原子、氯原子、氰基、甲基或甲氧基取代；
[0074] Z\Z2及Z3分別獨(dú)立地表示單鍵、-(CH2)u_(式中，u表示1~20)、-0CH 2-、-CH20-、_ C00-、-oco-、-CH = CH-、-CF = CF-、-CF2O-、-0CF2-、-CF2CF2-或-c 三 c-，在這些取代基中，非 鄰接的 ch2基中的一個(gè)以上可獨(dú)立地被-〇-、-(：〇-、-(：〇-〇-、-〇-〇)-、-31(〇13) 2-〇^(〇13)2-、-NR-、-NR-C0-、-C0-NR-、-NR-C0-0-、-0-C0-NR-、-NR-C0-NR-、-CH=CH-、-C = C-或-0-C0-0-(式中，R獨(dú)立地表示氫或碳原子數(shù)1至5的烷基)取代；
[0075] X 為-〇-、-NR_ 或亞苯基；
[0076] Rb為聚合性基團(tuán)、烷氧基、氰基或碳原子數(shù)1~12個(gè)的氟化烷基；
[0077] m為〇、1 或2;
[0078] Mb及Md分別獨(dú)立地可相同也可不同，表示以下的通式(U-1)~(U-13)中的任1種單 體單位，
[0079][化6]
[0081 ](上述通式(U-l)~（U-10)中，虛線表示向Sp或一價(jià)有機(jī)基團(tuán)的鍵合;立地表 示氫原子、碳原子數(shù)1至5的烷基、苯基、鹵素原子，各結(jié)構(gòu)中的任意的氫原子也可被氟原子、 氯原子、甲基、苯基、甲氧基取代；
[0082] 上述通式(U-11)~(U-13)中，虛線表示向Sp的鍵合;R1表示四價(jià)環(huán)結(jié)構(gòu);R 2表示三 價(jià)有機(jī)基團(tuán);R3表示氫原子、羥基、碳原子數(shù)1~15個(gè)的烷基、碳原子數(shù)1~15個(gè)的烷氧基）；
[0083] y及w表示共聚物的摩爾分?jǐn)?shù)，0<yS 1且〇Sw<l ;n表示4~100,000;Mb及Md的單體 單位各自獨(dú)立地可為1種也可由2種以上的不同單位構(gòu)成。）
[0084] 作為上述一價(jià)有機(jī)基團(tuán)，由通式(VII)表示。
[0085] [化7]
[0087](式中，虛線表示向Md的鍵合；
[0088] Z4、Z5、Z6 及 Z7 分別獨(dú)立地表示單鍵、-(CH2)u_(式中，u 表示 1 ~20)、-0CH2-、_CH20-、- C00-、-oco-、-CH = CH-、-CF = CF-、-CF2O-、-0CF2-、-CF2CF2-或-c 三 c-，在這些取代基中，非 鄰接的 CH2基中的一個(gè)以上可獨(dú)立地被-〇-、-(：〇-、-(：〇-〇-、-〇-〇)-、-31(013) 2-〇^(013)2-、-NR-、-NR-CO-、-CO-NR-、-NR-C0-0-、-O-CO-NR-、-NR-CO-NR-、-CH=CH-、-C = C-或-0-C0-0-(式中，R獨(dú)立地表示氫或碳原子數(shù)1至5的烷基)取代；
[0089]六3、六4、#及六6分別獨(dú)立地表示選自由
[0090] (a)反式-1，4-亞環(huán)己基(存在于該基團(tuán)中的1個(gè)亞甲基或不鄰接的2個(gè)以上的亞甲 基也可被取代為-〇-、-NH-或-S-)、
[0091] (b) 1，4_亞苯基(存在于該基團(tuán)中的1個(gè)或2個(gè)以上的-CH=也可被取代為-N=)、以 及
[0092] (c) 1，4-亞環(huán)己烯基、2，5-亞噻吩基、2，5-亞呋喃基、1，4-雙環(huán)（2.2.2)亞辛基、萘_ 1，4-二基、萘-2，6-二基、十氫萘-2，6-二基及1，2，3，4-四氫萘-2，6-二基 [0093]所組成的組中的基團(tuán)，上述基團(tuán)（a)、基團(tuán)（b)或基團(tuán)（c)分別未經(jīng)取代，或者一個(gè) 以上的氫原子也可被氟原子、氯原子、氰基、甲基或甲氧基取代；
[0094] rl、sl、tl及ul分別獨(dú)立地表示0或1;
