專利名稱：用于電子束投影式微影系統(tǒng)的發(fā)射器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子束投影式微影系統(tǒng)，特別是涉及一電子束發(fā)射器，在該發(fā)射器的絕緣層內(nèi)能夠確保電子場(chǎng)均勻，以及簡(jiǎn)化其的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，使用各種印刷技術(shù)在一基板表面上形成所希望的圖案。常規(guī)光微影使用如紫外線射線，當(dāng)使用該技術(shù)會(huì)有線寬的限制。由此，下一代微影技術(shù)(NGL)最近已經(jīng)提出，用該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)具有毫微量級(jí)線寬的更小型和集成的半導(dǎo)體。下一代微影術(shù)如包括電子束投影式微影(EPL)，離子投影式微影(IPL)，超紫外線微影術(shù)(EUVL)，及近X射線微影術(shù)。
在所述NGL系統(tǒng)中，由于EPL系統(tǒng)具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)且易于使用大面積電子束發(fā)射器，現(xiàn)在廣泛地被使用；EPL系統(tǒng)是通過(guò)使用由發(fā)射器發(fā)出的電子束對(duì)覆在要處理的基板上的電子保護(hù)層進(jìn)行加工而形成為所希望的圖案。具有各種結(jié)構(gòu)的電子束發(fā)射器都能夠用于EPL系統(tǒng)，且其結(jié)構(gòu)的兩個(gè)例子如圖1和圖2所示。
參考圖1，一常規(guī)金屬絕緣半導(dǎo)體(MIS)型發(fā)射器10具有一絕緣層12和一門電極13按順序疊在硅基板11上。該絕緣層12由氧化硅層形成，該門電極13由導(dǎo)電金屬如金(Au)制成。
如圖2所示，金屬-絕緣-金屬(MIM)型發(fā)射器具有一下部電極22，絕緣層23，及一門電極24，他們按順序疊在硅基板21上。通常，下部電極22由鋁(Al)-釹(Nd)合金制成，絕緣層23由陽(yáng)極化的鋁制成，一門電極24由導(dǎo)電金屬如金(Au)制成。
常規(guī)MIS和MIM型發(fā)射器10和20中的絕緣層12和23分別以預(yù)定的圖案制成包括薄的和厚的部分。在上述發(fā)射器結(jié)構(gòu)中，通過(guò)絕緣層12和23的薄的部分發(fā)射電子。
圖3A-3D是說(shuō)明制造如圖1所示MIS型發(fā)射器10方法的剖面圖。參見(jiàn)圖3A，在硅基板11的表面上經(jīng)過(guò)熱氧化而形成預(yù)定厚度的硅氧化層12。然后如圖3B，硅氧化層12a要制成所希望的圖案，且硅氧化層12b形成如圖3C所示圖案。這樣，絕緣層12以預(yù)定的圖案放在硅基板11上。最后如圖3D所示，導(dǎo)電金屬如金(Au)以預(yù)定厚度被淀積在整個(gè)絕緣層12上形成門電極13。在完成上述步驟后，MIS型發(fā)射器10的結(jié)構(gòu)就完成了。
圖2中常規(guī)MIM型發(fā)射器20也是同樣方法制造。常規(guī)發(fā)射器10或20的制造過(guò)程包括通過(guò)兩步形成一氧化層和一步在氧化層上形成圖案而形成的絕緣層12或23和在分級(jí)的絕緣層12或23上形成門電極13或24。該過(guò)程過(guò)于復(fù)雜且由于其分級(jí)結(jié)構(gòu)常規(guī)發(fā)射器10或20在絕緣層12或23內(nèi)不能保證電場(chǎng)均勻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠保證發(fā)射器絕緣層內(nèi)電場(chǎng)均勻的電子束發(fā)射器及其制造工藝和方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)發(fā)方面，提供了用于電子束投影式微影(EPL)系統(tǒng)的發(fā)射器，其中包括一基板，置于基板上的絕緣層；包括一基層的門電極，它在絕緣層上以均勻厚度形成，一以預(yù)定圖案在基層上形成的電子束阻擋層。這里絕緣層由氧化硅層構(gòu)成。
