一種電潤濕制備工藝過程中基板表面殘留物的檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電潤濕技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電潤濕工藝過程中基板表面殘留物的檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電潤濕顯示器是通過改變向顯示單元上施加的電壓，進(jìn)而改變顯示器件內(nèi)部的功能疏水材料的親疏水性能，從而驅(qū)動(dòng)器件內(nèi)流體的相對運(yùn)動(dòng)，達(dá)到顯示的效果。
[0003]在電潤濕支撐板的工藝中，基板上設(shè)有像素壁，像素壁一般通過光刻工藝設(shè)置在基板上，但在光刻工藝處理過程中，難免會(huì)在基板表面留下非像素壁區(qū)域留下光刻膠材料等殘留；尤其是，為使用于制造像素壁的材料(一般為光刻膠)可以良好附著于疏水材料表面，在疏水材料涂布后，對疏水材料進(jìn)行表面改性，光刻工藝完成后，再進(jìn)行熱處理，使表面恢復(fù)疏水性能。在這一過程中，改性后的疏水層材料表面能提高，表面呈現(xiàn)親水特性，容易使光刻膠、顯影液等殘留在其表面，從而導(dǎo)致高溫處理后，表面不能回復(fù)至改性前的狀態(tài)。疏水層受污染的支撐板，在后續(xù)油墨填充以及封裝工藝中與疏水層表面無污染的支撐板并沒有明顯的區(qū)別，但是器件裝備完成后，加電壓進(jìn)行測試時(shí)會(huì)出現(xiàn)油墨難以回流的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電潤濕制備工藝過程中基板表面殘留物的檢測方法，可以在電潤濕器件工藝流程中對基板表面殘留物進(jìn)行初步檢測，一旦發(fā)現(xiàn)未達(dá)標(biāo)樣品，可以在油墨填充以及封裝如進(jìn)彳丁處理。減少后續(xù)的封裝及檢測工藝的浪費(fèi)，提尚良率。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題的解決方案是:一種電潤濕工藝過程中的基板表面殘留物的檢測方法，所述電潤濕制備工藝包括，在基板表面進(jìn)行光刻工藝處理的步驟，在基板的非器件區(qū)域選取若干區(qū)域作為測試區(qū)域，測試區(qū)域和器件區(qū)域經(jīng)歷同樣的工藝處理；測量光刻工藝處理前測試區(qū)域的基板表面接觸角Ct1和光刻工藝處理后的基板表面接觸角&，通過比較<^和私來判斷基板表面是否有殘留物，判斷光刻工藝對基板表面狀態(tài)的影響。
[0006]或者，優(yōu)選地，對于有些制備工藝，為便于光刻工藝進(jìn)行，在光刻工藝之前還包括對基板進(jìn)行表面改性處理的步驟。
[0007]或者，對于依次包括:對基板的疏水層進(jìn)行表面改性處理一一光刻一一高溫回流處理的步驟的電潤濕制備工藝，本發(fā)明的電潤濕制備工藝過程中基板表面殘留物的檢測方法為，在基板的非器件區(qū)域選取若干區(qū)域作為測試區(qū)域，測試區(qū)域和器件區(qū)域經(jīng)歷同樣的工藝步驟處理;測量表面改性處理前的測試區(qū)域的基板表面接觸角02和高溫回流處理后的基板表面接觸角β2，通過比較<12和拆來判斷基板表面是否有殘留物，從而判斷光刻和回流工藝對基板的影響。
[0008]或者，對于依次包括:對基板的疏水層進(jìn)行表面改性處理光刻尚溫回流處理的步驟的電潤濕制備工藝，本發(fā)明的電潤濕制備工藝過程中基板表面殘留物的檢測方法為，在基板的非器件區(qū)域選取若干區(qū)域作為測試區(qū)域，測試區(qū)域和器件區(qū)域經(jīng)歷同樣的工藝步驟處理;測量高溫回流處理前的測試區(qū)域的基板表面接觸角Ct3和高溫回流處理后的基板表面接觸角fo，通過比較α3和β3來判斷基板表面是否有殘留物，從而判斷回流工藝對基板表面的影響。
[0009]本發(fā)明的檢測方法中的基板表面可以是未涂布有疏水層的基板，如ITO基板，或者涂布有疏水層的基板，當(dāng)為涂布有疏水層的基板時(shí)，本發(fā)明檢測方法中的器件區(qū)域和測試區(qū)域的基板表面潤濕角即為各區(qū)域的疏水層表面的潤濕角。
[0010]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過在非器件區(qū)域設(shè)置測試區(qū)域，作為參照，通過對測試區(qū)域的基板表面性質(zhì)的測量，間接實(shí)現(xiàn)對像素格內(nèi)基板表面殘留物的檢測，解決了由于像素格內(nèi)部區(qū)域狹小，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，難以進(jìn)行測量的問題，可以在制備過程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測，及時(shí)作出調(diào)整，提高了產(chǎn)品良率。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單說明。顯然，所描述的附圖只是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他設(shè)計(jì)方案和附圖。
