“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、
“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0036]本發(fā)明的實施例提供一種光配向膜雜質(zhì)去除裝置，具體的，參照圖1所示，該光配向膜雜質(zhì)去除裝置包括:加熱設備11、氣體抽出設備12以及氣體輸入設備13。
[0037]加熱設備11形成一個密封腔體111，用于對放置于密封腔體111內(nèi)部的配向膜進行加熱。
[0038]示例性的，密封腔體的形狀可以為長方體、正方體或其他多面體，本發(fā)明的實施例中不對密封腔體的形狀進行限定。
[0039]氣體抽出設備12通過抽氣管道121與密封腔體111連通，用于抽取密封腔體111內(nèi)的氣體。
[0040]示例性的，氣體抽出設備可以為真空栗或者具有類似功能的設備。
[0041]氣體輸入設備13包括供氣管道131和控制開關132，供氣管道131與密封腔體111連通，控制開關132用于控制供氣管道131的導通或截止；氣體輸入設備13用于在控制開關132的控制下通過供氣管道131向密封腔體111內(nèi)輸送氣體。
[0042]本發(fā)明實施例提供的光配向膜雜質(zhì)去除裝置，包括加熱設備、氣體抽出設備以及氣體輸入設備，加熱設備形成一個密封腔體用于可以對放置于密封腔體內(nèi)部的配向膜進行加熱，氣體抽出設備通過抽氣管道與密封腔體連通，用于抽取密封腔體內(nèi)的氣體，氣體輸入設備用于在控制開關的控制下通過供氣管道向密封腔體內(nèi)輸送氣體，在上述光配向膜雜質(zhì)去除裝置工作時，可以通過控制氣體抽出設備開始工作且控制氣體輸入設備的供氣管道截止，從而減小密封腔體內(nèi)部的壓強，進而在較低溫度時使光配向中產(chǎn)生小分子雜質(zhì)蒸發(fā)，所以本發(fā)明實施例能夠去除光配向過程中光配向膜產(chǎn)生的小分子雜質(zhì)且不影響配向膜以及其他元件。
[0043]進一步的，抽氣管道設置于密封腔體的第一側(cè)，氣體輸入設備的供氣管道設置于密封腔體的第二側(cè)；其中，密封腔體的第一側(cè)與密封腔體的第二側(cè)相互遠離。
[0044]在進行加熱去除光配向膜中的小分子雜質(zhì)前，需要首先對密封腔體內(nèi)部的空氣進行換氣，將抽氣管道設置于密封腔體的第一側(cè)，氣體輸入設備的供氣管道設置于密封腔體的第二側(cè)，且密封腔體的第一側(cè)與密封腔體的第二側(cè)相互遠離，即為將抽氣管道和供氣管道設置于密封腔體上相互遠離的側(cè)面，這樣可以使密封腔體內(nèi)部的換氣更加充分，從而更有利于去除密封腔體內(nèi)自然蒸發(fā)的小分子雜質(zhì)。示例性的，可以將抽氣管道和供氣管道設置于密封腔體的相對面上，例如:抽氣管道設置與密封腔體的頂面，供氣管道設置與密封腔體的底面，或者抽氣管道設置與密封腔體的左側(cè)面，供氣管道設置與密封腔體的右側(cè)面，或者抽氣管道設置與密封腔體的前側(cè)面，供氣管道設置與密封腔體的后側(cè)面。
[0045]優(yōu)選的，氣體輸入設備13還包括過濾網(wǎng)133 ;過濾網(wǎng)用于對進入密封腔體的氣體進行過濾。
[0046]具體的，過濾網(wǎng)133可以設置與于供氣管道131的任一端，也可以設置于供氣管道131內(nèi)部，本發(fā)明實施例中不限定過濾網(wǎng)的設置位置，以能夠?qū)M入密封腔體內(nèi)部的氣體進行過濾為準。
[0047]大氣中可能含有灰塵顆粒、水蒸氣等雜質(zhì)，若灰塵顆粒和空氣一起進入密封腔體內(nèi)部，則可能會污染放置密封腔體內(nèi)的光配向膜，而設置過濾對空氣中的灰塵顆粒、水蒸氣等雜質(zhì)進行過濾可以有效避免空氣中的大致污染光配向膜。可選的，過濾網(wǎng)的材質(zhì)可以為:超低透過率空氣過濾材料(英文全稱:Ultra Low Penetrat1n Air Filter，簡稱:ULPA)或者膨體聚四氟乙稀(英文全稱:expended polytetraf luoroethylene，簡稱e-PTFE或者expanded PTFE)。
