透明薄膜及其制造方法、透明導電膜、觸摸面板、防反射膜、偏振片及顯示裝置的制造方法

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透明薄膜及其制造方法、透明導電膜、觸摸面板、防反射膜、偏振片及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的課題在于提供一種即使在高濕下長期經(jīng)時也能夠抑制尺寸收縮的透明薄膜及其制造方法、透明導電膜、觸摸面板、防反射膜、偏振片及顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，提供一種透明薄膜，其滿足下述式(1)及式(2)，以厚度100μm標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為1～50nm，上述Rth的面內分布為1～50％；式(1)：130≤T≤200；式(2)：0≤Y＜0.4；式(1)、式(2)中，T表示透明薄膜的玻璃化轉變溫度，Y表示透明薄膜在25℃下的平衡含水率；玻璃化轉變溫度的單位為℃，平衡含水率的單位為質量％。
【專利說明】
透明薄膜及其制造方法、透明導電膜、觸摸面板、防反射膜、偏振片及顯示裝置
技術領域
[0001] 本發(fā)明涉及一種透明薄膜及其制造方法、透明導電膜、觸摸面板、防反射膜、偏振片及顯示裝置。
【背景技術】
[0002] 近年來，液晶顯示裝置、有機電致發(fā)光顯示裝置(有機EL顯示裝置）、觸摸面板等的用途逐漸擴大。這種設備中，在支撐體或保護膜等中使用各種樹脂薄膜。其中，由環(huán)狀烯烴共聚物形成的薄膜由于耐熱性較高、吸水率較低而尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異，因此優(yōu)選使用。
[0003] 作為環(huán)狀烯烴共聚物，專利文獻1中記載有由環(huán)狀烯烴加成(共)聚合物構成且延遲為100~150nm的薄膜，所述環(huán)狀烯烴加成(共)聚合物中，降冰片烯與乙烯的共聚比率為 80:20~90:10，熔體體積流動速率(MVR)為0.8~2. OcmVlO分鐘，玻璃化轉變溫度（以下，也稱為 "Tg"）為 170 ~200°C。
[0004] 并且，專利文獻2中記載有降冰片烯化合物加成聚合物薄膜，其從25°C加熱至200 tC、再冷卻至25°C時的加熱前與冷卻后的尺寸變化率為IOOppm以下，或在25°C下在丙二醇單甲醚乙酸酯中浸漬1小時之前與浸漬之后之間的尺寸變化率為IOOppm以下。
[0005] 專利文獻3中記載有相位差膜，其含有:具有雙折射性的無機粒子，顯示形狀各向異性且長徑方向的折射率小于與長徑方向正交的方向的平均折射率;及粘結劑，用于將無機粒子固定化，所述相位差膜在規(guī)定條件下配置有無機粒子。
[0006] 專利文獻4中記載有如下層疊膜，其依次層疊有:環(huán)狀烯烴類聚合物層;具有分散含有金屬氧化物微粒的聚硅氧烷的錨固涂層(anchor coat layer);及透明導電層。
[0007] 專利文獻5中記載有如下薄膜:其具有由含有脂環(huán)式結構的聚合物樹脂構成的層，所述含有脂環(huán)式結構的聚合物樹脂的Tg為130°C以上，在280°C、2.16kg荷載條件下測定的熔融指數(shù)為50g/10分鐘以下，其中，0.1mm以上的異物個數(shù)為100個/m 2以下，在160 °C下處理 1小時時的熱收縮率為2 %以下。
[0008] 以往技術文獻
[0009] 專利文獻
[0010] 專利文獻1:日本特開2011-43628號公報 [0011] 專利文獻2:國際公開07/122932號小冊子 [0012] 專利文獻3:日本特開2009-104152號公報 [0013] 專利文獻4:日本特開2009-29108號公報
[0014] 專利文獻5:日本特開2004-122433號公報
[0015] 發(fā)明的概要
[0016] 發(fā)明要解決的技術課題
[0017] 對作為觸摸面板等用途而使用的薄膜逐漸要求不僅在高溫下而且在高濕下長期經(jīng)時，尺寸變化率也優(yōu)異。
[0018] 專利文獻1中記載有能夠抑制在160°C下熱處理30分鐘時的尺寸變化，專利文獻2 中記載有改良了在200 °C下熱處理時的尺寸變化，專利文獻3中記載有能夠減少40 °C、95 % Rh及80 °C下的物性(相位差)變化，專利文獻4中記載有能夠減少40 °C、90 % Rh下的透濕度變化及85 °C、85 % Rh下的透明導電膜特性(比電阻變化），專利文獻5中記載有能夠抑制熱尺寸變化。如上所述，專利文獻1至5主要研究了低濕高溫處理中的物性變化，而對于高濕處理中的物性變化未進行充分研究。
[0019] 本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的，其要解決的課題在于提供一種即使在高濕下長期間經(jīng)時也能夠抑制尺寸收縮的透明薄膜。另外，本發(fā)明要解決的課題在于提供一種使用本發(fā)明的透明薄膜的透明導電膜、本發(fā)明的透明薄膜的制造方法、以及使用本發(fā)明的透明薄膜的觸摸面板及顯示裝置。
[0020] 用于解決技術課題的手段
[0021] 本發(fā)明人等為了解決上述課題而進行了深入研究的結果，發(fā)現(xiàn)當表示透明薄膜的厚度方向的雙折射的Rth、Rth的面內分布、透明薄膜的玻璃化轉變溫度及25 °C下的平衡含水率滿足規(guī)定的條件時，即使在高濕下長期經(jīng)時，也能夠抑制透明薄膜的尺寸收縮，并完成了本發(fā)明。
[0022]具體而言，本發(fā)明具有以下結構。
[0023] <1>-種透明薄膜，其滿足下述式（1)及式(2)，以厚度100μπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為1~50nm，Rth的面內分布為1~50% ;
[0024] 式（1):130 彡 T彡 200
[0025] 式（2):0 彡 Υ<0·4
[0026] 式（1)、式(2)中，T表示透明薄膜的玻璃化轉變溫度，Y表示透明薄膜在25°C下的平衡含水率;玻璃化轉變溫度的單位為 tC，平衡含水率的單位為質量％。
[0027] < 2 >根據(jù)< 1 >所述的透明薄膜，其中，透明薄膜在125 °C、40 % Rh下的尺寸收縮的分布為0.01~0.3%。
[0028] < 3 >根據(jù)< 1 >或< 2 >所述的透明薄膜，其中，抗折次數(shù)的面內分布為3~30 %。
[0029] <4>根據(jù)<1>至<3>中任一個所述的透明薄膜，其通過以在模頭出口的樹脂的擠出速度Vd與流延鼓的速度Vc之比成為2~30的方式利用模頭將樹脂流延至流延鼓來進行制造，其中，比表示Vc/Vd。
[0030] <5>根據(jù)<1>至<4>中任一個所述的透明薄膜，其中，對模頭出口的模唇的間隔即模唇間隙在寬度方向上賦予1%以上且30%以下的變動。
[0031] <6>根據(jù)<1>至<5>中任一個所述的透明薄膜，其中，對供給至模頭的樹脂的量賦予0.1 %以上且10 %以下的時間變動即擠出變動來進行制造。
[0032] <7>根據(jù)<1>至<6>中任一個所述的透明薄膜，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比薄膜的玻璃化轉變溫度低20°C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40 °C的溫度期間，對薄膜的表背賦予0.1°C以上且10°C以下的溫度差來進行制造。
[0033] <8>根據(jù)<1>至<7>中任一個所述的透明薄膜，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比薄膜的玻璃化轉變溫度低20°C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40 °C的溫度期間，對薄膜的傳送張力賦予0.1%以上且5%以下的變動來進行制造。
[0034] <9>根據(jù)<1>至<8>中任一個所述的透明薄膜，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在模頭中賦予0.1mm以上且5mm以下的階梯差來進行制造。
[0035] <10>根據(jù)<1>至<9>中任一個所述的透明薄膜，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在模頭內賦予〇.5°C以上且20°C以下的溫度差來進行制造。
[0036] <11>根據(jù)<4>至<10>中任一個所述的透明薄膜，其通過將利用流延而制造的薄膜進一步沿至少一個軸向以1.1~5倍的拉伸倍率拉伸來進行制造。
[0037] < 12>-種< 1 >至< 11 >中任一個所述的透明薄膜的制造方法，其包括如下工序：以在模頭出口的樹脂的擠出速度Vd與流延鼓的速度Vc之比成為2~30的方式利用模頭將樹脂流延至流延鼓，其中，上述比表示Vc/Vd。
[0038] < 13 >根據(jù)< 12 >所述的制造方法，其中，對模頭出口的模唇的間隔即模唇間隙在寬度方向上賦予1%以上且30%以下的變動。
[0039] <14>根據(jù)<12>或<13>所述的制造方法，其中，對供給至模頭的樹脂的量賦予0.1%以上且10%以下的時間變動即擠出變動。
[0040] <15>根據(jù)<12>至<14>中任一個所述的制造方法，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比薄膜的玻璃化轉變溫度低20 °C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40°C的溫度期間，對薄膜的表背賦予0.1°C以上且10°C以下的溫度差。
[0041 ] < 16>根據(jù)<12>至<15>中任一個所述的制造方法，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比薄膜的玻璃化轉變溫度低20 °C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40°C的溫度期間，對薄膜的傳送張力賦予0.1 %以上且5 %以下的變動。
[0042] <17>根據(jù)<12>至<16>中任一個所述的制造方法，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在模頭中賦予0.1mm以上且5mm以下的階梯差。
[0043] <18>根據(jù)<12>至<17>中任一個所述的制造方法，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在模頭內賦予〇.5°C以上且20°C以下的溫度差。
[0044] <19>根據(jù)<12>至<18>中任一個所述的制造方法，其還包括如下工序:將利用流延而制造的薄膜沿至少一個軸向以1.1~5倍的拉伸倍率進行拉伸。
[0045] <20>-種透明導電膜，其具有<1>至<11>中任一個所述的透明薄膜及導電層。
[0046] <21>根據(jù)<20>所述的透明導電膜，其中，導電層由寬度0.1~50μπι的細線形成。
[0047] <22>根據(jù)<21>所述的透明導電膜，其中，細線含有Ag。
[0048] <23>根據(jù)<22>所述的透明導電膜，其中，含有Ag的細線通過對鹵化銀進行顯影來形成。
[0049] <24>-種觸摸面板，其具有<1>至<11>中任一個所述的透明薄膜或<20> 至<23>中任一個所述的透明導電膜。
[0050] <25>-種防反射膜，其具有<1>至<11>中任一個所述的透明薄膜。
[0051] <26>-種偏振片，其具有<1>至<11>中任一個所述的透明薄膜。
[0052] <27>-種顯示裝置，其具有<1>至<11>中任一個所述的透明薄膜或<26> 所述的偏振片。
[0053]發(fā)明效果
[0054]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使在高濕下長期經(jīng)時也能夠抑制尺寸收縮的透明薄膜。另外，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種上述透明薄膜的制造方法、以及使用上述透明薄膜的透明導電膜、觸摸面板及顯示裝置。
【具體實施方式】
