專利名稱：射束調(diào)節(jié)樣品、射束調(diào)節(jié)方法及射束調(diào)節(jié)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射束調(diào)節(jié)樣品、射束調(diào)節(jié)方法及樣品調(diào)節(jié)裝置。
背景技術(shù)：
通常，用于將電子束施加到物體上并且檢測物體形狀的電子束照射裝置是眾所周知的。作為這類電子束照射裝置，掃描電子顯微鏡(SEM)從JP-A-5-159735(第2頁，圖5)的公開內(nèi)容中可以得知。
在掃描電子顯微鏡中，預(yù)定電壓施加到陰極和陽極之間，飛出陰極的電子由校準(zhǔn)線圈軸向調(diào)節(jié)，由聚焦透鏡會聚，并且經(jīng)由共點(diǎn)線圈(stigmacoil)、交變線圈和物鏡聚焦到樣品的預(yù)定位置，樣品產(chǎn)生的二次電子由二次電子檢測器檢測。
將在下文參照圖1和2描述這類電子束照射裝置中的電子束調(diào)節(jié)方法。
首先，電子束100施加到微觀結(jié)構(gòu)上，該微觀結(jié)構(gòu)包括多個(gè)擱置于臺架上并已粗略調(diào)節(jié)的具有已知尺寸的乳膠球(latex ball)，如圖1所示。這時(shí)，通過改變電子束照射裝置中的物鏡的放大倍數(shù)使得電子束100大致聚焦在微觀結(jié)構(gòu)上，同時(shí)看見基于被檢測到的二次電子所產(chǎn)生的圖像。
如果電子束100的焦點(diǎn)大致調(diào)節(jié)于乳膠球110上，則x和y方向的電子束的直徑調(diào)節(jié)至使得電子束的束斑形狀幾乎為圓形的。圖2和3是說明使用十字形金屬絲的射束直徑調(diào)節(jié)的視圖。圖2中，示出了交叉成直角的兩根金屬絲120和130，以及放在金屬絲120和130正下方的法拉第杯(Faradaycup)140。
金屬絲120和130由鎢絲制成，例如，厚度大約為30微米。金屬絲120和130在互相正交的x和y方向上延伸。在使用該十字形金屬絲的調(diào)節(jié)過程中，電子束100沿著x和y方向掃描跨過金屬絲120和130，而且入射到設(shè)置于十字形金屬絲下方的法拉第杯140上的電子束的數(shù)量被轉(zhuǎn)換成電子信號。該電子信號由放大器150放大，并通過用于波形處理的低通濾波器160，顯示于示波器170上。
圖4A至4C是入射到法拉第杯140上的電子束100與金屬絲120和130之間關(guān)系的典型視圖。為了簡化，在此以金屬絲120作為示例。如圖4A所示，如果電子束100完全施加到金屬絲120上，則電子束100被金屬絲120阻隔，而不能進(jìn)入法拉第杯。該狀態(tài)定義為狀態(tài)A。接著，如果電子束100施加到金屬絲120邊緣附近，則部分電子束101從金屬絲120旁邊通過而進(jìn)入法拉第杯，同時(shí)剩下的電子束102被金屬絲120散射形成散射電子103。該狀態(tài)定位為狀態(tài)B。此外，當(dāng)電子束100沒有施加到金屬絲120上，而是完全通過金屬絲120，則所有的電子束100入射到法拉第杯140上。該狀態(tài)定義為狀態(tài)C。
圖5是當(dāng)利用電子束100連續(xù)掃描金屬絲120和130中的一個(gè)時(shí)，法拉第杯140的輸出波形的曲線圖。在圖5的曲線圖中，橫坐標(biāo)軸是電子束掃描位置，而縱坐標(biāo)軸是法拉第杯140的輸出量，其中橫坐標(biāo)軸上的“A”、“B”和“C”對應(yīng)于圖4A至圖4C所示的狀態(tài)。如圖5所示，從狀態(tài)A至狀態(tài)C法拉第杯140的輸出量快速上升。調(diào)節(jié)過程中，假定電子束的分布圖為高斯分布，法拉第杯140的輸出量為12％處的射束位置和法拉第杯140的輸出量為88％處的射束位置之間的寬度定義為射束直徑。在x和y方向上均進(jìn)行調(diào)節(jié)，使射束直徑最小，并且使射束直徑幾乎能夠以高精度形成幾乎圓形束斑的電子束。