如本發(fā)明的發(fā)射器進(jìn)一步包括一下部電極，它置于基板和絕緣層之間，絕緣層由可陽(yáng)極化的金屬構(gòu)成。
當(dāng)基層由常規(guī)金屬如金(Au)，鉑(Pt)，鋁(Al)，鈦(Ti)或鉭(Ta)，電子束阻擋層由能夠陽(yáng)極化的金屬如鈦(Ti)，鋁(Al)，或釕(Ru)構(gòu)成。基層和門電極的電子束阻擋層同樣可以由硅構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了制造用于電子束投影式微影(EPL)系統(tǒng)的發(fā)射器的方法，其中包括(a)準(zhǔn)備一基板；(b)在基板上形成絕緣層；(c)通過(guò)在絕緣層以預(yù)定厚度淀積導(dǎo)電金屬形成門電極的基層；(d)通過(guò)在基層以預(yù)定厚度淀積可陽(yáng)極化的金屬形成門電極的電子束阻擋層；及(e)通過(guò)陽(yáng)極化以預(yù)定圖案對(duì)電子束阻擋層進(jìn)行構(gòu)圖。
這里，基板是硅晶體，絕緣層通過(guò)在該硅晶體進(jìn)行熱氧化形成一硅氧化層構(gòu)成絕緣層。
在步驟(b)之前，該方法可進(jìn)一步包括一在基板上形成一下部電極。這時(shí)，通過(guò)淀積能陽(yáng)極化的金屬到下部電極并對(duì)該金屬陽(yáng)極化而形成絕緣層。
步驟(e)包括用掃描探針顯微鏡微影術(shù)(SPM)以預(yù)定模式對(duì)電子束阻擋層進(jìn)行陽(yáng)極化；并通過(guò)刻蝕去掉電子束阻擋層的陽(yáng)極化部分的步驟。
步驟(e)也包括如下步驟在電子束阻擋層表面覆以保護(hù)層；以預(yù)定圖案對(duì)保護(hù)層進(jìn)行加工；對(duì)從保護(hù)層模型露出的電子束阻擋層部分進(jìn)行陽(yáng)極化；并通過(guò)刻蝕去掉電子束阻擋層的陽(yáng)極化部分并清除保護(hù)層。
本發(fā)明的另一EPL系統(tǒng)的發(fā)射器的制造方法包括(a)準(zhǔn)備一基板；(b)在基板上形成絕緣層；(c)在絕緣層上以均勻厚度淀積第一硅層；(d)以預(yù)定圖案對(duì)該第一硅層進(jìn)行構(gòu)圖；及(e)在第一硅層和經(jīng)過(guò)步驟(d)而露出的絕緣層上淀積一第二硅層并有所述第一和第二硅層構(gòu)成門電極。
在此，步驟(d)包括在所述第一硅層表面覆以保護(hù)層；以預(yù)定圖案對(duì)保護(hù)層進(jìn)行構(gòu)圖；將保護(hù)層用作刻蝕模具刻蝕去掉第一硅層的步驟。


通過(guò)對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述并參見(jiàn)附圖，本發(fā)明上述目的和優(yōu)點(diǎn)會(huì)更明顯。
圖1是用在一電子束投影式微影(EPL)系統(tǒng)中的常規(guī)金屬半導(dǎo)體型發(fā)射器(MIS)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是用在一(EPL)系統(tǒng)中的常規(guī)金屬-絕緣-金屬型發(fā)射器(MIM)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3A-3D是制造圖1所示常規(guī)MIS型發(fā)射器方法的按步驟的剖面圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例使用一MIS發(fā)射器的EPL系統(tǒng)的示意圖。
圖5是門電極厚度與電子傳導(dǎo)速率之間關(guān)系的曲線圖。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例中MIM型發(fā)射器的結(jié)構(gòu)剖面圖。
圖7A-7H是按步驟制造根據(jù)圖1所示本發(fā)明第一實(shí)施例的MIS型發(fā)射器方法的剖面圖。