[0055] 以下，對本發(fā)明進行詳細說明。以下記載的構成要件的說明有時是基于代表性實施方式及具體例而進行的，但本發(fā)明并不限定于這種實施方式。另外，本說明書中，用"~" 表示的數(shù)值范圍是指將"~"前后所記載的數(shù)值作為下限值及上限值而包含的范圍。
[0056] 另外，本說明書中，"縱向"是指帶狀(長條狀)薄膜的流延方向(MD方向），"橫向（也稱為寬度方向)"是指與帶狀(長條狀)薄膜的流延方向(MD方向）正交的方向（TD方向）。 [0057](透明薄膜）
[0058]本發(fā)明的透明薄膜的特征在于，滿足下述式（1)及式(2)，以厚度100μπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為Inm~50nm，上述Rth的面內分布為1~50% 〇
[0059] 式（1):130 彡 T彡 200
[0060] 式（2):0 彡 Υ<0·4
[0061] 式（1)、式(2)中，T表示透明薄膜的玻璃化轉變溫度，Y表示透明薄膜在25°C下的平衡含水率;玻璃化轉變溫度的單位為 tC，平衡含水率的單位為質量％。
[0062] 含水率較低的材料(例如，含有環(huán)狀烯烴的薄膜)具有基本上很難發(fā)生濕熱變化的特征。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，即使是由含水率較低的材料構成的薄膜，若在高濕下長期放置則會劣化，隨之發(fā)生尺寸收縮，由于與設置于薄膜上的導電層或硬涂層等較硬的層的尺寸變化之差，導電層或硬涂層發(fā)生破裂，從而導致性能下降。例如，當在薄膜上設有導電層時，由于薄膜與導電層的伸展差，龜裂進入到導電層內而導電性下降。并且，當在薄膜上設有硬涂層時，若薄膜發(fā)生尺寸變化，則無法追隨較硬的硬涂層而發(fā)生龜裂。當使用本發(fā)明的透明薄膜時，即使在高濕下長期放置的情況下也能夠抑制尺寸收縮，因此能夠解決上述問題。
[0063] 本發(fā)明中，通過設為滿足上述式（1)及式(2)，以厚度100μπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為Inm~50nm，且上述Rth的面內分布為1~50 %的結構，即使在高濕下長期經(jīng)時，也能夠抑制尺寸收縮率。關于其機理，認為如下。
[0064] 推斷是由于，若Rth超過本發(fā)明的范圍，則薄膜中的聚合物的面方向的取向（與薄膜面平行取向地層疊的現(xiàn)象)較強，這種取向若暴露于高溫高濕下，則欲成為原來的無規(guī)則分子排列而收縮，發(fā)生尺寸收縮，從而產生尺寸變化。
[0065] 另一方面，如下推斷：當Rth小于本發(fā)明的范圍時，面取向過度松弛，分子間的間隙較多，水分子進入其中而產生膨脹(尺寸伸展），從而尺寸變化增加。
[0066] <透明薄膜的物性>
[0067] 本發(fā)明的透明薄膜滿足下述式（1)，優(yōu)選滿足下述式（1-1)，更優(yōu)選滿足下述式（1- 2) J表示透明薄膜的玻璃化轉變溫度（°C )。
[0068] 式（1):130 彡 T彡 200
[0069] 式（1-1):140 彡 T彡 185
[0070] 式（1-2): 145 彡 T彡 170
[0071] 當玻璃化轉變溫度小于130°C時，超過玻璃化轉變溫度的區(qū)域中的熱膨脹系數(shù)較大，即使恢復低溫，伸展也不會完全恢復，伸長會殘留。即，尺寸收縮增大。另一方面，若玻璃化轉變溫度超過200°C，則熱膨脹難以變大，但分子的運動性會下降，即使進行脫濕也不會完全恢復為原來狀態(tài)(高溫下的結構以該狀態(tài)被固定），伸長會殘留，尺寸收縮容易變大。 [0072] 玻璃化轉變溫度T是使用TAInstruments制2920型DSC在升溫速度10 °C/分鐘下測定的。
[0073]并且，本發(fā)明的透明薄膜滿足下述式(2)，優(yōu)選滿足下述式(2-1)，更優(yōu)選滿足下述式(2-2) (Y表示透明薄膜在25°C下的平衡含水率（％ ))。
[0074] 式（2):0 彡 Υ<0·4
[0075] 式（2-1):0 彡 Υ<0·4
[0076] 式（2-2):0 彡 Y彡 0.3
[0077] 若平衡含水率超過0.4,則薄膜會吸水，在高濕下尺寸會伸展。其即使置于低濕下進行脫水，尺寸也不會回復原來狀態(tài)，伸長會殘留(尺寸變化增大(滯后））。
[0078] 25 °C下的平衡含水率能夠通過將樣品薄膜在25 °C的純水中浸漬一夜之后，從其中取出并迅速擦拭表面的水分，使用卡爾費休水分測定儀（KYOTO ELECTRONICS MANUFACTURING CO.，LTD.制，MKC-520)在氣化溫度120 °C下進行水分測定來進行測定。
[0079] 通過將透明薄膜的玻璃化轉變溫度及25°C下的平衡含水率設在上述范圍，能夠進一步抑制長期置于高溫高濕下時的尺寸收縮。
[0080] 從本發(fā)明效果的觀點考慮，本發(fā)明的透明薄膜優(yōu)選還滿足下述式(3)，更優(yōu)選滿足下述式(3-1 )，進一步優(yōu)選滿足下述式(3-2)。
[0081] 式（3):0 彡 Y彡 0.0146XT-1.8
[0082] 式（3-1):0 彡 Y彡 0.02XT-2.7
[0083] 式（3-2):Y 彡 0.005XT-0.85
[0084]本發(fā)明的透明薄膜的以厚度100μπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為Inm~ 50nm，優(yōu)選3~40nm，更優(yōu)選5~35nm。
[0085]若Rth超過50nm，則環(huán)狀烯烴分子的薄膜面方向的取向（面取向）較強，其在高溫高濕下欲成為無規(guī)則而收縮，發(fā)生尺寸收縮，從而尺寸變化增加。另一方面，當小于Inm時，面取向過度松弛，由此分子間的間隙較多，水分子進入其中而容易發(fā)生膨脹(尺寸伸展），從而尺寸變化增加。
[0086] 通過將Rth設為1~50nm，能夠進一步抑制高溫高濕下的尺寸變化。
[0087]本說明書中，厚度方向的雙折射(厚度方向的延遲)Rth是指從薄膜厚度方向剖面觀察時的兩個雙折射Δ nac( = I na-nc I )、Δ nbc( = I nb-nc I )分別乘以薄膜厚度d而得到的表示延遲的平均的參數(shù)。
[0088] 厚度方向的延遲(Rth)由下述式(A)表示。
[0089] Rth= {(na+nb)/2_nc} Xd (A)
[0090] 上述式(A)中，na為透明薄膜的面內慢軸方向的折射率，nb為透明薄膜的面內快軸方向（與面內慢軸方向正交的方向）的折射率，nc為透明薄膜的厚度方向的折射率，d為透明薄膜的厚度。
[0091 ] 將如此求出的Rth如下以100μπι標準化，由此能夠求出以厚度100μπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth。
[0092]以 100μπι 標準化的 Rth=(實測的 Rth)/(厚度(μπΟ/100)
[0093]并且，本發(fā)明的透明薄膜的Rth的面內分布為1~50%，優(yōu)選2~40%，進一步優(yōu)選3 ~30%。通過將Rth的面內分布設在上述范圍內，Rth較大的區(qū)域的"尺寸收縮"與Rth較小的區(qū)域的"尺寸伸展"相互抵消，能夠抑制薄膜整體的尺寸變化。
[0094]若Rth的面內分布小于1 %，則得不到上述效果，尺寸變化變大。另一方面，若超過 50%，則Rth較大的區(qū)域的尺寸收縮的效果變得明顯，尺寸變化容易增加。
[0095]另外，Rth面內分布是在從30 X 20cm的樣品薄膜中任意選擇的10點上利用上述方法測定Rth并由下述式求出的。
[0096] Rth面內分布（％ ) = 100 X (最大值-最小值)/平均值
[0097]本發(fā)明的透明薄膜在125 °C、40 % Rh下的加速試驗中的尺寸收縮的分布優(yōu)選0.005 ~0.5%，更優(yōu)選0.008~0.4%，進一步優(yōu)選0.01~0.3%。Rh表示相對濕度。通過將125°C、 40%Rh下的尺寸收縮的分布設在上述范圍內，能夠抑制長期高濕下的尺寸收縮。
[0098] 若125 °C、40 % Rh下的加速試驗中的尺寸收縮的分布超過0.5 %，則由于與導電層的尺寸變化之差，導電層、硬涂層等可能會發(fā)生破裂，若小于0.005%，則導電層、硬涂層等可能會發(fā)生破裂。這是因為，這些層也發(fā)生尺寸變化，因此若薄膜不發(fā)生尺寸變化，則因其尺寸差而產生破裂。
[0099]加速試驗是指如下試驗:在常溫下出現(xiàn)高濕的影響需要數(shù)年，但為了縮短時間并有效地進行評價，通過暴露在高溫高濕下，僅以10分鐘左右重現(xiàn)常溫、數(shù)年間的現(xiàn)象(尺寸變化等）。加速試驗通過將樣品在調溫調濕成高溫高濕（125°C、40%Rh)的恒溫槽中在無加重下暴露來實現(xiàn)。這種高溫高濕條件能夠通過在空氣恒溫槽中導入125°C的飽和水蒸氣并調整其量來實現(xiàn)。
[0100]本發(fā)明的透明薄膜優(yōu)選分布有125°C、40%Rh下的尺寸收縮，具體而言，125°C、 40 % Rh下的尺寸收縮的分布優(yōu)選0.01~0.3 %，更優(yōu)選0.03~0.25 %，進一步優(yōu)選0.05~ 0.2%。由此，當平均尺寸收縮相同時，能夠抑制上層的導電層的破裂。這推斷是因為，通過尺寸收縮的分布的存在，尺寸收縮較小的部位和較大的部位共存，從而尺寸收縮較小的部位能夠抑制薄膜整體的尺寸收縮，并抑制導電層的破裂。
[0101] 當上述尺寸收縮小于0.01%時，得不到上述效果，有可能無法抑制導電層的破裂。另一方面，若超過0.3%，則生成面內收縮較大的部位，有可能從此處發(fā)生導電層的破裂。
[0102] 尺寸收縮(尺寸變化率)能夠通過后述的方法來測定并求出。
[0103]尺寸收縮的分布表不，沿著縱向（MD)、橫向（TD)分別米樣10點并在MD、TD的每一方向上求出尺寸收縮率的最大值與最小值之差時在MD、TD上較大的值。
[0104]本發(fā)明的透明薄膜的抗折次數(shù)優(yōu)選50次以上，更優(yōu)選80~2000次，進一步優(yōu)選100 ~1000次。通過將抗折次數(shù)設在該范圍，即使長期置于高濕下，薄膜也不易產生斷裂。即，能夠抑制由于與設置于薄膜上的較硬的層(導電層或硬涂層）的熱膨脹率之差所引起的應變而在薄膜上發(fā)生龜裂或斷裂。另外，這在折彎使用時尤其有效。
[0105] 若抗折次數(shù)小于50次，則在高濕下的長期經(jīng)時中薄膜有可能容易龜裂或斷裂，可能會引起加熱處理后(長期高濕經(jīng)時后）的電阻的增大。另一方面，若抗折強度過大，則在制膜中容易產生異物。
[0106] 抗折次數(shù)能夠通過按照JIS P8115利用MIT試驗機進行折彎試驗來求出。
[0107]本發(fā)明的透明薄膜的抗折次數(shù)的面內分布優(yōu)選3~30%，更優(yōu)選5~25%，進一步優(yōu)選7~20%。通過將抗折次數(shù)的面內分布設在該范圍，即使薄膜折斷也不易出現(xiàn)剪斷切肩。剪斷切肩是指剪斷時從薄膜的剪斷面剝落的切肩，若其附著于薄膜表面，則涂設于之上時容易發(fā)生面缺陷、粘附不良（尤其，環(huán)狀烯烴的極性基團較少，分子間相互作用較弱，從而容易剝落）。
[0108] 若抗折強度存在面內分布，則由于抗折強度較強的部位，薄膜整體的強度增加。當具有相同的平均抗折次數(shù)時，比起分布較小的部位，剪斷切肩難以剝落，抑制剪斷切肩的產生。
[0109] 因此，當抗折次數(shù)的面內分布小于3%時，剪斷切肩有可能增加，另一方面，若超過 30%，則抗折強度較低的部位的薄膜較脆，容易產生剪斷切肩，因此剪斷切肩有可能增加。 [0110] "抗折"是指折彎時所發(fā)生的薄膜的破壞(斷裂），若存在成為其原因的薄膜缺陷，則以此為起點而斷裂，抗折次數(shù)容易減少。本發(fā)明中，如后述，通過對模頭中的分子的纏繞量賦予變動或在拉伸中賦予速度變動來形成不均勻性(缺陷），對抗折次數(shù)賦予分布。抗折次數(shù)的面內分布是指，將沿著MD任意采樣10點并測定抗折強度時的最大值與最小值之差除以10點的平均值，并求出以百分比表示的值(MD分布），在TD上也同樣進行測定并求出TD分布，所求出的MD分布與TD分布的平均值即為抗折次數(shù)的面內分布。
