02和210，其中每一條儲(chǔ)存電容電極，例如儲(chǔ)存電容電極202,是位于兩條相鄰的第一掃描線(xiàn)203和第二掃描線(xiàn)204之間(如圖2B所繪示)。要說(shuō)明的是，使用者可根據(jù)需求選擇是否設(shè)置儲(chǔ)存電容電極202 和 210。
[0063]接著，依序?qū)盈B上絕緣層(未繪示)、半導(dǎo)體層(未繪示)及金屬層M2后進(jìn)行第二道光罩制程，將金屬層M2圖案化。其中，圖案化后的金屬層M2包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)(datalines)，例如多條與第一掃描線(xiàn)203和第二掃描線(xiàn)204相交的第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205。在本發(fā)明的實(shí)施例中，每一個(gè)像素區(qū)的范圍，是由相鄰的兩條掃描線(xiàn)相互靠近的二側(cè)邊和相鄰的兩條數(shù)據(jù)線(xiàn)相互靠近的二側(cè)邊所定義而成。
[0064]例如，在本實(shí)施例中(如圖2C所繪示)，像素區(qū)200N的范圍，即是由相鄰掃描線(xiàn)第一掃描線(xiàn)203和第二掃描線(xiàn)204相互靠近的第一側(cè)邊203a和第二側(cè)邊204a,以及相鄰第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205相互靠近的第三側(cè)邊206a和第四側(cè)邊205a所定義出來(lái)。其中，第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205的第三側(cè)邊206a及第四側(cè)邊205a分別和第一掃描線(xiàn)203和第二掃描線(xiàn)204的第一側(cè)邊203a及第二側(cè)邊204a相交。詳言之，像素區(qū)200N的范圍即是由第一側(cè)邊203a、第二側(cè)邊204a、第三側(cè)邊206a及第四側(cè)邊205a所定義的區(qū)域。
[0065]又例如，像素區(qū)200N-1的范圍，是由第一掃描線(xiàn)203的第一側(cè)邊203b與相鄰的掃描線(xiàn)(未繪示)側(cè)邊以及第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和相鄰的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205相互靠近的第三側(cè)邊206a和第四側(cè)邊205a所定義出來(lái)的區(qū)域。像素區(qū)200N+1的范圍，則是由第二掃描線(xiàn)204的第二側(cè)邊204b與相鄰的掃描線(xiàn)(未繪示)側(cè)邊以及第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和相鄰的第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205相互靠近的第三側(cè)邊206a和第四側(cè)邊205a所定義出來(lái)的區(qū)域。
[0066]必須注意的是，各掃描線(xiàn)的側(cè)邊，例如第一側(cè)邊203a和第二側(cè)邊204a，以及各數(shù)據(jù)線(xiàn)的側(cè)邊，例如第三側(cè)邊206a和第四側(cè)邊205a并不限定為直線(xiàn)。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，各掃描線(xiàn)的側(cè)邊以及各數(shù)據(jù)線(xiàn)的側(cè)邊可以包含折線(xiàn)或曲線(xiàn)。相鄰掃描線(xiàn)的兩側(cè)邊及相鄰數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩側(cè)邊亦不限定為彼此平行。因此，在本發(fā)明的一些實(shí)施例之中，像素區(qū)200N、200N-1和200N+1可以配合像素結(jié)構(gòu)20的設(shè)計(jì)，而呈現(xiàn)多種不同形狀。另外，雖然圖2C所繪示的像素結(jié)構(gòu)20僅包括3個(gè)像素區(qū)200N-1、200N和200N+1，但并未限定其他實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的像素區(qū)的個(gè)數(shù)。且為了方便描述起見(jiàn)，以下僅就單一個(gè)像素區(qū)200N的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。之后，再借由膜層堆疊步驟在像素區(qū)200N之中形成有源元件，例如第一有源元件209和第二有源元件208 (如圖2C所繪示)。在本發(fā)明的一些發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一有源元件209形成于第一掃描線(xiàn)203上，其包括柵極209a、第一電極209c與第二電極209b。其中，第一電極209c可以是漏極，第二電極20%是源極，或者是第一電極209c可以是源極，第二電極20%是漏極。本發(fā)明的實(shí)施例中并不對(duì)漏極及源極的位置加以限制，該技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員當(dāng)可依照實(shí)際布線(xiàn)需求加以設(shè)計(jì)。其中，柵極209a與第一掃描線(xiàn)203電性接觸；第一電極209c具有一第一電極延伸部209d，會(huì)與后續(xù)形成于像素區(qū)200N中的第一子像素電極216通過(guò)一第一連接孔214電性連接；第二電極20%與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206電性接觸。
[0067]第二有源元件208包括柵極208a、第三電極208c與第四電極208b，其中第三電極208c可以是漏極，第四電極208b是源極，或者第二電極208c是源極，第四電極208b是漏極，本發(fā)明的實(shí)施例中并不對(duì)漏極及源極的位置加以限制。其中，柵極208a與第一掃描線(xiàn)203電性接觸；第三電極208c具有一第三電極延伸部208d，會(huì)透過(guò)一第二連接孔213與第二子像素電極215電性連接；第四電極208b與第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205電性接觸。