圖8A-8D是按步驟制造根據(jù)圖4所示本發(fā)明第二實(shí)施例的MIS型發(fā)射器方法的剖面圖；及圖9A-9C是按步驟制造根據(jù)圖6所示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的MIM型發(fā)射器方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
如圖4，一電子束投影式微影(EPL)系統(tǒng)包括一金屬-半導(dǎo)體(MIS)型發(fā)射器100，該發(fā)射器向要處理的基板150上的電子保護(hù)層151發(fā)射電子束，電源161和162在發(fā)射器100和要處理基板150之間產(chǎn)生電場(chǎng)，磁鐵171和172放在發(fā)射器100和要處理基板150的外側(cè)，在發(fā)射器100和要處理基板150之間產(chǎn)生磁場(chǎng)。對(duì)于磁鐵171和172，可以用永磁或電磁鐵。
該MIS型發(fā)射器100包括一基板110，一置于基板110上的絕緣層120，和一置于絕緣層120上的門電極130。門電極130包括一基層131一致地置于絕緣層120上及以預(yù)定圖案在基層131上形成的電子束阻擋層132。
對(duì)于基板110可以用硅基板。絕緣層120可以包括通過(guò)在硅基板110上進(jìn)行熱氧化形成的硅氧化層。不象常規(guī)技術(shù)，絕緣層120是以均勻厚度形成的，所以在絕緣層120內(nèi)可產(chǎn)生均勻的電場(chǎng)。
而門電極130中的基層131是由導(dǎo)電金屬如金(Au)，鉑(Pt)，鋁(Al)，鈦(Ti)或鉭(Ta)，電子束阻擋層132由能夠陽(yáng)極化的金屬如鈦(Ti)，鋁(Al)，或釕(Ru)構(gòu)成?；鶎?31和門電極的電子束阻擋層132同樣可以由硅構(gòu)成。
在發(fā)射器100中，基層131以均勻厚度形成，且電子束阻擋層132具有預(yù)定圖案。由此基層131有被電子束阻擋層132蓋住和未蓋住的部分。也就是門電極130包括具有厚度的基層131和以預(yù)定圖案制成具有不同厚度的電子束阻擋層132。
發(fā)射器100的電子發(fā)射特性通常對(duì)門電極130的厚度和材料特性非常敏感。特別當(dāng)門電極130變厚通過(guò)門電極130的電子發(fā)射明顯減少。門電極13的厚度與電子傳導(dǎo)率之間的關(guān)系如圖5所示。該曲線圖由KuniyoshiYokoo等人的論文所公開(kāi)(見(jiàn)J.Vac.Sci.Technol.B(真空科學(xué)與社會(huì)雜志)，Vol，12，No.2，Mar/Apr 1994)。
由圖5的曲線圖證明當(dāng)門電極厚度增加時(shí)電子傳導(dǎo)率會(huì)大幅下降。例如，如果由鋁制成的門電極厚度由10納米加倍到20納米時(shí)，電子傳導(dǎo)率由10-4下降到10-6，有100倍之差。當(dāng)門電極曲硅(Si)制成時(shí)也具有同樣特性。
回到圖4，在發(fā)射器100中，當(dāng)在硅基板110和門電極130之間施加門電壓VG時(shí)，根據(jù)對(duì)應(yīng)門電極130厚度的電子發(fā)射特性，發(fā)射器100通過(guò)未被電子束阻擋層132蓋住部分，也就是薄的部分的門電極130透射而發(fā)射電子束。但是，電子束幾乎不能從門電極130的厚的部分，如從被電子束阻擋層132蓋住的部分發(fā)射。由于增加在門電極130和要處理加倍150之間的電壓VA，發(fā)射器100所發(fā)射的電子束被加速，直接碰撞到覆在要處理基板150表面上的電子保護(hù)層151上。由此保護(hù)層151也形成電子束阻擋層132一樣的圖案。在此處，由外部磁鐵171和172在發(fā)射器100和要處理基板150之間產(chǎn)生磁場(chǎng)，用于集中電子束。
圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例中MIM型發(fā)射器的結(jié)構(gòu)剖面圖。參考圖6，根據(jù)本發(fā)明的MIM型發(fā)射器200包括一置于基板210上的下部電極215，置于下部電極215上的絕緣層220，置于絕緣層220上的門電極230。門電極230包括一置于絕緣層220上的基層231和一以預(yù)定圖案在基層231上制成的電子束阻擋層232。這樣，MIM型發(fā)射器200除了在基板210和絕緣層220之間有下部電極215外，其余都相同。由此，只對(duì)MIM型發(fā)射器的不同部分進(jìn)行說(shuō)明。