[0112] 本發(fā)明的透明薄膜是指總透光率為80%以上的透明薄膜，更優(yōu)選84%以上，進一步優(yōu)選88%以上。
[0113] 本發(fā)明的透明薄膜的厚度優(yōu)選10~100μπι，更優(yōu)選15~80μπι，進一步優(yōu)選20~70μ m。在此所說的厚度，當未拉伸而使用時表示制膜后(未拉伸）的厚度，拉伸使用時表示拉伸后的厚度。
[0114] <透明薄膜的原料>
[0115] 本發(fā)明的透明薄膜只要滿足上述式（1)及式(2)，以厚度100μπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為Inm~50nm，且Rth的面內分布為1~50%，則透明薄膜的原料并沒有特別限制。作為能夠滿足式（1)及式(2)的透明薄膜的原料，可以舉出環(huán)狀烯烴類樹脂、聚碳酸酯(PC)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚芳酯(PAr)等。在這些之中，容易實現(xiàn)上述Rth且成本上有利的是聚碳酸酯(PC)、環(huán)狀烯烴類樹脂，進一步優(yōu)選為環(huán)狀烯烴類樹脂。
[0116] 上述例示的樹脂的T及Y如以下表1所示。
[0117] [表 1]
[0120] <環(huán)狀烯烴類樹脂>
[0121]作為成為環(huán)狀烯烴類樹脂的原料的降冰片烯樹脂(降冰片烯單元），可以舉出以下記載的飽和降冰片烯樹脂-A和飽和降冰片烯樹脂-B作為優(yōu)選例。這些飽和降冰片烯樹脂均能夠通過后述的溶液制膜法、熔融制膜法來制膜，但飽和降冰片烯樹脂-A更優(yōu)選通過熔融制膜法來制膜，飽和降冰片烯樹脂-B更優(yōu)選通過溶液制膜法來制膜。
[0122] [飽和降冰片烯樹脂-A]
[0123] 作為飽和降冰片烯樹脂-A，可以舉出（1)對降冰片烯類單體的開環(huán)(共）聚合物根據(jù)需要進行馬來酸加成、環(huán)戊二烯加成等聚合物改性，之后進一步進行氫化而得到的樹脂、 (2)使降冰片烯類單體進行加成型聚合而得到的樹脂、（3)使降冰片烯類單體與乙烯或α-烯烴等烯烴類單體進行加成型共聚而得到的樹脂等。聚合方法及氫化方法能夠通過常規(guī)方法來進行。
[0124] 作為降冰片烯類單體，例如可以舉出降冰片烯、及其烷基和/或亞烷基取代體(例如，5-甲基降冰片稀、5 -二甲基降冰片稀、5-乙基降冰片稀、5-丁基降冰片稀、 5- 亞乙基-2-降冰片烯等）、它們的鹵素等極性基團取代體;二環(huán)戊二烯、2,3_二氫二環(huán)戊二烯等;二橋亞甲基八氫萘、其烷基和/或亞烷基取代體、以及鹵素等極性基團取代體(例如， 6- 甲基-l，4:5,8-二橋亞甲基-l，4,4a，5,6,7,8,8a-八氫萘、6-乙基-l，4:5,8-二橋亞甲基-l，4,4a，5,6,7,8,8a-八氫萘、6-亞乙基-l，4:5,8-二橋亞甲基-l，4,4a，5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氯-1，4:5，8-二橋亞甲基-I，4,4a，5,6,7,8，8a_八氫萘、6-氛基-1，4:5，8-二橋亞甲基-1，4,4&，5,6,7,8,8&-八氫萘、6-吡啶基-1，4:5,8-二橋亞甲基-1，4,4&，5,6,7,8,8&-八氫萘、6-甲氧基羰基-1，4:5,8-二橋亞甲基-1，4,4 &，5,6,7,8,8&-八氫萘等）；環(huán)戊二烯與四氫茚等的加成物;環(huán)戊二烯的3~4聚體(例如，4,9:5,8-二橋亞甲基-3a，4,4a, 5,8，8a，9, 9a-八氫-IH-苯并茚、4,11:5,10:6,9-三橋亞甲基-3a ,4,4a, 5,5a,6,9,9a ,10,10a, 11,11a-十二氫-IH-環(huán)戊蒽)等。這些降冰片烯類單體可以單獨使用，也可以組合使用兩種以上。
[0125] [飽和降冰片烯樹脂-B]
[0126] 作為飽和降冰片烯樹脂-B，可以舉出下述通式（1)~(4)所表示的化合物。在這些之中，尤其優(yōu)選下述通式(1)所表示的化合物。
[01271 「# 令
[0128:
[0129]通式（1)~(4)中，R1~R12各自獨立地表示氫原子或1價取代基(優(yōu)選有機基團），它們之中的至少一個優(yōu)選為極性基團。這些飽和降冰片烯樹脂的質均分子量通常優(yōu)選為5， OOO~I，OOO，OOO，更優(yōu)選為8，OOO~200，OOO。
[0130]作為上述取代基，可以例示出日本專利第5009512號公報的[0036]段落中所記載的取代基。并且，作為上述極性基團，可以例示出日本專利第5009512號公報的[0037]段落中所記載的極性基團。
[0131] 作為本發(fā)明中可以使用的飽和降冰片烯樹脂，例如可以舉出日本特開昭60-168708號公報、日本特開昭62-252406號公報、日本特開昭62-252407號公報、日本特開平2-133413號公報、日本特開昭63-145324號公報、日本特開昭63-264626號公報、日本特開平1-240517號公報、日本特公昭57-8815號公報等中所記載的樹脂等。
[0132] 在這些樹脂之中，尤其優(yōu)選將降冰片烯類單體的開環(huán)聚合物進行氫化而得到的氫化聚合物。
[0133] 本發(fā)明中，作為飽和降冰片烯樹脂，也可以單獨使用下述通式(5)所表示的至少一種四環(huán)十二烯衍生物、或者使用將上述四環(huán)十二烯衍生物和能夠與其共聚的不飽和環(huán)狀化合物易位聚合而得到的聚合物進行氫化而得到的氫化聚合物。
[0134] [化學式2]
[0135] 通式(5)
[0136]
[0137] 通式(5)中，R13~R16各自獨立地表示氫原子或1價取代基(優(yōu)選有機基團），這些之中的至少一個優(yōu)選為極性基團。關于在此所說的取代基和極性基團的具體例及優(yōu)選范圍，與對通式(1)~(4)說明的具體例及優(yōu)選范圍相同。
[0138] 上述通式(5)所表示的四環(huán)十二烯衍生物中，通過R13~R16中的至少一個為極性基團，由此能夠得到與其他材料的粘附性、耐熱性等優(yōu)異的偏振膜。另外，從最終所得的氫化聚合物(偏振膜的基材)具有較高的玻璃化轉變溫度的角度考慮，優(yōu)選該極性基團為_(CH 2) nC00R(其中，R表示碳原子數(shù)1~20的烴基，η表示0~10的整數(shù)。）所表示的基團。尤其，從降低吸水率的觀點考慮，優(yōu)選在通式（5)的四環(huán)十二烯衍生物的每一分子中含有一個該-(CH 2)nCOOR所表示的極性取代基。上述極性取代基中，從所得到的氫化聚合物的吸濕性變小的觀點考慮，R所表示的烴基的碳原子數(shù)越多越優(yōu)選，但從與所得到的氫化聚合物的玻璃化轉變溫度的平衡的觀點考慮，上述烴基優(yōu)選為碳原子數(shù)1~4的鏈狀烷基或碳原子數(shù)5以上的（多)環(huán)狀烷基，尤其優(yōu)選為甲基、乙基、環(huán)己基。
[0139] 另外，從所得到的氫化聚合物的吸濕性較低的角度考慮，優(yōu)選在鍵合有-(CH2) nC00R所表示的基團的碳原子上鍵合有作為取代基的碳原子數(shù)1~10的烴基的通式(5)的四環(huán)十二烯衍生物。尤其，從其容易合成的觀點考慮，優(yōu)選該取代基為甲基或乙基的通式(5) 的四環(huán)十二烯衍生物。具體而言，優(yōu)選8-甲基-8-甲氧基羰基四環(huán)〔4,4,0，l 2·5，l7·1()〕十二-3-烯。這些四環(huán)十二烯衍生物及能夠與其共聚的不飽和環(huán)狀化合物的混合物例如能夠通過日本特開平4-77520號公報第4頁右上欄12行~第6頁右下欄第6行中所記載的方法來進行易位聚合、氫化。
[0140] 這些降冰片烯類樹脂在氯仿中于30°C下測定的固有粘度Umh)優(yōu)選為0.1~ 1.5dl/g，進一步優(yōu)選為0.4~1.2dl/g。并且，氫化聚合物在60MHz ^H-NMR下測定的氫化率的值優(yōu)選為50 %以上，更優(yōu)選為90 %以上，進一步優(yōu)選為98 %以上。氫化率越高，所得到的飽和降冰片烯薄膜對熱或光的穩(wěn)定性越優(yōu)異。氫化聚合物中所含的凝膠含量優(yōu)選為5質量％以下，進一步優(yōu)選為1質量％以下。
[0141] [其他可開環(huán)聚合的環(huán)烯烴類]
[0142] 本發(fā)明中，能夠并用可開環(huán)聚合的其他環(huán)烯烴類。作為這種環(huán)烯烴的具體例，例如可以例示出如環(huán)戊烯、環(huán)辛烯、5，6-二氫二環(huán)戊二烯等具有一個反應性雙鍵的化合物。這些可開環(huán)聚合的環(huán)烯烴類的含量相對于上述降冰片烯類單體優(yōu)選為〇摩爾％~50摩爾％，更優(yōu)選為〇. 1摩爾％~30摩爾％，尤其優(yōu)選為0.3摩爾％~10摩爾％。
[0143] 環(huán)狀烯烴類樹脂可以是含有乙烯單元和降冰片烯單元的環(huán)狀烯烴共聚物。乙烯單元為-CH2CH2-所表示的重復單元。通過乙稀單元與上述降冰片稀單元進行乙稀聚合而得到環(huán)狀烯烴共聚物。降冰片烯單元與乙烯單元的共聚摩爾比率優(yōu)選為80: 20~20:80，更優(yōu)選為80:20~50:50，進一步優(yōu)選為80:20~60:40。
[0144] 另外，環(huán)狀烯烴共聚物除了乙烯單元和降冰片烯單元以外，還可以含有少量的由其他可共聚的乙烯基單體構成的重復單元。作為其他乙烯基單體，具體而言，可以舉出丙烯、1-丁烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯等碳原子數(shù)3~18的α-烯烴、環(huán)丁烯、環(huán)戊烯、環(huán)己烯、3-甲基環(huán)己烯、環(huán)辛烯等環(huán)烯烴等。這種乙烯基單體可以單獨使用或者組合使用兩種以上，并且該重復單元優(yōu)選為整體的 10摩爾％以下，更優(yōu)選為5摩爾％以下。
[0145] [其他添加劑]
[0146] 在不損害本發(fā)明的目的的范圍內，可以在環(huán)狀烯烴類樹脂中添加其他添加劑。作為添加劑，例如可以舉出抗氧化劑、紫外線吸收劑、易滑劑、抗靜電劑。尤其，當環(huán)狀烯烴類樹脂設置于各種設備的表面時，優(yōu)選含有紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，可以使用二苯甲酮類紫外線吸收劑、苯并三唑類紫外線吸收劑、丙烯腈類紫外線吸收劑等。
[0147] 并且，環(huán)狀烯烴類樹脂中有加成聚合型和開環(huán)聚合型，可以使用任何一種。作為開環(huán)聚合型的環(huán)狀烯烴類樹脂，例如可以舉出W02009/041377號、W02008/108199號、W02007/ 001020 號、W02006/112304號、日本特開2008-037932、W02007/043573 號、W02007/010830 號、日本特愿2007-525979號（日本專利5233280號）、W02007/001020號、日本特開2007-063356 號公報、日本特開2009-210756號公報、日本特開2008-158088號公報、日本特開2001-356213號公報、日本特開2004-212848號公報、日本特開2003-014901號公報、日本特開 2000-219752號公報、日本特開2005-008698號公報、W02007/135887號、日本特開2012-056322號公報、日本特開平7-197623號公報、日本特開2006-215333號公報、日本特開2006-235085號公報、日本特開2005-173072號公報、日本特愿2003-578978號（日本專利4292993 號）、日本特開2004-258188號公報、日本特開2003-136635號公報、日本特開2003-236915號公報、日本特開平10-130402號公報、日本特開平9-263627號公報、日本特開平4-361230號公報、日本特開平4-363312號公報、日本特開平4-170425號公報、日本特開平3-223328號公報等中所記載的開環(huán)聚合型的環(huán)狀烯烴類樹脂。
