6是圖4的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性局部分解透視圖。
參照?qǐng)D6,前基底41位置處在不同于圖4的倒置狀態(tài)。前基底41包括,其內(nèi)側(cè)上的陽(yáng)極53和熒光體54,它們構(gòu)成發(fā)光組件。發(fā)光組件由電子發(fā)射組件發(fā)射出來(lái)的電子點(diǎn)亮。如前所述,陽(yáng)極可以形成條紋圖案或作為在前基底的整個(gè)內(nèi)表面上形成的單層。如果這樣的話(huà),優(yōu)選的是垂直于陰極以條紋圖案形成熒光體54。與熒光體43對(duì)應(yīng)的開(kāi)口56形成在網(wǎng)狀柵50中。網(wǎng)狀柵50也具有用于隔板43插入的通孔59。如圖6所示,隔板43由沿陽(yáng)極53縱向延伸的水平部分43a和垂直于水平部分43a延伸的垂直部分43b構(gòu)成。垂直部分43b插入網(wǎng)狀柵50的通孔59中。垂直部分43b的兩端都與前基底41和后基底42的內(nèi)表面接觸。因此,維持了兩基底之間的間距。
圖7是說(shuō)明了具有上述結(jié)構(gòu)的場(chǎng)致發(fā)射顯示器制造過(guò)程的示意性流程圖。現(xiàn)在將參照?qǐng)D4到圖7詳細(xì)描述制造場(chǎng)致發(fā)射顯示器的過(guò)程。
首先,在后基底42上形成陰極55、發(fā)射器46、絕緣體45和柵極47(步驟71)。陰極、發(fā)射器、絕緣體和柵極都是以常規(guī)方法形成的。
接著,形成網(wǎng)狀柵50(步驟72)。網(wǎng)狀柵如前所述由不銹鋼或不脹合金構(gòu)成。將網(wǎng)狀柵加工成如前面圖5所示的預(yù)定形狀。網(wǎng)狀柵可以由鐵鎳合金構(gòu)成以將熱膨脹系數(shù)最小化。優(yōu)選在鐵鎳合金中添加進(jìn)2.0~10.0wt%的鉻。優(yōu)選網(wǎng)狀柵的熱膨脹系數(shù)在9.0×10-6/℃到10.0×10-6/℃的范圍內(nèi),它小于不脹合金的熱膨脹系數(shù),常規(guī)網(wǎng)狀柵的材料的熱膨脹系數(shù),即,大約為1.2×10-6/℃。特別是,鐵鎳合金構(gòu)成的網(wǎng)狀柵50具有與玻璃構(gòu)成的基底相似的熱膨脹系數(shù)。
更詳細(xì)地,網(wǎng)狀柵50由鐵鎳合金構(gòu)成,包含40.0~44.0wt%的Ni,49.38~53.38wt%的Fe,2.0~10.0wt%的Cr,0.2~0.4wt%的Mn,0.07wt%或更少的C,0.3wt%或更少的Si,以及雜質(zhì)。
在這種情況下,如圖6所示,用于隔板43垂直部分43b插入的的通孔形成在網(wǎng)狀柵中。
網(wǎng)狀柵經(jīng)過(guò)例如預(yù)焙燒的預(yù)處理以防止在后續(xù)步驟中網(wǎng)狀柵發(fā)生變形(步驟73)。預(yù)焙燒的目的是為了防止在加工網(wǎng)狀柵的過(guò)程中產(chǎn)生殘余應(yīng)力。具有殘余應(yīng)力的網(wǎng)狀柵可能在后續(xù)的燃燒過(guò)程中發(fā)生變形。在預(yù)焙燒過(guò)程中,網(wǎng)狀柵50鍍上了氧化膜。該氧化膜加強(qiáng)了網(wǎng)狀柵和形成在網(wǎng)狀柵上的絕緣體之間的附著力。預(yù)焙燒在800~1000℃的溫度下進(jìn)行。
在預(yù)焙燒完成之后,應(yīng)用例如絲網(wǎng)印刷等厚膜技術(shù)將絕緣材料覆蓋在網(wǎng)狀柵的上表面和下表面上。將涂覆的絕緣材料在400~600℃的溫度下焙燒,并將其結(jié)晶形成上絕緣體49和下絕緣體51(步驟74)。
在上表面和下表面上具有絕緣體的網(wǎng)狀柵相對(duì)于通過(guò)柵極開(kāi)口暴露在外的發(fā)射器,布置在后基底上。使用玻璃料將網(wǎng)狀柵完全粘結(jié)在后基底上。通過(guò)在400~500℃的溫度下焙燒玻璃料來(lái)完成網(wǎng)狀柵與后基底的粘結(jié)(步驟75)。在另一個(gè)實(shí)施例中,沒(méi)有借助玻璃料將網(wǎng)狀柵粘結(jié)。換句話(huà)說(shuō),可以在電子發(fā)射組件之上支撐網(wǎng)狀柵,以維持它們的相對(duì)位置。