但是，采用上述方法，當(dāng)使用乳膠球的粗略調(diào)節(jié)不夠時(shí)，需要反復(fù)多次調(diào)節(jié)以使操作持續(xù)，直到獲得極好的射束直徑為止，這樣需要大量時(shí)間。而且，這種調(diào)節(jié)需要一些經(jīng)驗(yàn)，不能簡單對待。
采用十字形金屬絲方法，盡管采用兩根金屬絲來測量x和y方向的射束直徑，但是在x和y方向的調(diào)節(jié)過程中，測量高度是不同的，由于金屬絲具有寬度，其相差一金屬絲寬度的量，如圖3所示。因而，十字形金屬絲的正確高度位置不能得到精確測量，導(dǎo)致測量精度的誤差。
而且，在狀態(tài)B中，部分電子束100被散射成為散射電子103，但是散射電子103一部分被金屬絲120散射進(jìn)入法拉第杯140，如圖4B所示。因而，如圖5所示的法拉第杯的輸出量曲線由于部分散射電子而升高，不能精確表現(xiàn)出射束分布。因而，難以進(jìn)行高精度測量。
而且，金屬絲120和130形狀有局部變化，z軸方向的高度根據(jù)位置可能有所不同，由此測量精度因?yàn)樵摳叨日`差而下降。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題而實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)目的是解決用十字形金屬絲方法進(jìn)行高精度測量時(shí)的困難。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種射束調(diào)節(jié)方法，包括將射束施加到射束調(diào)節(jié)樣品上，該射束調(diào)節(jié)樣品具有板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣；和檢測通過射束調(diào)節(jié)樣品的射束量，其中射束垂直地掃描兩個(gè)邊緣。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面，提供了一種射束調(diào)節(jié)樣品，其具有板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣。
根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，提供了一種射束調(diào)節(jié)裝置，包括臺架，用于擱置具有板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣的射束調(diào)節(jié)樣品；射束發(fā)生器，用于將射束施加到射束調(diào)節(jié)樣品上；二次電子檢測器，用于檢測由于施加射束產(chǎn)生的二次電子；位置檢測器，用于檢測射束調(diào)節(jié)樣品的位置；和設(shè)置于臺架下面的射束檢測器，其中射束檢測器檢測通過射束調(diào)節(jié)樣品的電子束的量。


從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說明中，本發(fā)明的這些和其他目的及優(yōu)點(diǎn)將變得更加全面和清楚，附圖中圖1是說明電子束的粗略控制的視圖。
圖2是說明使用十字形金屬絲方法測量電子束射束直徑的方法的視圖。
圖3是示出十字形金屬絲之間位置關(guān)系的視圖。
圖4A至4C是示出入射到法拉第杯上的電子束和金屬絲之間關(guān)系的典型視圖。
圖5是示出射束掃描位置和法拉第杯的輸出量之間關(guān)系的曲線圖。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的射束調(diào)節(jié)裝置的剖視圖。
圖7是示出擱置于法拉第杯上的樣品的透視圖。
圖8A和8B是沿圖7的線VIII-VIII截取的剖視圖。
圖9A和9B是示出施加到樣品上的電子束的掃描圖形的視圖。
圖10A至10C是示出施加到樣品上的電子束和通過通孔的電子束之間關(guān)系的典型視圖。
圖11是示出射束掃描位置和法拉第杯的輸出量之間關(guān)系的曲線圖。
圖12是示出根據(jù)實(shí)施例的射束調(diào)節(jié)方法的流程圖。
圖13A至13C是示出實(shí)施例的一個(gè)變化的視圖。