[0148] 并且，作為加成聚合型的環(huán)狀烯烴類樹脂，例如可以舉出W02009/139293號、 W02006/030797號、日本特愿2006-535159號（日本專利4493660號）、日本特開2007-232874 號公報、日本特開2007-009010號公報、W02013/179781號、W02012/114608號、W02008/ 078812號、日本特開平11-142645號公報、日本特開平10-287713號公報、日本特愿2008-548162號（日本專利5220616號）、日本特開平11-142645號公報、日本特開平10-258025號公報、日本特開2001-026682號公報、日本特開平5-025337號公報、日本特開平3-273043號公報等中所記載的加成聚合型的環(huán)狀烯烴類樹脂。
[0149] (透明薄膜的制造方法）
[0150] 本發(fā)明的透明薄膜的制造方法的特征在于，包括如下工序：以在模頭出口的樹脂的擠出速度與上述流延鼓的速度之比成為2~30的方式利用上述模頭將上述樹脂流延至上述流延鼓;及沿至少一個軸向以1.1~5倍的拉伸倍率進行拉伸。通過采用這種方法，通過本發(fā)明的透明薄膜的制造方法得到的透明薄膜即使在高濕下長期經(jīng)時，也能夠抑制尺寸收縮。
[0151] 利用溶液制膜法、熔融制膜法中的任何一種方法，都能夠將本發(fā)明的透明薄膜進行制膜，更優(yōu)選為熔融制膜法。
[0152] 熔融制膜法中，在制膜之前，根據(jù)需要添加添加劑（紫外線吸收劑、消光劑、穩(wěn)定劑、抗靜電劑等），并對樹脂進行干燥。優(yōu)選的干燥條件為80°C以上且樹脂的Tg以下，更優(yōu)選為100°C以上且Tg-5°C以下。優(yōu)選的干燥時間為0.5小時以上且24小時以下，更優(yōu)選為1小時以上且10小時以下。
[0153] < 擠出 >
[0154] 作為擠出機的種類，一般使用設備成本比較低的單螺桿擠出機的情況較多，有全螺紋(full flight)、馬多克(Maddock)、杜爾麥基(Dulmage)等螺桿類型，優(yōu)選全螺紋型。并且，也可以使用能夠通過改變螺桿段而在中途設置排氣口一邊使不必要的揮發(fā)成分脫揮一邊進行擠出的雙螺桿擠出機。雙螺桿擠出機大體分為同向型和異向型，可以使用任何類型，但優(yōu)選不易產生滯留部分且自清潔性能較高的同向旋轉型。
[0155] < 過濾 >
[0156] 為了過濾樹脂中的異物以及避免由異物引起的齒輪栗損壞，優(yōu)選進行在擠出機出口設置過濾器濾材的所謂的多孔板(breaker plate)式的過濾。并且，為了更高精度地過濾異物，優(yōu)選在通過齒輪栗后設置組裝有所謂的葉片型圓盤過濾器的過濾裝置?？梢栽谝惶?設置過濾部來進行過濾，并且也可以是設置多處過濾部來進行的多級過濾。優(yōu)選過濾器濾材的過濾精度較高，從濾材的耐壓以及由濾材的堵塞引起的濾壓上升的角度考慮，過濾精度優(yōu)選為15μηι~3μηι，進一步優(yōu)選為ΙΟμπι~3μηι。尤其，當使用最終進行異物過濾的葉片型圓盤過濾器裝置時，優(yōu)選使用在品質方面過濾精度較高的濾材，為了確保耐壓、過濾器壽命的適應性，可以利用裝填數(shù)量來進行調整。就濾材的種類而言，從高溫高壓下使用的觀點考慮，優(yōu)選使用鋼鐵材料，鋼鐵材料中，尤其優(yōu)選使用不銹鋼、鋼等，從腐蝕的觀點考慮，尤其優(yōu)選使用不銹鋼。作為濾材的結構，除了編織線材而成的材料以外，例如還可以使用將金屬長纖維或金屬粉末燒結而形成的燒結濾材，從過濾精度、過濾器壽命的觀點考慮，優(yōu)選燒結濾材。
[0157] <齒輪栗>
[0158] 優(yōu)選在擠出機與模頭之間設置齒輪栗，并從齒輪栗供給一定量的樹脂。通過對其轉速賦予變動，能夠賦予上述擠出變動。齒輪栗是由傳動齒輪和從動齒輪構成的一對齒輪以相互嚙合的狀態(tài)被容納，通過驅動傳動齒輪使兩個齒輪嚙合旋轉，從而將熔融狀態(tài)的樹脂從形成于機架上的吸引口吸引至腔體內，從同樣形成于機架上的擠出口擠出一定量的該樹脂的機構。
[0159] < 模頭（夕'V)>
[0160] 通過如上構成的擠出機，樹脂被熔融，根據(jù)需要經(jīng)由過濾機、齒輪栗，熔融樹脂連續(xù)被送到模頭。模頭可以使用一般使用的T型模頭、魚尾模頭、衣架式模頭中的任何一種類型。并且，也可以在模頭僅跟前插入用于提高樹脂溫度的均勻性的靜態(tài)混合器。
[0161] 模頭的溫度分布優(yōu)選0.5~20°C，更優(yōu)選1~15°C，進一步優(yōu)選2~10°C。若模頭中具有上述范圍內的溫度分布，則模頭中的樹脂的混合量被賦予不均勻，抗折次數(shù)的面內分布成為3~30%，不易產生剪斷切肩。
[0162] 若模頭的溫度分布小于0.5°C，則抗折次數(shù)的分布小于3%，若模頭的溫度分布超過20°C，則抗折次數(shù)的分布可能會超過30%。
[0163] 模頭的溫度分布可以賦予在寬度方向、長度方向（熔體的流動方向）中的任何一個方向，也可以賦予在兩個方向。這種溫度分布能夠通過在模頭上設置沿寬度方向、長度方向分割的加熱器并控制它們的溫度來實現(xiàn)。
[0164] 本發(fā)明的透明薄膜需要將Rth的面內分布設為1~50%，通過調整模唇及后述的拉伸速度的變動，能夠調整Rth的分布。
[0165] [透明薄膜的寬度方向的R t h的分布的調整]
[0166] 通過使模唇的樹脂出口的間隔(模唇間隙)具有分布，能夠調整Rth的面內分布。
[0167] 模唇間隙較大的部位，其擠出速度較大且Vc較大，模唇間隙較小的部位，其擠出速度較小且Vc較小。另一方面，由于在寬度方向上Vd恒定，因此在寬度方向上Vc/Vd顯現(xiàn)分布，在寬度方向上顯現(xiàn)Rth分布。
[0168] 模唇間隙的分布是指，在遍及模頭的總寬進行30等分的點上測定模唇間隙，將最大值與最小值之差除以30點的平均值并以百分比表示的值。
[0169] 模唇間隙的分布優(yōu)選1~30%，更優(yōu)選2~25%，進一步優(yōu)選3~20%。若模唇間隙的分布超過30%，則Rth的面內分布可能會超過50%，若模唇間隙的分布小于1%，則Rth的面內分布可能會小于1 %。
[0170][透明薄膜的長度方向的Rth的分布的調整]
[0171 ]通過對樹脂從模唇的擠出賦予變動即對樹脂向模頭的供給量賦予變動，能夠調整 Rth的面內分布。
[0172] 樹脂向模頭的供給量的變動優(yōu)選0.1~10%，更優(yōu)選0.3~8%，進一步優(yōu)選0.5~ 7 %。若供給量的變動超過10 %，則Rth的面內分布有時超過50 %，當小于0.1 %時，Rth的面內分布可能會小于1 %。
[0173] 另外，樹脂向模頭的供給量是指，測定10次1分鐘的樹脂的擠出量，將其最大值與最小值之差除以10點的平均值并以百分比表示的量。
[0174] 通過增加樹脂中的分子間的纏繞，能夠實現(xiàn)較高的抗折強度。通過在流延之前混合樹脂，能夠使纏繞增加以提高抗折強度。這種混合優(yōu)選盡可能在即將進行流延之前進行，優(yōu)選在模頭中進行混合。
[0175] 為了顯現(xiàn)模頭中的混合，能夠通過在模頭中賦予階梯差即在長度方向上改變樹脂所通過的間隙的高度來實現(xiàn)。認為這是由于，樹脂的流動在階梯差部被擾亂，從而促進混合。
[0176] 作為階梯差，優(yōu)選0.1~5mm，更優(yōu)選0.2~4mm，進一步優(yōu)選0.3~3mm。若階梯差小于0.1mm，則混合效果不充分，抗折次數(shù)可能會小于50次，若超過5mm，則樹脂滯留在階梯差部位，其成為不溶解物而容易產生異物。
[0177] < 流延 >
[0178] 通過上述方法，將從模頭以片材狀擠出的熔融樹脂在流延鼓上冷卻固化，從而得到未拉伸膜。此時，優(yōu)選使用靜電施加法、氣刀法、氣室法、真空噴嘴(vacuum nozzle)法、接觸輥法等方法來提高流延鼓與熔融擠出的片材的粘附。這種粘附提高法可以在熔融擠出片材的整個面實施，也可以在一部分實施。尤其，采用被稱作邊緣銷接(Edge pinning)的僅粘附薄膜兩端部的方法的情況也較多，但并不限定于此。
[0179] 流延鼓更優(yōu)選使用多個冷卻輥來緩慢冷卻。尤其，一般使用3根冷卻輥是比較常用的方法，但并不限于此。輯的直徑優(yōu)選50mm~5000mm，多個輯的間隔在面間優(yōu)選0 · 3mm~ 300mm〇
[0180] 流延鼓優(yōu)選為樹脂的Tg-70°C~Tg+20°C，更優(yōu)選為Tg-50°C~Tg+10 °C，進一步優(yōu) 選為 Tg_30°C ~Tg+5°C。
[0181] 作為透明薄膜的原料的樹脂從模頭被擠出并在流延鼓上固化時顯現(xiàn)Rth。在固化之前，構成樹脂的分子無規(guī)則且無取向，在固化的過程中面取向。為了將以厚度IOOym標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth設為1~50nm，需要控制面取向，面取向的控制能夠通過調整模頭出口的樹脂的擠出速度(Vd)與流延鼓的速度(Vc)之比(Vc/Vd)來進行。若將Vc設為大于VcU則從模頭擠出的膜被伸展而厚度變薄，并且進行面取向而Rth增加。并且，通過將 Vc設為大于VcU能夠減少由于開口寬度的分布而在流延膜厚上產生的厚度分布。并且，通過伸展(拉伸)從模頭中擠出的樹脂，樹脂的厚度分布也能夠被伸展而減小。
[0182] 模頭出口的樹脂的擠出速度(Vd)與流延鼓的速度(Vc)之比(Vc/Vd)優(yōu)選設為2~ 30，更優(yōu)選設為3~20，進一步優(yōu)選設為4~15。若Vc/Vd超過30，則Rth有時超過50nm，若Vc/ Vd小于2，則Rth可能會小于lnm。
[0183] 并且，當使用所謂的接觸輥法時，接觸輥表面可以是橡膠、特氟龍(注冊商標)等樹月旨，也可以是金屬輥。另外，還可以使用通過使金屬輥的厚度變薄，從而在接觸時的壓力的作用下，輥表面稍微凹陷，且壓接面積變寬的被稱作撓性輥的輥。
[0184] 接觸輥溫度優(yōu)選Tg-70°C~Tg+20°C，更優(yōu)選Tg-50°C~Tg+10°C，進一步優(yōu)選Tg-30 。(：~Tg+5°C。
[0185] < 拉伸 >
[0186] 如上所述，在流延鼓上擠出的流延膜(未拉伸卷材)可以沿縱向（MD)或橫向（TD)中的至少一個軸向進行拉伸。更優(yōu)選沿縱向(MD)及橫向（TD)進行雙軸拉伸。當沿縱向及橫向進行雙軸拉伸時，可以如縱向-橫向、橫向-縱向那樣依次進行，也可以同時沿兩個方向進行拉伸。另外，例如，也優(yōu)選如縱向-縱向-橫向、縱向-橫向-縱向、縱向-橫向-橫向那樣以多階段進行拉伸。
[0187] 縱向拉伸通常能夠通過設置兩對以上的夾持輥，使加熱的卷材在其之間通過并且使出口側夾持輥的圓周速度快于入口側來實現(xiàn)。
[0188] 橫向拉伸優(yōu)選使用拉幅機來進行。即，能夠通過一邊用夾具把持薄膜的兩端一邊在加熱區(qū)進行傳送，同時使夾具沿寬度方向擴展來進行。
[0189] 優(yōu)選的拉伸倍率在縱向、橫向各自優(yōu)選1.05倍~8倍，更優(yōu)選1.1倍~6倍，拉伸溫度為Tg-20°C以上且Tg+80°C以下，更優(yōu)選為Tg以上且Tg+50°C以下。由此顯現(xiàn)雙折射或改善脆性，從而能夠薄膜化。
[0190] 通過拉伸使分子伸展，也能夠使分子間的纏繞增加來提高抗折強度。拉伸前，每個分子呈圓狀，相互纏繞的情況較少，但分子通過拉伸而被伸長，相鄰的分子間能夠實現(xiàn)纏繞。因此，從提高抗折次數(shù)的觀點考慮，拉伸倍率在至少一個方向上優(yōu)選1.1~5倍，更優(yōu)選 1.5~4倍，進一步優(yōu)選1.8~3.5倍。拉伸可以在一個軸上進行，也可以在兩個軸上進行，但從分子進一步纏繞的角度考慮，優(yōu)選在兩個軸上進行。若拉伸倍率小于1.1倍，則抗折次數(shù) 可能會小于50次，若超過5倍，則分子成為極度伸長狀態(tài)(變脆），抗折次數(shù)可能會小于50次。 [0191]隨著進行拉伸，Rth容易增加。即，推斷是由于，當厚度隨著拉伸而減小時，在面方向上被壓縮而進行面取向。為了將其抑制，將拉伸后半期溫度設為高于拉伸前半期溫度是有效的。這是因為，拉伸初期在低溫下使分子伸展，而在拉伸后半期為了使面取向的分子解開而設為高溫。由此，能夠兼顧抗折強度的提高和Rth的抑制。
[0192] 拉伸前半期溫度優(yōu)選Tg~(Tg+50) °C，更優(yōu)選(Tg+5)~(Tg+45) °C，進一步優(yōu)選(Tg +10)~（Tg+40)°C。