接著,聚焦電極形成在網(wǎng)狀柵的上絕緣體的上表面上(步驟76)。聚焦電極可以通過(guò)例如絲網(wǎng)印刷等厚膜技術(shù)使用電極材料制成,或通過(guò)例如濺射法、化學(xué)氣相淀積、電子束法等薄膜技術(shù)制成。
接著,將隔板43安裝在后基底上(步驟77)。安裝隔板43是為了維持后基底42和前基底41之間的間距。隔板43插入網(wǎng)狀柵50上形成的通孔59中。
接著,將具有陽(yáng)極53和熒光體54的前基底41與后基底42相連(步驟78)。應(yīng)用常規(guī)方法在前基底底41上可以形成陽(yáng)極53和熒光體54。雖然附圖中沒(méi)有示出,熒光體54之間還是形成了黑基質(zhì)。熒光體和黑基質(zhì)可以通過(guò)電泳、絲網(wǎng)印刷或涂漿法制成。當(dāng)前基底和后基底彼此連接起來(lái)時(shí),在400到500℃的溫度下焙燒組件(步驟79)。由此,獲得了作為最終產(chǎn)品的場(chǎng)致發(fā)射顯示器。
當(dāng)完成了場(chǎng)致發(fā)射顯示器的制造后,就如下所述地選擇施加到網(wǎng)狀柵用于最佳電子加速的電壓和施加到聚焦電極用于最佳聚焦的電壓。
首先,在柵極和陽(yáng)極上施加常規(guī)電壓。施加到柵極上的電壓大約為70~120V,施加到陽(yáng)極的電壓大約為1kv或更大。接著,為了找出對(duì)于發(fā)射器所發(fā)射電子的加速來(lái)說(shuō)的最佳電壓情況,就在30~300V的范圍內(nèi)選擇施加到網(wǎng)狀柵上的電壓。同樣,為了找出用于聚焦所加速的電子的最佳電壓情況,就在-100~0V的范圍內(nèi)選擇施加到聚焦電極上的電壓。
圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的場(chǎng)致發(fā)射顯示器的示意性截面圖。
參照?qǐng)D8,該實(shí)施例的場(chǎng)致發(fā)射顯示器具有與圖4所示的場(chǎng)致發(fā)射顯示器相似的結(jié)構(gòu)。相同的組成元件由相同的附圖標(biāo)號(hào)表示。圖8的場(chǎng)致發(fā)射顯示器中省略了形成在網(wǎng)狀柵50上方的聚焦電極。
如上所述,網(wǎng)狀柵50由包含了2.0~10.0wt%的Cr的鐵鎳合金構(gòu)成。更詳細(xì)地,網(wǎng)狀柵50由鐵鎳合金構(gòu)成,鐵鎳合金包含了40.0~44.0wt%的Ni、49.38~53.38wt%的Fe、2.0~10.0wt%的Cr、0.2~0.4wt%的Mn、0.07wt%或更少的C、0.3wt%或更少的Si以及雜質(zhì)。如果這樣的話(huà),當(dāng)網(wǎng)狀柵50由包含了鉻的鐵鎳合金構(gòu)成時(shí),網(wǎng)狀柵的熱膨脹系數(shù)就會(huì)接近于基底的熱膨脹系數(shù)。因此,就防止了網(wǎng)狀柵和基底之間的錯(cuò)位。
本發(fā)明提供了一種包括網(wǎng)狀柵和聚焦電極的場(chǎng)致發(fā)射顯示器,該顯示器能夠防止由于起弧引起的顯示器的損壞,并能夠加速及聚焦所發(fā)射的電子。網(wǎng)狀柵形成在柵極和陽(yáng)極之間限定的空間中,這樣,使得發(fā)射器發(fā)射的電子穿過(guò)網(wǎng)狀柵上對(duì)應(yīng)于陽(yáng)極和陰極交叉點(diǎn)的開(kāi)口。絕緣體形成在網(wǎng)狀柵的上表面和下表面上。借助玻璃料將這樣形成的網(wǎng)狀柵固定在后基底上。因此,就簡(jiǎn)化了網(wǎng)狀柵和后基底之間的對(duì)齊校正,并能夠最小化在顯示驅(qū)動(dòng)中引起的網(wǎng)狀柵振動(dòng)而造成的噪聲。同時(shí),還減少了電弧放電,從而可以應(yīng)用高電壓。即使當(dāng)發(fā)生了電弧放電時(shí),也不會(huì)引起陰極損壞。此外,提高了所發(fā)射電子的加速性能,從而增加了場(chǎng)致發(fā)射顯示器的亮度。此外,通過(guò)調(diào)整施加在聚焦電極上的電壓可以聚焦電子束,從而能夠產(chǎn)生高亮度及高分辨率的場(chǎng)致發(fā)射顯示器。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明示例性實(shí)施例具體地示出并描述了本發(fā)明,但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是,在不脫離由附屬權(quán)利要求定義的本發(fā)明實(shí)質(zhì)和范圍的情況下,可以在形式上和細(xì)節(jié)上作多種變化。