[0048]進一步的，參照圖2、3所示，其中，圖2為PI膜經(jīng)過線偏極紫外光照射后，產(chǎn)生的小分子雜質(zhì)Al和A2在不同溫度下加熱30分鐘后在光配向膜中含量的示意圖，圖2中橫坐標為溫度值，縱坐標為光配向膜中雜質(zhì)的含量。由圖2可知溫度越高則光配向膜中殘留的雜質(zhì)越少。圖3為真空度對蒸發(fā)溫度的影響示意圖，圖3中，橫坐標表示真空度，縱坐標表示溫度值，圖中各點連成的曲線表示蒸發(fā)溫度隨真空度的變化。由圖3可知真空度越高則蒸發(fā)溫度越低。
[0049]通過上述示意圖2、3可知可以通過提高溫度，以及提高真空度來去除光配向膜中的雜質(zhì)，且溫度在不損壞光配向膜的情況下盡量高，真空度越高越好。因此優(yōu)選的，加熱設備用于將放置于腔體內(nèi)部的配向膜加熱至預設溫度，預設溫度大于190°C且小于250°C。
[0050]需要說明的是，當減小密封腔體內(nèi)部氣體壓強時，理想狀態(tài)為將密封腔體內(nèi)部壓強減小到零，即絕對真空狀態(tài)，然而由于工藝限制，密封腔體內(nèi)部不可能達到絕對真空狀態(tài)，所以本發(fā)明實施例中不對密封腔體內(nèi)的真空對進行限定，密封腔體內(nèi)部的真空度越高越好。此外，配向膜中的小分子雜質(zhì)溫度越高蒸發(fā)越多，但過高的溫度又會損壞光配向膜，因此優(yōu)選的，將配向膜加熱的溫度大于190°C且小于250°C。
[0051]本發(fā)明的實施例提供一種光配向膜雜質(zhì)去除方法，該方法應用于上述任一實施例提供的光配向膜雜質(zhì)去除裝置。具體的，參照圖4所示，該方法包括如下步驟:
[0052]S401、控制氣體抽出設備開始工作并通過氣體輸入設備的控制開關控制氣體輸入設備的供氣管道導通，對加熱設備形成的密封腔體內(nèi)的氣體進行換氣。
[0053]首先，對密封腔體內(nèi)的氣體進行換氣可以去除密封腔體內(nèi)自然蒸發(fā)的小分子雜質(zhì)以及其他雜質(zhì)氣體。
[0054]S402、當換氣時間達到預設時間時，控制加熱設備開始工作。
[0055]預設時間可以根據(jù)密封腔體的容積、換氣速度等實際數(shù)據(jù)進行設定，本發(fā)明不限定換氣時間的長度。
[0056]S403、當放置于密封腔體內(nèi)部的配向膜的溫度達到預設溫度時，通過氣體輸入設備的控制開關控制氣體輸入設備的供氣管道截止。
[0057]在步驟S403中，氣體輸入設備的控制開關控制氣體輸入設備的供氣管道截止，則繼續(xù)工作的氣體抽出設設備會使密封腔體內(nèi)部的氣壓逐漸減小，真空度逐漸升高，在預設溫度時，光配向膜中的小分子雜質(zhì)能夠去除的更加徹底。
[0058]本發(fā)明的實施例提供的光配向膜雜質(zhì)去除方法，首先控制氣體抽出設備開始工作并通過氣體輸入設備的控制開關控制氣體輸入設備的供氣管道導通，對加熱設備形成的密封腔體內(nèi)的氣體進行換氣；然后控制加熱設備開始工作，對光配向膜進行加熱，最后在配向膜的溫度達到預設溫度時，通過氣體輸入設備的控制開關控制氣體輸入設備的供氣管道截止，進而通過繼續(xù)工作的氣體抽出設設備使密封腔體內(nèi)部的氣壓逐漸減小，真空度逐漸升高，所以本發(fā)明的實施例在較低溫度時除去除光配向中產(chǎn)生小分子雜質(zhì)，因此可以去除光配向過程中光配向膜產(chǎn)生的小分子雜質(zhì)且不影響配向膜以及其他元件。
[0059]可選的，在對加熱設備形成的密封腔體內(nèi)的氣體進行換氣前，上述方法還包括:
[0060]通過過濾網(wǎng)對進入密封腔體的氣體進行過濾。
[0061 ] 大氣中可能含有灰塵顆粒、水蒸氣等雜質(zhì)，若灰塵顆粒和空氣一起進