[0068]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第三電極延伸部208d僅延伸至儲(chǔ)存電容電極202上方，并和儲(chǔ)存電容電極202重疊；第一電極延伸部209d則延伸超過(guò)像素區(qū)200N的范圍，并且至少有一部分與第二掃描線(xiàn)204重疊。在本實(shí)施例中，第一電極延伸部209d沿著遠(yuǎn)離第一掃描線(xiàn)203的方向延伸，與第二掃描線(xiàn)204相交且進(jìn)入像素區(qū)200N+1的范圍中，并且和像素區(qū)200N+1中的儲(chǔ)存電容電極210重疊。同樣的，像素區(qū)200N-1也具有一個(gè)第一電極延伸部209d’沿著實(shí)質(zhì)平行第一數(shù)據(jù)線(xiàn)205和第二數(shù)據(jù)線(xiàn)206的方向延伸，與第一掃描線(xiàn)203相交且進(jìn)入像素區(qū)200N的范圍中，并且和儲(chǔ)存電容電極202重疊(如圖2C所繪示)。
[0069]然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2D以及圖3A和圖3B，于圖案化金屬層M2上方覆蓋一隔離層212，并于隔離層212上形成多個(gè)連接孔開(kāi)口 207，將暴露出部分第一電極延伸部209d和第三電極延伸部208d。再于隔離層212上形成圖案化像素電極211，并填充連接孔開(kāi)口 207，以形成貫穿隔離層212的第一連接孔214和第二連接孔213，使圖案化像素電極211分別與第一電極延伸部209d和第三電極延伸部208d電性連接。
[0070]圖3A是沿著圖2D的切線(xiàn)A1-A1所繪示的像素區(qū)200的部分結(jié)構(gòu)剖面圖。圖3B是沿著圖2D的切線(xiàn)B1-B1所繪示的像素區(qū)200的部分結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，隔離層212可以由有機(jī)或無(wú)機(jī)的絕緣材料所構(gòu)成。例如，在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，隔離層212可以是由彩色濾光片，或者是由高分子材料所構(gòu)成。而隔離層212的厚度實(shí)質(zhì)介于1微米(μπι)至5微米之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，厚度較大的隔離層212可以容許后續(xù)形成于其上的圖案化像素電極211向外延伸并與第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205部分重疊，且不會(huì)產(chǎn)生相互的信號(hào)干擾(crosstalk)。在本實(shí)施例中，隔離層212的厚度實(shí)質(zhì)為3微米。
[0071]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2D。圖案化像素電極211可被區(qū)隔成兩個(gè)彼此分離的第一子像素電極216和第二子像素電極215。每一個(gè)子像素電極，例如第二子像素電極215和第一子像素電極216 二者，都可以包括第一子像素電極主干部216b和第二子像素電極主干部215b以及分別與第一子像素電極主干部216b和第二子像素電極主干部215b連接的第一子像素電極支部216a和第二子像素電極支部215a。第一子像素電極216的第一子像素電極主干部216b與第一子像素電極支部216a將第一子像素電極216劃分為四個(gè)配向領(lǐng)域R1、R2、R3和R4 ;第二子像素電極215的第二子像素電極主干部215b與第二子像素電極支部215a將子像素電極215劃分為四個(gè)配向領(lǐng)域R5、R6、R7和R8。每個(gè)配向領(lǐng)域Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8又分別具有多個(gè)分支215c和216c，自第一子像素電極主干部216b和第一子像素電極支部216a以及第二子像素電極主干部215b和第二子像素電極支部215a往周?chē)由臁?br>[0072]當(dāng)利用此像素結(jié)構(gòu)20進(jìn)行顯示時(shí)，位于第一子像素電極216和第二子像素電極215上方的液晶分子(未繪示)至少可朝四個(gè)不同的方向分別作不同程度的傾倒，進(jìn)而達(dá)到廣視角的顯示效果。然而值得注意的是，雖然在本實(shí)施例中每一個(gè)第一子像素電極216和第二子像素電極215僅繪示四個(gè)配向領(lǐng)域，但本發(fā)明的實(shí)施例并不以此為限。相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者當(dāng)可依據(jù)產(chǎn)品需求來(lái)設(shè)計(jì)每一個(gè)子像素電極的主干部、支部以及分支的型態(tài)與配向領(lǐng)域的數(shù)量。
[0073]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，第一子像素電極216和第二子像素電極215分別具有一個(gè)第一子像素電極延伸部216d和第二子像素電極延伸部215d。其中，第二子像素電極延伸部215d由第二子像素電極215的外框215e向外延伸至第三電極延伸部208d上方，并與第二連接孔213電性接觸。第一子像素電極延伸部216d由第一子像素電極216的第一子像素電極主干部216b沿著遠(yuǎn)離第一掃描線(xiàn)203的方向延伸，跨過(guò)第二掃描線(xiàn)204并延伸至第一電極延伸部209d的上方，再與第一連接孔214電性接觸。
[0074]另外，延伸超過(guò)像素區(qū)200N范圍的第一電極延伸部209d會(huì)分別與一部分的第一子像素電極216和第二子像素電極215重疊。例如，在本實(shí)施例之中，由第一電極209向外延伸的第一電極延伸部209d，會(huì)沿著實(shí)質(zhì)平行第一數(shù)據(jù)線(xiàn)206和第二數(shù)據(jù)線(xiàn)205的方向，跨過(guò)第二掃描線(xiàn)204朝向像素區(qū)200N+1 (即沿著遠(yuǎn)離第一掃描線(xiàn)203的方向)延伸，并依序與第二子像素電極215的第二子像素電極主干部215b、第一子像素電極216的第一子像素電極主干部216b以及第一子像素電極延伸部216d重疊(如圖2D所繪示)。
[0075]由于，第一子像素電極216的第一子像素電極延伸部216d，以及用來(lái)控制第一子像素電極216的第一有源元件209的第一電極延伸部209d都延伸跨越了第二掃描線(xiàn)204，到達(dá)像素區(qū)200N的范圍之外。因此，用來(lái)穿過(guò)隔離層212將第一電極延伸部209