基板210可以使用硅基板。下部電極215有鋁(Al)釹(Nd)合金形成。絕緣層220有具有均勻厚度的陽(yáng)極化鋁形成。
門電極230包括基層231和電子束阻擋層232，根據(jù)兩層的不同材料及結(jié)構(gòu)，與在MIS型發(fā)射器中的門電極130相同。由于MIM型發(fā)射器200的操作和效果與MIS型發(fā)射器100相同，省略對(duì)其的說(shuō)明。
參考圖7A-7H對(duì)圖4所示MIS型發(fā)射器的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，參見(jiàn)圖7A，準(zhǔn)備基板110，在基板110上形成絕緣層120。特別是，硅晶體可以用作基板110。在準(zhǔn)備的基板110表面上經(jīng)過(guò)熱氧化處理形成厚度均勻的硅氧化層。該硅氧化層用作絕緣層120。
圖7B示出在絕緣層120上形成基層131的狀況。特別地，為形成基層131，利用真空蒸發(fā)或噴濺裝置在所述絕緣層120上以預(yù)定厚度淀積常規(guī)金屬如金(Au)，鉑(Pt)，鋁(Al)，鈦(Ti)或鉭(Ta)。
圖7C表示基層131由電子束阻擋層132覆蓋的狀況。其中，利用真空蒸發(fā)或噴濺裝置在基層131上淀積能夠陽(yáng)極化的金屬，如鈦(Ti)，鋁(Al)，或釕(Ru)，以形成電子束阻擋層132。
圖7D和圖7E表示以所希望的形式形成電子束阻擋層132的方法。如圖7D所示，要讓電子束發(fā)射的一部分電子束阻擋層132由掃描探針顯微鏡(SPM)微影術(shù)進(jìn)行陽(yáng)極化。由此，如圖7E所示，通過(guò)刻蝕將陽(yáng)極化部分的電子束阻擋層132去掉。在此情況下，由于被陽(yáng)極化的氧化層具有比未陽(yáng)極化部分電子束阻擋層132高的刻蝕選擇性，通過(guò)刻蝕，陽(yáng)極化的氧化層很容易去掉。
在進(jìn)行上述步驟后，如圖7E所示，所示MIS型發(fā)射器100具有包括厚度均勻的基層131和所述形成圖案的電子束阻擋層132組成的門電極130。
同時(shí)，圖7F-7H表示以所希望的圖案制成電子束阻擋層132的方法。首先，參考圖7F，在如圖7C所示電子束阻擋層132整個(gè)表面上覆以保護(hù)層R并形成所希望的圖案。在此，可以用照相微影術(shù)或光微影術(shù)如EPL來(lái)完成保護(hù)層的制圖，然后如圖7G所示對(duì)電子束阻擋層132進(jìn)行陽(yáng)極化。此時(shí)，電子束阻擋層132露出部分被陽(yáng)極化而被保護(hù)層R蓋住部分則不被陽(yáng)極化。然后通過(guò)刻蝕去掉電子束阻擋層被陽(yáng)極化的部分，并清除保護(hù)層R。此時(shí)，保護(hù)層可以在刻蝕過(guò)程前或后清除。經(jīng)過(guò)上述步驟，完成的MIS型發(fā)射器100如圖7H所示。
圖8A-8D是按步驟制造根據(jù)圖4所示本發(fā)明第二實(shí)施例的MIS型發(fā)射器方法的剖面圖。該實(shí)施例涉及到由硅制造門電極的狀況。
參見(jiàn)圖8A，準(zhǔn)備基板110并在該基板110上形成絕緣層120。如以前實(shí)施例所示，硅晶體通過(guò)預(yù)定厚度處理后可用作基板110，且絕緣層120由氧化硅形成。利用化學(xué)蒸發(fā)淀積(CVD)以預(yù)定厚度在絕緣層120上淀積硅形成一第一硅層141。
然后，如圖8B所示，第一硅層141整個(gè)表面上覆以保護(hù)層R并制成所希望的圖案。在此，可以用照相微影術(shù)或光微影術(shù)如EPL來(lái)完成保護(hù)層的制圖，然后如圖8C所示，將保護(hù)層R用作刻蝕模具刻蝕去掉第一硅層141的露出部分，并去掉其余的保護(hù)層R。