[0012]圖1是本發(fā)明的電潤濕基板的器件區(qū)域和非器件區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明的電潤濕基板的測試區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是本發(fā)明的電潤濕基板的測試區(qū)域的疏水層光刻膠壓邊的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下將結(jié)合實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果進(jìn)行清楚、完整的描述，以充分地理解本發(fā)明的目的、特征和效果。顯然，所描述的實(shí)施例只是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例，基于本發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的其他實(shí)施例，均屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明創(chuàng)造中的各個(gè)技術(shù)特征，在不互相矛盾沖突的前提下可以交互組合。
[0014]實(shí)施方式一
對于直接在基板表面設(shè)置像素壁的電潤濕基板制備工藝，本發(fā)明的電潤濕工藝過程中的基板表面殘留物的檢測方法，包括，
首先，提供電潤濕基板，所述基板包括器件區(qū)域和非器件區(qū)域;如圖1所示。
[0015]基板通常為ITO基板、金屬基板、TFT基板、PET、P1、PDMS、PMMA基板等。
[0016]下一個(gè)基板，在非器件區(qū)域選取若干區(qū)域作為測試區(qū)域;如圖2所示。
[0017]測試區(qū)域可以為一個(gè)或者多個(gè)，具體可以根據(jù)具體情況設(shè)置，不小于I個(gè)。測試區(qū)域的位置也根據(jù)具體情況，工藝均勻性及可靠性差的區(qū)域應(yīng)設(shè)置測試區(qū)域。測試區(qū)域的大小，需要大于約1mL水滴測量區(qū)域，一般要大于直徑為0.5cm的圓形區(qū)域。
[0018]下一個(gè)步驟，測量測試區(qū)域的表面接觸角αΙΤ01。
[0019]由于在某些制備工藝中，是直接在基板表面通過光刻工藝設(shè)置像素壁的，即像素壁是直接設(shè)置在基板表面上的；故要對測試區(qū)域的基板表面接觸角Cim1進(jìn)行測量，以作為基準(zhǔn)。
[0020]下一個(gè)步驟，對器件區(qū)域和測試區(qū)域的表面進(jìn)行光刻工藝處理。
[0021]具體的光刻工藝包括光刻膠涂布、曝光、顯影三個(gè)步驟，通過掩模板曝光和顯影得到需要的像素壁圖案，但在顯影過程中，如果處理不當(dāng)，通常容易在基板表面殘留光刻膠及顯影液，影響基板表面性能，從而影響后續(xù)工藝。
[0022]下一個(gè)步驟，是測試光刻工藝處理后的測試區(qū)域基板表面接觸角βΙΤ01。
[0023]由于測試區(qū)域經(jīng)歷了和器件區(qū)域同樣的處理，故測量其表面的接觸角βΙΤ?1，也即反映了器件區(qū)域的經(jīng)過光刻工藝處理后的基板表面的接觸角。
[0024]最后，比較α?το?與βιτοι。
[0025]由于分別代表了器件區(qū)域的光刻工藝處理前和處理后的表面接觸角，故通過對比可以反映光刻工藝處理后基板表面的性質(zhì)，即是否有光刻膠顯影液等殘留物。通常根據(jù)工藝條件和實(shí)際應(yīng)用要求，^^與扮^的差別需要滿足在一定的范圍CITQ1ft，如果0< αιτοι-βιτοι < Citqi，則不需要表面除污處理，直接進(jìn)行后續(xù)的灌油和封裝。如果| αΙΤ01-βιτοι 2需要處理后再進(jìn)行后續(xù)工藝。通常殘留物的處理方法可以但不限于等離子處理或UV-臭氧處理。
[0026]實(shí)施方式二
對于在疏水層表面設(shè)置像素壁的電潤濕基板制備工藝，本發(fā)明的電潤濕制備工藝過程中基板表面殘留物的檢測方法，包括:
首先，提供電潤濕基板，所述基板包括器件區(qū)域和非器件區(qū)域;如圖1所示。
[0027]下一個(gè)步驟，在非器件區(qū)域選取若干區(qū)域作為測試區(qū)域;如圖2所示。
[0028]測試區(qū)域可以為一個(gè)或者多個(gè)，具體可以根據(jù)具體情況設(shè)置，不小于I個(gè)。測試區(qū)域的位置也根據(jù)具體情況，工藝均勻性及可靠性差