圖14A至14C是示出實(shí)施例的另一個(gè)變化的視圖。
具體實(shí)施例方式
參照圖6至12，示出了根據(jù)本發(fā)明的射束調(diào)節(jié)樣品、射束調(diào)節(jié)方法和射束調(diào)節(jié)裝置。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的射束調(diào)節(jié)裝置的剖視圖。該實(shí)施例的射束調(diào)節(jié)裝置1包括用于將樣品50擱置于其上的真空容器3和用于向樣品50照射電子束的圓柱形電子束照射部分2，其中圓柱形電子束照射部份2安裝在真空容器3上。
電子束照射部分2包括用于生成電子束的電子束源10、校準(zhǔn)線圈20、聚焦透鏡21、共點(diǎn)線圈22、偏轉(zhuǎn)線圈23和物鏡24。這些線圈或透鏡20至24包括所生成的電子束通過其中的圓柱形線圈。
電子束源10包括設(shè)置在電子束照射部分2的軸線上的陰極11；覆蓋陰極11側(cè)面并距離該側(cè)面一定距離的控制電極(Wehnelt)12；以及設(shè)置在真空容器3的側(cè)部而非陰極11的側(cè)部的陽極13。如果預(yù)定電壓施加到陰極11、控制電極12和陽極13上，則電子自陰極11飛出。飛出的電子軸向?qū)?zhǔn)移動(dòng)至真空容器3。
聚焦透鏡21聚焦由校準(zhǔn)線圈20軸向?qū)?zhǔn)的電子束并將其會聚成具有預(yù)定直徑的電子束。
共點(diǎn)線圈22調(diào)節(jié)通過線圈的電子束的像散現(xiàn)象，使得電子束可以關(guān)于軸線對稱。當(dāng)像散現(xiàn)象由于改變各種透鏡或線圈的參數(shù)而發(fā)生時(shí)，調(diào)節(jié)共點(diǎn)線圈22以校正像散現(xiàn)象。該調(diào)節(jié)方法將在下面描述。
偏轉(zhuǎn)線圈23在垂直于電子束入射方向的x和y方向上偏轉(zhuǎn)電子束。隨著施加到偏轉(zhuǎn)線圈23的電壓改變，通過偏轉(zhuǎn)線圈23的電子束在其行進(jìn)方向上在線圈生成的磁場的影響下而改變。矩形或三角形波形的連續(xù)變化的交流電流施加至偏轉(zhuǎn)線圈23，以根據(jù)所施加的交流電流的波形連續(xù)改變電子束的方向。
物鏡24會聚電子束并且沿著電子束的入射方向(z方向)調(diào)節(jié)焦點(diǎn)。調(diào)節(jié)物鏡24，將電子束聚焦在擱置于真空容器3中的樣品50上。
真空容器3由排氣管和真空泵(未示出)抽真空。在真空容器3中，臺架33和法拉第杯34沿著電子束的入射方向設(shè)置。臺架33的上表面上擱置有法拉第杯34或者樣品50，可以在x、y和z方向上移動(dòng)，并且提供測量的基準(zhǔn)平面。
法拉第杯34和擱置于法拉第杯34上的樣品50固定在臺架33上。法拉第杯34是射束檢測器，用于檢測穿過樣品50的電子束并根據(jù)所接收的射束量將其轉(zhuǎn)換成電子信號。法拉第杯34的構(gòu)成要使得樣品50平行于臺架33。
用于測量樣品上表面位置的激光照射單元30和激光接收單元31安裝在真空容器3的上表面上。激光照射單元30將激光束照射到擱置于法拉第杯34上的樣品50上表面。激光接收單元31接收樣品50反射的激光束，檢測樣品50的高度位置。
此外，二次電子檢測器32設(shè)置在真空容器3中。二次電子檢測器32捕獲由激光束照射的樣品50的每個(gè)點(diǎn)所發(fā)出的二次電子。二次電子的發(fā)射量根據(jù)樣品表面的形狀(如，樣品表面的傾斜度或邊緣)而可以增加或減少。捕獲的二次電子被放大并且二維顯示每個(gè)被捕獲的點(diǎn)，由此獲得樣品50的表面形狀的圖像。
圖7是示出擱置于法拉第杯34上的樣品50的透視圖，圖8A和8B是沿圖7中的線VIII-VIII截取的剖視圖。樣品50是具有平坦表面的板狀硅晶片，且具有在硅晶片中心部分附近開孔的通孔51。而且，具有已知尺寸并包括乳膠球53a的微觀結(jié)構(gòu)53連接到通孔51附近的樣品50的表面上。樣品50優(yōu)選地具有與位置無關(guān)的均勻平坦的表面以提高測量精度，或者相反地，可以采用具有平坦表面的元件替代硅晶片。