[0193] 拉伸后半期溫度優(yōu)選設為比拉伸前半期溫度高1~30°C，更優(yōu)選高2~25°C，進一步優(yōu)選高3~20°C。在此所說的拉伸前半期溫度、拉伸后半期溫度是指將拉伸工序進行2等分時分別在前半期、后半期的平均溫度。就拉伸后半期溫度而言，這種溫度梯度只要在拉伸區(qū)中沿著流動方向配置多個熱源(例如IR加熱器、鹵素加熱器、平板式加熱器、熱風吹出口）并使它們的溫度隨拉伸結束上升即可。當拉伸后半期溫度與前半期溫度之差小于上述范圍時，Rth容易增加，另一方面，若拉伸后半期溫度與前半期溫度之差超過上述范圍，則后半期的拉伸溫度變得過高，抗折次數(shù)可能會減少。
[0194] 這種拉伸中的溫度梯度可以通過縱向拉伸、橫向拉伸中的任何一方來進行。在雙軸拉伸的情況下，可以通過縱向、橫向拉伸雙方來進行，也可以通過任意一方來進行。更優(yōu) 選通過縱向拉伸后的橫向拉伸來進行。這是因為，通過在最后拉伸的橫向拉伸工序中實施，該結構最終容易殘留。
[0195] 作為拉伸后半期溫度與拉伸前半期溫度的溫度差，優(yōu)選1~50°C，更優(yōu)選1~40°C，進一步優(yōu)選1~30°C。
[0196] Rth的面內分布也能夠通過對拉伸時的拉伸速度賦予變動來賦予。通過賦予速度變動，能夠在拉伸方向上賦予取向不均勻(Rth不均勻）。
[0197] 并且，拉伸速度越快，分子越容易被拉長且抗折次數(shù)增多，拉伸速度越慢，抗折強度越容易降低，通過賦予速度變動，也能夠賦予抗折次數(shù)的面內分布。
[0198] 拉伸速度的變動優(yōu)選0.1~10%，更優(yōu)選0.2~5%，進一步優(yōu)選0.3~3%。若拉伸速度的變動小于0.1 %，則Rth的面內分布有可能小于1 %，并且，抗折次數(shù)的分布有可能小于3 %。另一方面，若拉伸速度的變動超過10 %，則Rth的面內分布可能會超過50 %，并且，抗折次數(shù)的分布可能會超過30%。
[0199]在縱向拉伸的情況下，拉伸速度變動能夠通過對拉伸中所使用的多對夾持輥的驅動馬達的電流值賦予變動來實現(xiàn)。在橫向拉伸的情況下，能夠通過變動在拉幅機內一邊擴大薄膜的寬度一邊進行傳送的卡盤的驅動馬達的速度來實現(xiàn)。變動周期優(yōu)選0.1~30秒，更優(yōu)選0.2~20秒，進一步優(yōu)選0.3~10秒。
[0200]可以在縱、橫向拉伸之前對薄膜進行預熱。預熱溫度優(yōu)選為樹脂的Tg-50~Tg+30 °C，更優(yōu)選為Tg-40~Tg+15°C，進一步優(yōu)選為Tg-30~Tg。這種預熱時，可以與加熱輥接觸，也可以使用放射熱源（IR加熱器、鹵素加熱器等），還可以吹入熱風。
[0201] 也可以在縱向、橫向拉伸處理之后對薄膜進行熱處理。熱處理是指在Tg+ΙΟ~Tg+ 50 °C左右(進一步優(yōu)選Tg+15~Tg+30 °C)下將薄膜加熱1~60秒鐘(進一步優(yōu)選2~30秒鐘）。此時，可以在縱向、橫向上收縮而使薄膜松弛。優(yōu)選的松弛率在縱向、橫向中的一方或雙方分別為0.5%至10%。
[0202] < 涂布 >
[0203] 可以在拉伸之前或之后的任意一方或雙方進行涂布，由此能夠賦予易粘接層或硬涂層、抗靜電層等功能層。
[0204] < 卷取〉
[0205]優(yōu)選在制膜后、拉伸后將兩端修整并進行卷取。經(jīng)修整的部分進行粉碎處理之后、或者根據(jù)需要進行造粒處理等之后，可以作為相同品種的薄膜用原料或不同品種的薄膜用原料而進行再利用。修整刀具可以使用旋轉式刀具、剪切刀片、刀等任意一種類型的刀具。關于材質，可以使用碳鋼、不銹鋼中的任何一種。一般，若使用硬質刀片、陶瓷刀片，則刀具的壽命較長，因此優(yōu)選。
[0206] 并且，從防止劃傷的觀點考慮，還優(yōu)選在卷取前至少對一面賦予層壓膜。優(yōu)選的卷取張力為lkg/m寬度~50kg/m寬度，更優(yōu)選2kg/m寬度~40kg/m寬度，進一步優(yōu)選3kg/m寬度 ~20kg/m寬度。若卷取張力為lkg/m寬度以上，則容易均勻地卷取薄膜，因此優(yōu)選。并且，若卷取張力為50kg/m寬度以下，則薄膜不會卷緊而能夠保持美麗的卷取外觀。
[0207] 制膜后，可以將薄膜冷卻至室溫。在冷卻至室溫的過程中，（在制膜后還進行拉伸的情況下，在拉伸后冷卻至室溫的過程中），薄膜由Tg以上的溫度冷卻至室溫，在該過程中的冷卻至(Tg-20)~(Tg-40)°C的過程中，優(yōu)選對薄膜的一面(表面)與其相反側的面(背面）賦予溫度差。通過對薄膜的表背面賦予溫度差，在表面與相反面之間產生熱膨脹量之差，因該尺寸差形成應變而成為殘余應變。通過該殘余應變的顯現(xiàn)，透明薄膜在125°C、40%Rh下的加速試驗中的尺寸收縮的分布能夠設為0.005~0.5%。
[0208] 在Tg附近以上的高溫下分子的運動性較大，殘余應變立即被解除，難以顯現(xiàn)上述尺寸收縮。在大幅低于Tg的溫度下熱膨脹量較小，難以產生薄膜表背面上的應變。因此，優(yōu) 選在(Tg-20)°C~(Tg-40)°C下對薄膜的表背面賦予溫度差。
[0209] 作為溫度差，優(yōu)選0.1~KTC，更優(yōu)選0.2~5°C，進一步優(yōu)選0.3~2°C。若溫度差小于0.1°C，則上述尺寸收縮可能會小于0.01 %，若超過UTC，則上述尺寸收縮可能會超過 0.3%〇
[0210] 作為對薄膜的表背面賦予溫度差的方法并沒有特別限制，例如可以使不同溫度的輥與薄膜的表面和背面接觸，也可以對設置于表背側的加熱器的溫度賦予差，還可以在薄膜的表背面設置熱風吹出噴嘴并對其溫度賦予差。
[0211]并且，在冷卻至(Tg-20)~(Tg_40)°C的過程中，優(yōu)選在對薄膜表背面賦予溫度差時對傳送張力賦予變動。由此，除了薄膜的表背面上的尺寸收縮差以外，還施加由張力所產生的尺寸差引起的變動，能夠使125°C、40%Rh下的尺寸收縮分布在薄膜面內。
[0212] 張力變動優(yōu)選0.1~5%，更優(yōu)選0.2~3%，進一步優(yōu)選0.3~2%。若張力變動小于 0.1 %，則上述尺寸收縮的分布可能會小于0.01 %，若超過5%，則上述尺寸收縮的分布可能會超過0.3%。
[0213]作為賦予張力變動的方法，能夠通過進行如下變動等來賦予張力變動:對驅動卷取輥的馬達的轉矩賦予變動的縱向的變動;或者對傳送輥的表面粗糙度賦予分布(能夠通過表面的研磨來實現(xiàn))并對薄膜與輥之間的摩擦賦予變動的寬度方向的變動。
[0214]就張力變動而言，橫向（TD)變動是指測定沿寬度方向10分割的切口的張力，從10 點的最大值減去最小值，并除以I 〇點的平均值而得到的值用百分比表示的值，縱向（MD)變動是指在寬度方向中央部測量1分鐘張力，從最大值減去最小值，并除以1分種的平均值而得到的值用百分比表示的值。
[0215](透明導電膜）
[0216] 本發(fā)明的透明薄膜可以用于透明導電膜。透明導電膜具有導電層及作為透明樹脂薄膜的本發(fā)明的透明薄膜。導電層可以形成為層狀，但優(yōu)選以具有間斷部的方式形成。間斷部是指未設置導電層的部分，優(yōu)選間斷部的外周被導電層包圍。本發(fā)明中，將以具有間斷部的方式形成導電層還稱為以圖案狀或網(wǎng)眼狀形成導電層。作為導電層，例如可以例示出日本特開2013-1009號公報、日本特開2012-216550號公報、日本特開2012-151095號公報、日本特開2012-25158號公報、日本特開2011-253546號公報、日本特開2011-197754號公報、日本特開2011-34806號公報、日本特開2010-198799號公報、日本特開2009-277466號公報、日本特開2012-216550號公報、日本特開2012-151095號公報、國際公開2010/140275號小冊子、國際公開2010/114056號小冊子中所記載的導電層。
[0217] 本發(fā)明中所使用的導電層更優(yōu)選含有銀和親水性樹脂。作為水溶性樹脂，例如可以舉出明膠、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、淀粉等多糖類、纖維素及其衍生物、聚環(huán)氧乙烷、聚乙烯胺、殼聚糖、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、羧基纖維素等。它們通過官能團的離子性而具有中性、陰離子性、陰離子性的性質。這些之中尤其優(yōu)選的是明膠。
[0218] 并且，本發(fā)明中所使用的導電層可以使用有機性(例如多硫醇等導電性樹脂）、無機性(例如ITO等半導體、金、銀、銅等金屬)導電層，在這些之中，優(yōu)選導電性較高的無機性，更優(yōu)選金屬。
[0219] 作為使用導電性樹脂的導電層，可以使用WOl2/061967號、W02012/120949號、 W02011/105148號、W02011/093332號、W02010/092953號、W02006/070801號、日本專利 53663953號、日本專利5298491號等中所記載的導電層。
[0220] 作為使用無機半導體的導電層，可以使用W02013/175807號、W02013/111672號、 W02013/105654 號、W02013/099736 號、W02012/074021號、日本專利5213694號、日本專利 5118309號、日本專利4486715號、日本專利4066132號等中所記載的導電層。
[0221] 作為使用金屬的導電層，可以使用W02013/141275號、W02013/099736號、W02012/ 176407號、W02011/027583號、日本專利5142223號、日本專利5112492號、日本專利4893587 號、日本專利4733184號、日本專利3960850號、日本專利5129711號、日本專利4914309號、日本專利3785086號等中所記載的導電層。
[0222]尤其優(yōu)選在本發(fā)明中所使用的導電層中使用鹵化銀照片感光材料。當使用鹵化銀照片感光材料時，根據(jù)感光材料與顯影處理的方式，導電層的制造方法包含以下三種方式。 [0223] (1)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影來在上述感光材料上形成金屬銀部的方式。
[0224] (2)將在鹵化銀乳劑層中含有物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影來在上述感光材料上形成金屬銀部的方式。
[0225] (3)將不含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料與具有含有物理顯影核的非感光性層的受像片材重疊，并進行擴散轉印顯影來在上述非感光性受像片材上形成金屬銀部的方式。
[0226] 上述（1)的方式為一體型黑白顯影型，在感光材料上形成光透射性導電膜等透光性導電性膜。所得到的顯影銀為化學顯影銀或熱顯影銀，由于是高比表面的細絲，因此在后續(xù)的電鍍或物理顯影過程中活性較高。
[0227] 上述(2)的方式為，在曝光部中，與物理顯影核相近的鹵化銀粒子被溶解而在顯影核上沉積，由此在感光材料上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。該方式也是一體型黑白顯影型。由于顯影作用是在物理顯影核上的析出，因此是高活性，而顯影銀是比表面較小的球形。
[0228] 上述(3)的方式為，在未曝光部中，鹵化銀粒子被溶解并擴散，在受像片材上的顯影核上沉積，由此在受像片材上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。該方式為所謂的分離型，是將受像片材從感光材料剝離而使用的方式。
[0229] 任何方式都可以選擇負型顯影處理及反轉顯影處理中的任意一種顯影，另外，在擴散轉印方式的情況下，通過使用自動正型（auto positive type)感光材料作為感光材料，能夠進行負型顯影處理。
[0230] 在此所說的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、擴散轉印顯影的含義如本行業(yè)中通常使用的術語中所述，照片化學的一般教科書例如菊地真一著"照片化學"（KY0RITSU SHUPPAN CO. ,LTD.，1955 年發(fā)行）、C.E.K.Mees 編"The Theory of Photographic Processes,4th ed."（Mcmillan公司，1977年發(fā)行）中作了解說。本案為涉及液體處理的發(fā) 明，但也可以參考適用熱顯影方式作為其他顯影方式的技術。例如，可以適用日本特開 2004-184693號、日本特開2004-334077號、日本特開2005-010752號的各公報、日本特愿 2004-244080號、日本特愿2004-085655號公報的各說明書中所記載的技術。