圖8D表示形成圖案的第一硅層141已被第二硅層覆蓋下的狀態(tài)。特別地，利用化學(xué)蒸發(fā)淀積(CVD)以預(yù)定厚度在整個(gè)如圖8C所示的制成的圖案表面淀積硅形成第二硅層142，因此形成了包括制成圖案的第一硅層141和淀積在第一硅層141上的第二硅層1組成的門電極140。由此門電極140在制成圖案的每個(gè)部分具有不同的厚度。
與圖4所示發(fā)射器100的結(jié)構(gòu)相比，發(fā)射器100′具有包括直接淀積在絕緣層120和第一硅層141上的第二硅層1組成的門電極140，而這兩層相當(dāng)于圖4所示發(fā)射器100的基層131；而淀積在第一硅層141上的第二硅層142相當(dāng)于發(fā)射器100中的電子束阻擋層132。
圖9A-9C是解釋按步驟制造根據(jù)圖6所示本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的MIM型發(fā)射器200方法的剖面圖。在本實(shí)施例中于前實(shí)施例中相同的制造步驟將被省略。
參考圖9A，準(zhǔn)備基板210并在該基板210上形成下部電極215。特別地，硅晶體通過(guò)預(yù)定厚度處理后可用作基板210。在基板210表面上以預(yù)定厚度淀積鋁(Al)-釹(Nd)合金而形成下部電極215。結(jié)果，如圖9B所示，能夠陽(yáng)極化的金屬，如鋁(Al)被淀積到下部電極215上并進(jìn)行陽(yáng)極化而形成氧化層如氧化鋁。氧化鋁用作絕緣層220。
下面，如圖9C所示，門電極230包括在絕緣層22上形成的基層231和電子束阻擋層232，由此完成MIM型發(fā)射器200的制造。在此情況下，門電極230可以用于前例相同方法形成。也就是門電極230的基層231和電子束阻擋層232有導(dǎo)電金屬和能陽(yáng)極化金屬過(guò)構(gòu)成，以與圖7B-7E所述步驟或圖7B，7C，及圖7F-7H所述步驟相同的方法形成門電極230。
同時(shí)，如門電極230由硅構(gòu)成，可以用與圖8A-8D所述方法形成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)射器具有一均勻厚度的絕緣層和一制成圖案的門電極。與常規(guī)方法比較，在發(fā)射器絕緣層內(nèi)能夠提供均勻電場(chǎng)并提供簡(jiǎn)化的制造方法。
因此，本發(fā)明只是參考優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)該需要明白的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不違背本發(fā)明的精神和范圍所作出的各種形式的變型都限定在所附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一用于電子束投影式微影術(shù)系統(tǒng)的發(fā)射器，其中包括一基板；一覆蓋在基板上的絕緣層；及一門電極，包括一以均勻厚度形成在所述絕緣層上的基層和一以預(yù)定圖案在所述基層上形成的電子束阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述發(fā)射器，其中所述絕緣層由硅氧化層形成。
3.如權(quán)利要求1所述發(fā)射器，在所述基板和所述絕緣層之間進(jìn)一步還有一下部電極。
4.如權(quán)利要求3所述發(fā)射器，其中所述絕緣層由可陽(yáng)極化的金屬形成。
5.如權(quán)利要求1或3所述發(fā)射器，其中基層由導(dǎo)電金屬形成，且電子束阻擋層由能夠陽(yáng)極化的金屬形成。
6.如權(quán)利要求5所述發(fā)射器，其中所述基層是由如金，鉑，鋁，鈦或鉭一組中選出的金屬形成。
7.如權(quán)利要求5所述發(fā)射器，其中電子束阻擋層是由如鈦，鋁，或釕一組中選出的金屬形成。
8.如權(quán)利要求1或3所述發(fā)射器，其中門電極的基層和電子束阻擋層是由硅形成的。
9.一種制造用在電子束投影式微影系統(tǒng)的發(fā)射器的方法，其中包括以下步驟(a)準(zhǔn)備一基板；(b)在所述基板上形成絕緣層；(c)以預(yù)定厚度在所述絕緣層上淀積導(dǎo)電金屬而形成一所述門電極的基層；(d)以預(yù)定厚度在所述基層淀積能夠陽(yáng)極化的金屬而形成一所述門電極的電子束阻擋層；及(e)通過(guò)陽(yáng)極化處理在所述電子束阻擋層上形成預(yù)定的圖案。