在此，優(yōu)選地具有高的電子阻止能力(electron stopping power)的元素的薄膜涂覆在樣品50的微觀結(jié)構(gòu)53的表面上。由于樣品50的表面被電子束反復(fù)照射，所施加的電子束從表面嵌入于樣品50中，從而使表面充電，這可能對二次電子的發(fā)射量具有不利影響。因此，為了防止表面充電，優(yōu)選地具有高的電子阻止能力的高原子序數(shù)的元素W、Ta、Mo或Pt的薄膜被涂覆在表面上。該薄膜的厚度優(yōu)選為100nm或更厚。
從上方看，通孔51為正方形或矩形形狀，相鄰邊緣52是正交的。通孔51的內(nèi)側(cè)表面形成得與樣品50的表面成直角，如圖8A所示。此外，通孔51的內(nèi)側(cè)表面與樣品50表面的角度可以小于90度，如圖8B所示。
在該實(shí)施例中，利用該樣品50中的通孔51的邊緣52來替代采用十字形金屬絲方法中的兩根金屬絲。圖9A和9B是示出施加到樣品50上的電子束的掃描圖形的視圖。在該實(shí)施例中，電子束從樣品50表面垂直越過邊緣52照射至通孔51中，然后垂直越過相鄰邊緣52再次照射到樣品50。
在圖9A中，在通孔51上方，電子束的照射方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度，然后朝向相鄰邊緣52移動(dòng)。此外，在圖9B中，照射電子束，以圍繞預(yù)定的轉(zhuǎn)動(dòng)中心繪出圓形軌跡。在圖9B中，電子束的軌跡與邊緣52垂直交叉。
圖10A至圖10C是顯示照射到樣品50上的電子束和通過通孔51的電子束之間關(guān)系的典型視圖。首先，電子束200向著樣品50的表面照射。這時(shí)，電子束200受阻于樣品50表面上，而未進(jìn)入位于樣品之下的法拉第杯34。該狀態(tài)定義為狀態(tài)D。
接著，如果靠近通孔51的邊緣52照射電子束200，則部分電子束201從邊緣52經(jīng)過入射到法拉利杯34上，而剩下的電子束202受阻于靠近邊緣52的樣品50的表面上并被散射成為散射電子203。由于散射電子203于樣品50表面上被散射，所以幾乎沒有散射電子通過通孔51進(jìn)入法拉第杯34。該狀態(tài)定義為狀態(tài)E。
此外，如果電子束移動(dòng)至完全通過通孔52的位置，則法拉第杯34接收全部電子束200。該狀態(tài)定義為狀態(tài)F。無論電子束200在x方向還是y方向上移動(dòng)，上述狀態(tài)D至F是相同的。
圖11是示出當(dāng)采用電子束200沿著圖9A所示的掃描路徑掃描樣品50表面時(shí)法拉第杯的輸出量的曲線圖。在該曲線圖中，橫坐標(biāo)軸是射束掃描位置，縱坐標(biāo)軸是法拉第杯140的輸出量，其中橫坐標(biāo)軸上標(biāo)明的“D”、“E”和“F”分別對應(yīng)于圖10A至10C所示的狀態(tài)。
在電子束200照射到樣品50表面上的狀態(tài)D中，入射到法拉第杯34上的電子束量為零。如果電子束200在x方向上移動(dòng)至通孔51邊緣52上的位置(狀態(tài)E)，則通過通孔51并進(jìn)入法拉第杯34的電子束量增加。在電子束200完全通過通孔51的位置(狀態(tài)F)，電子束的入射量不再增加，保持在某一數(shù)值。
如果電子束200的移動(dòng)方向變化到y(tǒng)方向，使電子束200再次經(jīng)由樣品50表面上的邊緣52，法拉第杯34的輸出量降至零，如圖11的曲線右側(cè)所示。
在該實(shí)施例的調(diào)節(jié)過程中，假定射束分布為高斯分布，并且射束直徑定義為法拉第杯的輸出量為12％處的射束位置和法拉第杯的輸出量為88％處的射束位置之間的寬度。調(diào)節(jié)的進(jìn)行要使得射束直徑最小，并且在x和y方向上幾乎相等，由此以高精度產(chǎn)生幾乎圓形束斑的電子束。在此，為了確保x和y方向上的射束直徑幾乎相等，要求圖11中的法拉第杯的輸出量曲線的變化程度對稱。
參照圖12，考慮到上述說明，將在下文詳細(xì)描述該實(shí)施例的射束調(diào)節(jié)方法的流程。