[0231] 本發(fā)明中成為導電層的銀鹽乳劑層除了銀鹽和粘結劑以外，還可以含有溶劑或染料等添加劑。作為銀鹽，可以舉出鹵化銀等無機銀鹽及乙酸銀等有機銀鹽。本發(fā)明中，優(yōu)選使用作為光傳感器的特性優(yōu)異的鹵化銀。
[0232] 銀鹽乳劑層的形成中所使用的溶劑并沒有特別限定，例如可以舉出水、有機溶劑 (例如，甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲酰胺等酰胺類、二甲基亞砜等亞砜類、乙酸乙酯等酯類、醚類等）、離子性液體及它們的混合溶劑。
[0233] 在銀鹽乳劑層上可以設置保護層。本發(fā)明中，保護層是指由明膠或高分子聚合物這樣的粘結劑構成的層，為了顯現(xiàn)出防止擦傷以及改進力學特性的效果而形成于具有感光性的銀鹽乳劑層上。其厚度優(yōu)選為〇.5μπι以下。保護層的涂布方法及形成方法并沒有特別限定，可以適當選擇公知的涂布方法及形成方法。例如，關于保護層，可以參考日本特開2008-250233號公報等的記載。
[0234] 導電層可以賦予至透明薄膜的整面，也可以圖案化為細線等。若進行圖案化，則容易得到較高的透明性，因此優(yōu)選，從透明性、導電性優(yōu)異的角度考慮，尤其優(yōu)選用Ag進行圖案化。Ag富有柔軟性，即使形成于上述凹凸上，也不易斷線，因此優(yōu)選。
[0235] Ag配線中，更優(yōu)選由鹵化銀形成的配線。通過曝光進行圖案化，因此容易細線化，容易受到基于上述表面凹凸的模糊效果，能夠進一步提高透明性。作為由鹵化銀形成的Ag 配線，例如可以舉出日本特開2012-234659號公報、日本特開2012-230665號公報、日本專利 5347037號、日本特開2012-230664號公報、W02012/098992號、日本特開2012-221891號公報、日本特開2012-218402號公報、日本特開2012-198879號公報、W02012/121064號、日本特開2012-194887號公報、日本專利5345980號、日本特開2012-6377號公報、日本特開2012-4042號公報、日本特開2009-259479號公報、日本特開2006-352073號公報等。
[0236] 作為細線寬度，優(yōu)選0.1~50μπι，更優(yōu)選0.3~30μπι，進一步優(yōu)選0.515μπι。若細線寬度小于Ο.?μπι，則細線有可能容易斷裂，若超過50μπι，則有可能難以顯現(xiàn)基于上述表面凹凸的模糊效果。
[0237] 另外，本發(fā)明中，也可以設置下涂層或抗靜電層這樣的其他功能層。作為下涂層，可以適用日本特開2008-250233號公報的[0021]~[0023]段落的下涂層。并且，作為抗靜電層，可以適用日本特開2008-250233號公報的[0012]、[0014]~[0020]段落的抗靜電層。
[0238] (觸摸面板）
[0239] 本發(fā)明的透明導電膜可以在觸摸面板中進行使用。
[0240] 具有本發(fā)明的透明導電膜的觸摸面板并沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當選擇，例如可以舉出表面型靜電電容方式觸摸面板、投影型靜電電容方式觸摸面板、電阻膜式觸摸面板等。另外，觸摸面板包含所謂的觸摸傳感器及觸摸板。觸摸面板中的觸摸面板傳感器電極部的層結構可以是貼合2片透明電極的貼合方式、在1片基板的兩面具備透明電極的方式、一面跳線或通孔方式或者一面層疊方式中的任意一種方式。并且，投影型靜電電容式觸摸面板中，與DC驅動相比，優(yōu)選AC驅動，更優(yōu)選對電極的施加電壓時間較少的驅動方式。
[0241] (防反射膜）
[0242] 本發(fā)明的透明薄膜可以用作防反射膜的支撐體。在如液晶顯示裝置(LCD)那樣高清晰、高品質化的圖像顯現(xiàn)裝置的情況下，優(yōu)選使用除了上述防塵性以外還用于防止顯示面上由外光的反射所引起的對比度下降及圖像的反射眩光的透明且具有抗靜電性能的防反射膜。
[0243] (偏振片）
[0244] 本發(fā)明的透明薄膜可以在偏振片中進行使用。本發(fā)明的偏振片具有偏振器及設置于上述偏振器的兩側的保護膜，其中，作為上述保護膜的至少一個，可以使用本發(fā)明的透明薄膜。透明薄膜的與具有光散射層或防反射層的一側相反側的透明支撐體的表面即與偏振器貼合的一側的表面相對于水的接觸角優(yōu)選在10~50度的范圍。例如，可以在本發(fā)明的透明薄膜的一面設置粘合層并配置于顯示器的最表面。
[0245] (顯示裝置）
[0246] 本發(fā)明的透明薄膜或具有上述本發(fā)明的透明薄膜的偏振片可以用于液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示器面板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)或陰極管顯示裝置(CRT)等各種顯示裝置。本發(fā)明的透明薄膜或偏振片優(yōu)選配置于圖像顯示裝置的顯示畫面的視覺辨認側。
[0247] (液晶顯示裝置）
[0248]本發(fā)明的透明薄膜或偏振片尤其優(yōu)選使用于液晶顯示裝置等顯示器的最表層。液晶顯示裝置具有液晶單元及配置于其兩側的兩片偏振片，液晶單元在兩片電極基板之間載持有液晶。另外，有時光學各向異性層在液晶單元與一個偏振片之間配置有一片、或者在液晶單元與兩個偏振片之間配置有兩片。
[0249]液晶單元優(yōu)選為TN模式、VA模式、OCB模式、IPS模式或ECB模式。
[0250] TN模式的液晶單元中，未施加電壓時，棒狀液晶性分子實質上水平取向，并且以60 ~120°扭曲取向。
[0251] TN模式的液晶單元最常用作彩色TFT液晶顯示裝置，在多數(shù)文獻中有記載。
[0252] VA模式的液晶單元中，未施加電壓時，棒狀液晶性分子實質上垂直取向。
[0253] VA模式的液晶單元中，除了（1)使棒狀液晶性分子在未施加電壓時實質上垂直取向、在施加電壓時實質上水平取向的狹義的VA模式的液晶單元（記載于日本特開平2-176625號公報）以外，還包括(2)為了擴大視角，將VA模式多域化的(MVA模式的）液晶單元 (記載于SID97、Digest of Tech.Papers(預稿集）28(1997)845)、（3)使棒狀液晶性分子在未施加電壓時實質上垂直取向、施加電壓時扭曲多域取向的模式(n-ASM模式）的液晶單元 (記載于日本液晶討論會的預稿集58~59(1998))及(4)SURVAIVAL模式的液晶單元(在LCD International 98中發(fā)表）。
[0254] OCB模式的液晶單元為使棒狀液晶性分子在液晶單元的上部和下部實質上沿相反方向（對稱地)取向的彎曲取向模式的液晶單元，其公開于美國專利第4583825號、美國專利 5410422號的各說明書中。由于棒狀液晶性分子在液晶單元的上部和下部對稱地取向，因此彎曲取向模式的液晶單元具有自光學補償功能。因此，該液晶模式被稱作〇CB(Optically Compensatory Bend)液晶模式。彎曲取向模式的液晶顯示裝置具有響應速度較快的優(yōu)點。
[0255] IPS模式的液晶單元是在向列型液晶上施加橫向電場來進行轉換的方式，其詳細內容記載于Proc. IDRC(Asia Display'95)，ρ·577-580及Proc. IDRC(Asia Display'95)， p.707-710 中。
[0256] ECB模式的液晶單元在未施加電壓時棒狀液晶性分子實質上水平取向。ECB模式是具有最簡單結構的液晶顯示模式之一，其詳細內容例如記載于日本特開平5-203946號公報中。
[0257] <等離子體顯示器面板(PDP) >
[0258]等離子體顯示器面板(PDP)-般由氣體、玻璃基板、電極、電極引線材料、厚膜印刷材料及熒光體構成。玻璃基板為前面玻璃基板和背面玻璃基板這兩片。在兩片玻璃基板上形成電極和絕緣層。在背面玻璃基板上還形成熒光體層。將兩片玻璃基板裝配在一起，并在其之間封入氣體。
[0259]等離子體顯示器面板(PDP)可以使用已經(jīng)市售的等離子體顯示器面板。關于等離子體顯不器面板，在日本特開平5-205643號、日本特開平9-306366號的各公報中有記載。 [0260]有時將前面板配置于等離子體顯示器面板的前面。為了保護等離子體顯示器面板，前面板優(yōu)選具備充分的強度。前面板即可以與等離子體顯示器面板保持間隙進行使用，也可以直接貼合于等離子體顯示器主體來進行使用。
[0261] 如等離子體顯示器面板這樣的圖像顯示裝置中，可以將濾光器直接貼合于顯示器表面。并且，當在顯示器前設有前面板時，也可以在前面板的表側(外側)或背側（顯示器側）貼附濾光器。
[0262] <有機EL元件>
[0263] 本發(fā)明的透明薄膜可以用作有機EL元件等的基板(基材薄膜)或保護膜。當將本發(fā) 明的薄膜用于有機EL元件等時，可以應用日本特開平11-335661號、日本特開平11-335368 號、日本特開2001-192651號、日本特開2001-192652號、日本特開2001-192653號、日本特開 2001-335776號、日本特開2001-247859號、日本特開 2001-181616號、日本特開2001-181617 號、日本特開2002-181816號、日本特開2002-181617號、日本特開2002-056976號等各公報中所記載的內容。并且，優(yōu)選一并使用日本特開2001-148291號、日本特開2001-221916號、日本特開2001-231443號各公報中所記載的內容。
[0264] 實施例
[0265] 以下，舉出實施例和比較例對本發(fā)明的特征進一步進行具體的說明。以下實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理步驟等只要不脫離本發(fā)明的宗旨，則可以適當變更。因此，本發(fā)明的范圍不應通過以下所示的具體例作限定性解釋。
[0266] (l)Rth、Rth面內分布的測定方法
[0267] <Rth>
[0268] 使用Oji Scientific Instruments Co. ,Ltd.制KOBRA 21ADH或WR，在光線波長 550nm下進行測定。通過如下求出：一點點改變入射光線與薄膜面的角度，測定各角度下的相位差值，并通過利用公知的折射率橢球公式進行曲線擬合來求出作為三維折射率的nx、 ny、nz，并代入Rth= {(nx+ny)/2-nz} X d中。此時，需要薄膜的平均折射率，其另行使用阿貝折射儀(ATAGO CO .，LTD.制，商品名"阿貝折射儀2-T"）來測定。
[0269] 將如此求出的Rth如下以100μπι標準化。
[0270] 以 100μπι 標準化的 Rth=(實測的 Rth)/(厚度(μπΟ/100)
[0271] <Rth面內分布>
[0272]在從30 X 20cm的樣品薄膜中任意選擇的10點上，利用上述方法測定Rth，并由下述式求出Rth的面內分布。
[0273] Rth面內分布（％ ) = 100 X (最大值-最小值)/平均值 [0274] (2)玻璃化轉變溫度(T)
[0275] 使用TAInstruments制2920型DSC，在升溫速度10°C/分鐘下如下進行測定。
[0276] 在氮氣氛下，將樣品薄膜由室溫以20°C/分鐘升溫至300°C之后，取出樣品，浸泡于液氮中進行冷卻。取出樣品并恢復至室溫之后，在氮氣氛下，一邊以10°c/分鐘由30°C升溫至300 °C -邊進行測定，求出臨界點作為玻璃化轉變溫度。
[0277] (3)25°C的平衡含水率(Y)
[0278] 將樣品薄膜在25 °C的純水中浸漬一夜之后，從其中取出并迅速擦拭表面的水分后，使用卡爾費休水分測定儀(KYOTO ELECTRONICS MANUFACTURING CO. ,LTD.制，MKC-520) 在氣化溫度120°C下進行水分測定。
[0279] (4)125°C、40%Rh下的尺寸收縮率、尺寸收縮率(尺寸率)的分布
[0280] 將長邊與縱向(MD)平行的樣品(MD樣品）和長邊與橫向（TD)平行的樣品（TD樣品）從任意部位以25cm X 5cm切出各10片。
[0281] 將各樣品在25°C、60%Rh下放置一夜之后，開設20cm間隔的孔，使用銷規(guī)進行測長 (設為L1)。