權(quán)利要求
1.場(chǎng)致發(fā)射顯示器,包括第一基底;在所述第一基底上形成的電子發(fā)射組件;在距離所述第一基底一個(gè)預(yù)定距離處設(shè)置的第二基底,所述第一和第二基底形成一個(gè)真空空間;和形成在所述第二基底上的發(fā)光組件,所述發(fā)光組件由所述電子發(fā)射組件發(fā)射的電子照亮;所述電子發(fā)射組件上方設(shè)有網(wǎng)狀柵。
2.權(quán)利要求1的場(chǎng)致發(fā)射顯示器,其中所述網(wǎng)狀柵由金屬構(gòu)成。
3.權(quán)利要求1的場(chǎng)致發(fā)射顯示器,其中所述網(wǎng)狀柵由不銹鋼、不微脹合金和鐵鎳合金之一構(gòu)成。
4.權(quán)利要求3的場(chǎng)致發(fā)射顯示器,其中鐵鎳合金包括2.0~10.0wt%的Cr。
5.權(quán)利要求3的場(chǎng)致發(fā)射顯示器,其中鐵鎳合金包括40.0~44.0wt%的Ni。
6.權(quán)利要求3的場(chǎng)致發(fā)射顯示器,其中鐵鎳合金包括0.2~0.4wt%的Mn、0.7wt%或更少的C以及0.3wt%或更少的Si。
7.權(quán)利要求1的平板顯示裝置,其中所述網(wǎng)狀柵的熱膨脹系數(shù)在9.0×10-6/℃~10.0×10-6/℃范圍內(nèi)。
8.權(quán)利要求1的平板顯示裝置,其中電子發(fā)射組件包括陰極和棚極、電子發(fā)射源。
9.權(quán)利要求9的平板顯示裝置,其中柵極形成在陰極的上側(cè)。
10.權(quán)利要求9的平板顯示裝置,其中柵極形成在陰極的下側(cè)。
11.權(quán)利要求1的平板顯示裝置,其中在所述電子發(fā)射組件和所述網(wǎng)狀柵之間設(shè)有中間物質(zhì)。
12.權(quán)利要求12的平板顯示裝置,其中所述中間物質(zhì)是絕緣材料。
13.權(quán)利要求12的平板顯示裝置,其中所述中間物質(zhì)是電陰材料。
14.權(quán)利要求1的平板顯示裝置,其中在網(wǎng)狀柵上進(jìn)一步形成有聚焦電極。
15.平板顯示裝置,包括第一基底;形成在所述第一基底上的電子發(fā)射組件;在距離所述第一基底一個(gè)預(yù)定距離處設(shè)置的第二基底,所述第一和第二基底形成一個(gè)真空組件;和形成在所述第二基底上的發(fā)光組件,所述發(fā)光組件由所述電子發(fā)射組件發(fā)射的電子照亮;所述電子發(fā)射組件上方設(shè)有網(wǎng)狀柵;其中所述網(wǎng)狀柵通過(guò)玻璃料與所述電子發(fā)射組件粘結(jié)。
全文摘要
提供一種場(chǎng)致發(fā)射顯示器及其制造方法。本發(fā)明的平板顯示裝置包括第一基底;在所述第一基底上形成的電子發(fā)射組件;在距離所述第一基底一個(gè)預(yù)定距離處設(shè)置的第二基底,所述第一和第二基底形成一個(gè)真空空間;形成在所述第二基底上的發(fā)光組件,所述發(fā)光組件由所述電子發(fā)射組件發(fā)射的電子照亮;所述電子發(fā)射組件上方設(shè)有網(wǎng)狀柵。
文檔編號(hào)H01J29/06GK1518048SQ20041000590
公開(kāi)日2004年8月4日 申請(qǐng)日期2004年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月21日
發(fā)明者宣亨來(lái), 張喆鉉, 張東守, 金東昱, 河在相 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社
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