首先，法拉第杯34和樣品50被擱置于真空容器中的臺架33上。此時(shí)，臺架33的高度位置粗略調(diào)整成與記錄(繪圖)板齊平。此時(shí)，采用用于測量上表面位置的激光照射單元30和激光接收單元31精確測量樣品50的表面高度(步驟S1)。
接著，電子束200照射到包括連接在樣品50上的乳膠球53a的微觀結(jié)構(gòu)53上，以便通過基于二次電子所產(chǎn)生的圖像將電子束聚焦在z軸方向上而進(jìn)行粗略調(diào)節(jié)(步驟S2)。
然后，臺架33在x和y方向上移動(dòng)，使得電子束200可以定位在樣品50的通孔51附近。電子束從樣品50表面經(jīng)由邊緣52掃描并照射到通孔51中。此時(shí)，電子束移動(dòng)并垂直橫跨邊緣52(步驟S3)。如果電子束200接近通孔51的中心并且到達(dá)其完全通過樣品50的位置，則電子束200的掃描方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度(步驟S4)。電子束在y方向上通過通孔51經(jīng)由先前經(jīng)過的邊緣附近的相鄰邊緣52掃描并照射到樣品50表面上(步驟S5)。步驟S3至步驟S5的操作可以在某一時(shí)刻結(jié)束或者在同一路徑上重復(fù)兩次或者多次。
然后，確認(rèn)法拉第杯的輸出量，以檢查調(diào)節(jié)是否結(jié)束。如果調(diào)節(jié)還不夠，則調(diào)節(jié)共點(diǎn)線圈22，以改變射束參數(shù)，并且操作回到步驟S3。如果沒有問題，則測量結(jié)束。
簡而言之，本實(shí)施例的射束調(diào)節(jié)方法包括將電子束照射至用于射束調(diào)節(jié)的樣品50的步驟，該樣品具有板狀的平坦表面并且形成有在厚度方向開孔的通孔52；以及檢測通過通孔52穿透用于射束調(diào)節(jié)的樣品50的射束量的步驟，其中，電子束是通過改變通孔52上方的掃描方向照射的。
根據(jù)本實(shí)施例，可以采用單個(gè)樣品50，以在z方向上進(jìn)行射束的粗略調(diào)節(jié)并在x和y方向進(jìn)行射束直徑的調(diào)節(jié)。因而，用于調(diào)節(jié)射束的操作得到簡化，用于射束調(diào)節(jié)的時(shí)間得以縮短。
而且，通過射束掃描進(jìn)行一次x和y方向的射束直徑調(diào)節(jié)。由于x和y方向的基準(zhǔn)平面是樣品50的相同的表面，因此當(dāng)在x和y方向上進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)沒有高度誤差。
樣品50由硅晶片制成，幾乎沒有高度誤差。此外，由于采用激光照射單元30和激光接收單元31精確測量樣品50表面的高度位置，所以掌握了正確的射束測量位置。
而且，由具有高電子阻止能力的元素制成的薄膜涂覆在微觀結(jié)構(gòu)上，得以防止充電，并且使二次電子發(fā)射量的誤差變小。而且，該薄膜降低了由于電子充電引起的樣品50的損壞，由此樣品可具有較高的耐用性。
該實(shí)施例的射束測量裝置、射束測量方法和射束測量樣品適用于掃描型電子顯微鏡，以及用于使用電子束在碟片上記錄信息的記錄裝置。由于電子束是以高精度調(diào)節(jié)的，所以該實(shí)施例的射束測量裝置、射束測量方法和射束測量樣品適用于需要形成微小圖形的高密度記錄裝置。
在上述實(shí)施例中，樣品50具有接近中心部分的通孔。此外，電子束可以垂直橫跨兩個(gè)正交的端部。
圖13A是示出作為樣品50的一個(gè)變化的擱置于法拉第杯34上的樣品60的透視圖，圖13B和13C是示出電子束的掃描圖形的視圖。樣品60是具有平坦表面并且為板狀的硅晶片。包括乳膠球63a的具有已知尺寸的微觀結(jié)構(gòu)63連接在樣品60的表面上。樣品60優(yōu)選地在整個(gè)區(qū)域具有均勻平坦的表面，以增加測量精度，或者相反，可以使用具有平坦表面的元件代替硅晶片。
在此，優(yōu)選地具有高電子阻止能力的高原子序數(shù)的元素W、Ta、Mo或Pt薄膜被涂覆在樣品60的微觀結(jié)構(gòu)63的表面上，以防止充電。該薄膜厚度優(yōu)選為10nm或更厚。