[0095] R12表示氫、氟、氯、氰基或碳數(shù)1~20的烷基，上述烷基中的氫原子也可被氟原子取 代，1個(gè)CH 2基或2個(gè)以上的非鄰接CH2基也可被取代為-〇-、-C〇-〇-、-〇-C〇-及/或-CH=CH-。）
[0096] 此外，作為上述本發(fā)明的通式（1)所表示的光響應(yīng)性二聚合型高分子的優(yōu)選的方 式，優(yōu)選為Z2為單鍵的高分子。
[0097] 本發(fā)明的通式（1)所表示的光響應(yīng)性二聚合型高分子更優(yōu)選為由以下的通式(2) 表不。
[0098] [化8]
[0100] (上述通式(2)中，R21~R24分別獨(dú)立地為氫原子或碳原子數(shù)1~5個(gè)的烷氧基；
[0101] W表示氫原子、氟原子、甲基、甲氧基、乙基或乙氧基，W表示選自由下述通式(W-1) ~(W-8)所組成的組中的至少1種；
[0102] [化9]
[0104] X為6~12的整數(shù)，Y為0~2的整數(shù)。）
[0105]在上述通式(2)中，就利用少的偏光紫外光的照射來確保良好的取向的觀點(diǎn)而言， 作為W，特別優(yōu)選為(W-1)所表示的基團(tuán)。
[0106] 另外，本發(fā)明的烷基及烷氧基優(yōu)選為均為直鏈狀、環(huán)狀或支鏈狀，更優(yōu)選為均為直 鏈狀或支鏈狀。進(jìn)一步，作為本發(fā)明的"烷基"的例子，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、異丙 基、異丁基、叔丁基、3-戊基、異戊基、新戊基、戊基、己基、庚基、辛基等。另外，在本說明書 中，烷基的例子是共通的，可根據(jù)各個(gè)烷基的碳原子數(shù)的數(shù)量適當(dāng)?shù)貜纳鲜隼局羞x擇。
[0107] 本發(fā)明的"烷氧基"的例子優(yōu)選為在上述烷基上直接鍵合有氧原子的基團(tuán)，例如更 優(yōu)選為甲氧基、乙氧基、丙氧基(正丙氧基、異丙氧基）、丁氧基、戊氧基、辛氧基。另外，在本 說明書中，烷氧基的例子是共通的，可根據(jù)各個(gè)烷氧基的碳原子數(shù)的數(shù)量適當(dāng)?shù)貜纳鲜隼?示中選擇。
[0108] 本發(fā)明的液晶取向膜的制造方法的優(yōu)選的一個(gè)方式優(yōu)選為如下的液晶取向膜的 制造方法，其特征在于，包括下述工序:工序(I)，將溶劑及響應(yīng)于光而通過側(cè)鏈彼此的二聚 合來形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)的光響應(yīng)性二聚合型高分子混合，而制備光響應(yīng)性二聚合型高分子溶 液;工序（II)，將上述光響應(yīng)性二聚合型高分子溶液涂布于基板上之后，在50~100°C干燥1 ~3分鐘，進(jìn)一步在120°C~180°C干燥5~75分鐘而形成涂膜；以及工序（III)，將照射200~ 350nm的偏光時(shí)的上述涂膜的溫度調(diào)整為40°C~100°C。
[0109]確認(rèn)到本發(fā)明的制造方法尤其促進(jìn)高分子的二聚合，因此認(rèn)為發(fā)揮錨定力提高的 效果。因此，作為本發(fā)明的光響應(yīng)性高分子，特別優(yōu)選為光響應(yīng)性二聚合型高分子。
[0110]用于上述光響應(yīng)性二聚合型高分子中側(cè)鏈彼此的二聚合的光優(yōu)選為200~350nm， 更優(yōu)選為250~350nm，進(jìn)一步優(yōu)選為250~330nm〇
[0111] 本發(fā)明的光響應(yīng)性分解型高分子優(yōu)選為通過四羧酸二酐與二胺化合物的縮合制 造。
[0112] 作為上述四羧酸二酐，可列舉以下的式(A-1)~式（A-43):



[0127] 以上那樣的化合物中，優(yōu)選為式(A-14)、式（A-15)、式(A-16)、式(A-17)、式(A- 20) 、式以-21)、式以-28)、式（人-29)、式以-30)或式（人-31)，特別優(yōu)選為式以-14)、式（八- 21) 〇