[0282] 按下述要領，向設定為125°C、40%Rh的恒溫恒濕槽中將上述樣品在無張力下放入 10分鐘之后取出。另外，為了設定為125°C、40%Rh，向設定為125°C的空氣恒溫槽中導入125 °C的飽和加壓水蒸氣，通過調整其導入量來實現(xiàn)125°C、40%Rh。
[0283] 在25°C、60%Rh下放置一夜之后，使用銷規(guī)進行測長(設為L2)。
[0284] 對于各樣品，由下述式求出尺寸收縮率，將MD、TD合計20個樣品的平均值設為本發(fā) 明的"尺寸收縮率"。
[0285] 尺寸收縮率（％) = 100X |L2_L1 |/L1
[0286] (上述式中，I I表示絕對值）
[0287] 在MD、TD的每一方向上，由下述式求出尺寸收縮的分布，將較大的值設為尺寸收縮率的分布。
[0288] 尺寸收縮率的分布（％ )=(尺寸收縮率的最大值)_(尺寸收縮率的最小值）
[0289] (5)抗折次數(shù)、抗折次數(shù)的面內分布
[0290] <抗折次數(shù)>
[0291] 按照JIS P8115,通過MIT試驗機進行折彎試驗。
[0292] <抗折次數(shù)的面內分布>
[0293] 就上述測定而言，對MD、TD各測定10點。
[0294] 在MD、TD的每一方向上，利用下述式求出分布(MD分布、TD分布），將MD分布與TD分布的平均值設為抗折次數(shù)的分布。
[0295] 抗折次數(shù)的MD分布（％ ) = 100 X (MD的最大值-MD的最小值)/(MD 10點的平均值）
[0296] 抗折次數(shù)的TD分布（％ ) = 100 X (TD的最大值-TD最小值)/(TD 10點的平均值）
[0297] (6)總透光率
[0298] 使用霧度計（NDH 2000Nippon Denshoku Industries Co. ,Ltd.制）進行測定。
[0299] (7)剪斷切肩
[0300] 對于樣品薄膜，用Thomson刀片沖孔出10片一邊為IOcm的正方形，在黑紙上使勁摩擦剪斷的四邊，并肉眼計數(shù)從樣品剝離的白色粉末的個數(shù)。
[0301] (8)異物
[0302]在任意選擇的25cmX 25cm的薄膜上，肉眼評價16片中的異物的數(shù)量，將其總和設為Im2中的異物的個數(shù)。
[0303] (9)導電層的電阻的上升(加熱后的電阻的增加率）
[0304] 利用下述方法（電阻測定法）測定透明導電層的初期電阻（Ω1)。將其在125°C、 40%Rh下暴露10分鐘之后，恢復至室溫后，測定電阻（Ω 2)，并由下述式求出電阻增加率。
[0305] 電阻增加率（％) = 100Χ( Ω2-Ω 1)/Ω 1
[0306] 電阻測定法:使用Mitsubishi Analytech Co. ,LtcL制L0RESTA(使用串聯(lián)4探針探頭)來測定導電膜的任意10點，并求出其平均值。若產生龜裂則電阻增加率上升，也成為龜裂的標準。
[0307] (10)導電配線的可見性(配線可見性）
[0308] 如后述裝配觸摸面板之后，肉眼觀察透明導電層的配線，進行0~4的5階段評價。
[0309] 0:完全不會被視覺辨認到
[0310] 1:在強制條件(高亮度照明下)下稍微被視覺辨認到
[0311] 2:稍微能視覺辨認到。
[0312] 3:觀看觸摸面板的人數(shù)的一半以上能視覺辨認到
[0313] 4:明顯能視覺辨認到。
[0314] 實施例中，以下略語分別表示以下的化合物、樹脂。
[0315] Topas-6013:環(huán)狀稀經(jīng)類樹脂(Polyplastics Co. ,Ltd.制）
[0316] Topas-6015:環(huán)狀稀經(jīng)類樹脂(Polyplastics Co. ,Ltd.制）
[0317] Topas-6017:環(huán)狀稀經(jīng)類樹脂(Polyplastics Co. ,Ltd.制）
[0318] PC:聚碳酸酯（Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation制，IUPIL0N) [0319] PEI:聚醚酰亞胺（SABIC公司制，ULTEM)
[0320] PAr:聚芳酯（Unitika Limited.制，U Polymer)
[0321] PSt:聚苯乙烯(PSJ公司，聚苯乙烯HF77)
[0322] PMMA:聚甲基丙稀酸酯(Mitsubishi Rayon Co· ,Ltd.制，ACRYPET)
[0323] PEN:聚萘二甲酸乙二酯，按照日本特開平8-160565號公報的實施例1進行聚合
[0324] C0C-3:降冰片烯聚合物，按照W02009/139293的制造實施例1進行聚合
[0325] C0C-2:降冰片烯聚合物，按照W02009/139293的制造實施例1進行聚合，其中將甲苯中的降冰片烯濃度設為35質量％。
[0326] C0C-1:降冰片烯聚合物，按照W02009/139293的制造實施例1進行聚合，其中將甲苯中的降冰片烯濃度設為32質量％。
[0327] PSf:(聚諷，Solvay Advanced Polymers ,LLC.制，UDEL P-3500)
[0328] 改性聚碳酸酯(改性PC):日本特開2002-328614的比較例1的樹脂
[0329] [表 2]

L0331J 透明薄膜的制作：實施例1~63及比較例1~11
[0332] < 干燥 >
[0333] 干燥各實施例及各比較例中所使用的樹脂。另外，當使用所使用的樹脂的玻璃化轉變溫度(T)為130 °C以上的樹脂時，在110 °C下干燥3小時，玻璃化轉變溫度(T)小于130 °C 的樹脂則在Tg_20°C下干燥8小時。
[0334] <熔融擠出>
[0335] 用錐板粘度計預先測定各實施例及各比較例中所使用的樹脂的熔融粘度，在剪斷速度為IOs^1下求出粘度成為1000 Pa · s的溫度，將其設為MT。
[0336] 使用料筒溫度設定為MT的單螺桿擠出機進行混煉，將其用篩眼進行粗過濾之后，通過齒輪栗、過濾器(孔徑3μπι)及靜態(tài)混合器引導至T型模頭。另外，在T型模頭內部遍及整個寬度設置下述表3及表4中所記載的階梯差，對向T型模頭的樹脂的供給量賦予下述表3及表4中所記載的擠出變動。
[0337] <流延（cast) >
[0338] 從T型模頭將樹脂向調溫成各實施例及各比較例中所使用的樹脂的（Tg-IO)tC的流延鼓上擠出并使其固化，從而形成薄膜。另外，T型模頭等的具體條件如下設定。
[0339] ?在T型模頭上設置分割的加熱器，通過改變輸出將T型模頭的平均溫度設定為與擠出溫度相同的溫度來賦予下述表3及表4中所記載的溫度分布。
[0340] ?將T型模頭的模唇間隙變動設為下述表3及表4中所記載的比例（％ )。
[0341] ?將T型模頭出口的樹脂的擠出速度(Vd)與流延鼓的速度（圓周速度）(Vc)之比設定為如下述表3及表4所記載。
[0342] ?通過用設置于流延輥的相反面上的接觸輥夾住所擠出的各實施例及各比較例中所使用的樹脂來校正模頭劃痕(die line)等凹凸。
[0343] ?冷卻通過在流延輥的后方設置設為了8-15°(：(第2輥）38-20°(：(第3輥）38-40 1€ (第4輥)的輥、并在之上傳送薄膜來進行。在第2輥與第3輥之間設置熱風吹出口，并在第3輥與第4輥之間表背賦予下述表中所記載的溫度差，并且如表3及表4所記載那樣設定從Tg-20 °C (第3輥)至Tg-40°C (第4輥）的張力變動。
[0344] 在卷取薄膜之前，左右各修整50mm，在自兩端I cm的部位賦予滾花，并在一面貼上 20mi的層壓膜，卷取寬度1.5m長、長度1500m。如此制作各實施例及各比較例的制膜薄膜。
[0345] 透明薄膜的制作:實施例101
[0346] 將薄膜的厚度設為30μπι，除此以外，與實施例2同樣地制作實施例101的透明薄膜。
[0347] 透明薄膜的制作:實施例102~107
[0348] 在實施例2中，將制膜薄膜在表5中所記載的條件下如下進行拉伸，進而如表5所記載那樣設定薄膜的厚度，除此以外，與實施例2同樣地制作實施例102~107的透明薄膜。
[0349] 透明薄膜的制作:實施例108~112
[0350] 在實施例1中，將制膜薄膜在表5中所記載的條件下如下進行拉伸，進而如表5所記載那樣將薄膜的厚度設為160μπι，除此以外，與實施例1同樣地制作實施例108~112的透明薄膜。
[0351] 透明薄膜的制作:實施例113~119
[0352] 在實施例3中，將制膜薄膜在表5中所記載的條件下如下進行拉伸，進而如表5所記載那樣將薄膜的厚度設為112ym，除此以外，與實施例3同樣地制作實施例113~119的透明薄膜。
[0353] 透明薄膜的制作：比較例12及實施例120
[0354] 通過日本特開2011-43628號公報的實施例1中所記載的方法制作薄膜，并在表5中所記載的條件下如下進行拉伸來制作比較例12及實施例120的透明薄膜。比較例12及實施例120中所使用的樹脂的T為180 °C，Y為0.02 %。
[0355] < 拉伸 >
[0356]對制膜薄膜剝下層壓膜后，一邊送出一邊在表中所記載的樹脂的Tg+20°C下縱向 (MD)拉伸后，進行橫向（TD)拉伸。
[0357] 在MD拉伸中，對出口側夾持輥的轉速賦予變動，在TD拉伸中，對在拉幅機內進行傳送的卡盤的驅動馬達的轉速賦予變動，由此對拉伸速度賦予下述表中所記載的變動。
[0358] 拉伸后，對于從拉幅機送出的薄膜，在Tg_20°C~Tg-40°C期間，通過設置于薄膜的表背面的IR加熱器對薄膜賦予溫度差。
[0359]拉伸后，左右各修整80mm，在自兩端Icm的部位賦予滾花，并在一面貼上20μηι的層壓膜，卷取長度1500m。如此制作制膜薄膜。
[0360] (評價）
[0361] 將上述實施例及比較例中形成的薄膜的玻璃化轉變溫度(T)及25°C下的平衡含水率(Y)示于表3及表4中。
[0362] 對于上述實施例及比較例中形成的薄膜，利用上述方法測定Rth、Rth面內分布、 125°C、40%Rh下的尺寸率分布、抗折次數(shù)、抗折次數(shù)面內分布、125°C、40%Rh下的尺寸收縮率、總透光率、剪斷切肩及異物，并示于表6至表8中。
[0363](透明導電膜的制作）
[0364] 在實施例1~60、63、101~120及比較例1~12的透明薄膜上如下形成導電層 (AgX) 0
[0365] <下涂層涂布>
[0366] 在如上制膜的實施例及比較例的透明薄膜的一面進行電暈處理之后，涂設第一下涂層、第二下涂層。第一下涂層、第二下涂層的組成及涂布方法如日本特開2010-256908號公報的[0117]~[0120]段落中所記載。
[0367] (含有水溶性樹脂和銀的導電層的形成）
[0368] 在上述下涂層上涂設下述鹵化銀感光材料來制作透明導電膜。
[0369] <鹵化銀感光材料>
[0370]制備相對于水介質中的Ag 150g而言含有明膠10.Og且含有球當量直徑平均0. Ιμπι 的碘溴氯化銀粒子（I = 〇. 2摩爾％，Br = 40摩爾％ )的乳劑。另外，在該乳劑中以濃度成為 HT7(摩爾/摩爾銀）的方式添加 K3Rh2Br^K2IrCl6,并對溴化銀粒子摻雜Rh離子和Ir離子。在該乳劑中添加 Na2PdCl4，還使用氯金酸和硫代硫酸鈉進行金硫增感之后，與明膠硬膜劑一起以銀的涂布量成為l〇g/m2的方式涂布于透明樹脂膜的上述下涂層上。此時，Ag:明膠的體積比設為2:1。
[0371] 以0.7m的寬度進行500m量的涂布，并以涂布的中央部殘留0.5m的方式切掉兩端，從而得到卷狀的鹵化銀感光材料。
[0372] < 曝光 >
[0373]按照日本專利4820451號的圖1所示的圖案來形成曝光的圖案。將小格子18的排列間距Ps設為200μπι，將中格子20a~h的排列間距Pm設為2 XPs。并且，將小格子的導電部的厚度設為2μπι。將掩模調整為線寬成為如表所記載。就曝光而言，經(jīng)由上述圖案的光掩模，使用將高壓汞燈作為光源的平行光來進行曝光。
[0374] 并且，還按照日本專利4820451號的圖5來形成導電圖案，得到了相同的結果。
[0375] <顯影處理>
[0376] 顯影液IL的配方如下所述。對苯二酚 20g 亞硫酸鈉 50g 碳酸鉀 40g
[0377] 乙二胺·四乙酸 2g 溴化鉀 3g 聚乙二醇2000 Ig 氫氧化鉀 4g:
[0378] pH調牿為10玉
[0379] 定影液IL的配方如下所述。硫代硫酸銨溶液（75%) 300ml 亞硫酸銨·一水合物 25g: 1,3-二氨基丙烷·四乙酸％
[0380] 乙酸 _5g 氨水（27%) Ig pH調整為6.2.