從上方看，樣品60具有正交的兩個(gè)相鄰邊緣61和62。邊緣61和62可以如圖8A所示垂直于表面或者可以如圖8B所示形成小于90度的角度。
在該變化中，電子束垂直穿過邊緣61從樣品60外側(cè)照射到樣品60的表面上，然后垂直穿過相鄰邊緣再次照射到樣品60外側(cè)。
在圖13B中，電子束照射在樣品60上的方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度，然后移動(dòng)到相鄰邊緣。而且，在圖13C中，電子束被照射并圍繞預(yù)定轉(zhuǎn)動(dòng)中心繪出圓形軌跡。在圖13C中，電子束的軌跡垂直跨過邊緣61和62。在該變化中，法拉第杯34接收沒有被樣品60阻礙并穿過樣品60的電子束，并且測量電子束的量。該變化中構(gòu)造的樣品60可以提供與樣品50相同的效果。
圖14A是示出作為樣品50另一變化的擱置于法拉第杯34上的樣品70的透視圖，圖14B和14C是示出電子束的掃描圖形的視圖。樣品70是具有平坦表面并且為板狀的硅晶片。包括乳膠球75a的具有已知尺寸的微觀結(jié)構(gòu)75連接到樣品70的表面上。優(yōu)選地樣品70在整個(gè)區(qū)域上具有均勻平坦的表面以增加測量精度，或者相反，可以使用具有平坦表面的元件代替硅晶片。
在此，優(yōu)選地具有高電子阻止能力的高原子序數(shù)的元素W、Ta、Mo或Pt薄膜被涂覆在樣品70的微觀結(jié)構(gòu)75的表面上，以防止充電。該薄膜厚度優(yōu)選為10nm或更厚。
樣品70具有由兩個(gè)相鄰邊緣71和72交叉切掉的角部，并且形成有兩個(gè)彼此正交的邊緣73和74。邊緣73和74可以如圖8A所示與表面成直角，或者可以如圖8B所示成小于90度的角度。
在該變化中，電子束垂直穿過邊緣73從樣品70表面照射到樣品70外側(cè)，然后垂直穿過相鄰邊緣74再次照射到樣品70的表面。
在圖14B中，電子束照射在樣品70外側(cè)上的方向轉(zhuǎn)動(dòng)90度，然后移動(dòng)到相鄰邊緣。而且，圖14C中，電子束被照射圍繞預(yù)定轉(zhuǎn)動(dòng)中心繪出圓形軌跡。圖14C中，電子束的軌跡垂直跨過邊緣73和74。在該變化中，法拉第杯34接收沒有被樣品70阻礙并穿過樣品70的電子束，并且測量電子束的量。該變化中構(gòu)造的樣品70可以提供與樣品50和60相同的效果。
本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的上述說明是出于闡述和說明的目的。其并非用來窮舉或者限制本發(fā)明于所公開的確切形式，改型和變化根據(jù)上述所授內(nèi)容是可行的或者可以從本發(fā)明實(shí)踐中獲得。為了解釋本發(fā)明的原理和其實(shí)際應(yīng)用以使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能在各種實(shí)施例和各種變型中利用本發(fā)明，選擇并描述了所述實(shí)施例。本發(fā)明的范圍應(yīng)由在此所附的權(quán)利要求書及其等同物所限定。
權(quán)利要求
1.一種射束調(diào)節(jié)方法，包括將射束施加到射束調(diào)節(jié)樣品上，該射束調(diào)節(jié)樣品具有板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣；和檢測通過射束調(diào)節(jié)樣品的射束量；其中射束垂直地掃描所述兩個(gè)邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的射束調(diào)節(jié)方法，其中射束調(diào)節(jié)樣品由兩個(gè)邊緣限定，具有穿透于厚度方向的通孔，射束的掃描方向在通孔上方可改變。