[0128] 作為上述二胺化合物，可列舉以下的式（III-1)~(VIII-17)。


[0137](上述式(VIII-12)中，R1~R1()中的兩個(gè)為伯氨基，其余為氫原子或除伯氨基以外 的一價(jià)有機(jī)基團(tuán)，分別可相同也可不同。）
[0140] 優(yōu)選使用以上所列舉的化合物。
[0141] 此外，關(guān)于上述式（1)~（5)的具備肉桂酸骨架的二胺化合物，由于也可響應(yīng)于光 而進(jìn)行二聚合，故而可優(yōu)選地用作光響應(yīng)性二聚合型高分子。
[0142] 將上述光響應(yīng)性分解型高分子中的分子鏈切斷時(shí)所使用的光優(yōu)選為200~400nm， 更優(yōu)選為200~280nm，進(jìn)一步優(yōu)選為240~280nm〇
[0143] 作為本發(fā)明的光響應(yīng)性異構(gòu)化型高分子，優(yōu)選為通過四羧酸二酐與二胺化合物的 合成而制造，且上述四羧酸二酐化合物與二胺中至少一者具備重氮鍵。
[0144] 作為具備重氮鍵的四羧酸二酐，可列舉以下的式(1-8)所表示的化合物。
[0145] [化 22]
[0147]此外，作為具備重氮鍵的二胺化合物，可列舉以下的式（1-1)~（1-7)所表示的化 合物。
[0150] 因此，作為本發(fā)明的光響應(yīng)性異構(gòu)化型高分子的優(yōu)選的方式，在選擇式（1-1)~ (1-7)作為具備重氮鍵的二胺化合物的情況中，作為四羧酸二酐，優(yōu)選為式（1-8)及式(A-1) ~(A-43)所表示的化合物。另一方面，作為本發(fā)明的光響應(yīng)性異構(gòu)化型高分子的優(yōu)選的方 式，在選擇式(1-8)作為具備重氮鍵的四羧酸二酐的情況中，作為二胺化合物，優(yōu)選為式(I-1)~（1-7)及式（III-1)~(VIII-11)、（I)及（1)~(5)所表示的化合物。
[0151] 在使上述光響應(yīng)性異構(gòu)化型高分子響應(yīng)于光而異構(gòu)化從而相對(duì)于偏光軸大致垂 直地取向時(shí)所使用的光優(yōu)選為200~500nm，更優(yōu)選為300~500nm，進(jìn)一步優(yōu)選為300~ 400nm〇
[0152] 本發(fā)明的光響應(yīng)性分解型高分子的重均分子量?jī)?yōu)選為3000~300000，更優(yōu)選為 5000~100000,進(jìn)一步優(yōu)選為10000~50000,特別優(yōu)選為10000~30000。
[0153] 本發(fā)明的光響應(yīng)性異構(gòu)化型高分子的重均分子量?jī)?yōu)選為10000~800000,更優(yōu)選 為10000~400000,進(jìn)一步優(yōu)選為50000~400000,特別優(yōu)選為50000~300000。
[0154] 本發(fā)明的光響應(yīng)性二聚合型高分子的重均分子量?jī)?yōu)選為5000~800000,更優(yōu)選為 5000~400000,進(jìn)一步優(yōu)選為100000~400000,特別優(yōu)選為100000~300000。
[0155] 該重均分子量(Mw)是由GPC(凝膠滲透層析法，Gel Permeation Chromatography) 測(cè)定的結(jié)果獲得。
[0156] 本發(fā)明的光響應(yīng)性高分子溶液的濃度優(yōu)選為1~20質(zhì)量％，更優(yōu)選為2~10質(zhì) 量％，進(jìn)一步優(yōu)選為2~5質(zhì)量％。
[0157] [工序（II)]
[0158] 本發(fā)明的工序（II)是將上述光響應(yīng)性高分子溶液涂布于基板上之后，在50~100 °C干燥1~3分鐘，進(jìn)一步在120°C~180°C干燥5~75分鐘而形成涂膜。
[0159]由此，發(fā)揮可制膜出均質(zhì)膜厚的光響應(yīng)性高分子膜的效果。