[0381 ] 使用上述處理劑，將結束曝光的感光材料使用FujifiIm Corporation制自動顯影機FG-71 OPTS，在處理條件：顯影35 °C、30秒、定影34 °C、23秒、水洗、流水(5L/分鐘）下進行20 秒處理。
[0382](透明導電膜的制作）
[0383] 在實施例62的透明薄膜上如下形成導電層（ITO)。
[0384] 在包含透明薄膜及ITO透明導電層的ITO基板的ITO透明導電層上，以負型光致抗蝕劑方式形成蝕刻掩模材，并浸漬于溶解ITO的蝕刻液中，由此形成具備檢測電極的導電膜。以下示出各工序的步驟。
[0385] <抗蝕劑圖案化(蝕刻掩模材賦予)工序>
[0386]在ITO透明導電層表面上以干燥膜厚成為5μπι的方式棒涂后述的感光性組合物 (1)，并在150°C的烘箱中干燥5分鐘。對于該基板，從曝光玻璃掩模上以400mJ/cm2(照度 50mW/cm 2)照射高壓汞燈i射線(365nm)來進行曝光。
[0387] 用1 %氫氧化鈉水溶液(35°C)對曝光后的基板進行60秒鐘的淋浴顯影。淋浴壓力為0.08MPa，直至出現(xiàn)條紋圖案為止的時間為30秒鐘。通過純水的淋浴進行沖洗之后，在50 °C下干燥1分鐘，從而制作帶抗蝕劑圖案的導電性部件。
[0388] 另外，曝光玻璃掩模使用能夠形成靜電電容式觸摸面板傳感器的檢測電極的掩模。另外，圖案化的導電配線的線寬記載于表中。
[0389] <蝕刻工序>
[0390] 將帶抗蝕劑圖案的導電性部件浸漬于ITO用蝕刻液中。在調整為35 °C的蝕刻液中浸漬2分鐘來進行蝕刻處理，通過純水的淋浴進行沖洗之后，利用氣刀吹散樣品表面的水，并在60°C下干燥5分鐘，從而制作帶抗蝕劑圖案的圖案狀導電性部件。
[0391] <抗蝕劑剝離工序>
[0392]用保溫為35°C的2.38%四甲基氫氧化銨水溶液，對蝕刻后的帶抗蝕劑圖案的圖案狀導電性部件進行75秒鐘的淋浴顯影。淋浴壓力為3.OMPa。通過純水的淋浴進行沖洗之后，利用氣刀吹散樣品表面的水，并在60 °C下干燥5分鐘，從而制作導電膜。
[0393] 另外，作為導電膜，改變檢測電極的圖案來制作2片導電膜(第1導電膜、第2導電膜）。第1導電膜的檢測電極為沿X方向延伸的電極(長度：170mm)，為32條。并且，第2導電膜的檢測電極為沿Y方向延伸的電極(長度:300mm)，為56條。
[0394] <感光性組合物（1)的制備>
[0395] 使用MAA(甲基丙烯酸;7.79g)、BzMA(甲基丙烯酸芐酯;37.21g)作為構成共聚物的單體成分，并使用AIBN(2,2'_偶氮雙(異丁腈）；0.5g)作為自由基聚合引發(fā)劑，使它們在溶劑PGMEA(丙二醇單甲醚乙酸酯;55.OOg)中進行聚合反應，由此得到下述式所表示的粘結劑 (A-1)的PGMEA溶液(固體成分濃度:45質量％ )。另外，聚合溫度調整為溫度60°C至100°C。
[0396] 使用凝膠滲透色譜法(GPC)測定分子量的結果，基于聚苯乙烯換算的重均分子量 (Mw)為30,000，分子量分布(]\^/]\111)為2.21。
[0397] [化學式3]
[039?
[0399」加入粘結劑(A-I)3.80質量份（固體成分40.0質量％，PGMEA溶液）、作為感光性化合物的KAYARAD DPHA(Nippon Kayaku Co. ,LtcL制）1.59質量份、作為光聚合引發(fā)劑的 IRGACURE379(Ciba Specialty Chemicals Inc.制）0.159質量份、作為交聯(lián)劑的EHPE-3150 (Daicel Corporation制）0.150質量份、Megafac F781F(DIC Corporation制）0.002質量份、以及PGMEA 19.3質量份并進行攪拌，從而制備感光性組合物(1)。
[0400] <周邊配線的形成>
[0401] 與上述通過圖案化而形成的導電膜中的檢測電極連接的引出配線（周邊配線）如下進行制作。即，利用網(wǎng)版印刷機印刷銀漿料(D0TITE FA-401CA，F(xiàn)UJIKURA KASEI C0.， LTD.制)之后，通過130°C、30分鐘的退火處理進行固化，從而形成周邊配線。
[0402] 另外，網(wǎng)版印刷版使用能夠形成靜電電容式觸摸面板用周邊配線的印刷版。
[0403](透明導電膜的制作）
[0404]在實施例61的透明薄膜上如下形成導電層(Ag纖維）。
[0405] 按照W02013/141275的實施例、透明導電層疊體1進行制備。其中，導電膜的配線的寬度調整為表中所記載的值。
[0406] 關于上述中制作的透明導電膜，將評價導電層的電阻的上升(加熱后的電阻的增加率)及導電配線的可見性(配線可見性）的結果示于表6~8。
[0407] [表3]

記載的液晶顯示裝置、日本特開平9-26572號公報的實施例1中所記載的含有盤狀液晶分子的光學各向異性層、涂布有聚乙烯醇的取向膜、日本特開2000-154261號公報的圖2~9中所記載的20英寸VA型液晶顯示裝置、日本特開2000-154261號公報的圖10~15中所記載的20 英寸OCB型液晶顯示裝置的結果，得到了良好的特性。
[0426] 產業(yè)上的可利用性
[0427] 根據(jù)本發(fā)明，能夠得到即使在高濕下長期經(jīng)時也能夠抑制尺寸收縮的透明薄膜、透明導電膜。因此，本發(fā)明的透明薄膜適合使用于觸摸面板、圖像顯示裝置等，產業(yè)上的可利用性較高。
【主權項】
1. 一種透明薄膜，其滿足下述式（1)及式(2)，以厚度?οομπι標準化的表示厚度方向的雙折射的Rth為1~50nm，所述Rth的面內分布為1~50% ; 式（1):130彡T彡200 式(2):0 彡 Υ<0·4 式（1)、式(2)中，Τ表示透明薄膜的玻璃化轉變溫度，Υ表示透明薄膜在25°C下的平衡含水率;玻璃化轉變溫度的單位為°C，平衡含水率的單位為質量％。2. 根據(jù)權利要求1所述的透明薄膜，其中，透明薄膜在125°C、40%Rh下的尺寸收縮的分布為0.01~0.3%。3. 根據(jù)權利要求1或2所述的透明薄膜，其中，抗折次數(shù)的面內分布為3~30%。4. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的透明薄膜，其通過以在模頭出口的樹脂的擠出速度Vd與流延鼓的速度Vc之比成為2~30的方式利用模頭將樹脂流延至流延鼓來進行制造，其中，所述比表示Vc/Vd。5. 根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的透明薄膜，其中，對模頭出口的模唇的間隔即模唇間隙在寬度方向上賦予1 %以上且30%以下的變動來進行制造。6. 根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的透明薄膜，其中，對供給至模頭的樹脂的量賦予 0.1 %以上且10 %以下的時間變動即擠出變動來進行制造。7. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的透明薄膜，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比所述薄膜的玻璃化轉變溫度低20°C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40°C 的溫度期間，對薄膜的表背賦予〇. 1°C以上且10°C以下的溫度差來進行制造。8. 根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的透明薄膜，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比所述薄膜的玻璃化轉變溫度低20°C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40°C 的溫度期間，對薄膜的傳送張力賦予〇. 1 %以上且5%以下的變動來進行制造。9. 根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的透明薄膜，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在所述模頭中賦予0.1mm以上且5mm以下的階梯差來進行制造。10. 根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的透明薄膜，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在所述模頭內賦予〇.5°C以上且20°C以下的溫度差來進行制造。11. 根據(jù)權利要求4至10中任一項所述的透明薄膜，其通過將利用流延而制造的薄膜進一步沿至少一個軸向以1.1~5倍的拉伸倍率拉伸來進行制造。12. -種權利要求1至11中任一項所述的透明薄膜的制造方法，其包括如下工序：以在模頭出口的樹脂的擠出速度Vd與流延鼓的速度Vc之比成為2~30的方式利用模頭將樹脂流延至流延鼓，其中，所述比表示Vc/Vd。13. 根據(jù)權利要求12所述的制造方法，其中，對模頭出口的模唇的間隔即模唇間隙在寬度方向上賦予1%以上且30%以下的變動。14. 根據(jù)權利要求12或13所述的制造方法，其中，對供給至模頭的樹脂的量賦予0.1% 以上且10%以下的時間變動即擠出變動。15. 根據(jù)權利要求12至14中任一項所述的制造方法，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比所述薄膜的玻璃化轉變溫度低20°C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40 °C的溫度期間，對薄膜的表背賦予0.1°C以上且10°C以下的溫度差。16. 根據(jù)權利要求12至15中任一項所述的制造方法，其中，在制膜后將薄膜冷卻至室溫的工序中，在從比所述薄膜的玻璃化轉變溫度低20°C的溫度冷卻至比玻璃化轉變溫度低40 °C的溫度期間，對薄膜的傳送張力賦予0.1 %以上且5%以下的變動。17. 根據(jù)權利要求12至16中任一項所述的制造方法，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在所述模頭中賦予〇. 1mm以上且5mm以下的階梯差。18. 根據(jù)權利要求12至17中任一項所述的透明薄膜，其中，在從模頭擠出樹脂來進行制膜的工序中，在所述模頭內賦予〇.5°C以上且20°C以下的溫度差。19. 根據(jù)權利要求12至18中任一項所述的制造方法，其還包括如下工序:將利用流延而制造的薄膜沿至少一個軸向以1.1~5倍的拉伸倍率進行拉伸。20. -種透明導電膜，其具有權利要求1至11中任一項所述的透明薄膜及導電層。21. 根據(jù)權利要求20所述的透明導電膜，其中，所述導電層由寬度0.1~50μπι的細線形成。22. 根據(jù)權利要求21所述的透明導電膜，其中，所述細線含有Ag。23. 根據(jù)權利要求22所述的透明導電膜，其中，所述含有Ag的細線通過對鹵化銀進行顯影來形成。24. -種觸摸面板，其具有權利要求1至11中任一項所述的透明薄膜或權利要求20至23 中任一項所述的透明導電膜。25. -種防反射膜，其具有權利要求1至11中任一項所述的透明薄膜。26. -種偏振片，其具有權利要求1至11中任一項所述的透明薄膜。27. -種顯示裝置，其具有權利要求1至11中任一項所述的透明薄膜或權利要求26所述的偏振片。
【文檔編號】B32B15/02GK105940328SQ201580006477
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2015年1月29日
【發(fā)明人】橋本齊和, 山本健, 山本健一, 藤卷綾菜
【申請人】富士膠片株式會社

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