3.如權(quán)利要求1所述的射束調(diào)節(jié)方法，其中射束調(diào)節(jié)樣品的所述兩個(gè)邊緣為射束調(diào)節(jié)樣品的端部的兩個(gè)邊緣，而且射束的掃描方向在射束調(diào)節(jié)樣品上方和射束調(diào)節(jié)樣品外側(cè)改變。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的方法，其中射束根據(jù)射束的施加位置和射束量而調(diào)節(jié)。
5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的方法，還包括施加射束到置于射束調(diào)節(jié)樣品上的微觀結(jié)構(gòu)上，以調(diào)節(jié)射束施加方向。
6.如權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的方法，還包括檢測射束調(diào)節(jié)樣品的高度位置。
7.一種射束調(diào)節(jié)樣品，包括板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣。
8.如權(quán)利要求7所述的射束調(diào)節(jié)樣品，其中射束調(diào)節(jié)樣品由所述兩個(gè)邊緣限定，并具有穿透于厚度方向的通孔。
9.如權(quán)利要求7所述的射束調(diào)節(jié)樣品，其中所述兩個(gè)邊緣為位于射束調(diào)節(jié)樣品端部的兩個(gè)邊緣。
10.如權(quán)利要求6至9中任意一項(xiàng)所述的射束調(diào)節(jié)樣品，其中一微觀結(jié)構(gòu)被附著在射束調(diào)節(jié)樣品的表面上。
11.如權(quán)利要求10所述的射束調(diào)節(jié)樣品，其中具有高電子阻止能力的元素的薄膜被覆在所述微觀結(jié)構(gòu)的表面上。
12.一種射束調(diào)節(jié)裝置，包括臺架，用于擱置具有板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣的射束調(diào)節(jié)樣品；射束發(fā)生器，用于將射束施加到射束調(diào)節(jié)樣品上；二次電子檢測器，用于檢測通過施加射束所產(chǎn)生的二次電子；位置檢測器，用于檢測射束調(diào)節(jié)樣品的位置；和設(shè)置于臺架下面的射束檢測器，其中射束檢測器檢測通過射束調(diào)節(jié)樣品的電子束的量。
13.如權(quán)利要求12所述的射束調(diào)節(jié)裝置，其中射束調(diào)節(jié)樣品由兩個(gè)邊緣限定并具有穿透于厚度方向的通孔，射束發(fā)生器施加電子束，以在通孔上方改變掃描方向。
14.如權(quán)利要求12所述的射束調(diào)節(jié)裝置，其中射束調(diào)節(jié)樣品的兩個(gè)邊緣為射束調(diào)節(jié)樣品端部的兩個(gè)邊緣，而且射束發(fā)生器施加射束，以在射束調(diào)節(jié)樣品上方或射束調(diào)節(jié)樣品外側(cè)改變掃描方向。
15.如權(quán)利要求12至14中任意一項(xiàng)所述的射束調(diào)節(jié)裝置，其中射束發(fā)生器施加射束到置于射束調(diào)節(jié)樣品表面上的微觀結(jié)構(gòu)上。
16.如權(quán)利要求15所述的射束調(diào)節(jié)裝置，其中具有高電子阻止能力的元素的薄膜被覆在所述微觀結(jié)構(gòu)的表面上。
全文摘要
本發(fā)明公開了射束調(diào)節(jié)樣品、射束調(diào)節(jié)方法及射束調(diào)節(jié)裝置。采用的射束調(diào)節(jié)樣品具有板狀平坦表面并具有彼此正交的兩個(gè)邊緣。射束施加到射束調(diào)節(jié)樣品上，以檢測通過射束調(diào)節(jié)樣品的射束量。射束垂直地掃描兩個(gè)邊緣。
文檔編號H01J37/28GK1497656SQ20031010123
公開日2004年5月19日 申請日期2003年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月13日
發(fā)明者勝村昌廣, 小島良明, 和田泰光, 北原弘昭, 光, 明, 昭 申請人:日本先鋒公司