[0160] 本發(fā)明的涂膜的平均厚度優(yōu)選為1~lOOOnm，更優(yōu)選為5~500nm，進(jìn)一步優(yōu)選為10 ~200nm，進(jìn)一步更優(yōu)選為20~90nm。
[0161] 本發(fā)明的涂膜的平均厚度的測(cè)定方法是在對(duì)光取向膜進(jìn)行涂布及光照射后進(jìn)行 的使用接觸式膜厚測(cè)定計(jì)的階差測(cè)定。此外，通過本發(fā)明的制造方法獲得的液晶取向膜的 平均膜厚的測(cè)定方法也相同。
[0162] 可在本發(fā)明中使用的基板優(yōu)選為透明基板，就與用于上述光響應(yīng)性高分子溶液的 溶劑的關(guān)系而言，只要為不溶解于上述溶劑的材料則并無特別限制，例如可列舉玻璃基板、 石英基板等。
[0163] 此外，本發(fā)明的涂布方法可列舉旋涂法、棒涂法、柔版印刷法、噴墨法等。
[0164] 本發(fā)明的涂膜的干燥方法可列舉加熱干燥、真空干燥等。
[0165] 本發(fā)明的干燥條件優(yōu)選為在20~150°C加熱0.1~20分鐘后，在80°C~250°C加熱1 ~100分鐘，優(yōu)選為在30~120°C加熱0.5~10分鐘后，在100°C~200 °C加熱2~90分鐘，優(yōu)選 為在50~100°C加熱1~3分鐘后，在120°C~180°C加熱5~75分鐘，更優(yōu)選為在70~90°C加 熱2~3分鐘后，在150°C~180°C干燥5分鐘。
[0166] 本發(fā)明的涂膜的干燥次數(shù)優(yōu)選為1次以上且5次以下，更優(yōu)選為1次以上且3次以 下。
[0167] [工序(III)]
[0168] 本發(fā)明的工序（III)是將照射200~350nm的光時(shí)的上述涂膜的溫度調(diào)整為40 °C~ 100。。。
[0169] 根據(jù)本發(fā)明的制造法，通過控制光的照射時(shí)的涂膜的溫度而促進(jìn)分子結(jié)構(gòu)的變 化，因此認(rèn)為發(fā)揮錨定力提高的效果。尤其獲得如下見解:若使用上述的光響應(yīng)性二聚合型 高分子作為光響應(yīng)性高分子，則通過將光照射時(shí)的涂膜的溫度控制于特定范圍內(nèi)而促進(jìn)二 聚合。
[0170] 此外，也獲得如下見解:若在上述工序（II)的干燥工序后進(jìn)行本工序（III)，則與 無干燥的制造方法相比，促進(jìn)二聚合。
[0171] 在本發(fā)明中，作為調(diào)整涂膜的溫度的方法，優(yōu)選為采取使用加熱板的加熱或恒溫 槽內(nèi)的偏光照射等維持手段來進(jìn)行。
[0172] 在工序(III)中，優(yōu)選為在將涂膜的溫度維持為38°C~110°C的狀態(tài)下對(duì)上述涂膜 照射200~350nm的光，更優(yōu)選為在將涂膜的溫度維持為40 °C~100 °C的狀態(tài)下對(duì)上述涂膜 照射230~340nm的偏光，進(jìn)一步優(yōu)選為在將涂膜的溫度維持為50 °C~90 °C的狀態(tài)下對(duì)上述 涂膜照射250~330nm的偏光，特別優(yōu)選為在將涂膜的溫度維持為65 °C~75 °C的狀態(tài)下對(duì)上 述涂膜照射270~330nm的偏光。
[0173] 本發(fā)明的工序（III)中的光的照射是對(duì)涂膜賦予液晶取向能，例如可列舉包含 150nm~800nm的波長(zhǎng)的光的紫外線、可見光線等。這些當(dāng)中，優(yōu)選為包含200nm~350nm的波 長(zhǎng)的光的紫外線。此外，上述照射的光可為偏光，也可為非偏光。進(jìn)一步，在偏光的情況中， 可為直線偏光，也可為部分偏光。另外，在本說明書中，所謂"非偏光"，即使為一部分偏光的 光，只要實(shí)質(zhì)上為非偏光，則包含于"非偏光"。
[0174] 本發(fā)明的工序（III)中的對(duì)涂膜照射的光優(yōu)選為直線光，此外，更優(yōu)選為直線偏 光。此外，在直線偏光或部分偏光的情況中，照射可從與基板