10.如權(quán)利要求9所述方法，其中所述基板是硅晶片。
11.如權(quán)利要求10所述方法，其中在所述硅晶片上通過(guò)熱氧化形成的硅氧化層形成所述絕緣層。
12.如權(quán)利要求9所述方法，其中，在步驟(b)之前，還進(jìn)一步包括在所述基板上形成下部電極。
13.如權(quán)利要求12所述方法，其中，在步驟(b)中，通過(guò)在所述下部電極淀積能夠陽(yáng)極化的金屬并將該金屬陽(yáng)極化形成所述絕緣層。
14.如權(quán)利要求9所述方法，其中，在步驟(c)之前，導(dǎo)電金屬是從如金，鉑，鋁，鈦或鉭一組中選擇的。
15.如權(quán)利要求9所述方法，其中在步驟(d)之前，能夠陽(yáng)極化的金屬是從如鈦，鋁，或釕一組中選出的。
16.如權(quán)利要求9所述方法，其中步驟(e)包括利用掃描探針顯微鏡(SPM)微影以預(yù)定圖案對(duì)所述電子束阻擋層進(jìn)行陽(yáng)極化；及利用刻蝕去掉所述電子束阻擋層的陽(yáng)極化的部分。
17.如權(quán)利要求9所述方法，其中步驟(e)包括在所述電子束阻擋層表面涂覆保護(hù)層；以預(yù)定圖案給保護(hù)層形成圖案；對(duì)被所述制成圖案的保護(hù)層露出的所述電子束阻擋層部分進(jìn)行陽(yáng)極化；及利用刻蝕將電子束阻擋層陽(yáng)極化的部分去掉并清除所述保護(hù)層。
18.一種制造用在電子束投影式微影系統(tǒng)的發(fā)射器的方法，其中包括以下步驟(a)準(zhǔn)備一基板；(b)在所述基板上形成絕緣層；(c)以均勻厚度在所述絕緣層上淀積第一硅層；(d)以預(yù)定圖案在所述第一硅層形成圖案；及(e)在所述絕緣層中通過(guò)步驟(d)露出的部分上和所述第一硅層上淀積一第二硅層，并由所述第一硅層和所述第二硅層構(gòu)成一門電極。
19.如權(quán)利要求18所述方法，其中所述基板是一硅晶片。
20.如權(quán)利要求18所述方法，其中在所述硅晶片上通過(guò)熱氧化形成的硅氧化層形成所述絕緣層。
21.如權(quán)利要求18所述方法，其中，在所述步驟(b)之前，進(jìn)一步包括在所述基板上形成一下部電極。
22.如權(quán)利要求20所述方法，其中，在所述步驟(b)中，在所述下部電極淀積能夠陽(yáng)極化的金屬并將該金屬陽(yáng)極化以便形成所述絕緣層。
23.如權(quán)利要求20所述方法，其中，在所述步驟(d)中，包括以下步驟在所述第一硅層表面涂覆保護(hù)層；以預(yù)定圖案對(duì)所述保護(hù)層形成圖案；及用所述保護(hù)層作為刻蝕掩模對(duì)所述第一硅層進(jìn)行刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于電子束投影式微影系統(tǒng)的發(fā)射器和其制造方法。該電子束發(fā)射器包括一基板，一覆蓋在基板上的絕緣層，及一門電極，它包括一以均勻厚度形成在所述絕緣層上的基層和一以預(yù)定圖案在所述基層上形成的電子束阻擋層。一種制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備基板；在所述基板上形成絕緣層；以預(yù)定厚度在所述絕緣層上淀積導(dǎo)電金屬而形成一所述門電極的基層；以預(yù)定厚度在所述基層淀積能夠陽(yáng)極化的金屬而形成一所述門電極的電子束阻擋層；及通過(guò)刻蝕在所述電子束阻擋層上刻蝕出預(yù)定的圖案。所述發(fā)射器能夠提供均勻電場(chǎng)并提供簡(jiǎn)化的制造方法。
文檔編號(hào)H01J37/073GK1531020SQ0315979
公開(kāi)日2004年9月22日 申請(qǐng)日期2003年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月15日
發(fā)明者柳寅儆, 文昌郁, 鄭守桓, 金東煜 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社